JPH05265212A - レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法 - Google Patents
レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法Info
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- JPH05265212A JPH05265212A JP4060469A JP6046992A JPH05265212A JP H05265212 A JPH05265212 A JP H05265212A JP 4060469 A JP4060469 A JP 4060469A JP 6046992 A JP6046992 A JP 6046992A JP H05265212 A JPH05265212 A JP H05265212A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acrylic acid
- ester
- copolymer
- tetrahydropyranyl
- pattern
- Prior art date
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- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電離放射線に対して透明性が優れ、十分なド
ライエッチング耐性をもち、高感度な放射線用レジスト
材料を提供する。 【構成】 エステル部分にアダマンタン骨格を有するア
クリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルとア
クリル酸またはα置換アクリル酸のテトラヒドロピラニ
ルエステルとの共重合体を用いる。
ライエッチング耐性をもち、高感度な放射線用レジスト
材料を提供する。 【構成】 エステル部分にアダマンタン骨格を有するア
クリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルとア
クリル酸またはα置換アクリル酸のテトラヒドロピラニ
ルエステルとの共重合体を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放射線感光材料および
それを用いるパターン形成方法に関する。
それを用いるパターン形成方法に関する。
【０００２】半導体集積回路においては、近年集積化が
進み、ＬＳＩやＶＬＳＩが実用化され、これとともに配
線パターンの最小線幅はサブミクロン(submicron) に及
んでおり、しかも更に微細化の傾向にある。ここで、微
細パターンの形成には、薄膜を形成した被処理基板上に
レジストを被覆し、選択露光を行った後に現像してレジ
ストパターンを作り、これをマスクとしてドライエッチ
ングを行い、その後にレジストを溶解除去することによ
り薄膜パターンを得る写真蝕刻技術の使用が必須であ
る。この写真蝕刻技術に使用する光源として、当初は紫
外線が使用されていたが、波長による制限からサブミク
ロン幅の解像は不可能であり、これに代わって波長の短
い遠紫外線や電子線、Ｘ線などを光源としてサブミクロ
ン幅の解像が行われるようになった。本発明は、これら
放射線レジスト材料に関するものである。
進み、ＬＳＩやＶＬＳＩが実用化され、これとともに配
線パターンの最小線幅はサブミクロン(submicron) に及
んでおり、しかも更に微細化の傾向にある。ここで、微
細パターンの形成には、薄膜を形成した被処理基板上に
レジストを被覆し、選択露光を行った後に現像してレジ
ストパターンを作り、これをマスクとしてドライエッチ
ングを行い、その後にレジストを溶解除去することによ
り薄膜パターンを得る写真蝕刻技術の使用が必須であ
る。この写真蝕刻技術に使用する光源として、当初は紫
外線が使用されていたが、波長による制限からサブミク
ロン幅の解像は不可能であり、これに代わって波長の短
い遠紫外線や電子線、Ｘ線などを光源としてサブミクロ
ン幅の解像が行われるようになった。本発明は、これら
放射線レジスト材料に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】レジストとしては、従来、フェノール樹
脂をベースとするものが数多く開発されてきた。但し、
これらの材料は芳香族環を含むために光の吸収が大き
く、そのため、かかる材料によって、微細化に対応でき
るだけのパターン精度を得ることはできない。
脂をベースとするものが数多く開発されてきた。但し、
これらの材料は芳香族環を含むために光の吸収が大き
く、そのため、かかる材料によって、微細化に対応でき
るだけのパターン精度を得ることはできない。
【０００４】一方、光吸収の少ない樹脂として、ポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などを用いることが検
討されているが、これらの材料は芳香環を含んでいない
ために、十分なドライエッチング耐性をもっていない。
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などを用いることが検
討されているが、これらの材料は芳香環を含んでいない
ために、十分なドライエッチング耐性をもっていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上記したように、サ
ブミクロンの微細パターンを実現するには、電離放射
線、特に遠紫外光に対して透明性が優れ、かつ、十分な
ドライエッチング耐性をもつ感光材料が必要であり、従
って本発明は、この両方の特性を兼ね備えた放射線用感
光材料を実用化することを課題とするものである。
ブミクロンの微細パターンを実現するには、電離放射
線、特に遠紫外光に対して透明性が優れ、かつ、十分な
ドライエッチング耐性をもつ感光材料が必要であり、従
って本発明は、この両方の特性を兼ね備えた放射線用感
光材料を実用化することを課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、エステル部分にアダマンタン骨格を有する
アクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルと
アクリル酸またはα置換アクリル酸のテトラヒドロピラ
ニルエステルとの共重合体からなるレジスト材料を提供
する。
決するため、エステル部分にアダマンタン骨格を有する
アクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルと
アクリル酸またはα置換アクリル酸のテトラヒドロピラ
ニルエステルとの共重合体からなるレジスト材料を提供
する。
【０００７】上記本発明の放射線レジスト材料を被処理
基板上に塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層
を放射線により露光し、ベークし、次いで現像すること
により、レジストパターンを形成することができる。
基板上に塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層
を放射線により露光し、ベークし、次いで現像すること
により、レジストパターンを形成することができる。
【０００８】我々は、すでに、エステル部分にアダマン
タン構造をもつ放射線感光材料を提案した。本発明にお
いては、エステル部分にアダマンタン構造をもつアクリ
レートモノマーとテトラヒドロピラニルアクリレートと
の共重合体を導入し、透明性およびドライエッチング性
に優れ、高感度でパターン形成することのできる材料を
得ることに成功したものである。
タン構造をもつ放射線感光材料を提案した。本発明にお
いては、エステル部分にアダマンタン構造をもつアクリ
レートモノマーとテトラヒドロピラニルアクリレートと
の共重合体を導入し、透明性およびドライエッチング性
に優れ、高感度でパターン形成することのできる材料を
得ることに成功したものである。
【０００９】
【作用】本発明は、電離放射線、特に遠紫外光に対して
透明性が優れ、十分なエッチング耐性を持ち、しかも高
感度の感光材料として、エステル部分にアダマンタン骨
格を有するアクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸
エステルとアクリル酸またはα置換アクリル酸のテトラ
ヒドロピラニルエステルとの共重合体からなる材料を用
いるものである。
透明性が優れ、十分なエッチング耐性を持ち、しかも高
感度の感光材料として、エステル部分にアダマンタン骨
格を有するアクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸
エステルとアクリル酸またはα置換アクリル酸のテトラ
ヒドロピラニルエステルとの共重合体からなる材料を用
いるものである。
【００１０】光酸発生剤は露光（光照射）によって酸を
生じる。露光によって発生した酸が触媒となり、加熱す
ることによって露光部では次の反応が起こる。
生じる。露光によって発生した酸が触媒となり、加熱す
ることによって露光部では次の反応が起こる。
【化１】 上式中、ＸおよびＹは、それぞれ、Ｈまたは-CH3を表
す。
す。
【００１１】この材料は、上記の如く、反応が起こると
きに酸を再生する増幅型なので高感度である。また、露
光部ではカルボン酸が生成し、アルカリ可溶性となる。
このように、ポリマーの極性の変化を用いてパターニン
グすることができるので膨潤のないパターンが得られ
る。
きに酸を再生する増幅型なので高感度である。また、露
光部ではカルボン酸が生成し、アルカリ可溶性となる。
このように、ポリマーの極性の変化を用いてパターニン
グすることができるので膨潤のないパターンが得られ
る。
【００１２】用いる酸発生剤としては、以下の化合物を
挙げることができる。 １．トリフェニルスルホニウム塩
挙げることができる。 １．トリフェニルスルホニウム塩
【化２】 上式中、Ｘ- は PF6 - , AsF6 - , SbF6 - , BF4 - または
CF3SO3 - を表す。
CF3SO3 - を表す。
【００１３】２．ジフェニルヨードニウム塩
【化３】 上式中、Ｘ- は PF6 - , AsF6 - , SbF6 - , BF4 - または
CF3SO3 - を表す。
CF3SO3 - を表す。
【００１４】３．スルホン酸化合物
【化４】
【００１５】４．ハロゲン化物
【化５】 上式中、Ｘはハロゲンを表す。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに説明す
る。比較例１ アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を重合開始剤
とし、メタクリル酸アダマンチルとメタクリル酸ｔ−ブ
チルとを、1,4-ジオキサン中、８０℃で８時間重合させ
た後、ヘキサンを用いて再沈精製を行った結果、分子量
13000、分散度1.61、共重合比６０：４０の共重合体が
得られた。この合成したメタクリル酸アダマンチル／メ
タクリル酸ｔ−ブチル共重合体（６０：４０）とトリフ
ェニルヘキサフルオロアンチモネート（ポリマーに対し
て１０重量％）のシクロヘキサノン溶液（２０重量％）
を作成した。これをＳｉウエハ上に塗布し、次いで 100
℃で２０分間ベークして 0.5μｍ厚の膜を形成した。Ｋ
ｒＦエキシマステッパーで露光後、 100℃で６０秒間ベ
ークを行った。次に、アルカリ現像液で１分間現像し
た。さらに、ＣＦ4 ／Ｏ2 （0.95/0.05)、0.3 Torr、 3
00Ｗの条件でエッチングした。その結果、ナガセポジテ
ィブレジスト820(長瀬産業) と同等以上の耐ドライエッ
チング性を示したものの、感度は 200mJ/cm2と低感度で
あった。
る。比較例１ アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を重合開始剤
とし、メタクリル酸アダマンチルとメタクリル酸ｔ−ブ
チルとを、1,4-ジオキサン中、８０℃で８時間重合させ
た後、ヘキサンを用いて再沈精製を行った結果、分子量
13000、分散度1.61、共重合比６０：４０の共重合体が
得られた。この合成したメタクリル酸アダマンチル／メ
タクリル酸ｔ−ブチル共重合体（６０：４０）とトリフ
ェニルヘキサフルオロアンチモネート（ポリマーに対し
て１０重量％）のシクロヘキサノン溶液（２０重量％）
を作成した。これをＳｉウエハ上に塗布し、次いで 100
℃で２０分間ベークして 0.5μｍ厚の膜を形成した。Ｋ
ｒＦエキシマステッパーで露光後、 100℃で６０秒間ベ
ークを行った。次に、アルカリ現像液で１分間現像し
た。さらに、ＣＦ4 ／Ｏ2 （0.95/0.05)、0.3 Torr、 3
00Ｗの条件でエッチングした。その結果、ナガセポジテ
ィブレジスト820(長瀬産業) と同等以上の耐ドライエッ
チング性を示したものの、感度は 200mJ/cm2と低感度で
あった。
【００１７】実施例１ メタクリル酸アダマンチル／メタクリル酸テトラヒドロ
ピラニル共重合体の合成 反応容器に、テフロンコーティングされたマグネチック
スターラーバー、 7.0ｇ（33.6mmol) のメタクリル酸ア
ダマンチル、5.72ｇ（33.6mmol) のメタクリル酸テトラ
ヒドロピラニルおよび33.6mlのトルエンを入れ、 552mg
(3.36mmol、５mol ％）のアゾビスイソブチロニトリル
を加え、窒素雰囲気下７５℃で６時間攪拌する。反応溶
液を少量のヒドロキノンおよび２５mlのエタノールを含
む 2.5ｌのヘキサンで沈殿させ、白色の沈殿をＧ３のガ
ラスフィルターで吸引濾過し、真空デシケータ中４０
℃、 0.1mmHgの減圧度で６時間乾燥させる。得られた白
色の粉体を再びテトラヒドロフランで溶解させ、３０ml
の溶液とし、２５mlのエタノールを含む 2.5ｌのヘキサ
ンで再沈殿させる。白色の沈殿をＧ３のガラスフィルタ
ーで吸引濾過し、真空デシケータ中、４０℃、 0.1mmHg
の減圧度で、１６時間乾燥させる。得られた共重合体の
収量は 11.86ｇ (93.2％）、分子量 18000、分散度1.7
3、共重合比（アダマンチル：テトラヒドロピラニル）
＝５４：４６である。この共重合体の 248nmにおける透
過率は９２％とフェノールノボラック樹脂（３０％）に
比べ高いものであった。
ピラニル共重合体の合成 反応容器に、テフロンコーティングされたマグネチック
スターラーバー、 7.0ｇ（33.6mmol) のメタクリル酸ア
ダマンチル、5.72ｇ（33.6mmol) のメタクリル酸テトラ
ヒドロピラニルおよび33.6mlのトルエンを入れ、 552mg
(3.36mmol、５mol ％）のアゾビスイソブチロニトリル
を加え、窒素雰囲気下７５℃で６時間攪拌する。反応溶
液を少量のヒドロキノンおよび２５mlのエタノールを含
む 2.5ｌのヘキサンで沈殿させ、白色の沈殿をＧ３のガ
ラスフィルターで吸引濾過し、真空デシケータ中４０
℃、 0.1mmHgの減圧度で６時間乾燥させる。得られた白
色の粉体を再びテトラヒドロフランで溶解させ、３０ml
の溶液とし、２５mlのエタノールを含む 2.5ｌのヘキサ
ンで再沈殿させる。白色の沈殿をＧ３のガラスフィルタ
ーで吸引濾過し、真空デシケータ中、４０℃、 0.1mmHg
の減圧度で、１６時間乾燥させる。得られた共重合体の
収量は 11.86ｇ (93.2％）、分子量 18000、分散度1.7
3、共重合比（アダマンチル：テトラヒドロピラニル）
＝５４：４６である。この共重合体の 248nmにおける透
過率は９２％とフェノールノボラック樹脂（３０％）に
比べ高いものであった。
【００１８】実施例２ メタクリル酸アダマンチル・メタクリル酸テトラヒドロ
ピラニル共重合体の合成 実施例１において、メタクリル酸アダマンチルを 7.0ｇ
（33.6mmol) 、メタクリル酸テトラヒドロピラニルを2.
45ｇ（14.1mmol) 、トルエンを２４mlとし、 394mg (2.
4mmol 、５mol ％）のアゾビスイソブチロニトリルを用
いて同様な反応を行った。得られた共重合体の収量は7.
62ｇ（80.6％）、分子量22000 、分散度1.84、共重合比
（アダマンチル：テトラヒドロピラニル）＝７０：３０
である。この共重合体の 248nmにおける透過率は９２％
とフェノールノボラック樹脂（３０％）に比べ高いもの
であった。
ピラニル共重合体の合成 実施例１において、メタクリル酸アダマンチルを 7.0ｇ
（33.6mmol) 、メタクリル酸テトラヒドロピラニルを2.
45ｇ（14.1mmol) 、トルエンを２４mlとし、 394mg (2.
4mmol 、５mol ％）のアゾビスイソブチロニトリルを用
いて同様な反応を行った。得られた共重合体の収量は7.
62ｇ（80.6％）、分子量22000 、分散度1.84、共重合比
（アダマンチル：テトラヒドロピラニル）＝７０：３０
である。この共重合体の 248nmにおける透過率は９２％
とフェノールノボラック樹脂（３０％）に比べ高いもの
であった。
【００１９】実施例３ 実施例１で合成したメタクリル酸アダマンチル／メタク
リル酸テトラヒドロピラニル共重合体（５４：４６）と
ベンゾイントシレート（ポリマーに対して２０重量％）
のキシレン溶液（２０重量％）を作成した。これをＳｉ
ウエハ上に塗布し、次いで 100℃で２０分間ベークして
0.5μｍ厚の膜を形成した。KrF エキシマステッパーで
露光後、 100℃で６０秒間ベークを行った。次に、アル
カリ現像液で１分間現像した。感度は３０mj/cm2であ
り、 0.4μｍラインアンドスペース（L&S)パターンを解
像した。さらに、ＣＦ4 ／Ｏ2 （0.95/0.05)、 0.3 Tor
r 、300Ｗの条件でエッチングした結果、ナガセポジテ
ィブレジスト 820 (長瀬産業) と同等以上の耐ドライエ
ッチング性を示した。
リル酸テトラヒドロピラニル共重合体（５４：４６）と
ベンゾイントシレート（ポリマーに対して２０重量％）
のキシレン溶液（２０重量％）を作成した。これをＳｉ
ウエハ上に塗布し、次いで 100℃で２０分間ベークして
0.5μｍ厚の膜を形成した。KrF エキシマステッパーで
露光後、 100℃で６０秒間ベークを行った。次に、アル
カリ現像液で１分間現像した。感度は３０mj/cm2であ
り、 0.4μｍラインアンドスペース（L&S)パターンを解
像した。さらに、ＣＦ4 ／Ｏ2 （0.95/0.05)、 0.3 Tor
r 、300Ｗの条件でエッチングした結果、ナガセポジテ
ィブレジスト 820 (長瀬産業) と同等以上の耐ドライエ
ッチング性を示した。
【００２０】実施例４ 実施例２で合成したメタクリル酸アダマンチル／メタク
リル酸テトラヒドロピラニル共重合体（７０：３０）と
ベンゾイントシレート（ポリマーに対して２０重量％）
のキシレン溶液（２０重量％）を作成した。これをＳｉ
ウエハ上に塗布し、次いで 100℃で２０分間ベークして
0.5μｍ厚の膜を形成した。KrF エキシマステッパーで
露光後、 100℃で６０秒間ベークを行った。次に、アル
カリ現像液で１分間現像した。感度は６０mj/cm2であ
り、 0.4μｍ L&Sパターンを解像した。さらに、ＣＦ4
／Ｏ2 （0.95/0.05)、 0.3Torr、 300Ｗの条件でエッチ
ングした結果、ナガセポジティブレジスト 820 (長瀬産
業) と同等以上の耐ドライエッチング性を示した。
リル酸テトラヒドロピラニル共重合体（７０：３０）と
ベンゾイントシレート（ポリマーに対して２０重量％）
のキシレン溶液（２０重量％）を作成した。これをＳｉ
ウエハ上に塗布し、次いで 100℃で２０分間ベークして
0.5μｍ厚の膜を形成した。KrF エキシマステッパーで
露光後、 100℃で６０秒間ベークを行った。次に、アル
カリ現像液で１分間現像した。感度は６０mj/cm2であ
り、 0.4μｍ L&Sパターンを解像した。さらに、ＣＦ4
／Ｏ2 （0.95/0.05)、 0.3Torr、 300Ｗの条件でエッチ
ングした結果、ナガセポジティブレジスト 820 (長瀬産
業) と同等以上の耐ドライエッチング性を示した。
【００２１】実施例５ 実施例２で合成したメタクリル酸アダマンチル／メタク
リル酸テトラヒドロピラニル共重合体（７０：３０）と
トリフェニルヘキサフルオロアンチモネート（ポリマー
に対して１０重量％）のシクロヘキサノン溶液（２０重
量％）を作成した。これをＳｉウエハ上に塗布し、次い
で 100℃で２０分間ベークして 0.5μｍ厚の膜を形成し
た。KrF エキシマステッパーで露光後、 100℃で６０秒
間ベークを行った。次に、アルカリ現像液で１分間現像
した。感度は１０mJ/cm2であり、0.4μｍ L&Sパターン
を解像した。さらに、ＣＦ4 ／Ｏ2 （0.95/0.05)、 0.3
Torr、 300Ｗの条件でエッチングした結果、ナガセポジ
ティブレジスト 820 (長瀬産業) と同等以上の耐ドライ
エッチング性を示した。
リル酸テトラヒドロピラニル共重合体（７０：３０）と
トリフェニルヘキサフルオロアンチモネート（ポリマー
に対して１０重量％）のシクロヘキサノン溶液（２０重
量％）を作成した。これをＳｉウエハ上に塗布し、次い
で 100℃で２０分間ベークして 0.5μｍ厚の膜を形成し
た。KrF エキシマステッパーで露光後、 100℃で６０秒
間ベークを行った。次に、アルカリ現像液で１分間現像
した。感度は１０mJ/cm2であり、0.4μｍ L&Sパターン
を解像した。さらに、ＣＦ4 ／Ｏ2 （0.95/0.05)、 0.3
Torr、 300Ｗの条件でエッチングした結果、ナガセポジ
ティブレジスト 820 (長瀬産業) と同等以上の耐ドライ
エッチング性を示した。
【００２２】実施例６ メタクリル酸アダマンチル／アクリル酸テトラヒドロピ
ラニル共重合体の合成 反応容器に、テフロンコーティングされたマグネチック
スターラーバー、 7.0ｇ（33.6mmol) のメタクリル酸ア
ダマンチル、5.72ｇ（36.7mmol) のアクリル酸テトラヒ
ドロピラニルおよび33.6mlのトルエンを入れ、 552mg
(3.36mmol、4.7mol％）のアゾビスイソブチロニトリル
を加え、窒素雰囲気下に７５℃で６時間攪拌する。反応
溶液を少量のヒドロキノンおよび２５mlのエタノールを
含む 2.5ｌのヘキサンで沈殿させ、白色の沈殿をＧ３の
ガラスフィルターで吸引濾過し、真空デシケータ中、４
０℃、 0.1mmHgの減圧度で、６時間乾燥させる。得られ
た白色の粉体を再びテトラヒドロフランで溶解させ、３
０mlの溶液とし、２５mlのエタノールを含む 2.5ｌのヘ
キサンで再沈殿させる。白色の沈殿をＧ３のガラスフィ
ルターで吸引濾過し、真空デシケータ中、４０℃、 0.1
mmHgの減圧度で、１６時間乾燥させる。得られた共重合
体の収量は11.5ｇ（90.4％）、分子量 17000、分散度1.
63、共重合比（アダマンチル：テトラヒドロピラニル）
＝６２：３８である。この共重合体の 248nmにおける透
過率は９８％とフェノールノボラック樹脂（３０％）に
比べ高いものであった。
ラニル共重合体の合成 反応容器に、テフロンコーティングされたマグネチック
スターラーバー、 7.0ｇ（33.6mmol) のメタクリル酸ア
ダマンチル、5.72ｇ（36.7mmol) のアクリル酸テトラヒ
ドロピラニルおよび33.6mlのトルエンを入れ、 552mg
(3.36mmol、4.7mol％）のアゾビスイソブチロニトリル
を加え、窒素雰囲気下に７５℃で６時間攪拌する。反応
溶液を少量のヒドロキノンおよび２５mlのエタノールを
含む 2.5ｌのヘキサンで沈殿させ、白色の沈殿をＧ３の
ガラスフィルターで吸引濾過し、真空デシケータ中、４
０℃、 0.1mmHgの減圧度で、６時間乾燥させる。得られ
た白色の粉体を再びテトラヒドロフランで溶解させ、３
０mlの溶液とし、２５mlのエタノールを含む 2.5ｌのヘ
キサンで再沈殿させる。白色の沈殿をＧ３のガラスフィ
ルターで吸引濾過し、真空デシケータ中、４０℃、 0.1
mmHgの減圧度で、１６時間乾燥させる。得られた共重合
体の収量は11.5ｇ（90.4％）、分子量 17000、分散度1.
63、共重合比（アダマンチル：テトラヒドロピラニル）
＝６２：３８である。この共重合体の 248nmにおける透
過率は９８％とフェノールノボラック樹脂（３０％）に
比べ高いものであった。
【００２３】実施例７ 実施例６で合成したメタクリル酸アダマンチル／アクリ
ル酸テトラヒドロピラニル共重合体（６２：３８）とベ
ンゾイントシレート（ポリマーに対して２０重量％）の
キシレン溶液（２０重量％）を作成した。これをＳｉウ
エハ上に塗布し、次いで 100℃で２０分間ベークして
0.5μｍ厚の膜を形成した。KrF エキシマステッパーで
露光後、 100℃で６０秒間ベークを行った。次に、アル
カリ現像液で１分間現像した。感度は３０mJ/cm2であ
り、 0.4μｍ L&Sパターンを解像した。さらに、ＣＦ4
／Ｏ2 （0.95/0.05)、 0.3Torr、 300Ｗの条件でエッチ
ングした結果、ナガセポジティブレジスト 820 (長瀬産
業) と同等以上の耐ドライエッチング性を示した。
ル酸テトラヒドロピラニル共重合体（６２：３８）とベ
ンゾイントシレート（ポリマーに対して２０重量％）の
キシレン溶液（２０重量％）を作成した。これをＳｉウ
エハ上に塗布し、次いで 100℃で２０分間ベークして
0.5μｍ厚の膜を形成した。KrF エキシマステッパーで
露光後、 100℃で６０秒間ベークを行った。次に、アル
カリ現像液で１分間現像した。感度は３０mJ/cm2であ
り、 0.4μｍ L&Sパターンを解像した。さらに、ＣＦ4
／Ｏ2 （0.95/0.05)、 0.3Torr、 300Ｗの条件でエッチ
ングした結果、ナガセポジティブレジスト 820 (長瀬産
業) と同等以上の耐ドライエッチング性を示した。
【００２４】なお、上記の例ではアルカリ現像を行う場
合について説明したが、現像はアニソールを用いても行
うことができ、この場合はネガパターンが得られる。あ
るいは、低級アルコールを用いて現像を行うこともで
き、この場合にはポジパターンが得られる。
合について説明したが、現像はアニソールを用いても行
うことができ、この場合はネガパターンが得られる。あ
るいは、低級アルコールを用いて現像を行うこともで
き、この場合にはポジパターンが得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、短波長域に吸収のないエステル部分にアダマンタン
骨格を持つ未置換またはα−置換アクリル酸のエステル
モノマーに未置換またはα−置換アクリル酸のテトラヒ
ドロピラニルを共重合させることによって優れた透明
性、耐ドライエッチング性を保ちつつ、高感度でパター
ンの形成が可能になる。
ば、短波長域に吸収のないエステル部分にアダマンタン
骨格を持つ未置換またはα−置換アクリル酸のエステル
モノマーに未置換またはα−置換アクリル酸のテトラヒ
ドロピラニルを共重合させることによって優れた透明
性、耐ドライエッチング性を保ちつつ、高感度でパター
ンの形成が可能になる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/312 Ｄ 8518−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 エステル部分にアダマンタン骨格を有す
るアクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステル
とアクリル酸またはα置換アクリル酸のテトラヒドロピ
ラニルエステルとの共重合体からなるレジスト材料。 - 【請求項２】 請求甲１に記載のレジスト材料を被処理
基板上に塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層
を放射線により露光し、ベークし、次いで現像してレジ
ストパターンを形成することを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060469A JPH05265212A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060469A JPH05265212A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05265212A true JPH05265212A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13143165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4060469A Pending JPH05265212A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010213 |