JPH05257311A - 感光ドラム - Google Patents
感光ドラムInfo
- Publication number
- JPH05257311A JPH05257311A JP23020492A JP23020492A JPH05257311A JP H05257311 A JPH05257311 A JP H05257311A JP 23020492 A JP23020492 A JP 23020492A JP 23020492 A JP23020492 A JP 23020492A JP H05257311 A JPH05257311 A JP H05257311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous
- photosensitive drum
- band gap
- semiconductor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 27
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コントラストの高い画像が得られると共に、
寿命が長く、生産性に優れた感光ドラムを得ること。 【構成】 円筒状のアルミ合金よりなるドラム基体１表
面には、下層にバンド・ギャップの小さいアモルファス
Ｓｉ膜２（第１のアモルファス半導体膜）が、上層にバ
ンド・ギャップの大きいアモルファスＳｉＣ膜３（第２
のアモルファス半導体膜）が積層形成されている。
寿命が長く、生産性に優れた感光ドラムを得ること。 【構成】 円筒状のアルミ合金よりなるドラム基体１表
面には、下層にバンド・ギャップの小さいアモルファス
Ｓｉ膜２（第１のアモルファス半導体膜）が、上層にバ
ンド・ギャップの大きいアモルファスＳｉＣ膜３（第２
のアモルファス半導体膜）が積層形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感光体ドラムの半導体
膜構成に関する。
膜構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、感光体ドラムはＳｅ膜あるいはア
モルファスＳｉ膜が半導体膜として用いられているのが
通例であった。
モルファスＳｉ膜が半導体膜として用いられているのが
通例であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｓｅ膜による
感光ドラムは、光照射部と、光非照射部の抵抗値の比が
大きくとれないため、感光体としてのコントラストが悪
いということ、およびＳｅの耐摩耗性が劣るという欠点
があった。また、アモルファスＳｉ膜による感光ドラム
も同様の欠点を有する。また、アモルファスＳｉ膜は成
長速度が遅いという欠点も有する。
感光ドラムは、光照射部と、光非照射部の抵抗値の比が
大きくとれないため、感光体としてのコントラストが悪
いということ、およびＳｅの耐摩耗性が劣るという欠点
があった。また、アモルファスＳｉ膜による感光ドラム
も同様の欠点を有する。また、アモルファスＳｉ膜は成
長速度が遅いという欠点も有する。
【０００４】本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、
高いコントラスト、耐摩耗性にすぐれていながら簡易に
生産できる（生産性の高い）感光ドラムを提供すること
を目的とする。
高いコントラスト、耐摩耗性にすぐれていながら簡易に
生産できる（生産性の高い）感光ドラムを提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、円筒状の金属
基体表面に複層の半導体膜を設けた感光ドラムにおい
て、上層にバンド・ギャップの大きいアモルファスＳｉ
Ｃ膜を形成し、下層にバンド・ギャップの小さいアモル
ファスＳｉ膜を形成したことを特徴とする。
基体表面に複層の半導体膜を設けた感光ドラムにおい
て、上層にバンド・ギャップの大きいアモルファスＳｉ
Ｃ膜を形成し、下層にバンド・ギャップの小さいアモル
ファスＳｉ膜を形成したことを特徴とする。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明の感光ドラムを説
明する。
明する。
【０００７】図１は、本発明による感光ドラムの概略を
示す図である。アルミ合金よりなるドラム基体１の表面
には、下部にバンド・ギャップの小さな半導体膜を形成
し、その上にバンド・ギャップの大きな半導体膜を形成
した。具体的には、この２層のアモルファス半導体膜
は、下部の半導体膜をアモルファスＳｉ膜２（第１のア
モルファス半導体膜）とし、上部の半導体膜をアモルフ
ァスＳｉＣ膜３（第２のアモルファス半導体膜）とし
た。ここでアモルファスＳｉ膜のバンド・ギャップは
１．５ｅｖであり、アモルファスＳｉＣ膜のバンド・ギ
ャップは２．７ｅｖであり、積層された複数の半導体膜
のバンド・ギャップが互いに異なる。またアモルファス
Ｓｉ膜２の厚さは５μ程度とし、アモルファスＳｉＣ膜
の厚さは２μ程度とした。
示す図である。アルミ合金よりなるドラム基体１の表面
には、下部にバンド・ギャップの小さな半導体膜を形成
し、その上にバンド・ギャップの大きな半導体膜を形成
した。具体的には、この２層のアモルファス半導体膜
は、下部の半導体膜をアモルファスＳｉ膜２（第１のア
モルファス半導体膜）とし、上部の半導体膜をアモルフ
ァスＳｉＣ膜３（第２のアモルファス半導体膜）とし
た。ここでアモルファスＳｉ膜のバンド・ギャップは
１．５ｅｖであり、アモルファスＳｉＣ膜のバンド・ギ
ャップは２．７ｅｖであり、積層された複数の半導体膜
のバンド・ギャップが互いに異なる。またアモルファス
Ｓｉ膜２の厚さは５μ程度とし、アモルファスＳｉＣ膜
の厚さは２μ程度とした。
【０００８】このようにすると、感光ドラムの感光膜の
光非照射時の抵抗値は、バンド・ギャップの大きい半導
体膜（アモルファスＳｉＣ膜）で高く保つことができ、
光照射時の抵抗値はバンド・ギャップの小さい半導体膜
（アモルファスＳｉ膜）により低く保つことができる。
従って、光照射時と非照射時の抵抗値の比が高くとれ、
複写機や印刷機等に使用した場合、コントラストの高い
像が得られる。
光非照射時の抵抗値は、バンド・ギャップの大きい半導
体膜（アモルファスＳｉＣ膜）で高く保つことができ、
光照射時の抵抗値はバンド・ギャップの小さい半導体膜
（アモルファスＳｉ膜）により低く保つことができる。
従って、光照射時と非照射時の抵抗値の比が高くとれ、
複写機や印刷機等に使用した場合、コントラストの高い
像が得られる。
【０００９】なお、バンド・ギャップの異なる半導体膜
は２層に限られず、２層以上の複数層であってもよい。
また、バンド・ギャップの大きな半導体膜を下部に形成
しバンド・ギャップの小さな半導体膜を上部に形成して
もよい。ここで、下層をアモルファスＳｉ膜にし、その
上にアモルファスＳｉＣ膜を形成すると、ＳｉＣ膜は耐
摩耗性にすぐれているため、下地のアモルファスＳｉ膜
を薄くしても劣化が少なく、寿命が長く、生産性のよい
感光ドラムを製造できる。また、ドラム基体上に積層形
成する互いにバンド・ギャップの異なる半導体膜の組み
合わせの他の例としては、アモルファスＳｅ膜とアモル
ファスＳｉ膜の組み合せがある。この場合も、アモルフ
ァスＳｅ膜上にアモルファスＳｉ膜を形成しても、アモ
ルファスＳｉ膜上アモルファスＳｅ膜を形成してもよ
い。さらに、その他のバンド・ギャップの異なる半導体
膜の組み合せの例としてアモルファスＳｅ膜とアモルフ
ァスＳｉＣ膜の組み合わせがある。この場合も、アモル
ファスＳｅ膜上にアモルファスＳｉＣ膜を形成しても、
アモルファスＳｉＣ膜上アモルファスＳｅ膜を形成して
もよい。
は２層に限られず、２層以上の複数層であってもよい。
また、バンド・ギャップの大きな半導体膜を下部に形成
しバンド・ギャップの小さな半導体膜を上部に形成して
もよい。ここで、下層をアモルファスＳｉ膜にし、その
上にアモルファスＳｉＣ膜を形成すると、ＳｉＣ膜は耐
摩耗性にすぐれているため、下地のアモルファスＳｉ膜
を薄くしても劣化が少なく、寿命が長く、生産性のよい
感光ドラムを製造できる。また、ドラム基体上に積層形
成する互いにバンド・ギャップの異なる半導体膜の組み
合わせの他の例としては、アモルファスＳｅ膜とアモル
ファスＳｉ膜の組み合せがある。この場合も、アモルフ
ァスＳｅ膜上にアモルファスＳｉ膜を形成しても、アモ
ルファスＳｉ膜上アモルファスＳｅ膜を形成してもよ
い。さらに、その他のバンド・ギャップの異なる半導体
膜の組み合せの例としてアモルファスＳｅ膜とアモルフ
ァスＳｉＣ膜の組み合わせがある。この場合も、アモル
ファスＳｅ膜上にアモルファスＳｉＣ膜を形成しても、
アモルファスＳｉＣ膜上アモルファスＳｅ膜を形成して
もよい。
【００１０】
【発明の効果】以上述べた本発明の感光ドラムは、互い
にバンド・ギャップの異なる半導体膜が積層形成されて
いるため、感光膜の光非照射時の抵抗値はバンド・ギャ
ップの大きな半導体膜で高く保つことができ、光照射時
の抵抗値はバンド・ギャップの小さい半導体膜により低
く保つことができるので、光照射時と非照射時の抵抗値
の比が高くとれ、コントラストのすぐれた画像を形成す
ることができる。
にバンド・ギャップの異なる半導体膜が積層形成されて
いるため、感光膜の光非照射時の抵抗値はバンド・ギャ
ップの大きな半導体膜で高く保つことができ、光照射時
の抵抗値はバンド・ギャップの小さい半導体膜により低
く保つことができるので、光照射時と非照射時の抵抗値
の比が高くとれ、コントラストのすぐれた画像を形成す
ることができる。
【００１１】さらに、互いにバンド・ギャップの異なる
半導体膜のうち、上層にアモルファスＳｉＣ膜を形成
し、下層にアモルファスＳｉ膜を形成することにより、
耐摩耗性に優れ、寿命の長い感光体ドラムを得ることが
できる。また、アモルファスＳｉ膜を薄くすることがで
きるので、製造性に優れた生産性の高い感光体ドラムを
得ることもできるという効果も有する。
半導体膜のうち、上層にアモルファスＳｉＣ膜を形成
し、下層にアモルファスＳｉ膜を形成することにより、
耐摩耗性に優れ、寿命の長い感光体ドラムを得ることが
できる。また、アモルファスＳｉ膜を薄くすることがで
きるので、製造性に優れた生産性の高い感光体ドラムを
得ることもできるという効果も有する。
【図１】本発明の感光ドラムを示す概略図。
１ 感光ドラム ２ 第１のアモルファス半導体膜 ３ 第２のアモルファス半導体膜
Claims (1)
- 【請求項１】 円筒状の金属基体表面に複層の半導体膜
を設けた感光ドラムにおいて、上層にバンド・ギャップ
の大きいアモルファスＳｉＣ膜を形成し、下層にバンド
・ギャップの小さいアモルファスＳｉ膜を形成したこと
を特徴とする感光ドラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23020492A JPH05257311A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 感光ドラム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23020492A JPH05257311A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 感光ドラム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19621482A Division JPS5986053A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 感光ドラム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05257311A true JPH05257311A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=16904210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23020492A Pending JPH05257311A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 感光ドラム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05257311A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511329A (en) * | 1978-07-08 | 1980-01-26 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
| JPS5513939A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Shunpei Yamazaki | Photoelectronic conversion semiconductor device |
| JPS57115559A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS57115556A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS57119356A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP23020492A patent/JPH05257311A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511329A (en) * | 1978-07-08 | 1980-01-26 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
| JPS5513939A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Shunpei Yamazaki | Photoelectronic conversion semiconductor device |
| JPS57115559A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS57115556A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS57119356A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3200856B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3470963B2 (ja) | 投影電子ビーム・リソグラフィ・マスク | |
| JPH05257311A (ja) | 感光ドラム | |
| JPS58218119A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS5986053A (ja) | 感光ドラム | |
| FR2419535A1 (fr) | Materiau de formation de l'image par dispersion et methode pour y produire une image | |
| JP2874683B2 (ja) | 電子ビ−ム装置用マスク及びその製造方法 | |
| JPH0561226A (ja) | 感光ドラム | |
| KR970002878A (ko) | 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법 | |
| JPS6235361A (ja) | フオトマスク材料 | |
| JP2962300B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2844929B2 (ja) | 電子写真感光体用支持体およびその製造方法 | |
| JPH0798496A (ja) | レチクル | |
| JPH10209420A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP3011184B2 (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JP2794253B2 (ja) | 露光マスク用の素材 | |
| JP2000077184A (ja) | 露光装置及び画像形成装置 | |
| JPS5951565A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS58129435A (ja) | 電子複写装置用感光ドラム | |
| JPS6080856A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US951521A (en) | Process of making cut-printing plates. | |
| JPS63282747A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60156566U (ja) | 画像メモリ−の防止された複写機 | |
| JPS63131143A (ja) | フオトマスク | |
| JPH03288861A (ja) | 電子写真用感光体 |