JPH05259049A - 半導体基板のスピンコーティング方法 - Google Patents
半導体基板のスピンコーティング方法Info
- Publication number
- JPH05259049A JPH05259049A JP4051839A JP5183992A JPH05259049A JP H05259049 A JPH05259049 A JP H05259049A JP 4051839 A JP4051839 A JP 4051839A JP 5183992 A JP5183992 A JP 5183992A JP H05259049 A JPH05259049 A JP H05259049A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- semiconductor substrate
- coating
- spin coating
- rotary table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板のスピンコーティング方法を提供
する。 【構成】 半導体基板１を固定した回転台２を低速回転
させた状態で、先端部４ａを垂直な軸線Ａに対して微小
な角度θに偏心させた塗布ノズル４を回転させながら半
導体基板１の面に溶剤５を滴下し、その後回転台２を高
速回転させてスピンコーティングすることにより、均一
な膜厚のコーティング層５ａを得ることができる。
する。 【構成】 半導体基板１を固定した回転台２を低速回転
させた状態で、先端部４ａを垂直な軸線Ａに対して微小
な角度θに偏心させた塗布ノズル４を回転させながら半
導体基板１の面に溶剤５を滴下し、その後回転台２を高
速回転させてスピンコーティングすることにより、均一
な膜厚のコーティング層５ａを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板のスピンコ
ーティング方法に関する。
ーティング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハやマスク基板な
どの半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワック
スなどの溶剤をコーティングする際の代表的な方法とし
てスピンコート法がある。このスピンコート法は、図３
に示すように、回転台２に真空式などのウェーハチャッ
ク３で吸着固定された半導体基板（以下単に基板とい
う）１上に、軸線Ａが垂直とされる塗布ノズル４によっ
て溶剤５をウェーハ１の中心部１ａに滴下し、スピンド
ル軸６を介してモータ７で矢示Ｆ方向に高速回転させる
ことによりその作用する遠心力を利用して溶剤５を広げ
て均一な厚みのコーティング層５ａを得るようにコーテ
ィングする方法である。このときのコーティング層５ａ
の膜厚は溶剤濃度や溶媒の揮発速度、スピン回転数など
によって決まり、溶媒の揮発速度は環境温度や湿度、溶
剤温度あるいは基板１の温度などにより影響される。
どの半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワック
スなどの溶剤をコーティングする際の代表的な方法とし
てスピンコート法がある。このスピンコート法は、図３
に示すように、回転台２に真空式などのウェーハチャッ
ク３で吸着固定された半導体基板（以下単に基板とい
う）１上に、軸線Ａが垂直とされる塗布ノズル４によっ
て溶剤５をウェーハ１の中心部１ａに滴下し、スピンド
ル軸６を介してモータ７で矢示Ｆ方向に高速回転させる
ことによりその作用する遠心力を利用して溶剤５を広げ
て均一な厚みのコーティング層５ａを得るようにコーテ
ィングする方法である。このときのコーティング層５ａ
の膜厚は溶剤濃度や溶媒の揮発速度、スピン回転数など
によって決まり、溶媒の揮発速度は環境温度や湿度、溶
剤温度あるいは基板１の温度などにより影響される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来のスピンコート法では、基板１の中心部１
ａでは回転によって生じる遠心力がほとんどゼロである
ため溶剤５の広がりが悪くなる。そして、コーティング
層５ａの膜厚が図４に示すように、基板１の中心部１ａ
付近において局所的に膜厚が厚くなりデッドスポットと
なるという欠点がある。
たような従来のスピンコート法では、基板１の中心部１
ａでは回転によって生じる遠心力がほとんどゼロである
ため溶剤５の広がりが悪くなる。そして、コーティング
層５ａの膜厚が図４に示すように、基板１の中心部１ａ
付近において局所的に膜厚が厚くなりデッドスポットと
なるという欠点がある。
【０００４】ところで、このような基板の中心部におけ
る厚膜対策としては、たとえば特開昭64− 73618号公報
に開示されているように基板の中心部に不活性ガスなど
の気体を吹きつける配管部を設けた塗布装置が提案され
ている。しかし、この方法では基板の中心部の平均膜厚
は低下するが、吹き付ける気体の風圧の影響により溶剤
が飛散してその周辺に２次的なデッドスポットを生じる
ことになり、やはり膜厚にバラツキが生じる欠点があ
る。
る厚膜対策としては、たとえば特開昭64− 73618号公報
に開示されているように基板の中心部に不活性ガスなど
の気体を吹きつける配管部を設けた塗布装置が提案され
ている。しかし、この方法では基板の中心部の平均膜厚
は低下するが、吹き付ける気体の風圧の影響により溶剤
が飛散してその周辺に２次的なデッドスポットを生じる
ことになり、やはり膜厚にバラツキが生じる欠点があ
る。
【０００５】本発明は、上記のような従来技術の課題を
解決した半導体基板のコーティング方法を提供すること
を目的とする。
解決した半導体基板のコーティング方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、回転台に固定
された半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワッ
クスなどの溶剤をスピンコーティングする方法におい
て、前記回転台を低速回転する工程と、先端部を偏心さ
せた塗布ノズルを用いて前記回転台と逆方向に低速回転
させながら溶剤を滴下させる工程と、溶剤を滴下した後
前記回転台を高速回転する工程と、からなることを特徴
とする半導体基板のスピンコーティング方法である。
された半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワッ
クスなどの溶剤をスピンコーティングする方法におい
て、前記回転台を低速回転する工程と、先端部を偏心さ
せた塗布ノズルを用いて前記回転台と逆方向に低速回転
させながら溶剤を滴下させる工程と、溶剤を滴下した後
前記回転台を高速回転する工程と、からなることを特徴
とする半導体基板のスピンコーティング方法である。
【０００７】
【作 用】まず、本発明の構成について説明すると、図
１に示すように、本発明に用いられる塗布ノズル４とし
ては、その先端部４ａをストレートのノズル本体４ｂに
対して微小な角度θだけ偏心した形状とされる。そし
て、まずモータ７によって回転台２を低速で矢示Ｆ方向
に回転させた状態で、塗布ノズル４をその軸線Ａを中心
に図示しない駆動装置で回転台２と逆の矢示Ｒ方向に回
転させながら溶剤５を所定量滴下する。その後、回転台
２を高速で回転させてスピンコーティングするのであ
る。これによって、基板１の中心部１ａへの溶剤５の集
中化を防ぐとともに、コーティング層５ａ全体の膜厚を
均一化することができる。
１に示すように、本発明に用いられる塗布ノズル４とし
ては、その先端部４ａをストレートのノズル本体４ｂに
対して微小な角度θだけ偏心した形状とされる。そし
て、まずモータ７によって回転台２を低速で矢示Ｆ方向
に回転させた状態で、塗布ノズル４をその軸線Ａを中心
に図示しない駆動装置で回転台２と逆の矢示Ｒ方向に回
転させながら溶剤５を所定量滴下する。その後、回転台
２を高速で回転させてスピンコーティングするのであ
る。これによって、基板１の中心部１ａへの溶剤５の集
中化を防ぐとともに、コーティング層５ａ全体の膜厚を
均一化することができる。
【０００８】
【実施例】先端部４ａを15°に偏心させた塗布ノズル４
を、また基板１としてシリコンウェーハを用い、溶剤５
としてシリコンウェーハをプレートに接着させるときに
使用するワックスを用いた。まず、回転台２を1000rpm
で低速度で回転させた状態で、塗布ノズル４をその逆方
向に60rpm の低速で回転させながらシリコンウェーハ上
に約2.4 ccのワックスの溶液を滴下した。その後、回転
台２を4000 rpmで高速回転させてシリコンウェーハの面
にワックス膜を形成した。そのときの膜厚の分布の結果
を図２に示した。
を、また基板１としてシリコンウェーハを用い、溶剤５
としてシリコンウェーハをプレートに接着させるときに
使用するワックスを用いた。まず、回転台２を1000rpm
で低速度で回転させた状態で、塗布ノズル４をその逆方
向に60rpm の低速で回転させながらシリコンウェーハ上
に約2.4 ccのワックスの溶液を滴下した。その後、回転
台２を4000 rpmで高速回転させてシリコンウェーハの面
にワックス膜を形成した。そのときの膜厚の分布の結果
を図２に示した。
【０００９】なお、比較のために、ストレートのノズル
を用いる従来法での膜厚分布も同図に併せて示した。こ
の図から明らかなように、従来法での最大値と最小値と
の差が419 Åであるのに対し、本発明法では169 Åと約
60％も小さくなっており、均一性が向上していることが
わかる。
を用いる従来法での膜厚分布も同図に併せて示した。こ
の図から明らかなように、従来法での最大値と最小値と
の差が419 Åであるのに対し、本発明法では169 Åと約
60％も小さくなっており、均一性が向上していることが
わかる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、先
端部を偏心させた塗布ノズルを回転させながら溶剤を滴
下するようにしたので、半導体基板の回転の中心部の膜
厚の均一性を高めることができ、これによって半導体基
板の品質と歩留りの向上に寄与することができる。
端部を偏心させた塗布ノズルを回転させながら溶剤を滴
下するようにしたので、半導体基板の回転の中心部の膜
厚の均一性を高めることができ、これによって半導体基
板の品質と歩留りの向上に寄与することができる。
【図１】本発明のスピンコーティング装置の構成を示す
概要図である。
概要図である。
【図２】本発明によって得られたコーティング層の膜厚
分布を示す特性図である。
分布を示す特性図である。
【図３】従来のスピンコーティング装置の構成を示す概
要図である。
要図である。
【図４】従来のコーティング層の膜厚分布の説明図であ
る。
る。
１ 基板（半導体基板） ２ 回転台 ３ ウェーハチャック ４ 塗布ノズル ４ａ 塗布ノズルの先端部 ５ 溶剤 ５ａ コーティング層 ６ スピンドル軸 ７ モータ
Claims (1)
- 【請求項１】 回転台に固定された半導体基板にフォ
トレジストあるいは接着用ワックスなどの溶剤をスピン
コーティングする方法において、前記回転台を低速回転
する工程と、先端部を偏心させた塗布ノズルを用いて前
記回転台と逆方向に低速回転させながら溶剤を滴下させ
る工程と、溶剤を滴下した後前記回転台を高速回転する
工程と、からなることを特徴とする半導体基板のスピン
コーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051839A JPH05259049A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051839A JPH05259049A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259049A true JPH05259049A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12898031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4051839A Pending JPH05259049A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259049A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567660A (en) * | 1995-09-13 | 1996-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Spin-on-glass planarization by a new stagnant coating method |
| WO2007013540A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Hoya Corporation | マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 |
| CN114310653A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-12 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP4051839A patent/JPH05259049A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567660A (en) * | 1995-09-13 | 1996-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Spin-on-glass planarization by a new stagnant coating method |
| WO2007013540A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Hoya Corporation | マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 |
| JP2007058200A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-03-08 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 |
| CN114310653A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-12 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
| CN114310653B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-04-16 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
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