JPH05251496A - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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JPH05251496A
JPH05251496A JP4050221A JP5022192A JPH05251496A JP H05251496 A JPH05251496 A JP H05251496A JP 4050221 A JP4050221 A JP 4050221A JP 5022192 A JP5022192 A JP 5022192A JP H05251496 A JPH05251496 A JP H05251496A
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JP
Japan
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bonding pad
bonding
insulating film
polyimide resin
semiconductor substrate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4050221A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Sato
泰 佐藤
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NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
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Publication of JPH05251496A publication Critical patent/JPH05251496A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ワイヤボンディング時のボンディングパッドに
加わわる、熱的及び機械的衝撃を緩衝しボンディングパ
ッド下層の絶縁膜、電子回路を形成する回路素子及び半
導体基板の破壊を防止する。 【構成】ボンディングパッド７の直下にポリイミド樹脂
４による緩衝用の膜を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ボンディングパッド領
域の下にポリイミド樹脂を有する半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子は図３に示すように、
半導体基板１上に電子回路を形成する回路素子２と、第
１絶縁膜３上に形成されこの回路素子２を互いに接続す
る配線５と、第２絶縁膜６の開口に形成された、電子回
路の入出力端子であるボンディングパッド７とを有して
いる。また、この半導体素子をリードフレーム９のアイ
ランドに固着し、リードフレームのリードと前記ボンデ
ィングパッドとを金属細線８で接続して組立てた後、そ
れら構成品を樹脂封止して半導体装置として形成されて
いた。
【０００３】この半導体素子のボンディングパッド７と
リードフレームのリードとを金属細線８で接続する際
は、通常、ワイヤーボンディング装置を使用していた。
また、このワイヤーポンディング装置で金属細線を接続
するときには、ボンディングパッドに温度及び圧着荷重
による熱的及び機械的衝撃が加わるため、ボンディング
パッド下層の絶縁膜、電子回路を形成する回路素子、及
び半導体基板を破壊する危険があり、それを防止するた
めに、ボンディング時の温度及び圧着荷重の厳密な制御
を行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
素子では、ボンディング時に急激な温度変化又は、圧着
荷重の変化があると、ボンディングパッドに熱的及び機
械的衝撃が加わり、ボンディングパッド下層の絶縁膜、
電子回路を形成する回路素子、及び半導体基板を破壊す
るという欠点がある。このため、信頼性のある接続方法
を得るためには、ボンディング時の温度及び圧着荷重を
厳密に制御しなければならないという欠点がある。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消し、信
頼性のある接続を有する半導体素子を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子は、
半導体基板上に積層された絶縁膜上に形成されたポリイ
ミド樹脂と、このポリイミド樹脂の上部に形成されたボ
ンディングパッドとを有している。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１および図２は本発明の一実施例を示す半導体素
子の断面図である。この半導体素子は、図１に示すよう
に、Ｎ型又はＰ型半導体基板１に形成された回路素子２
と、半導体基板１及び回路素子２の上に積層された第１
絶縁膜３の上に、ポリイミド樹脂４が形成されている。
また、このポリイミド樹脂４の上に金属配線５に接続さ
れているボンディングパッド７が形成されており、第１
絶縁膜３の表面及び金属配線５の表面は第２絶縁膜６で
保護されている。
【０００８】次に、この半導体素子における金属細線で
リードフレームとの接続について図２を参照して説明す
る。ワイヤボンディング時にボンディングパッド７には
ボンディングパッド７とリードフレーム９とを接続する
ための金属細線８が接続される。このワイヤボンディン
グ時にボンディンギュパッド７及びリードフレーム９に
は制御された温度が加えられ、金属細線８には制御され
た圧着荷重が加えられ溶着される。この溶着される際、
ボンディングパッド７には温度、圧着荷重による応力が
加わわるが、ボンディングパッド７の下層にあるポリイ
ミド樹脂４はボンディングパット７及び第１絶縁膜３よ
り柔らかく、衝撃を吸収できるので、第１絶縁膜３、回
路素子２、半導体基板１の破壊を防止できる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体素
子のボンディングパッドの下にポリイミド樹脂を形成す
ることによって、ワイヤボンディング時の急激な温度変
化又は、圧着荷重の変化によるボンディングパッドに加
わる熱的及び機械的衝撃を吸収することができ、ボンデ
ィングパッド下層の絶縁膜、電子回路を形成する回路素
子及び半導体基板の破壊を防止できる。ワイヤーボンデ
ィング時の温度及び圧着荷重の変化の影響を受け難いた
め、温度及び圧着荷重の制御を容易にでき、さらに信頼
度の高い半導体素子が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す半導体素子の断面図。
【図２】本発明の一実施例の半導体素子をボンディング
したときの状態を示す断面図。
【図３】従来の半導体素子の断面図。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ 回路素子 ３ 第１絶縁膜 ４ ポリイミド樹脂 ５ 金属配線 ６ 第２絶縁膜 ７ ボンディングパッド ８ 金属細線 ９ リードフレーム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に積層された絶縁膜上に形
    成されたポリイミド樹脂と、このポリイミド樹脂の上部
    に形成されたボンディングパッドを有することを特徴と
    する半導体素子。
JP4050221A 1992-03-09 1992-03-09 半導体素子 Withdrawn JPH05251496A (ja)

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JP4050221A JPH05251496A (ja) 1992-03-09 1992-03-09 半導体素子

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JP4050221A JPH05251496A (ja) 1992-03-09 1992-03-09 半導体素子

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JPH05251496A true JPH05251496A (ja) 1993-09-28

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ID=12852999

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JP4050221A Withdrawn JPH05251496A (ja) 1992-03-09 1992-03-09 半導体素子

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100378978C (zh) * 1997-01-17 2008-04-02 精工爱普生株式会社 半导体装置
JP2017212595A (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
CN113841237A (zh) * 2019-05-30 2021-12-24 三菱电机株式会社 功率半导体模块以及电力变换装置

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