JPS63152161A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63152161A JPS63152161A JP61298716A JP29871686A JPS63152161A JP S63152161 A JPS63152161 A JP S63152161A JP 61298716 A JP61298716 A JP 61298716A JP 29871686 A JP29871686 A JP 29871686A JP S63152161 A JPS63152161 A JP S63152161A
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- JP
- Japan
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- pellet
- semiconductor device
- lead
- leads
- resin
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置におけるペレット（半
導体チップ）とリードとの電気的接続に適用して有効な
技術に関するものである。
導体チップ）とリードとの電気的接続に適用して有効な
技術に関するものである。
樹脂封止型半導体装置においては、ペレットの大型化に
伴い、パッケージ側端とペレット取付部であるタブとの
間の寸法が一段と狭くなる傾向にある。これは、ペレッ
トが大きくなっているのに、これを収納するパッケージ
のサイズが規格化されているため大きくすることができ
ないことに起因する。
伴い、パッケージ側端とペレット取付部であるタブとの
間の寸法が一段と狭くなる傾向にある。これは、ペレッ
トが大きくなっているのに、これを収納するパッケージ
のサイズが規格化されているため大きくすることができ
ないことに起因する。
その結果、外部端子であるリードのうち、パッケージを
形成する樹脂に埋設される長さがその構造上短い、いわ
ゆる短リードにおいてはその接着強度が一段と小さくな
るため、パッケージから抜は易く、またリード折曲成形
時にリードと樹脂との間の剥がれが生じ易くなることが
考えられる６そのため、電気的導通不良または耐湿性低
下環の半導体装置の信頼性の低下を来し易くなる。
形成する樹脂に埋設される長さがその構造上短い、いわ
ゆる短リードにおいてはその接着強度が一段と小さくな
るため、パッケージから抜は易く、またリード折曲成形
時にリードと樹脂との間の剥がれが生じ易くなることが
考えられる６そのため、電気的導通不良または耐湿性低
下環の半導体装置の信頼性の低下を来し易くなる。
そこで、前記問題点を解決するために、特開昭６１−２
１８１３９号公報に記載される「ペレットの回路形成面
もしくはその近傍、または非回路形成主面もしくはその
近傍にリードが延在されてなる樹脂封止型半導体装置」
が提案された。
１８１３９号公報に記載される「ペレットの回路形成面
もしくはその近傍、または非回路形成主面もしくはその
近傍にリードが延在されてなる樹脂封止型半導体装置」
が提案された。
すなわち、この樹脂封止型半導体装置は、第３図（ペレ
ットとリードの関係を示す平面図）及び第４図（第３図
のＩＶ−ＩＶ切断線で切った断面図）に示すように、搭
載されるペレットが、リード２の内部リード部とともに
エポキシ樹脂等からなるパッケージ３内に埋設され、該
リード２のパッケージ外の外部リード部は、パッケージ
３の側端近傍において下方に折り曲げられている。そし
て。
ットとリードの関係を示す平面図）及び第４図（第３図
のＩＶ−ＩＶ切断線で切った断面図）に示すように、搭
載されるペレットが、リード２の内部リード部とともに
エポキシ樹脂等からなるパッケージ３内に埋設され、該
リード２のパッケージ外の外部リード部は、パッケージ
３の側端近傍において下方に折り曲げられている。そし
て。
ペレット１は、このペレット１の裏面、すなわち半導体
集積回路を形成していない面である非回路形成主面に沿
って延在されたリードに接着剤５で接着されているポリ
イミド樹脂からなる絶縁シート４に、接着剤６を介して
取り付けられており、ペレット取付部としてのタブは存
在しないものである。
集積回路を形成していない面である非回路形成主面に沿
って延在されたリードに接着剤５で接着されているポリ
イミド樹脂からなる絶縁シート４に、接着剤６を介して
取り付けられており、ペレット取付部としてのタブは存
在しないものである。
そして、前記ペレット１とり−ド２との位置関係は、第
３図に示すように、ペレット１のポンディングパッド（
ペレット１の電極）が配列形成されていない辺の側方に
外部リード部が配列されているリード２ａの内部リード
が、ペレット１の非回路形成主面に沿って延在され、そ
の内部リードの先端部２ｂがポンディングパッドの配列
形成されているペレット１の辺を越えた位置まで延長さ
れている。
３図に示すように、ペレット１のポンディングパッド（
ペレット１の電極）が配列形成されていない辺の側方に
外部リード部が配列されているリード２ａの内部リード
が、ペレット１の非回路形成主面に沿って延在され、そ
の内部リードの先端部２ｂがポンディングパッドの配列
形成されているペレット１の辺を越えた位置まで延長さ
れている。
これらのり−ド２ａの上には、絶縁シート４の上面にペ
レット１がその非回路形成主面を下にして取り付けられ
ている。
レット１がその非回路形成主面を下にして取り付けられ
ている。
しかしながら、前記第３図及び第４図に示す従来の樹脂
封止型半導体装置でも、ペレット１がさらに大型化した
場合、第５図に示すように、前記絶縁シート４．接着層
５，６の合計の厚みが５０μｍ〜１５０μｍになり、ま
た、ペレット長手方向のペレット寸法が大きい時には、
リード２ａの内部リードの先端部２ｂ’ を長く伸ばせ
ないため。
封止型半導体装置でも、ペレット１がさらに大型化した
場合、第５図に示すように、前記絶縁シート４．接着層
５，６の合計の厚みが５０μｍ〜１５０μｍになり、ま
た、ペレット長手方向のペレット寸法が大きい時には、
リード２ａの内部リードの先端部２ｂ’ を長く伸ばせ
ないため。
この先端部２ｂ′とペレット１のパッド間をワイヤ７で
ボンディングした時、ワイヤ７とペレット１のエツジと
の間隔が狭く、ワイヤ７がシ目−トし易くなる等の電気
的接続不良を起こすことが発明者によって見い出された
。
ボンディングした時、ワイヤ７とペレット１のエツジと
の間隔が狭く、ワイヤ７がシ目−トし易くなる等の電気
的接続不良を起こすことが発明者によって見い出された
。
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置、特に大型ペレ
ットを搭載する半導体装置であっても、そのパッケージ
の樹脂とリードとの接着強度を大巾に増大することがで
きる技術を提供することにある。
ットを搭載する半導体装置であっても、そのパッケージ
の樹脂とリードとの接着強度を大巾に増大することがで
きる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、大型ペレットを搭載する半導体装
置であっても、そのペレットとリードの電気的接続不良
を防止することができる技術を提供することにある。
置であっても、そのペレットとリードの電気的接続不良
を防止することができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、ペレットの回路形成面もしくはその近傍、ま
たは非回路形成主面もしくはその近傍にリードが延在さ
れてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記リードの
ボンディング部分が、前記ペレットの回路形成面側に曲
げられたものである。
たは非回路形成主面もしくはその近傍にリードが延在さ
れてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記リードの
ボンディング部分が、前記ペレットの回路形成面側に曲
げられたものである。
前記した手段によれば、半導体ペレットの回路形成面も
しくはその近傍、または非回路形成主面もしくはその近
傍にリードが延在され、このリードのボンディング部分
が、前記ペレットの回路形成面側に曲げられていること
により、犬型ペレツトを搭載する半導体装置であっても
、そのパッケージの樹脂とリードとの接着面積を大巾に
増大することができ、かつ、ペレットのパッドとリード
のボンディング部分の位置関係をボンディングワイヤが
ショートしないように設定することができるので、大型
ペレットを搭載する半導体装置であっても、そのパッケ
ージの樹脂とリードとの接着強度を大巾に増大すること
ができ、ペレットとリードの電気的接続不良を防止する
ことができる。
しくはその近傍、または非回路形成主面もしくはその近
傍にリードが延在され、このリードのボンディング部分
が、前記ペレットの回路形成面側に曲げられていること
により、犬型ペレツトを搭載する半導体装置であっても
、そのパッケージの樹脂とリードとの接着面積を大巾に
増大することができ、かつ、ペレットのパッドとリード
のボンディング部分の位置関係をボンディングワイヤが
ショートしないように設定することができるので、大型
ペレットを搭載する半導体装置であっても、そのパッケ
ージの樹脂とリードとの接着強度を大巾に増大すること
ができ、ペレットとリードの電気的接続不良を防止する
ことができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全図において。
同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。
の説明は省略する。
本実施例の樹脂封止型半導体装置は、第１図（ペレット
とリードの関係を示す平面図）及び第２図（第１図の■
−■切断線で切った断面図）に示すように、前記第３図
及び第４図に示す樹脂封止型半導体装置のり、−ド２ａ
の内部リードの先端部２ｂ（ワイヤボンデングされる部
分）が、上方にカギ形に折曲げ成形され、その上面に金
（Ａ ｕ ）又は銀（Ａｇ）メッキされたものである。
とリードの関係を示す平面図）及び第２図（第１図の■
−■切断線で切った断面図）に示すように、前記第３図
及び第４図に示す樹脂封止型半導体装置のり、−ド２ａ
の内部リードの先端部２ｂ（ワイヤボンデングされる部
分）が、上方にカギ形に折曲げ成形され、その上面に金
（Ａ ｕ ）又は銀（Ａｇ）メッキされたものである。
このようにリード２ａの内部リードの先端部２ｂが、前
記第３図及び第４図に示すように、平坦な場合に比べて
、上方に折り曲げられているので、そのリード２ａのワ
イヤ７の接続位置が高くなり、ペレット１の上面との高
低差が小さくなる。その結果、大型のペレット１を搭載
する半導体装置であっても、そのパッケージ３の樹脂と
リード２ａとの接着強度を大巾に増大することができ、
かつペレット１とり−ド２ａのショート等の電気的接続
不良を防止することができる。
記第３図及び第４図に示すように、平坦な場合に比べて
、上方に折り曲げられているので、そのリード２ａのワ
イヤ７の接続位置が高くなり、ペレット１の上面との高
低差が小さくなる。その結果、大型のペレット１を搭載
する半導体装置であっても、そのパッケージ３の樹脂と
リード２ａとの接着強度を大巾に増大することができ、
かつペレット１とり−ド２ａのショート等の電気的接続
不良を防止することができる。
なお、前記リード２ａの内部リードの先端部２ｂと外部
リードの近傍部が上方にカギ状に折り曲げ成形され、ペ
レット１を塔載する部分を凹状に構成してもよい。また
、リード２ａの内部リードの先端部２ｂの高さと、ペレ
ット１の上面の高さを同一にしてもよい。
リードの近傍部が上方にカギ状に折り曲げ成形され、ペ
レット１を塔載する部分を凹状に構成してもよい。また
、リード２ａの内部リードの先端部２ｂの高さと、ペレ
ット１の上面の高さを同一にしてもよい。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが１
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、前記実施例では、タブを使用しない例で説明し
たが１本発明は、タブがペレットより小さく形成されて
いるものに適用してもよい。
たが１本発明は、タブがペレットより小さく形成されて
いるものに適用してもよい。
また、前記絶縁シート４と、接着剤５，６を兼用させて
、リード２ａの内部リードに直接接着剤を用いて、ペレ
ット１を装着してもよい。
、リード２ａの内部リードに直接接着剤を用いて、ペレ
ット１を装着してもよい。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
ペレットの回路形成面もしくはその近傍、または非回路
形成主面もしくはその近傍にリードが延在され、このリ
ードのボンディング部分が、前記ペレットの回路形成面
側に曲げられていることにより、大型ペレットを搭載す
る半導体装置であっても、そのパッケージの樹脂とリー
ドとの接着面積を大巾に増大することができ、かつ、ペ
レットのパッドとリードのボンディング部分の位置関係
をボンディングワイヤがショートしないように設定する
ことができるので、大型ペレットを搭載する半導体装置
であっても、そのパッケージの樹脂とリードとの接着強
度を大巾に増大することができ、ペレットとリードの電
気的接続不良を防止することができる。
形成主面もしくはその近傍にリードが延在され、このリ
ードのボンディング部分が、前記ペレットの回路形成面
側に曲げられていることにより、大型ペレットを搭載す
る半導体装置であっても、そのパッケージの樹脂とリー
ドとの接着面積を大巾に増大することができ、かつ、ペ
レットのパッドとリードのボンディング部分の位置関係
をボンディングワイヤがショートしないように設定する
ことができるので、大型ペレットを搭載する半導体装置
であっても、そのパッケージの樹脂とリードとの接着強
度を大巾に増大することができ、ペレットとリードの電
気的接続不良を防止することができる。
第１図は、本発明の一実施例の樹脂封止型半導体装置に
おけるペレットとり３、−ドの関係を示す平面図。 第２図は、第１図の■−■切断線で切った断面図。 第３図は、従来の樹脂封止型半導体装置におけるペレッ
トとリードの関係を示す平面図。 第４図は、第３図のＩＶ−ｒＶ切断線で切った断面図、 第５図は、従来の樹脂封止型半導体装置の問題点を説明
するための図である。 図中、１・・・ペレット、 ２ａ・・・リード、２ｂ・
・内部リードの先端部、３・・・パッケージ、４・・・
絶縁シート、５，６・・・接着剤、７・・・ワイヤであ
る。 代理人 弁理士 小川勝男 ゛パ ′ぐ３ 第 １ 図 、ｆ −へ°し・ット Ｚａ−−リ−）” ２ｂ−内部Ｉｊ−）の覚劫旧象 第 ２ 図 、？ 第 ３． 図 第 ４ 図 第 ５ 図
おけるペレットとり３、−ドの関係を示す平面図。 第２図は、第１図の■−■切断線で切った断面図。 第３図は、従来の樹脂封止型半導体装置におけるペレッ
トとリードの関係を示す平面図。 第４図は、第３図のＩＶ−ｒＶ切断線で切った断面図、 第５図は、従来の樹脂封止型半導体装置の問題点を説明
するための図である。 図中、１・・・ペレット、 ２ａ・・・リード、２ｂ・
・内部リードの先端部、３・・・パッケージ、４・・・
絶縁シート、５，６・・・接着剤、７・・・ワイヤであ
る。 代理人 弁理士 小川勝男 ゛パ ′ぐ３ 第 １ 図 、ｆ −へ°し・ット Ｚａ−−リ−）” ２ｂ−内部Ｉｊ−）の覚劫旧象 第 ２ 図 、？ 第 ３． 図 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ペレットの回路形成面もしくはその近傍、または非
回路形成主面もしくはその近傍にリードが延在されてな
る樹脂封止型半導体装置であって、前記リードのボンデ
ィング部分が、前記ペレットの回路形成面側に曲げられ
ていることを特徴とする半導体装置。 ２、タブがペレットより小さく形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、タブが省略されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置。 ４、ペレットがリードおよびタブに接着剤を介して取り
付けられていることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の半導体装置。 ５、ペレットがリードおよびタブに接着されている絶縁
シートに取り付けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の半導体装置。 ６、ペレットがリードに接着剤を介して取り付けられて
いることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導
体装置。 ７、ペレットがリードに接着されている絶縁シートに取
り付けられていることを特徴とする特許請求の範囲第３
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298716A JPS63152161A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298716A JPS63152161A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152161A true JPS63152161A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17863354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298716A Pending JPS63152161A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63152161A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283962A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH0327562A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH04331790A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-11-19 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン単結晶製造装置 |
| JPH0629147U (ja) * | 1992-08-21 | 1994-04-15 | 金星エレクトロン株式会社 | リード露出型半導体パッケージ |
| JPWO2008111356A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2010-06-24 | 株式会社朝日ラバー | 過剰圧力開放弁及びそれを有する開放弁ユニット |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP61298716A patent/JPS63152161A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283962A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH0327562A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH04331790A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-11-19 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン単結晶製造装置 |
| JPH0629147U (ja) * | 1992-08-21 | 1994-04-15 | 金星エレクトロン株式会社 | リード露出型半導体パッケージ |
| JPWO2008111356A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2010-06-24 | 株式会社朝日ラバー | 過剰圧力開放弁及びそれを有する開放弁ユニット |
| US8443840B2 (en) | 2007-03-09 | 2013-05-21 | Asahi Rubber Inc. | Excessive pressure release valve and release valve unit having the release valve |
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