JPH0526664B2 - - Google Patents

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JPH0526664B2
JPH0526664B2 JP15172284A JP15172284A JPH0526664B2 JP H0526664 B2 JPH0526664 B2 JP H0526664B2 JP 15172284 A JP15172284 A JP 15172284A JP 15172284 A JP15172284 A JP 15172284A JP H0526664 B2 JPH0526664 B2 JP H0526664B2
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Sanyo Denki Co Ltd
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Sanyo Denki Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 イ 産業上の利用分野 本発明は印字品質のよい高密度化に適した光プ
リンタヘツドに好適な印字用発光ダイオードに関
する。
ロ 従来の技術 近年、第２図ａに示すように整列した印字ドツ
トに対応する発光部１，１…を有する発光ダイオ
ード２，２…を用いて光プリンタヘツドに用いる
事が研究されている。このような印字用発光ダイ
オードに関しては、例えば電子通信学会研究報告
IE82−52第23頁（昭和57年）等にて報告されて
いるが、第２図ｂに示すようにGaAsPのｎ型層
３上に拡散によるＰ型領域４を形成し、Ｐ型領域
４の一部分を覆うアルミニウムの電極５を設けて
いる。
先の資料ではＰ型領域４の大きさを65μm×
30μmとし、印字ドツト（光学的に露出したＰ型
領域４の平面的形状又は大きさ）として50×
30μmの大きさを設計し、電極５の巾を印字ドツ
トの巾より充分大きくしてＰ型領域４の一辺を完
全に電極５で覆つている。しかしこの方法は印字
ドツトが集積化してくるとある１つの印字ドツト
の電極が隣接する印字ドツト又は隣接する印字ド
ツトの電極に近接するので集積度に限界がある。
さらに拡散のマスクと電極のマスクの位置あわせ
も集積密度が高くなるに従つて困難な作業とな
る。
一方昭和55年度電子通信学会通信部門全国大会
第592テーマ（予稿集１−211頁）には第３図に示
す如くＰ型領域１４の巾と等しい巾の先端部を有
する電極１５が利用されている。これはＰ型領域
１４の側辺を基準に電極マスクがセツトでき作業
性がよい。ところが、拡散によるＰ型領域４，１
４は深くなるに従つて領域が拡大しているので、
これを点灯させると表面拡散面積より２〜10％大
きい面積で光が放出される。アルミニウムの電極
５，１５は当然遮光性があるため、電極下のＰ極
領域表面は光が遮ぎられるが、深部Ｐ型領域から
の光が電極１５の両側から出てくるので略凹字状
印字ドツトとなる事がわかつた。深部Ｐ型領域の
深さは高々5.0μm（通常は2.0μm前後）と浅いの
で、印字ドツト密度が低い時（例えば3.85ドツト
mmで印字ドツト巾がドツト間隔の50％未満の時）
にはこの電極周縁の光の筋はそれ程問題にならな
い、しかし印字ドツト密度が高い時（例えば9.5
ドツト／mm以上）になると目立ち、特に電極下の
Pn接合は電流分布が集中しやすいので高輝度に
なりやすいから8mA／ドツト以上の大きな電流
を流すと完全な凹字状ドツトになつてしまい不都
合である。
ハ 発明が解決しようとする問題点 本発明は上述の点を考慮して製造しやすく印字
品質の優れた印字用発光ダイオードを提供するも
のである。
ニ 問題点を解決するための手段 本発明は第２導電型領域、すなわち拡散領域の
表面形状を略凸字状にし、その略凸字状の突起部
に電極を設けるものである。
ホ 作用 このようにする事で、電極のマスクは第２導電
型領域の広い部分（略凸字状の基部）の側辺又は
角部分を基準に位置あわせできるので印字ドツト
密度が高くても作業性がよく、また印字ドツトの
形状としては略凸字状の基部のみとなつて余分な
光の筋は発生しないから印字品質が向上する。
ヘ 実施例 第１図は第２図ａ，ｂで説明した発光ダイオー
ド２，２…の表面の本発明における要部平面図で
ある。第１導電型層、例えばｎ型のGaAsPの成
長層（ｎ型層）の表面に略凸字状の第２導電型領
域が形成される。第２導電型領域は例えば、亜鉛
を選択拡散されたＰ型領域２４である。そしてそ
のＰ型領域２４の略凸字状の突起部２４ａを覆う
ようにアルミニウムからなる遮光性の電極２５を
設けてある。電極２５は好ましくはＰ型領域２４
の略凸部字状の基部２４ｂの１部と対応する個所
を具備している。第１図の例では略凸部字状の基
部２４ｂの１側辺２４ｃと一直線上に並ぶ側辺２
５ｃを設けてあるが、角（隅）に対向する突起や
切欠でもよい。
具体的に例示すると、Ｐ型領域２４の拡散マス
クパターンは一辺50μmの四角形に長さ20μm巾
40μmの突起部２４ａを設けた。これを300ドツ
ト／inchに配置し深さ2.5μmに亜鉛を選択拡散し
たのち、Ｐ型領域２４の略凸字状の基部２４ｂか
ら2μm離して電極２５を蒸着し、オーミツク接触
をとつた。この形状で5mA／ドツトの電流を流
した時一辺52μmのほぼ方形な印字ドツト、
10mA／ドツトの電流を流した時一辺55μmの方
形な印字ドツトを得ることが出来た。
また寸法を変化させて印字ドツト密度を高めた
ところ、400ドツト／inch、印字ドツト巾がドツ
ト間隔の75％まで方形の印字ドツトをもつ印字用
発光ダイオードが形成できたが、これ以上の解像
度に対しては、印字ドツトの形状を解析するため
の高密度単焦点レンズアレイが入手できないため
現段階では確認できなかつた。
ト 発明の効果 以上の如く本発明は印字ドツトの領域が略凸字
状の基部で明確化されているので、電極の先端を
不必要に広くする必要もなく、また電極のマスク
の位置あわせにおける基準がとりやすいので製造
しやすい。さらに略凸字状の基部が正方形であつ
ても多角形であつても（即ち凸字そのものでなく
鍵穴〓状等であつても）目的とする印字ドツトの
形状に極めて近ずける事ができるので印字品質が
優れている。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の印字用発光ダイオードの要部
平面図、第２図ａは光プリンタヘツドの斜視図、
第２図ｂは印字用発光ダイオードの要部断面図、
第３図は従来の印字用発光ダイオードの要部平面
図である。 １，１…印字ドツトに対応する発光部、２，２
…発光ダイオード、３…ｎ型層、４，１４，２４
…Ｐ型領域、２４ａ…（略凸字状の）突起部、２
４ｂ…（略凸字状の）基部、５，１５，２５…電
極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 第１導電型層の表面側に設けられた略凸字状
    の第２導電型領域と、第２導電型領域の略凸字状
    の突起部を覆う遮光性の電極とを具備し、前記電
    極の巾が前記凸字状の突起部の巾より広くかつ前
    記電極が前記凸字状の基部から離れる様に前記凸
    字状の突起部を部分的に覆う事を特徴とする印字
    用発光ダイオード。
JP15172284A 1984-07-20 1984-07-20 印字用発光ダイオ−ド Granted JPS6129562A (ja)

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