JPH05243465A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
- Publication number
- JPH05243465A JPH05243465A JP4045374A JP4537492A JPH05243465A JP H05243465 A JPH05243465 A JP H05243465A JP 4045374 A JP4045374 A JP 4045374A JP 4537492 A JP4537492 A JP 4537492A JP H05243465 A JPH05243465 A JP H05243465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- electrode
- tab tape
- semiconductor chip
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢテープまたはリードフレームのリード
先端部と半導体チップの電極との接続において、リード
または電極間の短絡を防ぐ。 【構成】 半導体装置の実装において、ＴＡＢテープま
たはリードフレーム５のリード先端部８と半導体チップ
１の表面に形成された電極３とを近接または接触させ、
電解メッキによりリード先端部８と電極３とを接続す
る。ＴＡＢテープ５またはリードフレームのリードを負
電極とし、陽電極板１５をＴＡＢテープまたはリードフ
レーム５のリード７と平行に、かつＴＡＢテープまたは
リードフレーム５のリード７に対して半導体チップ１の
電極３側に配置して前記メッキを行う。
先端部と半導体チップの電極との接続において、リード
または電極間の短絡を防ぐ。 【構成】 半導体装置の実装において、ＴＡＢテープま
たはリードフレーム５のリード先端部８と半導体チップ
１の表面に形成された電極３とを近接または接触させ、
電解メッキによりリード先端部８と電極３とを接続す
る。ＴＡＢテープ５またはリードフレームのリードを負
電極とし、陽電極板１５をＴＡＢテープまたはリードフ
レーム５のリード７と平行に、かつＴＡＢテープまたは
リードフレーム５のリード７に対して半導体チップ１の
電極３側に配置して前記メッキを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の実装方
法、特にＴＡＢテープまたはリードフレームのリード先
端部と半導体チップの電極とを接続する方法に関する。
法、特にＴＡＢテープまたはリードフレームのリード先
端部と半導体チップの電極とを接続する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、リードフレーム、ＴＡＢテープ、
プリント基板などの外部電極または外部リードと半導体
チップの電極との接続には、ワイヤボンディング法また
はフリップチップ法が広く用いられていた。ワイヤボン
ディング法はファインピッチが困難であり、またフリッ
プチップ法は工程が複雑であるいう問題があった。さら
に、これら方法はいずれも一度に多数個処理することは
困難であった。
プリント基板などの外部電極または外部リードと半導体
チップの電極との接続には、ワイヤボンディング法また
はフリップチップ法が広く用いられていた。ワイヤボン
ディング法はファインピッチが困難であり、またフリッ
プチップ法は工程が複雑であるいう問題があった。さら
に、これら方法はいずれも一度に多数個処理することは
困難であった。
【０００３】この様な問題を解決する接続方法として、
外部電極または外部リードと半導体チップの電極とを近
接して配置してメッキを行い、両者間にメッキ金属を成
長させて両者を接続する方法が提案されている。（特公
昭５７−５００５６号、特開平２−６６９５３号公報参
照）メッキには金、ニッケル、銅などの電解メッキまた
は無電解メッキが用いられる。
外部電極または外部リードと半導体チップの電極とを近
接して配置してメッキを行い、両者間にメッキ金属を成
長させて両者を接続する方法が提案されている。（特公
昭５７−５００５６号、特開平２−６６９５３号公報参
照）メッキには金、ニッケル、銅などの電解メッキまた
は無電解メッキが用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＴＡＢテープのリード
間および半導体チップの電極間の間隔は、一般に１００
μm 以下と極めて狭い。一方、ＴＡＢテープのリード先
端部と半導体チップの電極とをメッキにより接続する
際、メッキ金属はリード先端部と半導体チップの電極と
を結ぶ方向に対して直角方向にも成長する。このような
場合、隣り合うリードまたは電極がメッキ金属によりつ
ながり、短絡することがあった。
間および半導体チップの電極間の間隔は、一般に１００
μm 以下と極めて狭い。一方、ＴＡＢテープのリード先
端部と半導体チップの電極とをメッキにより接続する
際、メッキ金属はリード先端部と半導体チップの電極と
を結ぶ方向に対して直角方向にも成長する。このような
場合、隣り合うリードまたは電極がメッキ金属によりつ
ながり、短絡することがあった。
【０００５】この発明は、隣り合うリードまたは電極が
メッキ金属により短絡することなく、ＴＡＢテープまた
はリードフレームのリード先端部と半導体チップの電極
とを接続することができる半導体装置の実装方法を提供
しようとするものである。
メッキ金属により短絡することなく、ＴＡＢテープまた
はリードフレームのリード先端部と半導体チップの電極
とを接続することができる半導体装置の実装方法を提供
しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置の
実装方法は、ＴＡＢテープまたはリードフレームのリー
ド先端部と半導体チップの表面に形成された電極とを近
接または接触させ、電解メッキにより上記リード先端部
と電極とを接続する。ＴＡＢテープまたはリードフレー
ムのリードを負電極とし、陽電極板をＴＡＢテープまた
はリードフレームのリードと平行に、かつＴＡＢテープ
またはリードフレームのリードに対して半導体チップの
電極側に配置して上記メッキを行う。
実装方法は、ＴＡＢテープまたはリードフレームのリー
ド先端部と半導体チップの表面に形成された電極とを近
接または接触させ、電解メッキにより上記リード先端部
と電極とを接続する。ＴＡＢテープまたはリードフレー
ムのリードを負電極とし、陽電極板をＴＡＢテープまた
はリードフレームのリードと平行に、かつＴＡＢテープ
またはリードフレームのリードに対して半導体チップの
電極側に配置して上記メッキを行う。
【０００７】陽電極板の縦幅および横幅は、メッキ中の
半導体チップの縦幅および横幅の１．５〜２倍程度（複
数の半導体チップを同時にメッキする場合には、その個
数倍）が望ましい。陽電極板として、Ｐｔ板が用いられ
る。メッキ金属として銅、ニッケル、金などが用いられ
る。
半導体チップの縦幅および横幅の１．５〜２倍程度（複
数の半導体チップを同時にメッキする場合には、その個
数倍）が望ましい。陽電極板として、Ｐｔ板が用いられ
る。メッキ金属として銅、ニッケル、金などが用いられ
る。
【０００８】
【作用】ＴＡＢテープまたはリードフレームのリードを
負電極とし、陽電極板をＴＡＢテープのリードと平行
に、かつＴＡＢテープまたはリードフレームのリードに
対して半導体チップの電極側に配置しているので、半導
体チップの電極からＴＡＢテープまたはリードフレーム
のリード先端部に向かって平行に電場が形成される。し
たがって、メッキ金属はＴＡＢテープまたはリードフレ
ームのリードと半導体チップの電極との間で主として成
長し、横方向に大きく広がることはない。
負電極とし、陽電極板をＴＡＢテープのリードと平行
に、かつＴＡＢテープまたはリードフレームのリードに
対して半導体チップの電極側に配置しているので、半導
体チップの電極からＴＡＢテープまたはリードフレーム
のリード先端部に向かって平行に電場が形成される。し
たがって、メッキ金属はＴＡＢテープまたはリードフレ
ームのリードと半導体チップの電極との間で主として成
長し、横方向に大きく広がることはない。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明を実施するメッキ装置を模
式的に示している。
式的に示している。
【００１０】図に示すように、メッキ槽１１中にテフロ
ン製の支持フレーム１２および支持フレーム１２に相対
するようにして平行にＰｔ陽極板１５が取り付けられて
いる。支持フレーム１２には、半導体チップ１が着脱可
能に固定されている。また、ＴＡＢテープ５のリード先
端部８が半導体チップ１の電極３に近接あるいは接触す
るようにして、ＴＡＢテープ５が支持フレーム１２にス
ペーサ１３を介して着脱可能に固定されている。スペー
サ１３により、ＴＡＢフレーム５のリード先端部８は半
導体チップ１の電極３に対して正確に位置決めされる。
上記陽極板１５およびＴＡＢテープ５のリードには、直
流電源１７が接続されている。このような配置により、
半導体チップ１の電極３からＴＡＢテープ５のリード先
端部８に向かって平行に電場が形成される。
ン製の支持フレーム１２および支持フレーム１２に相対
するようにして平行にＰｔ陽極板１５が取り付けられて
いる。支持フレーム１２には、半導体チップ１が着脱可
能に固定されている。また、ＴＡＢテープ５のリード先
端部８が半導体チップ１の電極３に近接あるいは接触す
るようにして、ＴＡＢテープ５が支持フレーム１２にス
ペーサ１３を介して着脱可能に固定されている。スペー
サ１３により、ＴＡＢフレーム５のリード先端部８は半
導体チップ１の電極３に対して正確に位置決めされる。
上記陽極板１５およびＴＡＢテープ５のリードには、直
流電源１７が接続されている。このような配置により、
半導体チップ１の電極３からＴＡＢテープ５のリード先
端部８に向かって平行に電場が形成される。
【００１１】上記メッキ装置を用いて銅メッキにより、
ＴＡＢテープのリード先端部と半導体チップの電極とを
接続した。メッキ液はＣｕＳＯ4 （０．８mol/l ）およ
びＨ2 ＳＯ4 （０．５mol/l ）よりなっている。メッキ
電流は０．６mAであり、メッキ時間は４０〜６０分であ
った。リード先端部と電極との間に形成された銅メッキ
の厚みは６〜１０μm であった。
ＴＡＢテープのリード先端部と半導体チップの電極とを
接続した。メッキ液はＣｕＳＯ4 （０．８mol/l ）およ
びＨ2 ＳＯ4 （０．５mol/l ）よりなっている。メッキ
電流は０．６mAであり、メッキ時間は４０〜６０分であ
った。リード先端部と電極との間に形成された銅メッキ
の厚みは６〜１０μm であった。
【００１２】図２は、ＴＡＢテープのリード先端部と半
導体チップの電極とをメッキにより接続した状態を示し
ている。半導体チップ１の表面はシリコン酸化膜などの
絶縁性保護膜２で覆われている。また、Ｎｉ金属などに
より形成された複数の電極３が、半導体チップ５の表面
周縁に沿って配置され、チップ表面から突出している。
ＴＡＢテープ５は、ポリイミド基板６に銅リード７が設
けられている。リード先端部８と電極３との間は、上記
銅メッキにより銅の電路９が形成されており、両者は電
気的に接続されている。
導体チップの電極とをメッキにより接続した状態を示し
ている。半導体チップ１の表面はシリコン酸化膜などの
絶縁性保護膜２で覆われている。また、Ｎｉ金属などに
より形成された複数の電極３が、半導体チップ５の表面
周縁に沿って配置され、チップ表面から突出している。
ＴＡＢテープ５は、ポリイミド基板６に銅リード７が設
けられている。リード先端部８と電極３との間は、上記
銅メッキにより銅の電路９が形成されており、両者は電
気的に接続されている。
【００１３】
【発明の効果】この発明によれば、メッキ金属がＴＡＢ
テープまたはリードフレームのリードと半導体チップの
電極との間で主として成長し、横方向に大きく広がるこ
とはない。この結果、メッキの膜厚を適当に制御するこ
とにより隣り合うリードまたは電極がメッキ金属により
つながることはなく、したがって短絡することはない。
テープまたはリードフレームのリードと半導体チップの
電極との間で主として成長し、横方向に大きく広がるこ
とはない。この結果、メッキの膜厚を適当に制御するこ
とにより隣り合うリードまたは電極がメッキ金属により
つながることはなく、したがって短絡することはない。
【図１】この発明を実施するメッキ装置の一例を示す模
式図である。
式図である。
【図２】ＴＡＢテープおよび半導体チップの一部断面図
であり、リード先端部と電極とをメッキにより接続した
状態を示している。
であり、リード先端部と電極とをメッキにより接続した
状態を示している。
１ 半導体チップ ３ 電極 ５ ＴＡＢテープ ６ ポリイミド基板 ７ リード ８ リード先端部 ９ 電路 １１ メッキ槽 １２ 支持フレーム １３ スペーサ １５ 陽極板 １７ 直流電源 １９ メッキ液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 恭秀 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新日 本製鐵株式会社先端技術研究所内 (72)発明者 藤津 隆夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 工藤 好正 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 清水 真也 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 ＴＡＢテープまたはリードフレームのリ
ード先端部と半導体チップの表面に形成された電極とを
近接または接触させ、電解メッキにより前記リード先端
部と電極とを接続する方法において、ＴＡＢテープまた
はリードフレームのリードを負電極とし、陽電極板をＴ
ＡＢテープまたはリードフレームのリードと平行に、か
つＴＡＢテープまたはリードフレームのリードに対して
半導体チップの電極側に配置して前記メッキを行うこと
を特徴とする半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045374A JP3043884B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045374A JP3043884B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243465A true JPH05243465A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3043884B2 JP3043884B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=12717497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4045374A Expired - Fee Related JP3043884B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3043884B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786239A (en) * | 1995-09-20 | 1998-07-28 | Sony Corporation | Method of manufacturing a semiconductor package |
| JP2004100009A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属電極の製造方法およびその製造装置 |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP4045374A patent/JP3043884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786239A (en) * | 1995-09-20 | 1998-07-28 | Sony Corporation | Method of manufacturing a semiconductor package |
| US5982033A (en) * | 1995-09-20 | 1999-11-09 | Sony Corporation | Semiconductor chip package |
| JP2004100009A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属電極の製造方法およびその製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3043884B2 (ja) | 2000-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000229 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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