JPH0525241Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0525241Y2 JPH0525241Y2 JP1987195653U JP19565387U JPH0525241Y2 JP H0525241 Y2 JPH0525241 Y2 JP H0525241Y2 JP 1987195653 U JP1987195653 U JP 1987195653U JP 19565387 U JP19565387 U JP 19565387U JP H0525241 Y2 JPH0525241 Y2 JP H0525241Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film carrier
- epoxy resin
- slit
- chip
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は、ICチツプ等の電子部品を実装する
フイルムキヤリアに関する。
フイルムキヤリアに関する。
＜従来の技術＞
第５図は従来のフイルムキヤリアを示す平面
図、第６図はこのフイルムキヤリアにICチツプ
を実装し、エポキシ系樹脂でコーテイングした状
態を示す模式的平面図、第７図は第６図のＢ−Ｂ
線断面図である。
図、第６図はこのフイルムキヤリアにICチツプ
を実装し、エポキシ系樹脂でコーテイングした状
態を示す模式的平面図、第７図は第６図のＢ−Ｂ
線断面図である。
フイルムキヤリア１０はいわゆるICカード、
カード型電卓等の薄さを要求される製品にICチ
ツプを実装する場合に利用されている。
カード型電卓等の薄さを要求される製品にICチ
ツプを実装する場合に利用されている。
フイルムキヤリア１０はポリイミドフイルムに
接着剤等によつて銅箔が貼着されたものである。
このフイルムキヤリア１０は幅35mm、厚さ125μm
の規格に従つて製造されている。
接着剤等によつて銅箔が貼着されたものである。
このフイルムキヤリア１０は幅35mm、厚さ125μm
の規格に従つて製造されている。
このフイルムキヤリア１０には一定の間隔で実
装されるべきICチツプ２０の大きさに対応する
デバイスホール１１が開設されているとともに、
当該デバイスホール１１の幅方向両側にはOLB
（Outer Lead Bonding）ホール１２が開設され
ている。さらにOLBホール１２の外側には所定
のピツチでスプロケツトホール１４が開設されて
いる。このスプロケツトホール１４はフイルムキ
ヤリア１０を駆動するスプロケツト（図示省略）
に対応している。また、デバイスホール１１間に
は長さ５mm、幅0.6mmの樹脂拡散防止用スリツト
（以下単にスリツトという）１３が開設されてい
る。このスリツト１３はICチツプ２０を実装し
た後にエポキシ系樹脂３０で当該ICチツプ２０
をコーテイングする場合において、エポキシ系樹
脂３０が隣接するエポキシ系樹脂３０とつながら
ないようにエポキシ系樹脂３０のストツパとして
作用するものである。
装されるべきICチツプ２０の大きさに対応する
デバイスホール１１が開設されているとともに、
当該デバイスホール１１の幅方向両側にはOLB
（Outer Lead Bonding）ホール１２が開設され
ている。さらにOLBホール１２の外側には所定
のピツチでスプロケツトホール１４が開設されて
いる。このスプロケツトホール１４はフイルムキ
ヤリア１０を駆動するスプロケツト（図示省略）
に対応している。また、デバイスホール１１間に
は長さ５mm、幅0.6mmの樹脂拡散防止用スリツト
（以下単にスリツトという）１３が開設されてい
る。このスリツト１３はICチツプ２０を実装し
た後にエポキシ系樹脂３０で当該ICチツプ２０
をコーテイングする場合において、エポキシ系樹
脂３０が隣接するエポキシ系樹脂３０とつながら
ないようにエポキシ系樹脂３０のストツパとして
作用するものである。
なお、１５は銅製のリードであつて、デバイス
ホール１１からOLBホール１２にかけて設けら
れており、その先端側（デバイスホール１１側）
にはICチツプ２０とリード１５とを接続するた
めの金バンプ１５１が、他端（スプロケツトホー
ル１４側）は実装したICチツプの電気的特性を
測定する場合にプローブ探針（図示省略）を接触
させるパツド１５２となつている。
ホール１１からOLBホール１２にかけて設けら
れており、その先端側（デバイスホール１１側）
にはICチツプ２０とリード１５とを接続するた
めの金バンプ１５１が、他端（スプロケツトホー
ル１４側）は実装したICチツプの電気的特性を
測定する場合にプローブ探針（図示省略）を接触
させるパツド１５２となつている。
＜考案が解決しようとする問題点＞
スリツトは前述したように隣接するエポキシ系
樹脂のつながりを防止するものであるから、スリ
ツトは長さエポキシ系樹脂３０のOLBホール１
２側への広がりだけ大きさを有することが好まし
いのであるが、その長さが長すぎるとスプロケツ
トによつて加えられるフイルムキヤリアの長手方
向への張力に対して弱くなり、フイルムキヤリア
が変形する。この変形の度合いを考慮してスリツ
トの長さは５mmに設定されているが、この５mmで
はエポキシ系樹脂のストツパとしての機能が不充
分であるため、隣接するICチツプをコーテイン
グするエポキシ系樹脂がつながつてしまい（第６
図及び第７図参照）、各デバイスごとに分離した
時にエポキシ系樹脂３０に大きなクラツクが生じ
耐湿性等の大きな劣化を招く恐れがあり、半導体
装置製造の歩留りが低下するという問題点があ
る。
樹脂のつながりを防止するものであるから、スリ
ツトは長さエポキシ系樹脂３０のOLBホール１
２側への広がりだけ大きさを有することが好まし
いのであるが、その長さが長すぎるとスプロケツ
トによつて加えられるフイルムキヤリアの長手方
向への張力に対して弱くなり、フイルムキヤリア
が変形する。この変形の度合いを考慮してスリツ
トの長さは５mmに設定されているが、この５mmで
はエポキシ系樹脂のストツパとしての機能が不充
分であるため、隣接するICチツプをコーテイン
グするエポキシ系樹脂がつながつてしまい（第６
図及び第７図参照）、各デバイスごとに分離した
時にエポキシ系樹脂３０に大きなクラツクが生じ
耐湿性等の大きな劣化を招く恐れがあり、半導体
装置製造の歩留りが低下するという問題点があ
る。
本考案は上記事情に鑑みて創案されたもので、
フイルムキヤリアの変形を最小限度に押さえると
ともに、エポキシ系樹脂のストツパとしての機能
を果たすことができるスリツトを有したフイルム
キヤリアを提供することを目的としている。
フイルムキヤリアの変形を最小限度に押さえると
ともに、エポキシ系樹脂のストツパとしての機能
を果たすことができるスリツトを有したフイルム
キヤリアを提供することを目的としている。
＜問題点を解決するための手段＞
本考案に係るフイルムキヤリアは、予め形成さ
れたリードに電子部品を実装し、当該電子部品を
樹脂でコーテイングするフイルムキヤリアにおい
て、フイルムの隣接するデバイスホール間に開設
されたスリツトの少なくとも一部を覆う複数の補
強パターンが形成されていることを特徴としてい
る。
れたリードに電子部品を実装し、当該電子部品を
樹脂でコーテイングするフイルムキヤリアにおい
て、フイルムの隣接するデバイスホール間に開設
されたスリツトの少なくとも一部を覆う複数の補
強パターンが形成されていることを特徴としてい
る。
＜作用＞
ICチツプをリードの先端に形成された金バン
プによつてフイルムキヤリアに実装する。実装さ
れたICチツプを例えばエポキシ系樹脂によつて
コーテイングする。この場合、エポキシ系樹脂に
よるコーテイングはノズルからのポツテイングに
よつて行われる。ポツテイングされたエポキシ系
樹脂はICチツプをコーテイングするが、フイル
ムキヤリアの幅方向にはOLBホール、長手方向
にはスリツトが開設されているため、そのOLB
ホールやスリツトを越えることはない。つまり、
エポキシ系樹脂は金属箔の間からフイルムキヤリ
アの裏面側に流れ込む。また、スプロケツトによ
つてフイルムキヤリアを駆動しても、スリツトの
幅方向に橋絡する金属箔が設けられているため、
フイルムキヤリアがスプロケツトの張力によつて
変形することがない。
プによつてフイルムキヤリアに実装する。実装さ
れたICチツプを例えばエポキシ系樹脂によつて
コーテイングする。この場合、エポキシ系樹脂に
よるコーテイングはノズルからのポツテイングに
よつて行われる。ポツテイングされたエポキシ系
樹脂はICチツプをコーテイングするが、フイル
ムキヤリアの幅方向にはOLBホール、長手方向
にはスリツトが開設されているため、そのOLB
ホールやスリツトを越えることはない。つまり、
エポキシ系樹脂は金属箔の間からフイルムキヤリ
アの裏面側に流れ込む。また、スプロケツトによ
つてフイルムキヤリアを駆動しても、スリツトの
幅方向に橋絡する金属箔が設けられているため、
フイルムキヤリアがスプロケツトの張力によつて
変形することがない。
＜実施例＞
以下、図面を参照して本考案に係る一実施例を
説明する。なお、従来のものと同一のものには同
一の番号を付して説明を行う。
説明する。なお、従来のものと同一のものには同
一の番号を付して説明を行う。
第１図は本考案に係るフイルムキヤリアの一実
施例を示す平面図、第２図はこのフイルムキヤリ
アにICチツプを実装し、エポキシ系樹脂でコー
テイングした状態を示す模式的平面図、第３図は
第２図のＡ−Ａ線断面図、第４図はその他の実施
例を示す平面図である。
施例を示す平面図、第２図はこのフイルムキヤリ
アにICチツプを実装し、エポキシ系樹脂でコー
テイングした状態を示す模式的平面図、第３図は
第２図のＡ−Ａ線断面図、第４図はその他の実施
例を示す平面図である。
本考案に係るフイルムキヤリア１０はポリイミ
ドフイルムに接着剤を塗布し、リード１５及び補
強パターンとしての金属箔１３１となる銅箔を貼
着した、いわゆる３層構造のものである。このフ
イルムキヤリア１０は幅35mm、厚さ125μmの規格
に従つて形成されている。なお、リード１５及び
金属箔１３１はリソグラフイ技術によつて同時に
形成されている。
ドフイルムに接着剤を塗布し、リード１５及び補
強パターンとしての金属箔１３１となる銅箔を貼
着した、いわゆる３層構造のものである。このフ
イルムキヤリア１０は幅35mm、厚さ125μmの規格
に従つて形成されている。なお、リード１５及び
金属箔１３１はリソグラフイ技術によつて同時に
形成されている。
このフイルムキヤリア１０の長手方向には一定
の間隔を有して多数のデバイスホール１１が形成
されている。このデバイスホール１１は実装すべ
きICチツプ２０の大きさ、形状によつて設定さ
れる。このデバイスホール１１の両側にはOLB
ホール１２が開設されている。そして、デバイス
ホール１１からOLBホール１２にかけてリード
１５が設けられている。このリード１５の先端
（デバイスホール１１に突出した部分の先端）に
はICチツプ２０を実装するための金バンプ１５
１が設けられており、一方他端（OLBホール１
２より外方の先端）には実装したICチツプ２０
の電気的特性を測定する場合に、プローブ探針
（図示省略）を接触させるための電極１５２が設
けられている。また、OLBホール１２の外側に
はフイルムキヤリア１０を駆動するスプロケツト
（図示省略）に対応するスプロケツトホール１４
が設けられている。さらに、デバイスホール１１
の間にはスリツト１３が開設されている。このス
リツト１３は長さ12mm、幅0.6mmに設定されてい
る。このスリツト１３には複数本の金属箔１３１
が長手方向に掛け渡されている。この金属箔１３
１は0.3mm程度フイルムキヤリア１０に掛かつて
おり、前述したようにリード１５と同様にポリイ
ミドフイルムに貼着された銅箔によつて構成され
ている。
の間隔を有して多数のデバイスホール１１が形成
されている。このデバイスホール１１は実装すべ
きICチツプ２０の大きさ、形状によつて設定さ
れる。このデバイスホール１１の両側にはOLB
ホール１２が開設されている。そして、デバイス
ホール１１からOLBホール１２にかけてリード
１５が設けられている。このリード１５の先端
（デバイスホール１１に突出した部分の先端）に
はICチツプ２０を実装するための金バンプ１５
１が設けられており、一方他端（OLBホール１
２より外方の先端）には実装したICチツプ２０
の電気的特性を測定する場合に、プローブ探針
（図示省略）を接触させるための電極１５２が設
けられている。また、OLBホール１２の外側に
はフイルムキヤリア１０を駆動するスプロケツト
（図示省略）に対応するスプロケツトホール１４
が設けられている。さらに、デバイスホール１１
の間にはスリツト１３が開設されている。このス
リツト１３は長さ12mm、幅0.6mmに設定されてい
る。このスリツト１３には複数本の金属箔１３１
が長手方向に掛け渡されている。この金属箔１３
１は0.3mm程度フイルムキヤリア１０に掛かつて
おり、前述したようにリード１５と同様にポリイ
ミドフイルムに貼着された銅箔によつて構成され
ている。
次に、本考案に係るフイルムキヤリア１０の形
成について説明する。
成について説明する。
ICチツプ２０をリード１５の先端に形成され
た金バンプ１５１によつてフイルムキヤリア１０
に実装する。実装されたICチツプ２０を例えば
エポキシ系樹脂３０によつてコーテイングする。
この場合、エポキシ系樹脂３０によるコーテイン
グはノズル（図示省略）からのポツテイングによ
つて行われ、その粘度は100〜200cpsである。ポ
ツテイングされたエポキシ系樹脂３０はICチツ
プ２０をコーテイングするが、フイルムキヤリア
１０の幅方向にはOLBホール１２、長手方向に
は従来のフイルムキヤリア１０のスリツト１３よ
りも幅方向に長いスリツト１３が開設されている
ため、そのOLBホール１２やスリツト１３を越
えることはない。つまり、スリツト１３において
エポキシ系樹脂３０は金属箔１３１の間からフイ
ルムキヤリア１０の裏面側に流れ込み、隣接する
ICチツプ２０をコーテイングするエポキシ系樹
脂３０とくつつかない。また、スプロケツトによ
つてフイルムキヤリア１０を駆動しても、スリツ
ト１３に金属箔１３１が設けられているため、フ
イルムキヤリア１０がスプロケツトの張力によつ
て変形することがない。エポキシ系樹脂３０によ
るICチツプ２０のコーテイング後、スリツト１
３及びOLBホール１２に沿つてフイルムキヤリ
ア１０を切断し、ICチツプ２０をICカード等に
取り付ける。なお、コーテイングされたエポキシ
系樹脂３０は約100μm程度の厚さを有している。
た金バンプ１５１によつてフイルムキヤリア１０
に実装する。実装されたICチツプ２０を例えば
エポキシ系樹脂３０によつてコーテイングする。
この場合、エポキシ系樹脂３０によるコーテイン
グはノズル（図示省略）からのポツテイングによ
つて行われ、その粘度は100〜200cpsである。ポ
ツテイングされたエポキシ系樹脂３０はICチツ
プ２０をコーテイングするが、フイルムキヤリア
１０の幅方向にはOLBホール１２、長手方向に
は従来のフイルムキヤリア１０のスリツト１３よ
りも幅方向に長いスリツト１３が開設されている
ため、そのOLBホール１２やスリツト１３を越
えることはない。つまり、スリツト１３において
エポキシ系樹脂３０は金属箔１３１の間からフイ
ルムキヤリア１０の裏面側に流れ込み、隣接する
ICチツプ２０をコーテイングするエポキシ系樹
脂３０とくつつかない。また、スプロケツトによ
つてフイルムキヤリア１０を駆動しても、スリツ
ト１３に金属箔１３１が設けられているため、フ
イルムキヤリア１０がスプロケツトの張力によつ
て変形することがない。エポキシ系樹脂３０によ
るICチツプ２０のコーテイング後、スリツト１
３及びOLBホール１２に沿つてフイルムキヤリ
ア１０を切断し、ICチツプ２０をICカード等に
取り付ける。なお、コーテイングされたエポキシ
系樹脂３０は約100μm程度の厚さを有している。
なお、上記実施例では金属箔１３１をスリツト
１３の一部を覆うものとして説明したが、本考案
はこれに限定されるものではなく、スリツト１３
全体を覆うようなものにしてもよい（第４図参
照）。この場合、エポキシ系樹脂３０が一部スリ
ツト１３中に流入し、さらに隣接するデバイス側
から流入したエポキシ系樹脂３０と一体化する場
合も考えられるが、硬化したエポキシ系樹脂３０
はスリツト１３端部が肉薄部となるため、容易に
破断され、その時クラツクが生じても局部的なも
のに止まりデバイス近傍にまで達することはな
い。
１３の一部を覆うものとして説明したが、本考案
はこれに限定されるものではなく、スリツト１３
全体を覆うようなものにしてもよい（第４図参
照）。この場合、エポキシ系樹脂３０が一部スリ
ツト１３中に流入し、さらに隣接するデバイス側
から流入したエポキシ系樹脂３０と一体化する場
合も考えられるが、硬化したエポキシ系樹脂３０
はスリツト１３端部が肉薄部となるため、容易に
破断され、その時クラツクが生じても局部的なも
のに止まりデバイス近傍にまで達することはな
い。
また、ICチツプ２０をコーテイングする樹脂
としてエポキシ系樹脂をあげたが、これはエポキ
シ系樹脂の耐湿性、絶縁性によるもので、これに
限定されるものではない。
としてエポキシ系樹脂をあげたが、これはエポキ
シ系樹脂の耐湿性、絶縁性によるもので、これに
限定されるものではない。
さらに、ICチツプ２０は４方向に電極を有し、
リード１５は２方向に出すものとしたが、これに
も限定されることはない。
リード１５は２方向に出すものとしたが、これに
も限定されることはない。
また、フイルムキヤリア１０はポリイミドフイ
ルム、接着剤及び銅箔からなる３層構造として説
明したが、銅箔にポリイミドを塗布することで構
成される２層構造のものであつてもよい。
ルム、接着剤及び銅箔からなる３層構造として説
明したが、銅箔にポリイミドを塗布することで構
成される２層構造のものであつてもよい。
＜考案の効果＞
本考案に係るフイルムキヤリアによると、デバ
イスホールの間のスリツトフイルムキヤリアに加
わる張力による変形を防止する金属箔を設けたた
め、スリツトの長さを長くすることが可能にな
り、スリツトの有するエポキシ系樹脂のストツパ
としての機能を十分に果たすことができるように
なつた。従つて、ICチツプ実装の歩留りを向上
させることが可能になる。
イスホールの間のスリツトフイルムキヤリアに加
わる張力による変形を防止する金属箔を設けたた
め、スリツトの長さを長くすることが可能にな
り、スリツトの有するエポキシ系樹脂のストツパ
としての機能を十分に果たすことができるように
なつた。従つて、ICチツプ実装の歩留りを向上
させることが可能になる。
第１図は本考案に係るフイルムキヤリアの一実
施例を示す平面図、第２図はこのフイルムキヤリ
アにICチツプを実装し、エポキシ系樹脂でコー
テイングした状態を示す模式的平面図、第３図は
第２図のＡ−Ａ線断面図、第４図はその他の実施
例を示す平面図、第５図は従来のフイルムキヤリ
アを示す平面図、第６図はこのフイルムキヤリア
にICチツプを実装し、エポキシ系樹脂でコーテ
イングした状態を示す模式的平面図、第７図は第
６図のＢ−Ｂ線断面図である。 １０……フイルムキヤリア、１１……デバイス
ホール、１３……スリツト、１３１……金属箔、
２０……ICチツプ、３０……エポキシ系樹脂
（樹脂）。
施例を示す平面図、第２図はこのフイルムキヤリ
アにICチツプを実装し、エポキシ系樹脂でコー
テイングした状態を示す模式的平面図、第３図は
第２図のＡ−Ａ線断面図、第４図はその他の実施
例を示す平面図、第５図は従来のフイルムキヤリ
アを示す平面図、第６図はこのフイルムキヤリア
にICチツプを実装し、エポキシ系樹脂でコーテ
イングした状態を示す模式的平面図、第７図は第
６図のＢ−Ｂ線断面図である。 １０……フイルムキヤリア、１１……デバイス
ホール、１３……スリツト、１３１……金属箔、
２０……ICチツプ、３０……エポキシ系樹脂
（樹脂）。
Claims (1)
- 予め形成されたリードに電子部品を実装し、当
該電子部品を樹脂でコーテイングするフイルムキ
ヤリアにおいて、フイルムの隣接するデバイスホ
ール間に開設された樹脂拡散防止用スリツトの少
なくとも一部を覆う複数の補強パターンが形成さ
れていることを特徴とするフイルムキヤリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987195653U JPH0525241Y2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987195653U JPH0525241Y2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100444U JPH01100444U (ja) | 1989-07-05 |
| JPH0525241Y2 true JPH0525241Y2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=31486322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987195653U Expired - Lifetime JPH0525241Y2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525241Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52156560A (en) * | 1976-06-23 | 1977-12-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its production |
| JPS58197758A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-17 | Sharp Corp | テ−プキヤリア装置及びその実装方法 |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP1987195653U patent/JPH0525241Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01100444U (ja) | 1989-07-05 |
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