JPH05258290A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05258290A JPH05258290A JP8631192A JP8631192A JPH05258290A JP H05258290 A JPH05258290 A JP H05258290A JP 8631192 A JP8631192 A JP 8631192A JP 8631192 A JP8631192 A JP 8631192A JP H05258290 A JPH05258290 A JP H05258290A
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- JP
- Japan
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- metal thin
- plastic base
- thin film
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好なヘッドタッチ、安定した走行性、大き
な耐久性を有し、かつ十分な電磁変換特性を有する磁気
記録媒体を得る。 【構成】 プラスチックベースフィルム1上に強磁性金
属薄膜2を形成した磁気記録媒体において、プラスチッ
クベースフィルムの表面1aに高さ40nm以上の突起
を2000個/mm2より多く100000個/mm2
未満形成することにより強磁性金属薄膜表面の微細形状
を制御する。
な耐久性を有し、かつ十分な電磁変換特性を有する磁気
記録媒体を得る。 【構成】 プラスチックベースフィルム1上に強磁性金
属薄膜2を形成した磁気記録媒体において、プラスチッ
クベースフィルムの表面1aに高さ40nm以上の突起
を2000個/mm2より多く100000個/mm2
未満形成することにより強磁性金属薄膜表面の微細形状
を制御する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ノントラッキング方
式用磁気テープとして好適な磁気記録媒体に関する。
式用磁気テープとして好適な磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、サーボ機構とローディング機構を
大幅に簡素化できる高密度磁気記録・再生方式として、
ノントラッキング方式が提案されている。このノントラ
ッキング方式においては、記録時には通常のヘリカルス
キャン方式記録の場合と同様に、互いに異なるアジマス
角度を有する2つのヘッドを回転ドラムに取り付けた回
転ヘッド(ダブルアジマスヘッド)により、ブロック化
されたトラックデータを磁気テープの走行方向に対して
斜め方向に記録する。一方再生時には、記録時のたとえ
ば2倍の速度で回転ヘッドを回転させ、ヘッドが記録ト
ラック上を細かくオーバーラップしてトレースするよう
にする。そして、その再生データをDRAM(ダイナミ
ック随時書き込み読み出しメモリー)に入れ、再配列さ
せ、復元データを得る。
大幅に簡素化できる高密度磁気記録・再生方式として、
ノントラッキング方式が提案されている。このノントラ
ッキング方式においては、記録時には通常のヘリカルス
キャン方式記録の場合と同様に、互いに異なるアジマス
角度を有する2つのヘッドを回転ドラムに取り付けた回
転ヘッド(ダブルアジマスヘッド)により、ブロック化
されたトラックデータを磁気テープの走行方向に対して
斜め方向に記録する。一方再生時には、記録時のたとえ
ば2倍の速度で回転ヘッドを回転させ、ヘッドが記録ト
ラック上を細かくオーバーラップしてトレースするよう
にする。そして、その再生データをDRAM(ダイナミ
ック随時書き込み読み出しメモリー)に入れ、再配列さ
せ、復元データを得る。
【0003】このようなノントラッキング方式の記録媒
体となる磁気テープとしては、記録密度の高いものが要
求され、従来より、ポリエステルフィルム、ポリイミド
フィルム、ポリアミドフィルムなどの高分子フィルムや
非磁性金属薄板などからなるベース上に、鉄、コバル
ト、ニッケルまたはそれらを主成分とする合金、あるい
はそれらの酸化物からなる強磁性金属薄膜を形成した強
磁性金属薄膜型磁気記録媒体が使用されている。この場
合、強磁性金属薄膜の形成方法としては、通常真空蒸
着、スパッタリング、イオンプレーテイングなどの真空
製膜法が採用されており、塗布型磁気記録媒体に比べて
飛躍的に高い記録密度を得ることを可能としている。
体となる磁気テープとしては、記録密度の高いものが要
求され、従来より、ポリエステルフィルム、ポリイミド
フィルム、ポリアミドフィルムなどの高分子フィルムや
非磁性金属薄板などからなるベース上に、鉄、コバル
ト、ニッケルまたはそれらを主成分とする合金、あるい
はそれらの酸化物からなる強磁性金属薄膜を形成した強
磁性金属薄膜型磁気記録媒体が使用されている。この場
合、強磁性金属薄膜の形成方法としては、通常真空蒸
着、スパッタリング、イオンプレーテイングなどの真空
製膜法が採用されており、塗布型磁気記録媒体に比べて
飛躍的に高い記録密度を得ることを可能としている。
【0004】このような磁気テープの強磁性金属薄膜面
に要求される性質としては、平滑でスペーシングロスが
少なく、電磁変換特性が良好であること、さらにヘッド
タッチが良いこと、ブロッキング(はりつき)がおこら
ず走行性が良いこと、片伸びや湾曲や残留伸びがなく、
耐久性も良好であること等がある。
に要求される性質としては、平滑でスペーシングロスが
少なく、電磁変換特性が良好であること、さらにヘッド
タッチが良いこと、ブロッキング(はりつき)がおこら
ず走行性が良いこと、片伸びや湾曲や残留伸びがなく、
耐久性も良好であること等がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気テープにおいては、スペーシングロスを低減させて
十分な電磁変換特性が得られるように磁気テープの表面
を平滑化すると、磁気テープと記録ヘッドとの密着面積
が増大して両者間の摩擦力が大きくなり、その結果、ヘ
ッドタッチ、走行性、耐久性に支障をきたすという問題
があった。即ち、従来の磁気テープにおいては、良好な
走行性、耐久性を保持しつつ高CN比、高再生出力にし
て良好な再生信号を得ることができないという問題があ
った。
磁気テープにおいては、スペーシングロスを低減させて
十分な電磁変換特性が得られるように磁気テープの表面
を平滑化すると、磁気テープと記録ヘッドとの密着面積
が増大して両者間の摩擦力が大きくなり、その結果、ヘ
ッドタッチ、走行性、耐久性に支障をきたすという問題
があった。即ち、従来の磁気テープにおいては、良好な
走行性、耐久性を保持しつつ高CN比、高再生出力にし
て良好な再生信号を得ることができないという問題があ
った。
【0006】この発明は、このような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、良好なヘッドタッチ、安
定した走行性、大きな耐久性を有し、かつ十分な電磁変
換特性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
解決しようとするものであり、良好なヘッドタッチ、安
定した走行性、大きな耐久性を有し、かつ十分な電磁変
換特性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明者は、上記の目
的を達成するためには、ベースフィルム表面に特定の高
さの突起を特定の密度で形成することにより強磁性金属
薄膜の表面形状を制御することが有効であることを見出
し、この発明を完成するに至った。
的を達成するためには、ベースフィルム表面に特定の高
さの突起を特定の密度で形成することにより強磁性金属
薄膜の表面形状を制御することが有効であることを見出
し、この発明を完成するに至った。
【0008】すなわち、この発明は、高さ40nm以上
の突起を表面に2000個/mm2より多く00000
個/mm2未満有するプラスチックベースフィルム上に
強磁性金属薄膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒
体を提供する。
の突起を表面に2000個/mm2より多く00000
個/mm2未満有するプラスチックベースフィルム上に
強磁性金属薄膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒
体を提供する。
【0009】以下、この発明を詳細に説明する。
【0010】図1は、この発明の磁気記録媒体の実施例
の断面図である。同図に示した磁気記録媒体は、表面1
aに突起を有するプラスチックベースフィルム1とその
上に形成された強磁性金属薄膜2とから構成されてい
る。
の断面図である。同図に示した磁気記録媒体は、表面1
aに突起を有するプラスチックベースフィルム1とその
上に形成された強磁性金属薄膜2とから構成されてい
る。
【0011】この発明においては、このようなプラスチ
ックベースフィルム1の表面の突起を、高さ40nm以
上のものについて密度を2000個/mm2より多く1
00000個/mm2未満とする。これは、プラスチッ
クベースフィルム1の表面の高さ40nm以上の突起に
ついては、その密度と磁気記録媒体の電磁変換特性とに
相関関係が見られたためである。すなわち、高さ40n
m以上の突起の密度を100000個/mm2以上にす
ると十分な再生出力が得られずブロックエラーレート
(ノントラッキング方式において使用するメモリー(5
888ブロックメモリー)に再生データを取り込ませた
場合のエラー個数で、最小単位は1/5888=1.7
×10−4)が増大し、聴感上の問題が発生する。ま
た、高さ40nm以上の突起の密度を2000個/mm
2以下にすると、走行耐久性が低下し、磁気記録媒体を
繰り返し走行させるとブロックエラーレートが増大す
る。したがって、この発明においては、聴感上支障のな
いブロックエラーレートが安定的に保持されるように、
高さ40nm以上の突起の密度を2000個/mm2よ
り多く100000個/mm2未満とする。
ックベースフィルム1の表面の突起を、高さ40nm以
上のものについて密度を2000個/mm2より多く1
00000個/mm2未満とする。これは、プラスチッ
クベースフィルム1の表面の高さ40nm以上の突起に
ついては、その密度と磁気記録媒体の電磁変換特性とに
相関関係が見られたためである。すなわち、高さ40n
m以上の突起の密度を100000個/mm2以上にす
ると十分な再生出力が得られずブロックエラーレート
(ノントラッキング方式において使用するメモリー(5
888ブロックメモリー)に再生データを取り込ませた
場合のエラー個数で、最小単位は1/5888=1.7
×10−4)が増大し、聴感上の問題が発生する。ま
た、高さ40nm以上の突起の密度を2000個/mm
2以下にすると、走行耐久性が低下し、磁気記録媒体を
繰り返し走行させるとブロックエラーレートが増大す
る。したがって、この発明においては、聴感上支障のな
いブロックエラーレートが安定的に保持されるように、
高さ40nm以上の突起の密度を2000個/mm2よ
り多く100000個/mm2未満とする。
【0012】このような突起の形成方法としては、たと
えば、図示したようにプラスチックベースフィルム1内
にフィラー3を添加する方法によることができる。この
場合フィラー3としては、Ti、Si、Ca、Mg、N
a、Al、Zn、Baなどの酸化物、炭酸塩、燐酸塩、
硫酸塩を単独あるいは錯塩として使用することができ、
またこれらを含む混合物を使用することもできる。たと
えばCaCO3、SiO2、Al2O3、天然のクレ
ー、カオリナイト、カーボンなどの不活性無機粒子とC
a、Si、Mn、Mg、Sb、Ge、P、Li、K、N
aなどを含む触媒残渣で構成されるポリマー不溶解組成
物のいずれか、または双方を含む粒子群が使用できる。
えば、図示したようにプラスチックベースフィルム1内
にフィラー3を添加する方法によることができる。この
場合フィラー3としては、Ti、Si、Ca、Mg、N
a、Al、Zn、Baなどの酸化物、炭酸塩、燐酸塩、
硫酸塩を単独あるいは錯塩として使用することができ、
またこれらを含む混合物を使用することもできる。たと
えばCaCO3、SiO2、Al2O3、天然のクレ
ー、カオリナイト、カーボンなどの不活性無機粒子とC
a、Si、Mn、Mg、Sb、Ge、P、Li、K、N
aなどを含む触媒残渣で構成されるポリマー不溶解組成
物のいずれか、または双方を含む粒子群が使用できる。
【0013】また、このようなフィラー3の粒径は、プ
ラスチックベースフィルムの表面に高さ40nm以上の
突起を形成できるものであればよく、50〜200nm
のものを好適に使用することができる。
ラスチックベースフィルムの表面に高さ40nm以上の
突起を形成できるものであればよく、50〜200nm
のものを好適に使用することができる。
【0014】プラスチックベースフィルム1自体の材料
は従来と同様にすることができ、たとえば、ポリエステ
ルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム
などのプラスチックフィルムを使用することができる。
は従来と同様にすることができ、たとえば、ポリエステ
ルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム
などのプラスチックフィルムを使用することができる。
【0015】プラスチックベースフィルム1上の強磁性
金属薄膜2も従来と同様に形成したものを使用すること
ができ、たとえば斜め蒸着法あるいは垂直蒸着法にて形
成した鉄、コバルト、ニッケルなどを主体とする金属薄
膜、あるいはそれらの合金を主体とする金属薄膜を使用
できるが、耐蝕性、耐摩耗性を向上させるため、蒸着時
に雰囲気中に酸素を存在させて形成した、酸素を含む強
磁性金属薄膜を使用することが好ましい。また、強磁性
金属薄膜2の厚さは、耐久性を向上させるため40nm
以上とすることが好ましい。
金属薄膜2も従来と同様に形成したものを使用すること
ができ、たとえば斜め蒸着法あるいは垂直蒸着法にて形
成した鉄、コバルト、ニッケルなどを主体とする金属薄
膜、あるいはそれらの合金を主体とする金属薄膜を使用
できるが、耐蝕性、耐摩耗性を向上させるため、蒸着時
に雰囲気中に酸素を存在させて形成した、酸素を含む強
磁性金属薄膜を使用することが好ましい。また、強磁性
金属薄膜2の厚さは、耐久性を向上させるため40nm
以上とすることが好ましい。
【0016】さらにこの発明においては、強磁性金属薄
膜2の表面に滑剤層4を存在させることが好ましい。滑
剤層4の存在と、プラスチックベースフィルム1の表面
に突起を形成することによる強磁性金属薄膜2の表面形
状の制御との相乗効果により走行性を一層向上させるこ
とが可能となる。
膜2の表面に滑剤層4を存在させることが好ましい。滑
剤層4の存在と、プラスチックベースフィルム1の表面
に突起を形成することによる強磁性金属薄膜2の表面形
状の制御との相乗効果により走行性を一層向上させるこ
とが可能となる。
【0017】このような滑剤層4を構成する滑剤として
は、たとえば脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、
金属石鹸、脂肪族アルコール、パラフィン、シリコー
ン、フッ素系界面活性剤、無機活性剤などを使用するこ
とができる。また滑剤層4の形成方法としては、これら
の滑剤を強磁性金属薄膜2上に直接塗布するか、あるい
は強磁性金属薄膜2上に転写すればよい。
は、たとえば脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、
金属石鹸、脂肪族アルコール、パラフィン、シリコー
ン、フッ素系界面活性剤、無機活性剤などを使用するこ
とができる。また滑剤層4の形成方法としては、これら
の滑剤を強磁性金属薄膜2上に直接塗布するか、あるい
は強磁性金属薄膜2上に転写すればよい。
【0018】また、この発明においては必要に応じて、
プラスチックベースフィルム1の裏面(強磁性金属薄膜
2と反対側の面)に、磁気記録媒体の走行性を改善する
バックコート層を設けたり、プラスチックベースフィル
ム1と強磁性金属薄膜2との間に、双方の接着性を向上
させるアンダーコート層を形成することができる。この
ようなバックコート層やアンダーコート層は常法により
形成することができ、たとえばアンダーコート層は、強
磁性金属薄膜2の形成に先立ち、プラスチックベースフ
ィルム1上に形成したTi、Cr、Niなどの酸素含有
金属薄膜やAl2O3、SiO2などの酸化物薄膜から
構成することができる。
プラスチックベースフィルム1の裏面(強磁性金属薄膜
2と反対側の面)に、磁気記録媒体の走行性を改善する
バックコート層を設けたり、プラスチックベースフィル
ム1と強磁性金属薄膜2との間に、双方の接着性を向上
させるアンダーコート層を形成することができる。この
ようなバックコート層やアンダーコート層は常法により
形成することができ、たとえばアンダーコート層は、強
磁性金属薄膜2の形成に先立ち、プラスチックベースフ
ィルム1上に形成したTi、Cr、Niなどの酸素含有
金属薄膜やAl2O3、SiO2などの酸化物薄膜から
構成することができる。
【0019】さらにこの発明の磁気記録媒体において
は、必要に応じて、その表面、裏面、またはそれらの近
傍、あるいは強磁性金属薄膜2やプラスチックベースフ
ィルム1内などに防錆剤、帯電防止剤、防黴剤などの各
種添加剤を存在させることができる。
は、必要に応じて、その表面、裏面、またはそれらの近
傍、あるいは強磁性金属薄膜2やプラスチックベースフ
ィルム1内などに防錆剤、帯電防止剤、防黴剤などの各
種添加剤を存在させることができる。
【0020】
【作用】この発明の磁気記録媒体においては、プラスチ
ックベースフィルム表面に高さ40nm以上の突起を2
000個/mm2より多く100000個/mm2未満
形成することにより強磁性金属薄膜表面の微細形状を制
御しているので、安定した走行性、大きな耐久性を有
し、かつ良好な電磁変換特性を有することが可能とな
る。
ックベースフィルム表面に高さ40nm以上の突起を2
000個/mm2より多く100000個/mm2未満
形成することにより強磁性金属薄膜表面の微細形状を制
御しているので、安定した走行性、大きな耐久性を有
し、かつ良好な電磁変換特性を有することが可能とな
る。
【0021】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて具体的に
説明する。 実施例1〜6、比較例1〜2 プラスチックベースフィルムとしてアラミドフィルムを
使用し、またこのアラミドフィルム内に添加するフィラ
ーとして平均粒径が120nmのSiO2を使用し、こ
のSiO2フィラーの添加量を表1のように変えること
によりプラスチックベースフィルム表面に形成する突起
の制御を行い、表1のように高さが40μm以上の突起
密度が種々の値を示す長尺のプラスチックベースフィル
ムを得た。なお、プラスチックベースフィルム表面の突
起の高さと密度は、AMF(Atomic Force Microscope
、Digital Instrument社製)により、30μm×30
μmの範囲について、平均中心面からの高さが40μm
以上の突起の数を求め、1mm2当りの数に換算するこ
とにより求めた。
説明する。 実施例1〜6、比較例1〜2 プラスチックベースフィルムとしてアラミドフィルムを
使用し、またこのアラミドフィルム内に添加するフィラ
ーとして平均粒径が120nmのSiO2を使用し、こ
のSiO2フィラーの添加量を表1のように変えること
によりプラスチックベースフィルム表面に形成する突起
の制御を行い、表1のように高さが40μm以上の突起
密度が種々の値を示す長尺のプラスチックベースフィル
ムを得た。なお、プラスチックベースフィルム表面の突
起の高さと密度は、AMF(Atomic Force Microscope
、Digital Instrument社製)により、30μm×30
μmの範囲について、平均中心面からの高さが40μm
以上の突起の数を求め、1mm2当りの数に換算するこ
とにより求めた。
【0022】
【表1】 フィラー添加量(ppm) 突起密度(個/mm2) 実施例1 200 21000 実施例2 230 25000 実施例3 250 28000 実施例4 350 52000 実施例5 380 65000 実施例6 450 93000 比較例1 50 2000 比較例2 480 108000 得られた種々のプラスチックベースフィルムを連結し、
微量の酸素存在雰囲気下で連続真空斜め蒸着法により表
面にCoNi強磁性金属薄膜(Ni=20wt%、膜厚
180nm)を形成した。そしてその表面にステアリン
酸を10mg/mm2塗布し、所定の幅にスリットして
磁気テープを作成した。
微量の酸素存在雰囲気下で連続真空斜め蒸着法により表
面にCoNi強磁性金属薄膜(Ni=20wt%、膜厚
180nm)を形成した。そしてその表面にステアリン
酸を10mg/mm2塗布し、所定の幅にスリットして
磁気テープを作成した。
【0023】得られた磁気テープに対して3MHzの出
力を測定した。結果を実施例4の出力を0dbとしたと
きの値として図2に示した。これにより、3MHzの出
力はプラスチックベースフィルムの高さ40nm以上の
突起の密度と良い相関関係にあり、高さ40nm以上の
突起の密度が増加すると出力が低下することがわかっ
た。また、ブロックエラーレートと3MHzの出力とに
は図3に示すように、3MHzの出力が低下するとブロ
ックエラーレートは増大するという関係が見られた。と
ころで、ブロックエラーレートが増大すると聴覚上の問
題が生じるようになるが、実用上ブロックエラーレート
は5×10−2以下にすることが望ましいとされてい
る。したがって、聴覚上の問題が生じないようにブロッ
クエラーレートを5×10−2以下にするためには、図
3から3MHzの出力を−1.5db以上にすることが
必要となり、そのためには図2からプラスチックベース
フィルムの高さ40nm以上の突起の密度を10000
0個/mm2未満にすることが望ましいことが確認でき
た。
力を測定した。結果を実施例4の出力を0dbとしたと
きの値として図2に示した。これにより、3MHzの出
力はプラスチックベースフィルムの高さ40nm以上の
突起の密度と良い相関関係にあり、高さ40nm以上の
突起の密度が増加すると出力が低下することがわかっ
た。また、ブロックエラーレートと3MHzの出力とに
は図3に示すように、3MHzの出力が低下するとブロ
ックエラーレートは増大するという関係が見られた。と
ころで、ブロックエラーレートが増大すると聴覚上の問
題が生じるようになるが、実用上ブロックエラーレート
は5×10−2以下にすることが望ましいとされてい
る。したがって、聴覚上の問題が生じないようにブロッ
クエラーレートを5×10−2以下にするためには、図
3から3MHzの出力を−1.5db以上にすることが
必要となり、そのためには図2からプラスチックベース
フィルムの高さ40nm以上の突起の密度を10000
0個/mm2未満にすることが望ましいことが確認でき
た。
【0024】また、得られた磁気テープを25℃、60
%RHで200パス走行させ、初期のブロックエラーレ
ートに対する200パス走行後のブロックエラーレート
の比を求め、この値をプラスチックベースフィルムの高
さ40nm以上の突起の密度に対してプロットし、図4
の関係を得た。これにより、高さ40nm以上の突起の
密度が2000個/mm2になると200パス走行後に
著しくブロックエラーレートが増大することがわかっ
た。したがって、安定した走行耐久性を得るためには、
高さ40nm以上の突起の密度は2000個/mm2よ
り多くすることが望ましいことが確認できた。
%RHで200パス走行させ、初期のブロックエラーレ
ートに対する200パス走行後のブロックエラーレート
の比を求め、この値をプラスチックベースフィルムの高
さ40nm以上の突起の密度に対してプロットし、図4
の関係を得た。これにより、高さ40nm以上の突起の
密度が2000個/mm2になると200パス走行後に
著しくブロックエラーレートが増大することがわかっ
た。したがって、安定した走行耐久性を得るためには、
高さ40nm以上の突起の密度は2000個/mm2よ
り多くすることが望ましいことが確認できた。
【0025】
【発明の効果】この発明によれば、良好なヘッドタッ
チ、安定した走行性、大きな耐久性を有し、かつ十分な
電磁変換特性を有する磁気記録媒体を得ることが可能と
なる。
チ、安定した走行性、大きな耐久性を有し、かつ十分な
電磁変換特性を有する磁気記録媒体を得ることが可能と
なる。
【図1】この発明の実施例の磁気記録媒体の断面図であ
る。
る。
【図2】3MHzの出力とプラスチックベースフィルム
の高さ40nm以上の突起密度との関係を表すグラフで
ある。
の高さ40nm以上の突起密度との関係を表すグラフで
ある。
【図3】ブロックエラーレートと3MHzの出力との関
係を表すグラフである。
係を表すグラフである。
【図4】初期のブロックエラーレートに対する200パ
ス走行後のブロックエラーレートの比とプラスチックベ
ースフィルムの高さ40nm以上の突起密度との関係を
表すグラフである。
ス走行後のブロックエラーレートの比とプラスチックベ
ースフィルムの高さ40nm以上の突起密度との関係を
表すグラフである。
1 プラスチックベースフィルム 1a プラスチックベースフィルムの表面 2 強磁性金属薄膜 3 フィラー 4 滑剤層
Claims (1)
- 【請求項1】 高さ40nm以上の突起を表面に200
0個/mm2より多く100000個/mm2未満有す
るプラスチックベースフィルム上に強磁性金属薄膜を形
成したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8631192A JPH05258290A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8631192A JPH05258290A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258290A true JPH05258290A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13883296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8631192A Pending JPH05258290A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258290A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1215043A1 (en) * | 2000-12-13 | 2002-06-19 | Toray Industries, Inc. | Polyester film and magnetic recording medium using the same |
| EP1600955A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-11-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Information recording tape |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP8631192A patent/JPH05258290A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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