JPH05243508A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH05243508A JPH05243508A JP4044579A JP4457992A JPH05243508A JP H05243508 A JPH05243508 A JP H05243508A JP 4044579 A JP4044579 A JP 4044579A JP 4457992 A JP4457992 A JP 4457992A JP H05243508 A JPH05243508 A JP H05243508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- level shift
- shift diode
- voltage source
- Prior art date
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- Pending
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度上昇による熱暴走を防止できる半導体集
積回路を得る。 【構成】 レベルシフトトランジスタ３と直列に挿入さ
れた抵抗６を備える。
積回路を得る。 【構成】 レベルシフトトランジスタ３と直列に挿入さ
れた抵抗６を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レベルシフト入力の
保護回路を有する半導体集積回路に関するものである。
保護回路を有する半導体集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３及び図４は、従来のレベルシフトダ
イオードを有する半導体集積回路の構成図である。図に
おいて、1a、1b、1cは電圧源、２は制限抵抗、３はレベ
ルシフトダイオード、４は半導体集積回路の内部回路、
５は接地である。
イオードを有する半導体集積回路の構成図である。図に
おいて、1a、1b、1cは電圧源、２は制限抵抗、３はレベ
ルシフトダイオード、４は半導体集積回路の内部回路、
５は接地である。
【０００３】次に動作について説明する。図３におい
て、電圧源1aの電圧より電圧源1bの電圧が高いとき、レ
ベルシフトダイオード３により半導体集積回路の内部回
路４には、電圧源1bの電圧が直接印加されることはな
い。このとき、半導体集積回路の温度が上昇すると、レ
ベルシフトダイオード３の降下電圧Ｖｆが減少し、それ
に伴い、レベルシフトダイオード３の等価内部抵抗も減
り、電圧源1bから電圧源1aへ流れていた電流は増加す
る。電流の増加によりレベルシフトレジスタ３が発熱
し、その等価内部抵抗がさらに減少し、電流がさらに増
加するという正帰還がかかり、半導体集積回路が熱破壊
してしまう恐れがあった。図４の半導体集積回路も、図
３の半導体集積回路と同様の現象がおこる。図４が図３
と異なるのは、電圧源1bの電圧が接地５の電位より低い
という点のみである。
て、電圧源1aの電圧より電圧源1bの電圧が高いとき、レ
ベルシフトダイオード３により半導体集積回路の内部回
路４には、電圧源1bの電圧が直接印加されることはな
い。このとき、半導体集積回路の温度が上昇すると、レ
ベルシフトダイオード３の降下電圧Ｖｆが減少し、それ
に伴い、レベルシフトダイオード３の等価内部抵抗も減
り、電圧源1bから電圧源1aへ流れていた電流は増加す
る。電流の増加によりレベルシフトレジスタ３が発熱
し、その等価内部抵抗がさらに減少し、電流がさらに増
加するという正帰還がかかり、半導体集積回路が熱破壊
してしまう恐れがあった。図４の半導体集積回路も、図
３の半導体集積回路と同様の現象がおこる。図４が図３
と異なるのは、電圧源1bの電圧が接地５の電位より低い
という点のみである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
は以上のように構成されているので、温度が上昇すると
レベルシフトダイオード３に発熱と電流増加という正帰
還がかかり、半導体集積回路が熱暴走により熱破壊する
可能性があるという問題点があった。
は以上のように構成されているので、温度が上昇すると
レベルシフトダイオード３に発熱と電流増加という正帰
還がかかり、半導体集積回路が熱暴走により熱破壊する
可能性があるという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、熱暴走を防止できる半導体集積
回路を得ることを目的とする。
ためになされたもので、熱暴走を防止できる半導体集積
回路を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる第１の
発明の半導体集積回路は、電圧源と接続されたレベルシ
フトダイオードと直列に抵抗を挿入したものである。
発明の半導体集積回路は、電圧源と接続されたレベルシ
フトダイオードと直列に抵抗を挿入したものである。
【０００７】この発明に係わる第２の発明の半導体集積
回路は、接地と接続されたレベルシフトダイオードと直
列に抵抗を挿入したものである。
回路は、接地と接続されたレベルシフトダイオードと直
列に抵抗を挿入したものである。
【０００８】
【作用】この発明における第１の発明の半導体集積回路
は、レベルシフトダイオードが温度の上昇に伴い発熱
し、電流が増加する方向にあるとき、挿入された抵抗の
抵抗地が温度の上昇に伴って増加して、レベルシフトダ
イオードから電圧源に流れる電流の増加を防止する。
は、レベルシフトダイオードが温度の上昇に伴い発熱
し、電流が増加する方向にあるとき、挿入された抵抗の
抵抗地が温度の上昇に伴って増加して、レベルシフトダ
イオードから電圧源に流れる電流の増加を防止する。
【０００９】この発明における第２の発明の半導体集積
回路は、レベルシフトダイオードが温度の上昇に伴い発
熱し、電流が増加する方向にあるとき、挿入された抵抗
の抵抗値が温度の上昇に伴って増加して、接地からレベ
ルシフトダイオードに流れる電流の増加を防止する。
回路は、レベルシフトダイオードが温度の上昇に伴い発
熱し、電流が増加する方向にあるとき、挿入された抵抗
の抵抗値が温度の上昇に伴って増加して、接地からレベ
ルシフトダイオードに流れる電流の増加を防止する。
【００１０】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例１を図に
ついて説明する。図１はこの発明の実施例１による半導
体装置の構成図である。図において、1aおよび1bは電圧
源、２は電圧源1bと接続された制限抵抗、３は電圧源1a
と制限抵抗２との間に接続されたレベルシフトダイオー
ド、４は制限抵抗２とレベルシフトダイオード３と接続
された半導体集積回路の内部回路、６は電圧源1aとレベ
ルシフトダイオード３との間に直列に挿入された抵抗で
ある。
ついて説明する。図１はこの発明の実施例１による半導
体装置の構成図である。図において、1aおよび1bは電圧
源、２は電圧源1bと接続された制限抵抗、３は電圧源1a
と制限抵抗２との間に接続されたレベルシフトダイオー
ド、４は制限抵抗２とレベルシフトダイオード３と接続
された半導体集積回路の内部回路、６は電圧源1aとレベ
ルシフトダイオード３との間に直列に挿入された抵抗で
ある。
【００１１】次に動作について説明する。図１の半導体
集積回路において、電圧源1aの電圧が電圧源1bの電圧よ
り低い電圧であるとすると、電圧源1bから電圧源1bへ電
流が流れる。この状態で半導体集積回路の温度が上昇す
ると、レベルシフトトランジスタ３の降下電圧Ｖｆが減
少し、その等価内部抵抗が減り、電圧源1bから電圧源1a
へ流れる電流が増加する方向へ向かおうとするが、電流
増加による温度上昇に伴い、挿入した抵抗６の抵抗値が
高くなるので、過大電流の流入を防止し、レベルシフト
ダイオード３の熱暴走が抑えられる。
集積回路において、電圧源1aの電圧が電圧源1bの電圧よ
り低い電圧であるとすると、電圧源1bから電圧源1bへ電
流が流れる。この状態で半導体集積回路の温度が上昇す
ると、レベルシフトトランジスタ３の降下電圧Ｖｆが減
少し、その等価内部抵抗が減り、電圧源1bから電圧源1a
へ流れる電流が増加する方向へ向かおうとするが、電流
増加による温度上昇に伴い、挿入した抵抗６の抵抗値が
高くなるので、過大電流の流入を防止し、レベルシフト
ダイオード３の熱暴走が抑えられる。
【００１２】実施例２．図２はこの発明の実施例２によ
る半導体集積回路の構成図である。図において、1cは電
圧源、２は電圧源1cと接続された制限抵抗、３は制限抵
抗２と接地５との間に接続されたレベルシフトダイオー
ド、４は制限抵抗２と接続された半導体集積回路の内部
回路、６はレベルシフトダイオード３と半導体集積回路
の内部回路３との間に挿入接続された抵抗である。
る半導体集積回路の構成図である。図において、1cは電
圧源、２は電圧源1cと接続された制限抵抗、３は制限抵
抗２と接地５との間に接続されたレベルシフトダイオー
ド、４は制限抵抗２と接続された半導体集積回路の内部
回路、６はレベルシフトダイオード３と半導体集積回路
の内部回路３との間に挿入接続された抵抗である。
【００１３】図２の半導体集積回路において、電圧源1c
の電圧が接地５の電圧より低い電圧であるとすると、接
地５から電圧源1cへ電流が流れる。この状態で半導体集
積回路の温度が上昇すると、レベルシフトダイオード３
の降下電圧Ｖｆが減少しその等価内部抵抗が減り、接地
５から電圧源1cへ流れる電流が増加する方向へ向かおう
とするが、電流増加による温度上昇に伴い、挿入した抵
抗６の抵抗値が高くなり、過大電流の流出を防止し、レ
ベルシフトダイオード３の熱暴走を抑えられる。
の電圧が接地５の電圧より低い電圧であるとすると、接
地５から電圧源1cへ電流が流れる。この状態で半導体集
積回路の温度が上昇すると、レベルシフトダイオード３
の降下電圧Ｖｆが減少しその等価内部抵抗が減り、接地
５から電圧源1cへ流れる電流が増加する方向へ向かおう
とするが、電流増加による温度上昇に伴い、挿入した抵
抗６の抵抗値が高くなり、過大電流の流出を防止し、レ
ベルシフトダイオード３の熱暴走を抑えられる。
【００１４】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、レベル
シフトダイオードと直列に抵抗を挿入したので、半導体
集積回路の温度が上昇し電流が増加するとき、抵抗によ
って過大電流の流出が防止されるので、熱暴走を防止で
きるという効果がある。
シフトダイオードと直列に抵抗を挿入したので、半導体
集積回路の温度が上昇し電流が増加するとき、抵抗によ
って過大電流の流出が防止されるので、熱暴走を防止で
きるという効果がある。
【図１】この発明の実施例１による半導体集積回路の構
成図である。
成図である。
【図２】この発明の実施例２による半導体集積回路の構
成図である。
成図である。
【図３】従来の半導体集積回路の構成図である。
【図４】従来の半導体集積回路の構成図である。
１ 電圧源 ２ 制限抵抗 ３ レベルシフトダイオード ４ 半導体集積回路の内部回路 ５ 接地 ６ 抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 端子と正電位電源間にレベルシフトダイ
オードを接続した半導体集積回路において、上記正電位
電源と上記レベルシフトダイオードとの間に上記レベル
シフトダイオードと直列に挿入された抵抗を備えたこと
を特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項２】 端子と負電位電源間、または接地電位間
にレベルシフトダイオードを接続した半導体集積回路に
おいて、上記負電位電源または接地電位と上記レベルシ
フトダイオードとの間に上記レベルシフトダイオードと
直列に挿入された抵抗を備えたことを特徴とする半導体
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4044579A JPH05243508A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4044579A JPH05243508A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243508A true JPH05243508A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12695414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4044579A Pending JPH05243508A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243508A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012002764A3 (en) * | 2010-07-01 | 2012-04-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Metal-semiconductor convergence electric circuit devices and electric circuit systems using the same |
| US9035427B2 (en) | 2010-07-01 | 2015-05-19 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Metal-semiconductor convergence electric circuit devices and electric circuit systems using the same |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP4044579A patent/JPH05243508A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012002764A3 (en) * | 2010-07-01 | 2012-04-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Metal-semiconductor convergence electric circuit devices and electric circuit systems using the same |
| US9035427B2 (en) | 2010-07-01 | 2015-05-19 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Metal-semiconductor convergence electric circuit devices and electric circuit systems using the same |
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