JPH05243810A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents
積層型誘電体フィルタInfo
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- JPH05243810A JPH05243810A JP4379292A JP4379292A JPH05243810A JP H05243810 A JPH05243810 A JP H05243810A JP 4379292 A JP4379292 A JP 4379292A JP 4379292 A JP4379292 A JP 4379292A JP H05243810 A JPH05243810 A JP H05243810A
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】共振素子同士を極端に近づけることなく共振素
子同士の結合を強化して広帯域化させるとともに、より
小型化した積層型誘電体フィルタを提供する。 【構成】アース電極70と共振素子21〜23との間の
誘電体層中に、共振素子21〜23の開放端側において
共振素子21〜23の一部と重なる内部アース電極8
1、82を形成する。
子同士の結合を強化して広帯域化させるとともに、より
小型化した積層型誘電体フィルタを提供する。 【構成】アース電極70と共振素子21〜23との間の
誘電体層中に、共振素子21〜23の開放端側において
共振素子21〜23の一部と重なる内部アース電極8
1、82を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は積層型誘電体フィルタに
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレクサに使
用される積層型誘電体フィルタに関する。
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレクサに使
用される積層型誘電体フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】図12、13は、それぞれ本発明者らが
案出した積層型誘電体フィルタの模式展開図および斜視
図である。この積層型誘電体フィルタにおいては、図1
2に示すように、まず、誘電体層11の表面に一端部が
後記のアース電極70に電気的に接続される1/4波長
ストリップライン共振器からなる共振素子21〜23を
所定間隔で形成し、さらに、一端部がアース電極70に
電気的に接続され、かつ他端部が共振素子21〜23の
開放端から所定の間隔離れて共振素子21〜23とそれ
ぞれ対向する電極31〜33を誘電体層11の表面に形
成して、共振素子21〜23各々の間を誘導結合させ、
誘電体層11上に積層される誘電体層12の表面に、誘
電体層12を挟んで入力側の共振素子21の一部に重な
る入力用電極41および誘電体層12を挟んで出力側の
共振素子23の一部に重なる出力用電極42を形成し、
誘電体層12上に誘電体層13を積層して積層型誘電体
フィルタ本体を構成し、次に、図13に示すように、積
層型誘電体フィルタ本体の表面、裏面、および入力端子
部61と出力端子部62を除いた側面にアース電極70
を形成し、積層型誘電体フィルタ本体の側面に形成した
入力端子部61内にアース電極70から電気的に絶縁さ
れ、かつ入力用電極41に電気的に接続される入力端子
51と、同様に積層型誘電体フィルタ本体の側面に形成
した出力端子部62内に出力用電極42に電気的に接続
される出力端子52を形成して構成されている。
案出した積層型誘電体フィルタの模式展開図および斜視
図である。この積層型誘電体フィルタにおいては、図1
2に示すように、まず、誘電体層11の表面に一端部が
後記のアース電極70に電気的に接続される1/4波長
ストリップライン共振器からなる共振素子21〜23を
所定間隔で形成し、さらに、一端部がアース電極70に
電気的に接続され、かつ他端部が共振素子21〜23の
開放端から所定の間隔離れて共振素子21〜23とそれ
ぞれ対向する電極31〜33を誘電体層11の表面に形
成して、共振素子21〜23各々の間を誘導結合させ、
誘電体層11上に積層される誘電体層12の表面に、誘
電体層12を挟んで入力側の共振素子21の一部に重な
る入力用電極41および誘電体層12を挟んで出力側の
共振素子23の一部に重なる出力用電極42を形成し、
誘電体層12上に誘電体層13を積層して積層型誘電体
フィルタ本体を構成し、次に、図13に示すように、積
層型誘電体フィルタ本体の表面、裏面、および入力端子
部61と出力端子部62を除いた側面にアース電極70
を形成し、積層型誘電体フィルタ本体の側面に形成した
入力端子部61内にアース電極70から電気的に絶縁さ
れ、かつ入力用電極41に電気的に接続される入力端子
51と、同様に積層型誘電体フィルタ本体の側面に形成
した出力端子部62内に出力用電極42に電気的に接続
される出力端子52を形成して構成されている。
【0003】上記した従来例の積層型誘電体フィルタの
電気的な等価回路は図14に示す如くである。図14に
おいて符号111は共振素子21と入力用電極41間の
静電容量であり、符号112は共振素子23と出力用電
極42間の静電容量であり、符号121〜123はそれ
ぞれ共振素子21と電極31間の静電容量、共振素子2
2と電極32間の静電容量、共振素子23と電極33間
の静電容量であり、符号131は共振素子21と共振素
子22との間に形成されるインダクタンスであり、符号
132は共振素子22と共振素子23との間に形成され
るインダクタンスであって、バンドパスフィルタを構成
している。
電気的な等価回路は図14に示す如くである。図14に
おいて符号111は共振素子21と入力用電極41間の
静電容量であり、符号112は共振素子23と出力用電
極42間の静電容量であり、符号121〜123はそれ
ぞれ共振素子21と電極31間の静電容量、共振素子2
2と電極32間の静電容量、共振素子23と電極33間
の静電容量であり、符号131は共振素子21と共振素
子22との間に形成されるインダクタンスであり、符号
132は共振素子22と共振素子23との間に形成され
るインダクタンスであって、バンドパスフィルタを構成
している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述した従
来例のバンドパスフィルタを、携帯用電話機端末等の高
周波回路フィルタやアンテナデュプレクサ用のフィルタ
として用いるには帯域幅が十分ではなかった。かかる従
来の積層型誘電体フィルタにおいて、広帯域化するため
には、隣接する共振素子同士を極端に近づけることによ
り共振素子同士の結合を強くする以外に方法はなかっ
た。しかし、このように共振素子同士を近接させると、
共振素子特性が製造ばらつき(例えば、印刷ばらつき)
等に対して極端に敏感になり、一定の特性を持つバンド
パスフィルタを安定して供給することは困難であった。
来例のバンドパスフィルタを、携帯用電話機端末等の高
周波回路フィルタやアンテナデュプレクサ用のフィルタ
として用いるには帯域幅が十分ではなかった。かかる従
来の積層型誘電体フィルタにおいて、広帯域化するため
には、隣接する共振素子同士を極端に近づけることによ
り共振素子同士の結合を強くする以外に方法はなかっ
た。しかし、このように共振素子同士を近接させると、
共振素子特性が製造ばらつき(例えば、印刷ばらつき)
等に対して極端に敏感になり、一定の特性を持つバンド
パスフィルタを安定して供給することは困難であった。
【0005】また、携帯用電話機端末においては、小型
化の要求が強まっており、それにつれてその内部に用い
られるバンドパスフィルタも小型化することが強く要求
されるようになっているが、上述した従来の構造の積層
型誘電体フィルタにおいては、その小型化にも限度があ
った。
化の要求が強まっており、それにつれてその内部に用い
られるバンドパスフィルタも小型化することが強く要求
されるようになっているが、上述した従来の構造の積層
型誘電体フィルタにおいては、その小型化にも限度があ
った。
【0006】従って、本発明の一目的は、共振素子同士
を極端に近づけることなく共振素子同士の結合を強化し
て広帯域化させた積層型誘電体フィルタを提供すること
にある。
を極端に近づけることなく共振素子同士の結合を強化し
て広帯域化させた積層型誘電体フィルタを提供すること
にある。
【0007】本発明の他の目的は、より小型化された積
層型誘電体フィルタを提供することにある。
層型誘電体フィルタを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、共振素
子と、前記共振素子と結合または接続された入力電極
と、前記共振素子と結合または接続された出力電極と、
前記共振素子の第1の主面の全面に対向し前記共振素子
との間に第1の誘電体層を挟んで設けられた第1のアー
ス電極と、前記共振素子と前記第1のアース電極との間
の前記第1の誘電体層中に前記共振素子の前記第1の主
面の一部と対向して設けられた第1の内部アース電極と
を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタが得ら
れる。
子と、前記共振素子と結合または接続された入力電極
と、前記共振素子と結合または接続された出力電極と、
前記共振素子の第1の主面の全面に対向し前記共振素子
との間に第1の誘電体層を挟んで設けられた第1のアー
ス電極と、前記共振素子と前記第1のアース電極との間
の前記第1の誘電体層中に前記共振素子の前記第1の主
面の一部と対向して設けられた第1の内部アース電極と
を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタが得ら
れる。
【0009】好ましくは、前記共振素子の前記第1の主
面とは反対側の第2の主面の全面に対向し、前記共振素
子との間に第2の誘電体層を挟んで第2のアース電極が
さらに設けられる。
面とは反対側の第2の主面の全面に対向し、前記共振素
子との間に第2の誘電体層を挟んで第2のアース電極が
さらに設けられる。
【0010】また、好ましくは、前記共振素子と前記第
2のアース電極との間の前記第2の誘電体層中に前記共
振素子の前記第2の主面の一部と対向して第2の内部ア
ース電極がさらに設けられる。
2のアース電極との間の前記第2の誘電体層中に前記共
振素子の前記第2の主面の一部と対向して第2の内部ア
ース電極がさらに設けられる。
【0011】さらに好ましくは、前記共振素子は複数の
共振素子であり、前記複数の共振素子のうち入力端側共
振素子に前記入力電極が結合または接続され、前記複数
の共振素子のうち出力端側共振素子に前記出力電極が結
合または接続される。
共振素子であり、前記複数の共振素子のうち入力端側共
振素子に前記入力電極が結合または接続され、前記複数
の共振素子のうち出力端側共振素子に前記出力電極が結
合または接続される。
【0012】また好ましくは、前記共振素子の一端が前
記第1のアース電極と電気的に接続され、前記第1およ
び第2の内部アース電極が前記共振素子の他端である開
放端側において前記第1および第2の主面の一部とそれ
ぞれ対向して設けられる。
記第1のアース電極と電気的に接続され、前記第1およ
び第2の内部アース電極が前記共振素子の他端である開
放端側において前記第1および第2の主面の一部とそれ
ぞれ対向して設けられる。
【0013】より好ましくは、前記積層型誘電体フィル
タはコムライン型の誘電体フィルタである。
タはコムライン型の誘電体フィルタである。
【0014】
【作用】本発明においては、誘電体層を挟んで共振素子
の全面と対向して設けられたアース電極と前記共振素子
との間の誘電体層中に、共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けている。従って、内部アース電極と対
向している共振素子の部分は、よりアースに近くなり、
共振素子と内部アース電極との間には静電容量が形成さ
れ、この静電容量も共振素子を等価変換したときの並列
共振回路の静電容量に付加されることになる。従って、
共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のインダクタ
ンスは小さくて済むことになり、共振素子の長さもより
短くなり、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くな
る。
の全面と対向して設けられたアース電極と前記共振素子
との間の誘電体層中に、共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けている。従って、内部アース電極と対
向している共振素子の部分は、よりアースに近くなり、
共振素子と内部アース電極との間には静電容量が形成さ
れ、この静電容量も共振素子を等価変換したときの並列
共振回路の静電容量に付加されることになる。従って、
共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のインダクタ
ンスは小さくて済むことになり、共振素子の長さもより
短くなり、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くな
る。
【0015】また、共振素子が複数ある場合には、内部
アース電極と対向している共振素子の部分はよりアース
に近くなり、アースとの結合が強くなるから、内部アー
ス電極と対向している部分の共振素子同士の結合が弱く
なる。従って、共振素子同士の結合は内部アース電極と
重ならない部分で主として結合するようになる。このこ
とは、実質的に共振素子の電気長が短くなったことを意
味する。このように電気長が短くなると、共振素子同士
を結合する分布定数素子のリアクタンスも小さくなり、
共振素子同士が強く結合するようになり、フィルタの特
性が広帯域化する。
アース電極と対向している共振素子の部分はよりアース
に近くなり、アースとの結合が強くなるから、内部アー
ス電極と対向している部分の共振素子同士の結合が弱く
なる。従って、共振素子同士の結合は内部アース電極と
重ならない部分で主として結合するようになる。このこ
とは、実質的に共振素子の電気長が短くなったことを意
味する。このように電気長が短くなると、共振素子同士
を結合する分布定数素子のリアクタンスも小さくなり、
共振素子同士が強く結合するようになり、フィルタの特
性が広帯域化する。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0017】図1は本発明の第1の実施例の模式展開図
であり、図2は本実施例の斜視図であり、図3、図4は
それぞれ本実施例の主要部の構成を示す平面図および断
面図である。
であり、図2は本実施例の斜視図であり、図3、図4は
それぞれ本実施例の主要部の構成を示す平面図および断
面図である。
【0018】後記する共振素子21、22、23の開放
端側の一部に誘電体層15を挟んで重なり、端部が後記
するアース電極70と電気的に接続される内部アース電
極81を誘電体層14の表面上に形成する。なお、誘電
体層14の裏面にもアース電極70が後に形成される。
端側の一部に誘電体層15を挟んで重なり、端部が後記
するアース電極70と電気的に接続される内部アース電
極81を誘電体層14の表面上に形成する。なお、誘電
体層14の裏面にもアース電極70が後に形成される。
【0019】後記する出力端側の共振素子23の一部に
誘電体層11を挟んで重なる出力用電極42を、誘電体
層15の表面上に形成する。
誘電体層11を挟んで重なる出力用電極42を、誘電体
層15の表面上に形成する。
【0020】後記するアース電極70に一端部がそれぞ
れ電気的に接続されて1/4波長ストリップライン共振
器を構成する共振素子21〜23を誘電体層15上に積
層される誘電体層11の表面上に形成し、さらに、一端
部が後記するアース電極70に電気的に接続され、かつ
他端部が共振素子21〜23の開放端から所定の間隔離
れて共振素子21〜23とそれぞれ対向する電極31〜
33を誘電体層11の表面上に形成して、共振素子21
〜23各々が結合されることを利用してコムライン型の
フィルタを構成する。共振素子21が入力端側の共振素
子であり、共振素子23が出力端側の共振素子である。
また、インダクタンス131、132は、共振素子間の
誘導結合を等価表現したものである。
れ電気的に接続されて1/4波長ストリップライン共振
器を構成する共振素子21〜23を誘電体層15上に積
層される誘電体層11の表面上に形成し、さらに、一端
部が後記するアース電極70に電気的に接続され、かつ
他端部が共振素子21〜23の開放端から所定の間隔離
れて共振素子21〜23とそれぞれ対向する電極31〜
33を誘電体層11の表面上に形成して、共振素子21
〜23各々が結合されることを利用してコムライン型の
フィルタを構成する。共振素子21が入力端側の共振素
子であり、共振素子23が出力端側の共振素子である。
また、インダクタンス131、132は、共振素子間の
誘導結合を等価表現したものである。
【0021】誘電体層11上に積層される誘電体層16
の表面に、入力端側の共振素子21の一部に誘電体層1
6を挟んで重なる入力用電極41を形成する。共振素子
21、22、23の開放端側の一部に誘電体層17を挟
んで重なり、端部が後記するアース電極70と電気的に
接続される内部アース電極82を誘電体層17の表面上
に形成する。
の表面に、入力端側の共振素子21の一部に誘電体層1
6を挟んで重なる入力用電極41を形成する。共振素子
21、22、23の開放端側の一部に誘電体層17を挟
んで重なり、端部が後記するアース電極70と電気的に
接続される内部アース電極82を誘電体層17の表面上
に形成する。
【0022】誘電体層17上に、表面にアース電極70
が形成される誘電体層13を積層して、誘電体層14、
15、11、16、17、13を一体に構成する。
が形成される誘電体層13を積層して、誘電体層14、
15、11、16、17、13を一体に構成する。
【0023】図2に示すように、一体に構成した誘電体
層14、15、11、16、17、13の上下面および
入力端子部61、出力端子部62を除く側面にアース電
極70を形成する。さらに、一体に構成した誘電体層1
4、15、11、16、17、13の一方の側面の入力
端子部61内に、アース電極70と電気的に絶縁され、
かつ入力用電極41と電気的に接続される入力端子51
を形成し、さらに同様に、一体に構成した誘電体層1
4、15、11、16、17、13の他方の側面の出力
端子部62内に、アース電極70と電気的に絶縁され、
かつ出力用電極42と電気的に接続される出力端子52
を形成する。
層14、15、11、16、17、13の上下面および
入力端子部61、出力端子部62を除く側面にアース電
極70を形成する。さらに、一体に構成した誘電体層1
4、15、11、16、17、13の一方の側面の入力
端子部61内に、アース電極70と電気的に絶縁され、
かつ入力用電極41と電気的に接続される入力端子51
を形成し、さらに同様に、一体に構成した誘電体層1
4、15、11、16、17、13の他方の側面の出力
端子部62内に、アース電極70と電気的に絶縁され、
かつ出力用電極42と電気的に接続される出力端子52
を形成する。
【0024】ここで、共振素子21〜23、入力用電極
41、出力用電極42、内部アース電極81、82およ
びアース電極70の空間的な構成を平面図および断面図
で示せば図3および図4に示す如くであって、共振素子
21と入力用電極41との間に相互に重なり部分があっ
て、この間に誘電体層が存在するから静電容量111に
よって静電結合された状態となっている。出力側につい
ても同様であって、共振素子23および出力用電極42
の重なり部分により静電容量112が形成されている。
また、共振素子21、22、23の開放端と電極3
1、32、33の間にはそれぞれ静電容量121、12
2、123が形成されている。
41、出力用電極42、内部アース電極81、82およ
びアース電極70の空間的な構成を平面図および断面図
で示せば図3および図4に示す如くであって、共振素子
21と入力用電極41との間に相互に重なり部分があっ
て、この間に誘電体層が存在するから静電容量111に
よって静電結合された状態となっている。出力側につい
ても同様であって、共振素子23および出力用電極42
の重なり部分により静電容量112が形成されている。
また、共振素子21、22、23の開放端と電極3
1、32、33の間にはそれぞれ静電容量121、12
2、123が形成されている。
【0025】さらに、共振素子21と内部アース電極8
1、82との間には静電容量141、142がそれぞれ
形成され、共振素子22と内部アース電極81、82と
の間には静電容量143、144がそれぞれ形成され、
共振素子23と内部アース電極81、82との間には静
電容量145、146がそれぞれ形成されている。
1、82との間には静電容量141、142がそれぞれ
形成され、共振素子22と内部アース電極81、82と
の間には静電容量143、144がそれぞれ形成され、
共振素子23と内部アース電極81、82との間には静
電容量145、146がそれぞれ形成されている。
【0026】そして、これらの静電容量121、12
3、141〜146が存在することにより、共振素子2
1、22、23はインダクタンス131、132でそれ
ぞれ結合されてコムライン型のフィルタが構成されてい
る。
3、141〜146が存在することにより、共振素子2
1、22、23はインダクタンス131、132でそれ
ぞれ結合されてコムライン型のフィルタが構成されてい
る。
【0027】図5には、上記のようにして構成された積
層型誘電体フィルタの等価回路を示す。
層型誘電体フィルタの等価回路を示す。
【0028】次に、本実施例において用いられた内部ア
ース電極の作用効果について説明する。
ース電極の作用効果について説明する。
【0029】先ず、図6に示すように、コムライン型の
2つの共振素子321、322が存在する場合を考え
る。共振素子321、322の電気長はともにθであ
る。図7は図6のコムライン型の配線の等価回路図であ
る。ここで共振素子321、322の偶モードのインピ
ーダンスをZe とし、奇モードのインピーダンスをZ0
とすると、共振素子321、322を分布定数的に結合
する分布定数素子323の特性インピーダンスZC は
2つの共振素子321、322が存在する場合を考え
る。共振素子321、322の電気長はともにθであ
る。図7は図6のコムライン型の配線の等価回路図であ
る。ここで共振素子321、322の偶モードのインピ
ーダンスをZe とし、奇モードのインピーダンスをZ0
とすると、共振素子321、322を分布定数的に結合
する分布定数素子323の特性インピーダンスZC は
【0030】
【数1】
【0031】となる。さらにこの特性インピーダンスZ
C のラインの開放側からみたインピーダンスZは、Z=
jZC tan θと表される。
C のラインの開放側からみたインピーダンスZは、Z=
jZC tan θと表される。
【0032】図8はこのインピーダンスZのリアクタン
スZC tan θと電気長θとの関係を示したものである。
θ=90°(すなわち、1/4波長)では分布定数素子
323のリアクタンスZC tan θが∞となり、共振素子
321、322の間には、結合が存在しないことがわか
る。次に、電気長θが1/4波長よりも短くなれば、す
なわち、0<θ<90°の場合においては、tan θが有
限の値となり、分布定数素子323のリアクタンスZC
tan θも有限の値となり、共振素子321、322が結
合するようになり、θの値が小さいほどリアクタンスZ
C tan θが小さくなり、強く結合するようになる。そし
て、この場合、すなわち、0<θ<90°の場合はZC
tan θの値が正だから、分布定数素子323はインダク
タンスとして表されることになる。
スZC tan θと電気長θとの関係を示したものである。
θ=90°(すなわち、1/4波長)では分布定数素子
323のリアクタンスZC tan θが∞となり、共振素子
321、322の間には、結合が存在しないことがわか
る。次に、電気長θが1/4波長よりも短くなれば、す
なわち、0<θ<90°の場合においては、tan θが有
限の値となり、分布定数素子323のリアクタンスZC
tan θも有限の値となり、共振素子321、322が結
合するようになり、θの値が小さいほどリアクタンスZ
C tan θが小さくなり、強く結合するようになる。そし
て、この場合、すなわち、0<θ<90°の場合はZC
tan θの値が正だから、分布定数素子323はインダク
タンスとして表されることになる。
【0033】ここで、もう一度図3、4、5を参照すれ
ば、内部アース電極81、82を部分的に共振素子21
〜23の開放端側に追加したことにより、共振素子21
〜23の開放端側であって、内部アース電極81、82
と重なった部分はよりアースに近くなり、アースとの結
合が強くなるから、内部アース電極81、82と重なっ
た部分の共振素子21〜23同士の結合が弱くなる。従
って、共振素子21〜23同士の結合は内部アース電極
81、82と重ならない部分で主として結合するように
なる。このことは、共振素子21〜23の結合する電気
長θが、実質的には内部アース電極81、82と重なら
ない部分の長さと等しくなることを意味する。このよう
に共振素子21〜23の電気長θが短くなれば、共振素
子21〜23同士を結合する分布定数素子323のリア
クタンスZC tan θも小さくなるから、共振素子21〜
23同士がより強く結合するようになり、フィルタ特性
の広帯域化が図られるようになる。
ば、内部アース電極81、82を部分的に共振素子21
〜23の開放端側に追加したことにより、共振素子21
〜23の開放端側であって、内部アース電極81、82
と重なった部分はよりアースに近くなり、アースとの結
合が強くなるから、内部アース電極81、82と重なっ
た部分の共振素子21〜23同士の結合が弱くなる。従
って、共振素子21〜23同士の結合は内部アース電極
81、82と重ならない部分で主として結合するように
なる。このことは、共振素子21〜23の結合する電気
長θが、実質的には内部アース電極81、82と重なら
ない部分の長さと等しくなることを意味する。このよう
に共振素子21〜23の電気長θが短くなれば、共振素
子21〜23同士を結合する分布定数素子323のリア
クタンスZC tan θも小さくなるから、共振素子21〜
23同士がより強く結合するようになり、フィルタ特性
の広帯域化が図られるようになる。
【0034】また、電極31〜33を設けているから共
振素子21〜23とアースとの間には静電容量121〜
123がそれぞれ加わっているが、さらに、内部アース
電極81、82を設けることにより、共振素子21〜2
3と内部アース電極81、82との間には静電容量14
1および142、143および144、145および1
46がそれぞれ形成され、これらの静電容量も共振素子
21〜23とアースとの間に付加されることになる。従
って、図5に示す並列共振回路の静電容量は共振素子2
1〜23を等価交換したときの静電容量211、22
1、231と、これらの付加された静電容量との和から
なる合成静電容量となって、共振周波数を同一とすれ
ば、並列共振回路のインダクタンスは小さくて済むこと
になる。従って、共振素子21〜23の長さもより短く
なり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くなる。
また、入力用電極41と出力用電極42とは共振素子
21〜23が形成された面に対して、誘電体層をそれぞ
れ各別に挟んで位置することになって入力用電極41と
出力用電極42とは共振素子21〜23によって静電的
に遮蔽された状態となって、入力用電極41と出力用電
極42との間の浮遊容量は殆どなくなる。この結果、バ
ンドパスフィルタの周波数特性の急峻度も向上する。
振素子21〜23とアースとの間には静電容量121〜
123がそれぞれ加わっているが、さらに、内部アース
電極81、82を設けることにより、共振素子21〜2
3と内部アース電極81、82との間には静電容量14
1および142、143および144、145および1
46がそれぞれ形成され、これらの静電容量も共振素子
21〜23とアースとの間に付加されることになる。従
って、図5に示す並列共振回路の静電容量は共振素子2
1〜23を等価交換したときの静電容量211、22
1、231と、これらの付加された静電容量との和から
なる合成静電容量となって、共振周波数を同一とすれ
ば、並列共振回路のインダクタンスは小さくて済むこと
になる。従って、共振素子21〜23の長さもより短く
なり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くなる。
また、入力用電極41と出力用電極42とは共振素子
21〜23が形成された面に対して、誘電体層をそれぞ
れ各別に挟んで位置することになって入力用電極41と
出力用電極42とは共振素子21〜23によって静電的
に遮蔽された状態となって、入力用電極41と出力用電
極42との間の浮遊容量は殆どなくなる。この結果、バ
ンドパスフィルタの周波数特性の急峻度も向上する。
【0035】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。
する。
【0036】図9は本実施例の模式展開図である。
【0037】内部アース電極は共振素子21〜23の下
側の誘電体層14の表面に設けられた内部アース電極8
1のみである点、および出力用電極41、出力用電極4
2については、共振素子の上下側に別々に設けるのでは
なく、共振素子21〜23の上側の誘電体層12の表面
上のみに両者が設けられている点が第1の実施例と異な
るが、他の構成は上記した第1の実施例と同様である。
側の誘電体層14の表面に設けられた内部アース電極8
1のみである点、および出力用電極41、出力用電極4
2については、共振素子の上下側に別々に設けるのでは
なく、共振素子21〜23の上側の誘電体層12の表面
上のみに両者が設けられている点が第1の実施例と異な
るが、他の構成は上記した第1の実施例と同様である。
【0038】従って、本実施例においても、内部アース
電極81と共振素子21〜23との関係は上記の第1の
実施例と同様であるから、共振素子21〜23同士が強
く結合するようになりフィルタ特性を広帯域化できると
ともに、図4、5に示した静電容量141、143、1
45も付加されるから、共振素子21〜23の長さも短
くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。但し、内部アース電極81は共振素子21〜23の
下側のみにしか存在しないから、共振素子21〜23の
上下に存在する第1の実施例の場合と比べれば、第1の
実施例の方がより広帯域化、フィルタの小型化を図るこ
とができる。
電極81と共振素子21〜23との関係は上記の第1の
実施例と同様であるから、共振素子21〜23同士が強
く結合するようになりフィルタ特性を広帯域化できると
ともに、図4、5に示した静電容量141、143、1
45も付加されるから、共振素子21〜23の長さも短
くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。但し、内部アース電極81は共振素子21〜23の
下側のみにしか存在しないから、共振素子21〜23の
上下に存在する第1の実施例の場合と比べれば、第1の
実施例の方がより広帯域化、フィルタの小型化を図るこ
とができる。
【0039】次に、本発明の第3の実施例について説明
する。
する。
【0040】図10は、本実施例の模式展開図であり、
図11は、本実施例の斜視図である。
図11は、本実施例の斜視図である。
【0041】共振素子21、23とそれぞれ静電結合さ
れていた入力用電極41、出力用電極42に代えて、共
振素子21、22をそれぞれ直接接続された入力電極9
1、出力電極92が共振素子21〜23と同じ誘電体層
11上であって、共振素子21〜23とアース電極70
との接続側に形成されており、それに応じて入力端子部
61、62および入力端子51、出力端子52が共振素
子21〜23の開放端側ではなく、アース電極70との
接続側に形成されている点が第1の実施例と異なるが、
他の構成は上記した第1の実施例と同様である。
れていた入力用電極41、出力用電極42に代えて、共
振素子21、22をそれぞれ直接接続された入力電極9
1、出力電極92が共振素子21〜23と同じ誘電体層
11上であって、共振素子21〜23とアース電極70
との接続側に形成されており、それに応じて入力端子部
61、62および入力端子51、出力端子52が共振素
子21〜23の開放端側ではなく、アース電極70との
接続側に形成されている点が第1の実施例と異なるが、
他の構成は上記した第1の実施例と同様である。
【0042】従って、本実施例においても、内部アース
電極81、82と共振電極21〜23との関係は、上記
の第1の実施例と同様であるから、共振素子21〜23
同士が強く結合するようになり、フィルタ特定を広帯域
化できるとともに、図4、図5に示した静電容量141
〜146も付加されるから共振素子21〜23の長さも
短くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。
電極81、82と共振電極21〜23との関係は、上記
の第1の実施例と同様であるから、共振素子21〜23
同士が強く結合するようになり、フィルタ特定を広帯域
化できるとともに、図4、図5に示した静電容量141
〜146も付加されるから共振素子21〜23の長さも
短くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。
【0043】次に、第1乃至第3の実施例の積層型誘電
体フィルタの製造方法について説明する。本積層型誘電
体フィルタは共振素子21〜23、電極31〜33、入
力用電極41、出力用電極42および内部アース電極8
1、82を完全に誘電体中に内蔵することから、共振素
子21〜23、電極31〜33、入力用電極41および
出力用電極42には損失の少ない比抵抗の低いものを用
いることが望ましく、低抵抗のAg系、若しくはCu系
の導体を用いることが好ましい。
体フィルタの製造方法について説明する。本積層型誘電
体フィルタは共振素子21〜23、電極31〜33、入
力用電極41、出力用電極42および内部アース電極8
1、82を完全に誘電体中に内蔵することから、共振素
子21〜23、電極31〜33、入力用電極41および
出力用電極42には損失の少ない比抵抗の低いものを用
いることが望ましく、低抵抗のAg系、若しくはCu系
の導体を用いることが好ましい。
【0044】使用する誘電体としては、信頼性が高く誘
電率εγが大きいため、小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。
電率εγが大きいため、小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。
【0045】また、製造方法としては、セラミックス粉
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体が積層された構造でセラミックス誘電体と一体
化することが望ましい。
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体が積層された構造でセラミックス誘電体と一体
化することが望ましい。
【0046】Ag系やCu系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
(1100℃以下)よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性(温度係数)が±50ppm/℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とTiO2 粉末およびNd2 Ti2 O7 粉末との混合
物等のガラス系のものや、BaO−TiO2 −RE2 O
3 −Bi2 O3 系組成(RE:レアアース成分)に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
(1100℃以下)よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性(温度係数)が±50ppm/℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とTiO2 粉末およびNd2 Ti2 O7 粉末との混合
物等のガラス系のものや、BaO−TiO2 −RE2 O
3 −Bi2 O3 系組成(RE:レアアース成分)に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。
【0047】一例として、MgO:18wt%−Al2
O3 :37wt%−SiO2 :37wt%−B2 O3 :
5wt%−TiO2 :3wt%なる組成のガラス粉末の
73wt%と、市販のTiO2 粉末の17wt%と、N
d2 Ti2 O7 粉末の10wt%を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Nd2 Ti2 O7 粉末は、Nd2O
3 粉末とTiO2 粉末を1200℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、0.2mm〜0.5mmの厚み
のグリーンテープを作製した。
O3 :37wt%−SiO2 :37wt%−B2 O3 :
5wt%−TiO2 :3wt%なる組成のガラス粉末の
73wt%と、市販のTiO2 粉末の17wt%と、N
d2 Ti2 O7 粉末の10wt%を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Nd2 Ti2 O7 粉末は、Nd2O
3 粉末とTiO2 粉末を1200℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、0.2mm〜0.5mmの厚み
のグリーンテープを作製した。
【0048】次に、上記第1の実施例の場合は、銀ペー
ストを導体ペーストとして図1に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンテープの厚みを調整するため必要なグリー
ンテープを重ねて図1の構造となるように重ね、積層し
た後、900℃で焼成した。
ストを導体ペーストとして図1に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンテープの厚みを調整するため必要なグリー
ンテープを重ねて図1の構造となるように重ね、積層し
た後、900℃で焼成した。
【0049】上記のように構成した積層型誘電体フィル
タ本体の両主面すなわち誘電体層14の全裏面対応面、
誘電体層13の表面対応面、入力端子部61、出力端子
部62を除く側面に図2に示すように銀電極からなるア
ース電極70を印刷し、さらにアース電極70から電気
的に絶縁し、かつ入力用電極41、出力用電極42に各
別に電気的に接続する銀電極を入力端子部61、出力端
子部62内に入力端子51、出力端子52として印刷
し、印刷した電極を850℃で焼きつけた。
タ本体の両主面すなわち誘電体層14の全裏面対応面、
誘電体層13の表面対応面、入力端子部61、出力端子
部62を除く側面に図2に示すように銀電極からなるア
ース電極70を印刷し、さらにアース電極70から電気
的に絶縁し、かつ入力用電極41、出力用電極42に各
別に電気的に接続する銀電極を入力端子部61、出力端
子部62内に入力端子51、出力端子52として印刷
し、印刷した電極を850℃で焼きつけた。
【0050】上記の積層型誘電体フィルタにおいて、各
共振素子21〜23の幅w1 を0.8mm、かつ共振素
子21〜23間の間隔s1 を1.2mm、共振素子21
〜23の長さl1 を4.5mm、電極31〜33の幅w
2 を0.8mm、電極31、33の長さl2 を0.5m
m、電極32の長さを0.7mm、電極31〜33の間
隔s2 を1.2mm、共振素子21、23とそれぞれ対
向する電極31、33との間隔s3 を0.3mmとし、
共振素子22と対向する電極32の間隔を0.1mmと
し、入力用電極41と共振素子21との対向面積を0.
9mm2 、出力用電極42と共振素子23との対向面積
を0.9mm2 、誘電体層14、15、11、16、1
7、13の厚さをそれぞれ1.1mm、0.2mm、
0.2mm、0.2mm、0.2mm、1.1mmと
し、内部アース電極81、82の幅w 3 を5.2mm、
内部アース電極81、82の長さl3 を1.8mm、内
部アース電極81と各共振素子21〜23との対向面積
をそれぞれ0.8mm2 、内部アース電極82と各共振
素子21〜23との対向面積をそれぞれ0.8mm2 、
各共振素子21〜23が内部アース電極81、82より
露出する長さl4 を3.5mmとしたとき、外形形状は
6.4mm×5.3mm×3mmであり、中心周波数は
900MHz、帯域幅は30MHz、挿入損失は2.3
dB以下であった。また、中心周波数から35MHz高
い周波数点での減衰量は14dBであった。
共振素子21〜23の幅w1 を0.8mm、かつ共振素
子21〜23間の間隔s1 を1.2mm、共振素子21
〜23の長さl1 を4.5mm、電極31〜33の幅w
2 を0.8mm、電極31、33の長さl2 を0.5m
m、電極32の長さを0.7mm、電極31〜33の間
隔s2 を1.2mm、共振素子21、23とそれぞれ対
向する電極31、33との間隔s3 を0.3mmとし、
共振素子22と対向する電極32の間隔を0.1mmと
し、入力用電極41と共振素子21との対向面積を0.
9mm2 、出力用電極42と共振素子23との対向面積
を0.9mm2 、誘電体層14、15、11、16、1
7、13の厚さをそれぞれ1.1mm、0.2mm、
0.2mm、0.2mm、0.2mm、1.1mmと
し、内部アース電極81、82の幅w 3 を5.2mm、
内部アース電極81、82の長さl3 を1.8mm、内
部アース電極81と各共振素子21〜23との対向面積
をそれぞれ0.8mm2 、内部アース電極82と各共振
素子21〜23との対向面積をそれぞれ0.8mm2 、
各共振素子21〜23が内部アース電極81、82より
露出する長さl4 を3.5mmとしたとき、外形形状は
6.4mm×5.3mm×3mmであり、中心周波数は
900MHz、帯域幅は30MHz、挿入損失は2.3
dB以下であった。また、中心周波数から35MHz高
い周波数点での減衰量は14dBであった。
【0051】比較のために、この第1の実施例において
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、誘電体層17の表
面上にも内部アース電極82を設けず、共振素子21〜
23の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
l5 を長くし、他は第1の実施例と同様に構成した場
合、中心周波数を第1の実施例と同じ900MHzにす
るには共振素子21〜23の長さl1 を7.5mmとす
る必要があり、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も
第1の実施例が5.3mmであったのに比べて8.3m
mと長くなった。そして、帯域幅も20MHzであり、
第1の実施例よりも狭かった。このように、第1の実施
例によって帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィ
ルタ自体の寸法も小さくなっていることがわかる。
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、誘電体層17の表
面上にも内部アース電極82を設けず、共振素子21〜
23の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
l5 を長くし、他は第1の実施例と同様に構成した場
合、中心周波数を第1の実施例と同じ900MHzにす
るには共振素子21〜23の長さl1 を7.5mmとす
る必要があり、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も
第1の実施例が5.3mmであったのに比べて8.3m
mと長くなった。そして、帯域幅も20MHzであり、
第1の実施例よりも狭かった。このように、第1の実施
例によって帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィ
ルタ自体の寸法も小さくなっていることがわかる。
【0052】次に、第2の実施例の場合は、第1の実施
例において使用したグリーンテープを用いて、図9に示
す導体パターンを印刷し、次いで、これら導体パターン
が印刷されたグリーンテープの厚みを調整するために必
要なグリーンテープを重ねて図9の構造となるように重
ね、積層した後、900℃で焼成した。次に、アース電
極70および入力端子51、出力端子52を銀電極で構
成して850℃で焼きつけた。
例において使用したグリーンテープを用いて、図9に示
す導体パターンを印刷し、次いで、これら導体パターン
が印刷されたグリーンテープの厚みを調整するために必
要なグリーンテープを重ねて図9の構造となるように重
ね、積層した後、900℃で焼成した。次に、アース電
極70および入力端子51、出力端子52を銀電極で構
成して850℃で焼きつけた。
【0053】このようにして製造した積層型誘電体フィ
ルタにおいて、誘電体層14、11、12、13の厚さ
をそれぞれ1.3mm、0.2mm、0.2mm、1.
3mmとし、共振素子21〜23の長さl1 を5mmと
し、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 を5.8mm
とし、他は第1の実施例と同じ方法で製造した場合、中
心周波数が900MHz、帯域幅は28MHz、挿入損
失は2.2dB以下であった。
ルタにおいて、誘電体層14、11、12、13の厚さ
をそれぞれ1.3mm、0.2mm、0.2mm、1.
3mmとし、共振素子21〜23の長さl1 を5mmと
し、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 を5.8mm
とし、他は第1の実施例と同じ方法で製造した場合、中
心周波数が900MHz、帯域幅は28MHz、挿入損
失は2.2dB以下であった。
【0054】比較のために、この第2の実施例において
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、共振素子21〜2
3の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さl
5 を長くし、他は第2の実施例と同様に構成した場合、
中心周波数を第2の実施例と同じ900MHzにするに
は共振素子の長さl1 を7.5mmとする必要があり、
積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も第2の実施例が
5.8mmであったのに比べて8.3mmと長くなっ
た。そして、帯域幅も20MHzであり、第2の実施例
よりも狭かった。このように、第2の実施例によっても
帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィルタ自体の
寸法も小さくなっていることがわかる。
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、共振素子21〜2
3の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さl
5 を長くし、他は第2の実施例と同様に構成した場合、
中心周波数を第2の実施例と同じ900MHzにするに
は共振素子の長さl1 を7.5mmとする必要があり、
積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も第2の実施例が
5.8mmであったのに比べて8.3mmと長くなっ
た。そして、帯域幅も20MHzであり、第2の実施例
よりも狭かった。このように、第2の実施例によっても
帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィルタ自体の
寸法も小さくなっていることがわかる。
【0055】次に、第3の実施例の場合は、第1の実施
例において使用したグリーンテープを用いて、図10に
示す導体パターンを印刷し、次いで、これら導体パター
ンが印刷されたグリーンテープの厚みを調整するために
必要なグリーンテープを重ねて図10の構造となるよう
に重ね、積層した後、900℃で焼成した。次に、アー
ス電極70および入力端子51、出力端子52を銀電極
で構成して850℃で焼きつけた。
例において使用したグリーンテープを用いて、図10に
示す導体パターンを印刷し、次いで、これら導体パター
ンが印刷されたグリーンテープの厚みを調整するために
必要なグリーンテープを重ねて図10の構造となるよう
に重ね、積層した後、900℃で焼成した。次に、アー
ス電極70および入力端子51、出力端子52を銀電極
で構成して850℃で焼きつけた。
【0056】このようにして製造した積層型誘電体フィ
ルタにおいて、誘電体層14、11、12、13の厚さ
をそれぞれ1.3mm、0.2mm、0.2mm、1.
3mmとし、共振素子21〜23の長さl1 を4.5m
mとし、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 を5.3
mmとし、入力電極91、出力電極92の長さl6 、幅
w3 をそれぞれ0.2mm、0.2mmとし、電極31
〜33の長さを0.5mmとし、共振素子21〜23と
の間隔を0.3mmとし、他は第1の実施例と同じ方法
で製造した場合、中心周波数が900MHz、帯域幅は
31MHz、挿入損失は2.1dB以下であった。
ルタにおいて、誘電体層14、11、12、13の厚さ
をそれぞれ1.3mm、0.2mm、0.2mm、1.
3mmとし、共振素子21〜23の長さl1 を4.5m
mとし、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 を5.3
mmとし、入力電極91、出力電極92の長さl6 、幅
w3 をそれぞれ0.2mm、0.2mmとし、電極31
〜33の長さを0.5mmとし、共振素子21〜23と
の間隔を0.3mmとし、他は第1の実施例と同じ方法
で製造した場合、中心周波数が900MHz、帯域幅は
31MHz、挿入損失は2.1dB以下であった。
【0057】比較のために、この第3の実施例において
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、誘電体層17の表
面上にも内部アース電極82を設けず、共振素子21〜
23の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
l5 を長くし、他は第3の実施例と同様に構成した場
合、中心周波数を第3の実施例と同じ900MHzにす
るには共振素子の長さl 1 を7.5mmとする必要があ
り、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も第3の実施
例が5.3mmであったのに比べて8.3mmと長くな
った。そして、帯域幅も20MHzであり、第3の実施
例よりも狭かった。このように、第3の実施例によっ
て、帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィルタ自
体の寸法も小さくなっていることがわかる。
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、誘電体層17の表
面上にも内部アース電極82を設けず、共振素子21〜
23の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
l5 を長くし、他は第3の実施例と同様に構成した場
合、中心周波数を第3の実施例と同じ900MHzにす
るには共振素子の長さl 1 を7.5mmとする必要があ
り、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も第3の実施
例が5.3mmであったのに比べて8.3mmと長くな
った。そして、帯域幅も20MHzであり、第3の実施
例よりも狭かった。このように、第3の実施例によっ
て、帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィルタ自
体の寸法も小さくなっていることがわかる。
【0058】
【発明の効果】本発明においては、誘電体層を挟んで共
振素子の全面と対向して設けられたアース電極と共振素
子との間の誘電体層中に共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けているから、積層型誘電体フィルタを
広帯域化できるとともに小型化できる。
振素子の全面と対向して設けられたアース電極と共振素
子との間の誘電体層中に共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けているから、積層型誘電体フィルタを
広帯域化できるとともに小型化できる。
【図1】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
の模式展開図である。
の模式展開図である。
【図2】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図3】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
の主要部の構成を示す平面図である。
の主要部の構成を示す平面図である。
【図4】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
の主要部の構成を示す断面図である。
の主要部の構成を示す断面図である。
【図5】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
の主要部の等価回路図である。
の主要部の等価回路図である。
【図6】コムライン型の共振素子を説明するための図で
ある。
ある。
【図7】図6の配線の等価回路図である。
【図8】図7の等価回路図における分布定数素子323
の特性インピーダンスのリアクタンスと電気長との関係
を示す図である。
の特性インピーダンスのリアクタンスと電気長との関係
を示す図である。
【図9】本発明の第2の実施例の積層型誘電体フィルタ
の模式展開図である。
の模式展開図である。
【図10】本発明の第3の実施例の積層型誘電体フィル
タの模式展開図である。
タの模式展開図である。
【図11】本発明の第3の実施例の積層型誘電体フィル
タの斜視図である。
タの斜視図である。
【図12】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの模式展開図である。
ィルタの模式展開図である。
【図13】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの斜視図である。
ィルタの斜視図である。
【図14】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの等価回路図である。
ィルタの等価回路図である。
11〜17…誘電体層 21〜23…共振素子 31〜33…電極 41、91…入力用電極 42、92…出力用電極 51…入力端子 52…出力端子 61…入力端子部 62…出力端子部 70…アース電極 81、82…内部アース電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年5月27日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は積層型誘電体フィルタに
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレクサに使
用される積層型誘電体フィルタに関する。
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレクサに使
用される積層型誘電体フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】図13、図14は、それぞれ本発明者ら
が案出した積層型誘電体フィルタの模式展開図および斜
視図である。この積層型誘電体フィルタにおいては、図
13に示すように、まず、誘電体層11の表面に一端部
が後記のアース電極70に電気的に接続される1/4波
長ストリップライン共振器からなる共振素子21〜23
を所定間隔で形成し、さらに、一端部がアース電極70
に電気的に接続され、かつ他端部が共振素子21〜23
の開放端から所定の間隔離れて共振素子21〜23とそ
れぞれ対向する電極31〜33を誘電体層11の表面に
形成して、共振素子21〜23各々の間を誘導結合さ
せ、誘電体層11上に積層される誘電体層12の表面
に、誘電体層12を挟んで入力側の共振素子21の一部
に重なる入力用電極41および誘電体層12を挟んで出
力側の共振素子23の一部に重なる出力用電極42を形
成し、誘電体層12上に誘電体層13を積層して積層型
誘電体フィルタ本体を構成し、次に、図14に示すよう
に、積層型誘電体フィルタ本体の表面、裏面、および入
力端子部61と出力端子部62を除いた側面にアース電
極70を形成し、積層型誘電体フィルタ本体の側面に形
成した入力端子部61内にアース電極70から電気的に
絶縁され、かつ入力用電極41に電気的に接続される入
力端子51と、同様に積層型誘電体フィルタ本体の側面
に形成した出力端子部62内に出力用電極42に電気的
に接続される出力端子52を形成して構成されている。
が案出した積層型誘電体フィルタの模式展開図および斜
視図である。この積層型誘電体フィルタにおいては、図
13に示すように、まず、誘電体層11の表面に一端部
が後記のアース電極70に電気的に接続される1/4波
長ストリップライン共振器からなる共振素子21〜23
を所定間隔で形成し、さらに、一端部がアース電極70
に電気的に接続され、かつ他端部が共振素子21〜23
の開放端から所定の間隔離れて共振素子21〜23とそ
れぞれ対向する電極31〜33を誘電体層11の表面に
形成して、共振素子21〜23各々の間を誘導結合さ
せ、誘電体層11上に積層される誘電体層12の表面
に、誘電体層12を挟んで入力側の共振素子21の一部
に重なる入力用電極41および誘電体層12を挟んで出
力側の共振素子23の一部に重なる出力用電極42を形
成し、誘電体層12上に誘電体層13を積層して積層型
誘電体フィルタ本体を構成し、次に、図14に示すよう
に、積層型誘電体フィルタ本体の表面、裏面、および入
力端子部61と出力端子部62を除いた側面にアース電
極70を形成し、積層型誘電体フィルタ本体の側面に形
成した入力端子部61内にアース電極70から電気的に
絶縁され、かつ入力用電極41に電気的に接続される入
力端子51と、同様に積層型誘電体フィルタ本体の側面
に形成した出力端子部62内に出力用電極42に電気的
に接続される出力端子52を形成して構成されている。
【0003】上記した従来例の積層型誘電体フィルタの
電気的な等価回路は図15に示す如くである。図15に
おいて符号111は共振素子21と入力用電極41間の
静電容量であり、符号112は共振素子23と出力用電
極42間の静電容量であり、符号121〜123はそれ
ぞれ共振素子21と電極31間の静電容量、共振素子2
2と電極32間の静電容量、共振素子23と電極33間
の静電容量であり、符号131は共振素子21と共振素
子22との間に形成されるインダクタンスであり、符号
132は共振素子22と共振素子23との間に形成され
るインダクタンスであって、バンドパスフィルタを構成
している。
電気的な等価回路は図15に示す如くである。図15に
おいて符号111は共振素子21と入力用電極41間の
静電容量であり、符号112は共振素子23と出力用電
極42間の静電容量であり、符号121〜123はそれ
ぞれ共振素子21と電極31間の静電容量、共振素子2
2と電極32間の静電容量、共振素子23と電極33間
の静電容量であり、符号131は共振素子21と共振素
子22との間に形成されるインダクタンスであり、符号
132は共振素子22と共振素子23との間に形成され
るインダクタンスであって、バンドパスフィルタを構成
している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述した従
来例のバンドパスフィルタを、携帯用電話機端末等の高
周波回路フィルタやアンテナデュプレクサ用のフィルタ
として用いるには帯域幅が十分ではなかった。かかる従
来の積層型誘電体フィルタにおいて、広帯域化するため
には、隣接する共振素子同士を極端に近づけることによ
り共振素子同士の結合を強くする以外に方法はなかっ
た。しかし、このように共振素子同士を近接させると、
共振素子特性が製造ばらつき(例えば、印刷ばらつき)
等に対して極端に敏感になり、一定の特性を持つバンド
パスフィルタを安定して供給することは困難であった。
来例のバンドパスフィルタを、携帯用電話機端末等の高
周波回路フィルタやアンテナデュプレクサ用のフィルタ
として用いるには帯域幅が十分ではなかった。かかる従
来の積層型誘電体フィルタにおいて、広帯域化するため
には、隣接する共振素子同士を極端に近づけることによ
り共振素子同士の結合を強くする以外に方法はなかっ
た。しかし、このように共振素子同士を近接させると、
共振素子特性が製造ばらつき(例えば、印刷ばらつき)
等に対して極端に敏感になり、一定の特性を持つバンド
パスフィルタを安定して供給することは困難であった。
【0005】また、携帯用電話機端末においては、小型
化の要求が強まっており、それにつれてその内部に用い
られるバンドパスフィルタも小型化することが強く要求
されるようになっているが、上述した従来の構造の積層
型誘電体フィルタにおいては、その小型化にも限度があ
った。
化の要求が強まっており、それにつれてその内部に用い
られるバンドパスフィルタも小型化することが強く要求
されるようになっているが、上述した従来の構造の積層
型誘電体フィルタにおいては、その小型化にも限度があ
った。
【0006】従って、本発明の一目的は、共振素子同士
を極端に近づけることなく共振素子同士の結合を強化し
て広帯域化させた積層型誘電体フィルタを提供すること
にある。
を極端に近づけることなく共振素子同士の結合を強化し
て広帯域化させた積層型誘電体フィルタを提供すること
にある。
【0007】本発明の他の目的は、より小型化された積
層型誘電体フィルタを提供することにある。
層型誘電体フィルタを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、共振素
子と、前記共振素子と結合または接続された入力電極
と、前記共振素子と結合または接続された出力電極と、
前記共振素子の第1の主面の全面に対向し前記共振素子
との間に第1の誘電体層を挟んで設けられた第1のアー
ス電極と、前記共振素子と前記第1のアース電極との間
の前記第1の誘電体層中に前記共振素子の前記第1の主
面の一部と対向して設けられた第1の内部アース電極と
を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタが得ら
れる。
子と、前記共振素子と結合または接続された入力電極
と、前記共振素子と結合または接続された出力電極と、
前記共振素子の第1の主面の全面に対向し前記共振素子
との間に第1の誘電体層を挟んで設けられた第1のアー
ス電極と、前記共振素子と前記第1のアース電極との間
の前記第1の誘電体層中に前記共振素子の前記第1の主
面の一部と対向して設けられた第1の内部アース電極と
を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタが得ら
れる。
【0009】好ましくは、前記共振素子の前記第1の主
面とは反対側の第2の主面の全面に対向し、前記共振素
子との間に第2の誘電体層を挟んで第2のアース電極が
さらに設けられる。
面とは反対側の第2の主面の全面に対向し、前記共振素
子との間に第2の誘電体層を挟んで第2のアース電極が
さらに設けられる。
【0010】また、好ましくは、前記共振素子と前記第
2のアース電極との間の前記第2の誘電体層中に前記共
振素子の前記第2の主面の一部と対向して第2の内部ア
ース電極がさらに設けられる。
2のアース電極との間の前記第2の誘電体層中に前記共
振素子の前記第2の主面の一部と対向して第2の内部ア
ース電極がさらに設けられる。
【0011】さらに好ましくは、前記共振素子は複数の
共振素子であり、前記複数の共振素子のうち入力端側共
振素子に前記入力電極が結合または接続され、前記複数
の共振素子のうち出力端側共振素子に前記出力電極が結
合または接続される。
共振素子であり、前記複数の共振素子のうち入力端側共
振素子に前記入力電極が結合または接続され、前記複数
の共振素子のうち出力端側共振素子に前記出力電極が結
合または接続される。
【0012】また好ましくは、前記共振素子の一端が前
記第1のアース電極と電気的に接続され、前記第1およ
び第2の内部アース電極が前記共振素子の他端である開
放端側において前記第1および第2の主面の一部とそれ
ぞれ対向して設けられる。
記第1のアース電極と電気的に接続され、前記第1およ
び第2の内部アース電極が前記共振素子の他端である開
放端側において前記第1および第2の主面の一部とそれ
ぞれ対向して設けられる。
【0013】より好ましくは、前記積層型誘電体フィル
タはコムライン型の誘電体フィルタである。
タはコムライン型の誘電体フィルタである。
【0014】
【作用】本発明においては、誘電体層を挟んで共振素子
の全面と対向して設けられたアース電極と前記共振素子
との間の誘電体層中に、共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けている。従って、内部アース電極と対
向している共振素子の部分は、よりアースに近くなり、
共振素子と内部アース電極との間には静電容量が形成さ
れ、この静電容量も共振素子を等価変換したときの並列
共振回路の静電容量に付加されることになる。従って、
共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のインダクタ
ンスは小さくて済むことになり、共振素子の長さもより
短くなり、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くな
る。
の全面と対向して設けられたアース電極と前記共振素子
との間の誘電体層中に、共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けている。従って、内部アース電極と対
向している共振素子の部分は、よりアースに近くなり、
共振素子と内部アース電極との間には静電容量が形成さ
れ、この静電容量も共振素子を等価変換したときの並列
共振回路の静電容量に付加されることになる。従って、
共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のインダクタ
ンスは小さくて済むことになり、共振素子の長さもより
短くなり、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くな
る。
【0015】また、共振素子が複数ある場合には、内部
アース電極と対向している共振素子の部分はよりアース
に近くなり、アースとの結合が強くなるから、内部アー
ス電極と対向している部分の共振素子同士の結合が弱く
なる。従って、共振素子同士の結合は内部アース電極と
重ならない部分で主として結合するようになる。このこ
とは、実質的に共振素子の電気長が短くなったことを意
味する。このように電気長が短くなると、共振素子同士
を結合する分布定数素子のリアクタンスも小さくなり、
共振素子同士が強く結合するようになり、フィルタの特
性が広帯域化する。
アース電極と対向している共振素子の部分はよりアース
に近くなり、アースとの結合が強くなるから、内部アー
ス電極と対向している部分の共振素子同士の結合が弱く
なる。従って、共振素子同士の結合は内部アース電極と
重ならない部分で主として結合するようになる。このこ
とは、実質的に共振素子の電気長が短くなったことを意
味する。このように電気長が短くなると、共振素子同士
を結合する分布定数素子のリアクタンスも小さくなり、
共振素子同士が強く結合するようになり、フィルタの特
性が広帯域化する。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0017】図1は本発明の第1の実施例の模式展開図
であり、図2は本実施例の斜視図であり、図3、図4は
それぞれ本実施例の主要部の構成を示す平面図および断
面図である。
であり、図2は本実施例の斜視図であり、図3、図4は
それぞれ本実施例の主要部の構成を示す平面図および断
面図である。
【0018】後記する共振素子21、22、23の開放
端側の一部に誘電体層15を挟んで重なり、端部が後記
するアース電極70と電気的に接続される内部アース電
極81を誘電体層14の表面上に形成する。なお、誘電
体層14の裏面にもアース電極70が後に形成される。
端側の一部に誘電体層15を挟んで重なり、端部が後記
するアース電極70と電気的に接続される内部アース電
極81を誘電体層14の表面上に形成する。なお、誘電
体層14の裏面にもアース電極70が後に形成される。
【0019】後記する出力端側の共振素子23の一部に
誘電体層11を挟んで重なる出力用電極42を、誘電体
層15の表面上に形成する。
誘電体層11を挟んで重なる出力用電極42を、誘電体
層15の表面上に形成する。
【0020】後記するアース電極70に一端部がそれぞ
れ電気的に接続されて1/4波長ストリップライン共振
器を構成する共振素子21〜23を誘電体層15上に積
層される誘電体層11の表面上に形成し、さらに、一端
部が後記するアース電極70に電気的に接続され、かつ
他端部が共振素子21〜23の開放端から所定の間隔離
れて共振素子21〜23とそれぞれ対向する電極31〜
33を誘電体層11の表面上に形成して、共振素子21
〜23各々が結合されることを利用してコムライン型の
フィルタを構成する。共振素子21が入力端側の共振素
子であり、共振素子23が出力端側の共振素子である。
また、インダクタンス131、132は、共振素子間の
誘導結合を等価表現したものである。
れ電気的に接続されて1/4波長ストリップライン共振
器を構成する共振素子21〜23を誘電体層15上に積
層される誘電体層11の表面上に形成し、さらに、一端
部が後記するアース電極70に電気的に接続され、かつ
他端部が共振素子21〜23の開放端から所定の間隔離
れて共振素子21〜23とそれぞれ対向する電極31〜
33を誘電体層11の表面上に形成して、共振素子21
〜23各々が結合されることを利用してコムライン型の
フィルタを構成する。共振素子21が入力端側の共振素
子であり、共振素子23が出力端側の共振素子である。
また、インダクタンス131、132は、共振素子間の
誘導結合を等価表現したものである。
【0021】誘電体層11上に積層される誘電体層16
の表面に、入力端側の共振素子21の一部に誘電体層1
6を挟んで重なる入力用電極41を形成する。共振素子
21、22、23の開放端側の一部に誘電体層17を挟
んで重なり、端部が後記するアース電極70と電気的に
接続される内部アース電極82を誘電体層17の表面上
に形成する。
の表面に、入力端側の共振素子21の一部に誘電体層1
6を挟んで重なる入力用電極41を形成する。共振素子
21、22、23の開放端側の一部に誘電体層17を挟
んで重なり、端部が後記するアース電極70と電気的に
接続される内部アース電極82を誘電体層17の表面上
に形成する。
【0022】誘電体層17上に、表面にアース電極70
が形成される誘電体層13を積層して、誘電体層14、
15、11、16、17、13を一体に構成する。
が形成される誘電体層13を積層して、誘電体層14、
15、11、16、17、13を一体に構成する。
【0023】図2に示すように、一体に構成した誘電体
層14、15、11、16、17、13の上下面および
入力端子部61、出力端子部62を除く側面にアース電
極70を形成する。さらに、一体に構成した誘電体層1
4、15、11、16、17、13の一方の側面の入力
端子部61内に、アース電極70と電気的に絶縁され、
かつ入力用電極41と電気的に接続される入力端子51
を形成し、さらに同様に、一体に構成した誘電体層1
4、15、11、16、17、13の他方の側面の出力
端子部62内に、アース電極70と電気的に絶縁され、
かつ出力用電極42と電気的に接続される出力端子52
を形成する。
層14、15、11、16、17、13の上下面および
入力端子部61、出力端子部62を除く側面にアース電
極70を形成する。さらに、一体に構成した誘電体層1
4、15、11、16、17、13の一方の側面の入力
端子部61内に、アース電極70と電気的に絶縁され、
かつ入力用電極41と電気的に接続される入力端子51
を形成し、さらに同様に、一体に構成した誘電体層1
4、15、11、16、17、13の他方の側面の出力
端子部62内に、アース電極70と電気的に絶縁され、
かつ出力用電極42と電気的に接続される出力端子52
を形成する。
【0024】ここで、共振素子21〜23、入力用電極
41、出力用電極42、内部アース電極81、82およ
びアース電極70の空間的な構成を平面図および断面図
で示せば図3および図4に示す如くであって、共振素子
21と入力用電極41との間に相互に重なり部分があっ
て、この間に誘電体層が存在するから静電容量111に
よって静電結合された状態となっている。出力側につい
ても同様であって、共振素子23および出力用電極42
の重なり部分により静電容量112が形成されている。
また、共振素子21、22、23の開放端と電極3
1、32、33の間にはそれぞれ静電容量121、12
2、123が形成されている。
41、出力用電極42、内部アース電極81、82およ
びアース電極70の空間的な構成を平面図および断面図
で示せば図3および図4に示す如くであって、共振素子
21と入力用電極41との間に相互に重なり部分があっ
て、この間に誘電体層が存在するから静電容量111に
よって静電結合された状態となっている。出力側につい
ても同様であって、共振素子23および出力用電極42
の重なり部分により静電容量112が形成されている。
また、共振素子21、22、23の開放端と電極3
1、32、33の間にはそれぞれ静電容量121、12
2、123が形成されている。
【0025】さらに、共振素子21と内部アース電極8
1、82との間には静電容量141、142がそれぞれ
形成され、共振素子22と内部アース電極81、82と
の間には静電容量143、144がそれぞれ形成され、
共振素子23と内部アース電極81、82との間には静
電容量145、146がそれぞれ形成されている。
1、82との間には静電容量141、142がそれぞれ
形成され、共振素子22と内部アース電極81、82と
の間には静電容量143、144がそれぞれ形成され、
共振素子23と内部アース電極81、82との間には静
電容量145、146がそれぞれ形成されている。
【0026】そして、これらの静電容量121、12
3、141〜146が存在することにより、共振素子2
1、22、23はインダクタンス131、132でそれ
ぞれ結合されてコムライン型のフィルタが構成されてい
る。
3、141〜146が存在することにより、共振素子2
1、22、23はインダクタンス131、132でそれ
ぞれ結合されてコムライン型のフィルタが構成されてい
る。
【0027】図5には、上記のようにして構成された積
層型誘電体フィルタの等価回路を示す。
層型誘電体フィルタの等価回路を示す。
【0028】次に、本実施例において用いられた内部ア
ース電極の作用効果について説明する。
ース電極の作用効果について説明する。
【0029】先ず、図6に示すように、コムライン型の
2つの共振素子321、322が存在する場合を考え
る。共振素子321、322の電気長はともにθであ
る。図7は図6のコムライン型の配線の等価回路図であ
る。ここで共振素子321、322の偶モードのインピ
ーダンスをZe とし、奇モードのインピーダンスをZ0
とすると、共振素子321、322を分布定数的に結合
する分布定数素子323の特性インピーダンスZC は
2つの共振素子321、322が存在する場合を考え
る。共振素子321、322の電気長はともにθであ
る。図7は図6のコムライン型の配線の等価回路図であ
る。ここで共振素子321、322の偶モードのインピ
ーダンスをZe とし、奇モードのインピーダンスをZ0
とすると、共振素子321、322を分布定数的に結合
する分布定数素子323の特性インピーダンスZC は
【0030】
【数1】
【0031】となる。さらにこの特性インピーダンスZ
C のラインの開放側からみたインピーダンスZは、Z=
jZC tan θと表される。
C のラインの開放側からみたインピーダンスZは、Z=
jZC tan θと表される。
【0032】図8はこのインピーダンスZのリアクタン
スZC tan θと電気長θとの関係を示したものである。
θ=90°(すなわち、1/4波長)では分布定数素子
323のリアクタンスZC tan θが∞となり、共振素子
321、322の間には、結合が存在しないことがわか
る。次に、電気長θが1/4波長よりも短くなれば、す
なわち、0<θ<90°の場合においては、tan θが有
限の値となり、分布定数素子323のリアクタンスZC
tan θも有限の値となり、共振素子321、322が結
合するようになり、θの値が小さいほどリアクタンスZ
C tan θが小さくなり、強く結合するようになる。そし
て、この場合、すなわち、0<θ<90°の場合はZC
tan θの値が正だから、分布定数素子323はインダク
タンスとして表されることになる。
スZC tan θと電気長θとの関係を示したものである。
θ=90°(すなわち、1/4波長)では分布定数素子
323のリアクタンスZC tan θが∞となり、共振素子
321、322の間には、結合が存在しないことがわか
る。次に、電気長θが1/4波長よりも短くなれば、す
なわち、0<θ<90°の場合においては、tan θが有
限の値となり、分布定数素子323のリアクタンスZC
tan θも有限の値となり、共振素子321、322が結
合するようになり、θの値が小さいほどリアクタンスZ
C tan θが小さくなり、強く結合するようになる。そし
て、この場合、すなわち、0<θ<90°の場合はZC
tan θの値が正だから、分布定数素子323はインダク
タンスとして表されることになる。
【0033】ここで、もう一度図3、4、5を参照すれ
ば、内部アース電極81、82を部分的に共振素子21
〜23の開放端側に追加したことにより、共振素子21
〜23の開放端側であって、内部アース電極81、82
と重なった部分はよりアースに近くなり、アースとの結
合が強くなるから、内部アース電極81、82と重なっ
た部分の共振素子21〜23同士の結合が弱くなる。従
って、共振素子21〜23同士の結合は内部アース電極
81、82と重ならない部分で主として結合するように
なる。このことは、共振素子21〜23の結合する電気
長θが、実質的には内部アース電極81、82と重なら
ない部分の長さと等しくなることを意味する。このよう
に共振素子21〜23の電気長θが短くなれば、共振素
子21〜23同士を結合する分布定数素子323のリア
クタンスZC tan θも小さくなるから、共振素子21〜
23同士がより強く結合するようになり、フィルタ特性
の広帯域化が図られるようになる。
ば、内部アース電極81、82を部分的に共振素子21
〜23の開放端側に追加したことにより、共振素子21
〜23の開放端側であって、内部アース電極81、82
と重なった部分はよりアースに近くなり、アースとの結
合が強くなるから、内部アース電極81、82と重なっ
た部分の共振素子21〜23同士の結合が弱くなる。従
って、共振素子21〜23同士の結合は内部アース電極
81、82と重ならない部分で主として結合するように
なる。このことは、共振素子21〜23の結合する電気
長θが、実質的には内部アース電極81、82と重なら
ない部分の長さと等しくなることを意味する。このよう
に共振素子21〜23の電気長θが短くなれば、共振素
子21〜23同士を結合する分布定数素子323のリア
クタンスZC tan θも小さくなるから、共振素子21〜
23同士がより強く結合するようになり、フィルタ特性
の広帯域化が図られるようになる。
【0034】また、電極31〜33を設けているから共
振素子21〜23とアースとの間には静電容量121〜
123がそれぞれ加わっているが、さらに、内部アース
電極81、82を設けることにより、共振素子21〜2
3と内部アース電極81、82との間には静電容量14
1および142、143および144、145および1
46がそれぞれ形成され、これらの静電容量も共振素子
21〜23とアースとの間に付加されることになる。従
って、図5に示す並列共振回路の静電容量は共振素子2
1〜23を等価交換したときの静電容量211、22
1、231と、これらの付加された静電容量との和から
なる合成静電容量となって、共振周波数を同一とすれ
ば、並列共振回路のインダクタンスは小さくて済むこと
になる。従って、共振素子21〜23の長さもより短く
なり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くなる。
振素子21〜23とアースとの間には静電容量121〜
123がそれぞれ加わっているが、さらに、内部アース
電極81、82を設けることにより、共振素子21〜2
3と内部アース電極81、82との間には静電容量14
1および142、143および144、145および1
46がそれぞれ形成され、これらの静電容量も共振素子
21〜23とアースとの間に付加されることになる。従
って、図5に示す並列共振回路の静電容量は共振素子2
1〜23を等価交換したときの静電容量211、22
1、231と、これらの付加された静電容量との和から
なる合成静電容量となって、共振周波数を同一とすれ
ば、並列共振回路のインダクタンスは小さくて済むこと
になる。従って、共振素子21〜23の長さもより短く
なり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くなる。
【0035】また、入力用電極41と出力用電極42と
は共振素子21〜23が形成された面に対して、誘電体
層をそれぞれ各別に挟んで位置することになって入力用
電極41と出力用電極42とは共振素子21〜23によ
って静電的に遮蔽された状態となって、入力用電極41
と出力用電極42との間の浮遊容量は殆どなくなる。こ
の結果、バンドパスフィルタの周波数特性の急峻度も向
上する。
は共振素子21〜23が形成された面に対して、誘電体
層をそれぞれ各別に挟んで位置することになって入力用
電極41と出力用電極42とは共振素子21〜23によ
って静電的に遮蔽された状態となって、入力用電極41
と出力用電極42との間の浮遊容量は殆どなくなる。こ
の結果、バンドパスフィルタの周波数特性の急峻度も向
上する。
【0036】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。
する。
【0037】図9は本実施例の模式展開図である。
【0038】内部アース電極は共振素子21〜23の下
側の誘電体層14の表面に設けられた内部アース電極8
1のみである点、および出力用電極41、出力用電極4
2については、共振素子の上下側に別々に設けるのでは
なく、共振素子21〜23の上側の誘電体層12の表面
上のみに両者が設けられている点が第1の実施例と異な
るが、他の構成は上記した第1の実施例と同様である。
側の誘電体層14の表面に設けられた内部アース電極8
1のみである点、および出力用電極41、出力用電極4
2については、共振素子の上下側に別々に設けるのでは
なく、共振素子21〜23の上側の誘電体層12の表面
上のみに両者が設けられている点が第1の実施例と異な
るが、他の構成は上記した第1の実施例と同様である。
【0039】従って、本実施例においても、内部アース
電極81と共振素子21〜23との関係は上記の第1の
実施例と同様であるから、共振素子21〜23同士が強
く結合するようになりフィルタ特性を広帯域化できると
ともに、図4、5に示した静電容量141、143、1
45も付加されるから、共振素子21〜23の長さも短
くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。但し、内部アース電極81は共振素子21〜23の
下側のみにしか存在しないから、共振素子21〜23の
上下に存在する第1の実施例の場合と比べれば、第1の
実施例の方がより広帯域化、フィルタの小型化を図るこ
とができる。
電極81と共振素子21〜23との関係は上記の第1の
実施例と同様であるから、共振素子21〜23同士が強
く結合するようになりフィルタ特性を広帯域化できると
ともに、図4、5に示した静電容量141、143、1
45も付加されるから、共振素子21〜23の長さも短
くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。但し、内部アース電極81は共振素子21〜23の
下側のみにしか存在しないから、共振素子21〜23の
上下に存在する第1の実施例の場合と比べれば、第1の
実施例の方がより広帯域化、フィルタの小型化を図るこ
とができる。
【0040】次に、本発明の第3の実施例について説明
する。
する。
【0041】図10は、本実施例の模式展開図であり、
図11は、本実施例の斜視図である。
図11は、本実施例の斜視図である。
【0042】共振素子21、23とそれぞれ静電結合さ
れていた入力用電極41、出力用電極42に代えて、共
振素子21、22をそれぞれ直接接続された入力電極9
1、出力電極92が共振素子21〜23と同じ誘電体層
11上であって、共振素子21〜23とアース電極70
との接続側に形成されており、それに応じて入力端子部
61、62および入力端子51、出力端子52が共振素
子21〜23の開放端側ではなく、アース電極70との
接続側に形成されている点が第1の実施例と異なるが、
他の構成は上記した第1の実施例と同様である。
れていた入力用電極41、出力用電極42に代えて、共
振素子21、22をそれぞれ直接接続された入力電極9
1、出力電極92が共振素子21〜23と同じ誘電体層
11上であって、共振素子21〜23とアース電極70
との接続側に形成されており、それに応じて入力端子部
61、62および入力端子51、出力端子52が共振素
子21〜23の開放端側ではなく、アース電極70との
接続側に形成されている点が第1の実施例と異なるが、
他の構成は上記した第1の実施例と同様である。
【0043】従って、本実施例においても、内部アース
電極81、82と共振電極21〜23との関係は、上記
の第1の実施例と同様であるから、共振素子21〜23
同士が強く結合するようになり、フィルタ特定を広帯域
化できるとともに、図4、図5に示した静電容量141
〜146も付加されるから共振素子21〜23の長さも
短くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。
電極81、82と共振電極21〜23との関係は、上記
の第1の実施例と同様であるから、共振素子21〜23
同士が強く結合するようになり、フィルタ特定を広帯域
化できるとともに、図4、図5に示した静電容量141
〜146も付加されるから共振素子21〜23の長さも
短くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。
【0044】次に、第1乃至第3の実施例の積層型誘電
体フィルタの製造方法について説明する。本積層型誘電
体フィルタは共振素子21〜23、電極31〜33、入
力用電極41、出力用電極42および内部アース電極8
1、82を完全に誘電体中に内蔵することから、共振素
子21〜23、電極31〜33、入力用電極41および
出力用電極42には損失の少ない比抵抗の低いものを用
いることが望ましく、低抵抗のAg系、若しくはCu系
の導体を用いることが好ましい。
体フィルタの製造方法について説明する。本積層型誘電
体フィルタは共振素子21〜23、電極31〜33、入
力用電極41、出力用電極42および内部アース電極8
1、82を完全に誘電体中に内蔵することから、共振素
子21〜23、電極31〜33、入力用電極41および
出力用電極42には損失の少ない比抵抗の低いものを用
いることが望ましく、低抵抗のAg系、若しくはCu系
の導体を用いることが好ましい。
【0045】使用する誘電体としては、信頼性が高く誘
電率εγが大きいため、小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。
電率εγが大きいため、小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。
【0046】また、製造方法としては、セラミックス粉
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体が積層された構造でセラミックス誘電体と一体
化することが望ましい。
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体が積層された構造でセラミックス誘電体と一体
化することが望ましい。
【0047】Ag系やCu系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
(1100℃以下)よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性(温度係数)が±50ppm/℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とTiO2 粉末およびNd2 Ti2 O7 粉末との混合
物等のガラス系のものや、BaO−TiO2 −RE2 O
3 −Bi2 O3 系組成(RE:レアアース成分)に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
(1100℃以下)よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性(温度係数)が±50ppm/℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とTiO2 粉末およびNd2 Ti2 O7 粉末との混合
物等のガラス系のものや、BaO−TiO2 −RE2 O
3 −Bi2 O3 系組成(RE:レアアース成分)に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。
【0048】一例として、MgO:18wt%−Al2
O3 :37wt%−SiO2 :37wt%−B2 O3 :
5wt%−TiO2 :3wt%なる組成のガラス粉末の
73wt%と、市販のTiO2 粉末の17wt%と、N
d2 Ti2 O7 粉末の10wt%を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Nd2 Ti2 O7 粉末は、Nd2O
3 粉末とTiO2 粉末を1200℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、0.2mm〜0.5mmの厚み
のグリーンテープを作製した。
O3 :37wt%−SiO2 :37wt%−B2 O3 :
5wt%−TiO2 :3wt%なる組成のガラス粉末の
73wt%と、市販のTiO2 粉末の17wt%と、N
d2 Ti2 O7 粉末の10wt%を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Nd2 Ti2 O7 粉末は、Nd2O
3 粉末とTiO2 粉末を1200℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、0.2mm〜0.5mmの厚み
のグリーンテープを作製した。
【0049】次に、上記第1の実施例の場合は、銀ペー
ストを導体ペーストとして図1に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンテープの厚みを調整するため必要なグリー
ンテープを重ねて図1の構造となるように重ね、積層し
た後、900℃で焼成した。
ストを導体ペーストとして図1に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンテープの厚みを調整するため必要なグリー
ンテープを重ねて図1の構造となるように重ね、積層し
た後、900℃で焼成した。
【0050】上記のように構成した積層型誘電体フィル
タ本体の両主面すなわち誘電体層14の全裏面対応面、
誘電体層13の表面対応面、入力端子部61、出力端子
部62を除く側面に図2に示すように銀電極からなるア
ース電極70を印刷し、さらにアース電極70から電気
的に絶縁し、かつ入力用電極41、出力用電極42に各
別に電気的に接続する銀電極を入力端子部61、出力端
子部62内に入力端子51、出力端子52として印刷
し、印刷した電極を850℃で焼きつけた。
タ本体の両主面すなわち誘電体層14の全裏面対応面、
誘電体層13の表面対応面、入力端子部61、出力端子
部62を除く側面に図2に示すように銀電極からなるア
ース電極70を印刷し、さらにアース電極70から電気
的に絶縁し、かつ入力用電極41、出力用電極42に各
別に電気的に接続する銀電極を入力端子部61、出力端
子部62内に入力端子51、出力端子52として印刷
し、印刷した電極を850℃で焼きつけた。
【0051】上記の積層型誘電体フィルタにおいて、各
共振素子21〜23の幅w1 を0.8mm、かつ共振素
子21〜23間の間隔s1 を1.2mm、共振素子21
〜23の長さl1 を4.5mm、電極31〜33の幅w
2 を0.8mm、電極31、33の長さl2 を0.5m
m、電極32の長さを0.7mm、電極31〜33の間
隔s2 を1.2mm、共振素子21、23とそれぞれ対
向する電極31、33との間隔s3 を0.3mmとし、
共振素子22と対向する電極32の間隔を0.1mmと
し、入力用電極41と共振素子21との対向面積を0.
9mm2 、出力用電極42と共振素子23との対向面積
を0.9mm2 、誘電体層14、15、11、16、1
7、13の厚さをそれぞれ1.1mm、0.2mm、
0.2mm、0.2mm、0.2mm、1.1mmと
し、内部アース電極81、82の幅w 3 を5.2mm、
内部アース電極81、82の長さl3 を1.8mm、内
部アース電極81と各共振素子21〜23との対向面積
をそれぞれ0.8mm2 、内部アース電極82と各共振
素子21〜23との対向面積をそれぞれ0.8mm2 、
各共振素子21〜23が内部アース電極81、82より
露出する長さl4 を3.5mmとしたとき、外形形状は
6.4mm×5.3mm×3mmであり、中心周波数は
900MHz、帯域幅は30MHz、挿入損失は2.3
dB以下であった。また、中心周波数から35MHz高
い周波数点での減衰量は14dBであった。
共振素子21〜23の幅w1 を0.8mm、かつ共振素
子21〜23間の間隔s1 を1.2mm、共振素子21
〜23の長さl1 を4.5mm、電極31〜33の幅w
2 を0.8mm、電極31、33の長さl2 を0.5m
m、電極32の長さを0.7mm、電極31〜33の間
隔s2 を1.2mm、共振素子21、23とそれぞれ対
向する電極31、33との間隔s3 を0.3mmとし、
共振素子22と対向する電極32の間隔を0.1mmと
し、入力用電極41と共振素子21との対向面積を0.
9mm2 、出力用電極42と共振素子23との対向面積
を0.9mm2 、誘電体層14、15、11、16、1
7、13の厚さをそれぞれ1.1mm、0.2mm、
0.2mm、0.2mm、0.2mm、1.1mmと
し、内部アース電極81、82の幅w 3 を5.2mm、
内部アース電極81、82の長さl3 を1.8mm、内
部アース電極81と各共振素子21〜23との対向面積
をそれぞれ0.8mm2 、内部アース電極82と各共振
素子21〜23との対向面積をそれぞれ0.8mm2 、
各共振素子21〜23が内部アース電極81、82より
露出する長さl4 を3.5mmとしたとき、外形形状は
6.4mm×5.3mm×3mmであり、中心周波数は
900MHz、帯域幅は30MHz、挿入損失は2.3
dB以下であった。また、中心周波数から35MHz高
い周波数点での減衰量は14dBであった。
【0052】比較のために、この第1の実施例において
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、誘電体層17の表
面上にも内部アース電極82を設けず、共振素子21〜
23の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
l5 を長くし、他は第1の実施例と同様に構成した場
合、中心周波数を第1の実施例と同じ900MHzにす
るには共振素子21〜23の長さl1 を7.5mmとす
る必要があり、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も
第1の実施例が5.3mmであったのに比べて8.3m
mと長くなった。そして、帯域幅も20MHzであり、
第1の実施例よりも狭かった。このように、第1の実施
例によって帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィ
ルタ自体の寸法も小さくなっていることがわかる。
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、誘電体層17の表
面上にも内部アース電極82を設けず、共振素子21〜
23の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
l5 を長くし、他は第1の実施例と同様に構成した場
合、中心周波数を第1の実施例と同じ900MHzにす
るには共振素子21〜23の長さl1 を7.5mmとす
る必要があり、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も
第1の実施例が5.3mmであったのに比べて8.3m
mと長くなった。そして、帯域幅も20MHzであり、
第1の実施例よりも狭かった。このように、第1の実施
例によって帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィ
ルタ自体の寸法も小さくなっていることがわかる。
【0053】次に、第2の実施例の場合は、第1の実施
例において使用したグリーンテープを用いて、図9に示
す導体パターンを印刷し、次いで、これら導体パターン
が印刷されたグリーンテープの厚みを調整するために必
要なグリーンテープを重ねて図9の構造となるように重
ね、積層した後、900℃で焼成した。次に、アース電
極70および入力端子51、出力端子52を銀電極で構
成して850℃で焼きつけた。
例において使用したグリーンテープを用いて、図9に示
す導体パターンを印刷し、次いで、これら導体パターン
が印刷されたグリーンテープの厚みを調整するために必
要なグリーンテープを重ねて図9の構造となるように重
ね、積層した後、900℃で焼成した。次に、アース電
極70および入力端子51、出力端子52を銀電極で構
成して850℃で焼きつけた。
【0054】このようにして製造した積層型誘電体フィ
ルタにおいて、誘電体層14、11、12、13の厚さ
をそれぞれ1.3mm、0.2mm、0.2mm、1.
3mmとし、共振素子21〜23の長さl1 を5mmと
し、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 を5.8mm
とし、他は第1の実施例と同じ方法で製造した場合、中
心周波数が900MHz、帯域幅は28MHz、挿入損
失は2.2dB以下であった。
ルタにおいて、誘電体層14、11、12、13の厚さ
をそれぞれ1.3mm、0.2mm、0.2mm、1.
3mmとし、共振素子21〜23の長さl1 を5mmと
し、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 を5.8mm
とし、他は第1の実施例と同じ方法で製造した場合、中
心周波数が900MHz、帯域幅は28MHz、挿入損
失は2.2dB以下であった。
【0055】比較のために、この第2の実施例において
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、共振素子21〜2
3の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さl
5 を長くし、他は第2の実施例と同様に構成した場合、
中心周波数を第2の実施例と同じ900MHzにするに
は共振素子の長さl1 を7.5mmとする必要があり、
積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も第2の実施例が
5.8mmであったのに比べて8.3mmと長くなっ
た。そして、帯域幅も20MHzであり、第2の実施例
よりも狭かった。このように、第2の実施例によっても
帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィルタ自体の
寸法も小さくなっていることがわかる。
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、共振素子21〜2
3の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さl
5 を長くし、他は第2の実施例と同様に構成した場合、
中心周波数を第2の実施例と同じ900MHzにするに
は共振素子の長さl1 を7.5mmとする必要があり、
積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も第2の実施例が
5.8mmであったのに比べて8.3mmと長くなっ
た。そして、帯域幅も20MHzであり、第2の実施例
よりも狭かった。このように、第2の実施例によっても
帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィルタ自体の
寸法も小さくなっていることがわかる。
【0056】次に、第3の実施例の場合は、第1の実施
例において使用したグリーンテープを用いて、図10に
示す導体パターンを印刷し、次いで、これら導体パター
ンが印刷されたグリーンテープの厚みを調整するために
必要なグリーンテープを重ねて図10の構造となるよう
に重ね、積層した後、900℃で焼成した。次に、アー
ス電極70および入力端子51、出力端子52を銀電極
で構成して850℃で焼きつけた。
例において使用したグリーンテープを用いて、図10に
示す導体パターンを印刷し、次いで、これら導体パター
ンが印刷されたグリーンテープの厚みを調整するために
必要なグリーンテープを重ねて図10の構造となるよう
に重ね、積層した後、900℃で焼成した。次に、アー
ス電極70および入力端子51、出力端子52を銀電極
で構成して850℃で焼きつけた。
【0057】このようにして製造した積層型誘電体フィ
ルタにおいて、誘電体層14、11、12、13の厚さ
をそれぞれ1.3mm、0.2mm、0.2mm、1.
3mmとし、共振素子21〜23の長さl1 を4.5m
mとし、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 を5.3
mmとし、入力電極91、出力電極92の長さl6 、幅
w3 をそれぞれ0.2mm、0.2mmとし、電極31
〜33の長さを0.5mmとし、共振素子21〜23と
の間隔を0.3mmとし、他は第1の実施例と同じ方法
で製造した場合、中心周波数が900MHz、帯域幅は
31MHz、挿入損失は2.1dB以下であった。
ルタにおいて、誘電体層14、11、12、13の厚さ
をそれぞれ1.3mm、0.2mm、0.2mm、1.
3mmとし、共振素子21〜23の長さl1 を4.5m
mとし、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 を5.3
mmとし、入力電極91、出力電極92の長さl6 、幅
w3 をそれぞれ0.2mm、0.2mmとし、電極31
〜33の長さを0.5mmとし、共振素子21〜23と
の間隔を0.3mmとし、他は第1の実施例と同じ方法
で製造した場合、中心周波数が900MHz、帯域幅は
31MHz、挿入損失は2.1dB以下であった。
【0058】比較のために、この第3の実施例において
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、誘電体層17の表
面上にも内部アース電極82を設けず、共振素子21〜
23の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
l5 を長くし、他は第3の実施例と同様に構成した場
合、中心周波数を第3の実施例と同じ900MHzにす
るには共振素子の長さl 1 を7.5mmとする必要があ
り、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も第3の実施
例が5.3mmであったのに比べて8.3mmと長くな
った。そして、帯域幅も20MHzであり、第3の実施
例よりも狭かった。このように、第3の実施例によっ
て、帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィルタ自
体の寸法も小さくなっていることがわかる。
使用したグリーンテープを用いて、誘電体層14の表面
上には内部アース電極81を設けず、誘電体層17の表
面上にも内部アース電極82を設けず、共振素子21〜
23の長さl1 および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
l5 を長くし、他は第3の実施例と同様に構成した場
合、中心周波数を第3の実施例と同じ900MHzにす
るには共振素子の長さl 1 を7.5mmとする必要があ
り、積層型誘電体フィルタ自体の長さl5 も第3の実施
例が5.3mmであったのに比べて8.3mmと長くな
った。そして、帯域幅も20MHzであり、第3の実施
例よりも狭かった。このように、第3の実施例によっ
て、帯域幅が大幅に改善され、積層型誘電体フィルタ自
体の寸法も小さくなっていることがわかる。
【0059】次に、本発明の第4の実施例について説明
する。
する。
【0060】図12は本実施例の模式展開図である。
【0061】誘電体層14上に、共振素子21〜23の
開放端側の一部に誘電体層11を挟んで重なり、前端が
アース電極70と接続される内部アース電極81、およ
び出力端側の共振素子23の一部に誘電体層11を挟ん
で重なる出力用電極42が形成されている。誘電体層1
4の下面には、アース電極70(図示せず)が形成され
ている。
開放端側の一部に誘電体層11を挟んで重なり、前端が
アース電極70と接続される内部アース電極81、およ
び出力端側の共振素子23の一部に誘電体層11を挟ん
で重なる出力用電極42が形成されている。誘電体層1
4の下面には、アース電極70(図示せず)が形成され
ている。
【0062】誘電体層11上に、アース電極70に後端
部がそれぞれ接続されて1/4波長ストリップライン共
振器を構成する共振素子21〜23が形成されている。
共振素子21〜23の前方の開放端が側面に露出してい
る。
部がそれぞれ接続されて1/4波長ストリップライン共
振器を構成する共振素子21〜23が形成されている。
共振素子21〜23の前方の開放端が側面に露出してい
る。
【0063】誘電体層17上に、共振素子21〜23の
開放端側の一部に誘電体層17を挟んで重なり、前端が
アース電極70と接続される内部アース電極82、およ
び入力端側の共振素子21の一部に誘電体層17を挟ん
で重なる出力用電極41が形成されている。
開放端側の一部に誘電体層17を挟んで重なり、前端が
アース電極70と接続される内部アース電極82、およ
び入力端側の共振素子21の一部に誘電体層17を挟ん
で重なる出力用電極41が形成されている。
【0064】誘電体層13上にはアース電極70、およ
びトリミング電極8〜10が形成されている。
びトリミング電極8〜10が形成されている。
【0065】誘電体層14、11、17および13が一
体的に構成されて積層体500が形成されている。
体的に構成されて積層体500が形成されている。
【0066】積層体500の上面に形成されたトリミン
グ電極8〜10と、共振素子21〜23の開放端とは、
積層体500の前側面に形成された側面電極5〜7によ
ってそれぞれ接続されている。なお、内部アース電極8
1、82には側面電極5〜8と接触しないように、切り
欠き部815〜817、825〜827がそれぞれ設け
られている。また、積層体500の前側面にもアース電
極70が形成されているが、このアース電極70は、側
面電極5〜8と接触しないように側面電極5〜8の両側
とそれぞれ所定の間隔離れて設けられている。
グ電極8〜10と、共振素子21〜23の開放端とは、
積層体500の前側面に形成された側面電極5〜7によ
ってそれぞれ接続されている。なお、内部アース電極8
1、82には側面電極5〜8と接触しないように、切り
欠き部815〜817、825〜827がそれぞれ設け
られている。また、積層体500の前側面にもアース電
極70が形成されているが、このアース電極70は、側
面電極5〜8と接触しないように側面電極5〜8の両側
とそれぞれ所定の間隔離れて設けられている。
【0067】積層体500の後側面および下面にもアー
ス電極70(図示せず)が設けられている。積層体50
0の左右の側面には、入力用電極41、出力用電極42
とそれぞれ接続される入力端子(図示せず)および出力
端子(図示せず)が設けられる入力端子部および出力端
子部を除いた領域に、アース電極70(図示せず)が設
けられている。
ス電極70(図示せず)が設けられている。積層体50
0の左右の側面には、入力用電極41、出力用電極42
とそれぞれ接続される入力端子(図示せず)および出力
端子(図示せず)が設けられる入力端子部および出力端
子部を除いた領域に、アース電極70(図示せず)が設
けられている。
【0068】本実施例の積層型誘電体フィルタの等価回
路は図5に示した第1の実施例の等価回路と同様である
が、積層体500の表面に設けられたトリミング用電極
8〜10とアース電極70との間には、これらの間に露
出する誘電体層によって静電容量が形成され、この静電
容量は図5に示した静電容量121〜123にそれぞれ
相当する。
路は図5に示した第1の実施例の等価回路と同様である
が、積層体500の表面に設けられたトリミング用電極
8〜10とアース電極70との間には、これらの間に露
出する誘電体層によって静電容量が形成され、この静電
容量は図5に示した静電容量121〜123にそれぞれ
相当する。
【0069】本実施例においては、積層体500の表面
に設けられたトリミング電極8〜10をトリミングする
ことにより、この静電容量の値を変化させることがで
き、それによって共振素子の特性を変化させることがで
きる。
に設けられたトリミング電極8〜10をトリミングする
ことにより、この静電容量の値を変化させることがで
き、それによって共振素子の特性を変化させることがで
きる。
【0070】
【発明の効果】本発明においては、誘電体層を挟んで共
振素子の全面と対向して設けられたアース電極と共振素
子との間の誘電体層中に共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けているから、積層型誘電体フィルタを
広帯域化できるとともに小型化できる。
振素子の全面と対向して設けられたアース電極と共振素
子との間の誘電体層中に共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けているから、積層型誘電体フィルタを
広帯域化できるとともに小型化できる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図12
【補正方法】変更
【補正内容】
【図12】本発明の第4の実施例の積層型誘電体フィル
タの模式展開図である。
タの模式展開図である。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図13
【補正方法】変更
【補正内容】
【図13】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの模式展開図である。
ィルタの模式展開図である。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図14
【補正方法】変更
【補正内容】
【図14】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの斜視図である。
ィルタの斜視図である。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図15
【補正方法】追加
【補正内容】
【図15】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの等価回路図である。
ィルタの等価回路図である。
【手続補正6】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図12
【補正方法】変更
【補正内容】
【図12】
【手続補正7】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図13
【補正方法】変更
【補正内容】
【図13】
【手続補正8】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図14
【補正方法】変更
【補正内容】
【図14】
【手続補正9】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図15
【補正方法】追加
【補正内容】
【図15】
Claims (8)
- 【請求項1】共振素子と、前記共振素子と結合または接
続された入力電極と、前記共振素子と結合または接続さ
れた出力電極と、前記共振素子の第1の主面の全面に対
向し前記共振素子との間に第1の誘電体層を挟んで設け
られた第1のアース電極と、前記共振素子と前記第1の
アース電極との間の前記第1の誘電体層中に前記共振素
子の前記第1の主面の一部と対向して設けられた第1の
内部アース電極とを有することを特徴とする積層型誘電
体フィルタ。 - 【請求項2】請求項1記載の積層型誘電体フィルタにお
いて、前記共振素子の前記第1の主面とは反対側の第2
の主面の全面に対向し、前記共振素子との間に第2の誘
電体層を挟んで設けられた第2のアース電極をさらに有
することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項3】請求項2記載の積層型誘電体フィルタにお
いて、前記共振素子と前記第2のアース電極との間の前
記第2の誘電体層中に前記共振素子の前記第2の主面の
一部と対向して設けられた第2の内部アース電極をさら
に有することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項4】請求項1または2記載の積層型誘電体フィ
ルタにおいて、前記共振素子は複数の共振素子であり、
前記複数の共振素子のうち入力端側共振素子に前記入力
電極が結合または接続され、前記複数の共振素子のうち
出力端側共振素子に前記出力電極が結合または接続され
ていることを特徴とする積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項5】請求項3記載の積層型誘電体フィルタにお
いて、前記共振素子は複数の共振素子であり、前記複数
の共振素子のうち入力端側共振素子に前記入力電極が結
合または接続され、前記複数の共振素子のうち出力端側
共振素子に前記出力電極が結合または接続されているこ
とを特徴とする積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項6】請求項1、2、4のいずれかに記載の積層
型誘電体フィルタにおいて、前記共振素子の一端が前記
第1のアース電極と電気的に接続され、前記第1の内部
アース電極が前記共振素子の他端である開放端側におい
て前記共振素子の前記第1の主面の一部と対向して設け
られていることを特徴とする積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項7】請求項3または5記載の積層型誘電体フィ
ルタにおいて、前記共振素子の一端が前記第1のアース
電極と電気的に接続され、前記第1および第2の内部ア
ース電極が前記共振素子の他端である開放端側において
前記第1および第2の主面の一部とそれぞれ対向して設
けられていることを特徴とする積層型誘電体フィルタ - 【請求項8】請求項1乃至7のいずれかに記載の積層型
誘電体フィルタにおいて、前記積層型誘電体フィルタは
コムライン型の誘電体フィルタであることを特徴とする
積層型誘電体フィルタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4379292A JPH05243810A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 積層型誘電体フィルタ |
| US08/023,395 US5374909A (en) | 1992-02-28 | 1993-02-26 | Stripline filter having internal ground electrodes |
| US08/299,073 US5497130A (en) | 1992-02-28 | 1994-09-01 | Layered transmission line filter with a capacitively coupled electrode in a layer opposing stripline resonators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4379292A JPH05243810A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 積層型誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243810A true JPH05243810A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12673597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4379292A Pending JPH05243810A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 積層型誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243810A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994009528A1 (fr) * | 1992-10-14 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filtre et procede pour sa fabrication |
| JPH07226603A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Ngk Insulators Ltd | 積層型誘電体フィルタ |
| US6379805B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-04-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles |
| US6893728B2 (en) | 2001-06-27 | 2005-05-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Low temperature-fired porcelain and electronic parts |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4379292A patent/JPH05243810A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994009528A1 (fr) * | 1992-10-14 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filtre et procede pour sa fabrication |
| US5489881A (en) * | 1992-10-14 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stripline resonator filter including cooperative conducting cap and film |
| US5832578A (en) * | 1992-10-14 | 1998-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a filter by forming strip lines on a substrate and dividing the substrate |
| JPH07226603A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Ngk Insulators Ltd | 積層型誘電体フィルタ |
| US6379805B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-04-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles |
| US6893728B2 (en) | 2001-06-27 | 2005-05-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Low temperature-fired porcelain and electronic parts |
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