JPH0526432B2 - - Google Patents
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- JPH0526432B2 JPH0526432B2 JP57193708A JP19370882A JPH0526432B2 JP H0526432 B2 JPH0526432 B2 JP H0526432B2 JP 57193708 A JP57193708 A JP 57193708A JP 19370882 A JP19370882 A JP 19370882A JP H0526432 B2 JPH0526432 B2 JP H0526432B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- base
- bias
- winding
- waveform
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
- H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/28—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
- H02M3/325—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複写機等において使用される高圧電
源装置に関する。
源装置に関する。
一般に、複写機のプロセスでは、第１図に示す
ように感光体ドラム１からコピー紙２にコピー内
容が転写されるが、感光体ドラム１は転写時に転
写チヤージヤ３により直流で５〜6KVに帯電さ
れているため、コピー紙２もかなりの高電圧で帯
電される。したがつて、この帯電されたコピー紙
２を電気的に中和（除電）して複写機外へ紙詰ま
り等の故障なく引き出さなくてはならない。すな
わち、除電することは静電力で感光体ドラム１に
吸着されているコピー紙２の外部への引き出しプ
ロセスを容易にするとともに、オペレータがコピ
ー紙２に触れたときの静電気による感電が防止さ
れる。したがつて、この除電はコピープロセス上
極めて重要である。ところが、除電のために交流
の高電圧を印加するが帯電されたコピー紙を吸着
されている感光体ドラムから引き剥すこと、およ
び電気的中和を行なうことの２つの動作を安定的
に行うことは実用上簡単なことではない。
ように感光体ドラム１からコピー紙２にコピー内
容が転写されるが、感光体ドラム１は転写時に転
写チヤージヤ３により直流で５〜6KVに帯電さ
れているため、コピー紙２もかなりの高電圧で帯
電される。したがつて、この帯電されたコピー紙
２を電気的に中和（除電）して複写機外へ紙詰ま
り等の故障なく引き出さなくてはならない。すな
わち、除電することは静電力で感光体ドラム１に
吸着されているコピー紙２の外部への引き出しプ
ロセスを容易にするとともに、オペレータがコピ
ー紙２に触れたときの静電気による感電が防止さ
れる。したがつて、この除電はコピープロセス上
極めて重要である。ところが、除電のために交流
の高電圧を印加するが帯電されたコピー紙を吸着
されている感光体ドラムから引き剥すこと、およ
び電気的中和を行なうことの２つの動作を安定的
に行うことは実用上簡単なことではない。
そこで、この複雑なプロセスのため、近年では
感光体ドラムおよび帯電コピー紙に印加する交流
電圧も第２図に示すように直流バイアスを印加し
たものとし、コピープロセス性能の向上と安定性
を図るようにしたものがある。すなわち、第２図
において実線で示すE′OPが正負対称波形のピーク
電圧値であるのに対し、点線で示した波形がプロ
セス上要求される直流バイアスされた偏位波形で
ありその偏位値はE′OP1−E′OP2である。また、交
流出力電圧も近年では半導体化されたインバータ
等の高圧電源装置にて供給されるもので、その一
例の概略は第３図に示すように直流電源E′と発振
トランジスタQ′とインバータトランスT′とによ
り構成され、負荷L′としてチヤージヤーが接続さ
れるものである。そして、インバータトランスＴ
の二次巻線N′2のアース電位値にダイオードD′1，
D′2と抵抗R′1，R′2とを逆接続しつつ抵抗R′1，
R′2の値に差を持たせることにより電圧降下値を
変えて、交流出力電圧波形に直流バイアスを印加
するようにしているものである。
感光体ドラムおよび帯電コピー紙に印加する交流
電圧も第２図に示すように直流バイアスを印加し
たものとし、コピープロセス性能の向上と安定性
を図るようにしたものがある。すなわち、第２図
において実線で示すE′OPが正負対称波形のピーク
電圧値であるのに対し、点線で示した波形がプロ
セス上要求される直流バイアスされた偏位波形で
ありその偏位値はE′OP1−E′OP2である。また、交
流出力電圧も近年では半導体化されたインバータ
等の高圧電源装置にて供給されるもので、その一
例の概略は第３図に示すように直流電源E′と発振
トランジスタQ′とインバータトランスT′とによ
り構成され、負荷L′としてチヤージヤーが接続さ
れるものである。そして、インバータトランスＴ
の二次巻線N′2のアース電位値にダイオードD′1，
D′2と抵抗R′1，R′2とを逆接続しつつ抵抗R′1，
R′2の値に差を持たせることにより電圧降下値を
変えて、交流出力電圧波形に直流バイアスを印加
するようにしているものである。
ところが、このような従来方式の場合、次のよ
うな欠点がある。すなわち、直流バイアスは通常
数百Ｖであるが、これは抵抗R′1，R′2の電圧降下
値の差であり、第２図の点線で示すような直流バ
イアスを得るためにはI′OP×R′2）−（I′OP×
R′1）＝（正極値）にならなければならず、各々の
電圧降下値は1000Vを越える値となる。よつて、
ダイオードD′1，D′2、抵抗R′1，R′2もこの値に耐
え得るものを使用しなければならず、これらが高
電圧用部品となつて高価となる。同時に、形状も
大型化しセツトスペース上も体積が大となつて不
利である。また、コピープロセス上、この直流バ
イアス値を可変する場合、抵抗R′1またはR′2を可
変抵抗にしなければならないが、従来方式では必
然的に高電圧用ポリウムを使用しなければなら
ず、この面からも大型・コストアツプ化し、トラ
ンス装置の構造設計裕度がなくなるものである。
うな欠点がある。すなわち、直流バイアスは通常
数百Ｖであるが、これは抵抗R′1，R′2の電圧降下
値の差であり、第２図の点線で示すような直流バ
イアスを得るためにはI′OP×R′2）−（I′OP×
R′1）＝（正極値）にならなければならず、各々の
電圧降下値は1000Vを越える値となる。よつて、
ダイオードD′1，D′2、抵抗R′1，R′2もこの値に耐
え得るものを使用しなければならず、これらが高
電圧用部品となつて高価となる。同時に、形状も
大型化しセツトスペース上も体積が大となつて不
利である。また、コピープロセス上、この直流バ
イアス値を可変する場合、抵抗R′1またはR′2を可
変抵抗にしなければならないが、従来方式では必
然的に高電圧用ポリウムを使用しなければなら
ず、この面からも大型・コストアツプ化し、トラ
ンス装置の構造設計裕度がなくなるものである。
本発明は、このような点に鑑みなされたもの
で、交流出力電圧に対する直流バイアスの印加を
簡単かつ確実に行なうことができる高圧電源装置
を得ることを目的とする。
で、交流出力電圧に対する直流バイアスの印加を
簡単かつ確実に行なうことができる高圧電源装置
を得ることを目的とする。
本発明は、発振トランジスタのベース側にその
ベース電流を変化させるインピーダンス可変回路
を設けることにより、小型・安価で簡単にして低
圧の耐確実に交流出力電圧に直流バイアスを印加
することができるように構成したものである。
ベース電流を変化させるインピーダンス可変回路
を設けることにより、小型・安価で簡単にして低
圧の耐確実に交流出力電圧に直流バイアスを印加
することができるように構成したものである。
本発明の第一の実施例を第４図および第５図に
基づいて説明する。まず、基本的には直流電源Ｅ
と発振トラジスタＱとインバータトランスＴとに
より構成されている。インバータトランスＴは一
次巻線N1、ベース巻線NB、二次巻線N2を有し、
二次巻線N2には負荷Ｌが接続されている。また、
発振トランジスタＱのベースには固定バイアスベ
ース電流を流す固定バイアス抵抗としての抵抗
R1，R2，R3、コンデンサC1とともにON・OFF
タイミング用のタイミングベース電流を流すベー
ス巻線NBが接続され、ベース巻線NBにはコンデ
ンサC2を介してインピーダンス可変回路４を構
成する可変抵抗VRが接続されている。また、発
振トランジスタＱのエミツタにはこの発振トラン
ジスタＱの温度変化によるVBE変化でバイアス電
流値が変化するのを防止する保護抵抗REが接続
されている。
基づいて説明する。まず、基本的には直流電源Ｅ
と発振トラジスタＱとインバータトランスＴとに
より構成されている。インバータトランスＴは一
次巻線N1、ベース巻線NB、二次巻線N2を有し、
二次巻線N2には負荷Ｌが接続されている。また、
発振トランジスタＱのベースには固定バイアスベ
ース電流を流す固定バイアス抵抗としての抵抗
R1，R2，R3、コンデンサC1とともにON・OFF
タイミング用のタイミングベース電流を流すベー
ス巻線NBが接続され、ベース巻線NBにはコンデ
ンサC2を介してインピーダンス可変回路４を構
成する可変抵抗VRが接続されている。また、発
振トランジスタＱのエミツタにはこの発振トラン
ジスタＱの温度変化によるVBE変化でバイアス電
流値が変化するのを防止する保護抵抗REが接続
されている。
このような構成において、発振トランジスタＱ
のベースには直流電源Ｅにより抵抗R1，R2，R3
を介して固定バイアスベース電流が供給される。
このベース電流値は負荷容量、変動特性等を考慮
して決められるがインバータ発振動作時のインバ
ータトランスＴの一次巻線N1における一次電圧
VN1が第５図ａに示すように、振幅の中心値が直
流電源Ｅと同じ電位を持つ値となるように設定さ
れる。また、発振トランジスタＱのON・OFFタ
イミングエネルギーはベース巻線NBにより与え
られ、これが固定バイアスベース電流に重畳され
た発振トランジスタＱのベースに供給される。し
たがつて、発振トランジスタＱのバイアス点はベ
ース電流に対応して変化し、結果的に第５図ａに
示すような波形となる。この第５図ｂはベース電
流IBに対応した発振トランジスタＱのコレクタ電
流ICの波形図である。第５図ｂに示すように、発
振トランジスタＱのONの区間TONにはベース回
路より供給されるコレクタ電流ICによつて一次電
圧VN1の波形およびその高さが決まる。そして、
このON区間TONに一次巻線N1に供給された磁気
エネルギーはOFF区間TOFFにはインバータトラ
ンスＴの分布容量と一次巻線N1のインダクタン
スおよび回路の抵抗成分によつて振動する波形と
なり、OFF時の一次電圧VN1の波形およびその高
さが決まる。そして、直流電源Ｅレベルを中心と
して側、側の波形が形成される。インバータ
トランスＴの二次電圧VN2は一次電圧VN1の誘起
電圧として一次電圧VN1とは極性が反転した第５
図ｃのような波形となる。
のベースには直流電源Ｅにより抵抗R1，R2，R3
を介して固定バイアスベース電流が供給される。
このベース電流値は負荷容量、変動特性等を考慮
して決められるがインバータ発振動作時のインバ
ータトランスＴの一次巻線N1における一次電圧
VN1が第５図ａに示すように、振幅の中心値が直
流電源Ｅと同じ電位を持つ値となるように設定さ
れる。また、発振トランジスタＱのON・OFFタ
イミングエネルギーはベース巻線NBにより与え
られ、これが固定バイアスベース電流に重畳され
た発振トランジスタＱのベースに供給される。し
たがつて、発振トランジスタＱのバイアス点はベ
ース電流に対応して変化し、結果的に第５図ａに
示すような波形となる。この第５図ｂはベース電
流IBに対応した発振トランジスタＱのコレクタ電
流ICの波形図である。第５図ｂに示すように、発
振トランジスタＱのONの区間TONにはベース回
路より供給されるコレクタ電流ICによつて一次電
圧VN1の波形およびその高さが決まる。そして、
このON区間TONに一次巻線N1に供給された磁気
エネルギーはOFF区間TOFFにはインバータトラ
ンスＴの分布容量と一次巻線N1のインダクタン
スおよび回路の抵抗成分によつて振動する波形と
なり、OFF時の一次電圧VN1の波形およびその高
さが決まる。そして、直流電源Ｅレベルを中心と
して側、側の波形が形成される。インバータ
トランスＴの二次電圧VN2は一次電圧VN1の誘起
電圧として一次電圧VN1とは極性が反転した第５
図ｃのような波形となる。
しかして、ベース巻線NBに発生する電圧は一
次電圧VN1より誘起され発振トランジスタＱに印
加されるが、抵抗R2，R3、可変抵抗VRの抵抗値
およびベースコンデンサC1，C2のインピーダン
ス、発振トランジスタＱのベース・エミツタ間電
圧VBEによつて決まる値の波形となる。このベー
ス電流は結果的に第５図ｂに示すような波形とな
つて発振トランジスタＱに印加される。したがつ
て、発振トランジスタＱのコレクタ・エミツタ間
電圧VCEはこのベース電流バイアスに応じた変化
をすることがわかるものであり、この結果、この
実施例ではベースバイアス回路のインピーダンス
を変えることにより、バイアス電流値および特に
その波形を変えて発振トランジスタＱのコレク
タ・エミツタ間電圧VCEすなわち一次電圧VN1の
波形を変えようとするものである。今、第５図ｂ
において実線で示す波形が通常時におけるベース
電流IBの波形であり、第５図ｃの二次電圧NN2波
形に直流バイアスを与え側に直流バイアスを印
加する場合は、第５図ａの一次電圧VN1波形にお
いて点線で示すようにEOP1とすればよいが、この
波形は前述したようにベース電流バイアス値を深
く（多く）すればよいことがわかる。また、逆に
二次電圧VN2に側のバイアを加えるには、第５
図ｃの波形で一点鎖線で示すような波形にすれば
、側極性はVOP＜VOPとなり、側に相
対的に直流バイアスが印加されることになる。こ
の場合には第５図ｂのベース電流IB波形を一点鎖
線で示すようにバイアス電流値を少なくすればよ
い。これにより、一次電圧VN1は一点鎖線で示す
EOP2の波形となる。このようにベース電流値およ
びその波形を変えることにより、二次電圧VN2、
すなわち交流出力電圧に直流バイアスを簡単に印
加することができる。
次電圧VN1より誘起され発振トランジスタＱに印
加されるが、抵抗R2，R3、可変抵抗VRの抵抗値
およびベースコンデンサC1，C2のインピーダン
ス、発振トランジスタＱのベース・エミツタ間電
圧VBEによつて決まる値の波形となる。このベー
ス電流は結果的に第５図ｂに示すような波形とな
つて発振トランジスタＱに印加される。したがつ
て、発振トランジスタＱのコレクタ・エミツタ間
電圧VCEはこのベース電流バイアスに応じた変化
をすることがわかるものであり、この結果、この
実施例ではベースバイアス回路のインピーダンス
を変えることにより、バイアス電流値および特に
その波形を変えて発振トランジスタＱのコレク
タ・エミツタ間電圧VCEすなわち一次電圧VN1の
波形を変えようとするものである。今、第５図ｂ
において実線で示す波形が通常時におけるベース
電流IBの波形であり、第５図ｃの二次電圧NN2波
形に直流バイアスを与え側に直流バイアスを印
加する場合は、第５図ａの一次電圧VN1波形にお
いて点線で示すようにEOP1とすればよいが、この
波形は前述したようにベース電流バイアス値を深
く（多く）すればよいことがわかる。また、逆に
二次電圧VN2に側のバイアを加えるには、第５
図ｃの波形で一点鎖線で示すような波形にすれば
、側極性はVOP＜VOPとなり、側に相
対的に直流バイアスが印加されることになる。こ
の場合には第５図ｂのベース電流IB波形を一点鎖
線で示すようにバイアス電流値を少なくすればよ
い。これにより、一次電圧VN1は一点鎖線で示す
EOP2の波形となる。このようにベース電流値およ
びその波形を変えることにより、二次電圧VN2、
すなわち交流出力電圧に直流バイアスを簡単に印
加することができる。
ここで、実用的には抵抗R2，R3、保護抵抗RE、
可変抵抗VRの抵抗値を変えることにより可能で
あるが、可変抵抗VRの抵抗値を変えるのが最も
実用的であることが確かめられたものである。す
なわち、抵抗R2，R3を変えることは抵抗R1を通
して供給する固定バイアスベース電流の値を変え
て発振トランジスタＱのバイアス動作点、第５図
ａにおける電圧Ｅおよび一次電圧VN1全体の振幅
をも変えることとなり、入力電圧変動特性を悪化
させる要因ともなり得るからである。このよう
に、この実施例によれば、可変抵抗VRという1/
４Ｗ程度の汎用小型ボリウム１個で極めて簡単に
高圧の交流出力電圧に数百Ｖもの直流バイアスを
印加することができるものである。そして、バイ
アス可変の小型の可変抵抗VRは低圧制御回路用
のPC板に同時に取付けることができ、従来のよ
うに実装構造設計に悩むこともない。また、従来
の高圧用ダイオード、抵抗方式に比べて大幅にコ
ストダウンできることも明らかである。
可変抵抗VRの抵抗値を変えることにより可能で
あるが、可変抵抗VRの抵抗値を変えるのが最も
実用的であることが確かめられたものである。す
なわち、抵抗R2，R3を変えることは抵抗R1を通
して供給する固定バイアスベース電流の値を変え
て発振トランジスタＱのバイアス動作点、第５図
ａにおける電圧Ｅおよび一次電圧VN1全体の振幅
をも変えることとなり、入力電圧変動特性を悪化
させる要因ともなり得るからである。このよう
に、この実施例によれば、可変抵抗VRという1/
４Ｗ程度の汎用小型ボリウム１個で極めて簡単に
高圧の交流出力電圧に数百Ｖもの直流バイアスを
印加することができるものである。そして、バイ
アス可変の小型の可変抵抗VRは低圧制御回路用
のPC板に同時に取付けることができ、従来のよ
うに実装構造設計に悩むこともない。また、従来
の高圧用ダイオード、抵抗方式に比べて大幅にコ
ストダウンできることも明らかである。
つづいて、本発明の第二の実施例を第６図に基
づいて説明する。前記実施例で示した部分と同一
部分は同一符号を用い説明も省略する。本実施例
は、インバータトランスＴの低圧帰還巻線NFに
接続されたダイオードD1，D2、コンデンサC3，
C4、差動増幅器Ａ、トランジスタQ1、全波整流
回路RECを主体とするインピーダンス可変回路
５をベース巻線NBに接続したものである。
づいて説明する。前記実施例で示した部分と同一
部分は同一符号を用い説明も省略する。本実施例
は、インバータトランスＴの低圧帰還巻線NFに
接続されたダイオードD1，D2、コンデンサC3，
C4、差動増幅器Ａ、トランジスタQ1、全波整流
回路RECを主体とするインピーダンス可変回路
５をベース巻線NBに接続したものである。
これにより、交流出力電圧を低圧帰還巻線NF
によりその側、側を検出し、負荷変動、周囲
温度、湿度、気圧等により規定のバイアス電圧値
を逸脱した場合にこの変動値を検出し、差動増幅
器Ａで増幅し、変化値をトランジスタQ1のバイ
アスに加え、ベース巻線NBを介して発振トラン
ジスタＱのベース電流を補正し、常に一定の直流
バイアスを印加できるようにしたものである。
によりその側、側を検出し、負荷変動、周囲
温度、湿度、気圧等により規定のバイアス電圧値
を逸脱した場合にこの変動値を検出し、差動増幅
器Ａで増幅し、変化値をトランジスタQ1のバイ
アスに加え、ベース巻線NBを介して発振トラン
ジスタＱのベース電流を補正し、常に一定の直流
バイアスを印加できるようにしたものである。
また、本発明の第三の実施例を第７図により説
明する。本実施例は、二次巻線N2のアース側に
接続されたダイオードD3，D4、抵抗R10，R11に
よる低圧部品、差動増幅器Ａ、トラジスタQ1、
全波整流回路RECを主体とするインピーダンス
可変回路６をベース巻線NBに接続して設けたも
のである。
明する。本実施例は、二次巻線N2のアース側に
接続されたダイオードD3，D4、抵抗R10，R11に
よる低圧部品、差動増幅器Ａ、トラジスタQ1、
全波整流回路RECを主体とするインピーダンス
可変回路６をベース巻線NBに接続して設けたも
のである。
これにより、交流出力電圧の直流バイアス電圧
をダイオードD3，D4、抵抗R10，R11の低圧部品
により検出し、規定値に対するその変化成分を差
動増幅器Ａで増幅帰還し、第二の実施例と同様に
常に一定の直流バイアスを印加するようにしたも
のである。ここに、ダイオードD3，D4、抵抗
R10，R11は差動増幅器Ａの入力信号検出用であ
るので、数Ｖ程度であり、第３図のようなバイア
ス印加回路の高圧部品でないことは明らかであ
る。
をダイオードD3，D4、抵抗R10，R11の低圧部品
により検出し、規定値に対するその変化成分を差
動増幅器Ａで増幅帰還し、第二の実施例と同様に
常に一定の直流バイアスを印加するようにしたも
のである。ここに、ダイオードD3，D4、抵抗
R10，R11は差動増幅器Ａの入力信号検出用であ
るので、数Ｖ程度であり、第３図のようなバイア
ス印加回路の高圧部品でないことは明らかであ
る。
本発明は、上述したように発振トランジスタの
ベース回路にベース巻線可変抵抗を接続したイン
ピーダンス可変回路を設けたので、小型・安価で
簡単にして低圧の下確実の交流出力電圧に直流バ
イアスを印加することができるものである。
ベース回路にベース巻線可変抵抗を接続したイン
ピーダンス可変回路を設けたので、小型・安価で
簡単にして低圧の下確実の交流出力電圧に直流バ
イアスを印加することができるものである。
第１図は複写機の概略側面図、第２図は従来例
を示す波形図、第３図はその回路図、第４図は本
発明の第一の実施例を示す回路図、第５図ａ〜ｃ
はその波形図、第６図は本発明の第二の実施例を
示す回路図、第７図は本発明の第三の実施例を示
す回路図である。 ４〜６……インピーダンス可変回路、Ｅ……直
流電源、Ｑ……発振トランジスタ、Ｔ……インバ
ータトランス、NB……ベース巻線、NF……低圧
帰還巻線、VR……可変抵抗。
を示す波形図、第３図はその回路図、第４図は本
発明の第一の実施例を示す回路図、第５図ａ〜ｃ
はその波形図、第６図は本発明の第二の実施例を
示す回路図、第７図は本発明の第三の実施例を示
す回路図である。 ４〜６……インピーダンス可変回路、Ｅ……直
流電源、Ｑ……発振トランジスタ、Ｔ……インバ
ータトランス、NB……ベース巻線、NF……低圧
帰還巻線、VR……可変抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直流電源と、 この直流電源に一次巻線およびベース巻線を接
続し、出力端の二次巻線を有するインバータトラ
ンスと、 前記一次巻線に直列接続され前記直流電源のプ
ラス側にベースが一次巻線および直流電源のマイ
ナス側の間にそれぞれコレクタ・エミツタが接続
された発振トランジスタと、 前記直流電源のプラス側と前記トランジスタの
ベースとの間に固定バイアス抵抗を接続したベー
ス回路と、 このベース回路と前記直流電源のマイナス側と
の間に前記ベース巻線と可変抵抗を接続したイン
ピーダンス可変回路と を設けたことを特徴とする高圧電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19370882A JPS5983575A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高圧電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19370882A JPS5983575A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高圧電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983575A JPS5983575A (ja) | 1984-05-15 |
| JPH0526432B2 true JPH0526432B2 (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=16312461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19370882A Granted JPS5983575A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高圧電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983575A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120686A (ja) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Hyomenhasochi |
| JPS603342Y2 (ja) * | 1979-07-27 | 1985-01-30 | 日産自動車株式会社 | 内燃機関の吸気装置 |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19370882A patent/JPS5983575A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5983575A (ja) | 1984-05-15 |
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