JPH05267202A - ウェーハ支持ボート - Google Patents
ウェーハ支持ボートInfo
- Publication number
- JPH05267202A JPH05267202A JP4327601A JP32760192A JPH05267202A JP H05267202 A JPH05267202 A JP H05267202A JP 4327601 A JP4327601 A JP 4327601A JP 32760192 A JP32760192 A JP 32760192A JP H05267202 A JPH05267202 A JP H05267202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- boat
- wafer
- semiconductor wafers
- support parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ８インチ等の大径の半導体ウェーハを、サー
マルショックを生じることなく熱処理できるようにし
た、ウェーハ支持ボートを提供する。 【構成】 複数の半導体ウェーハを支持し、所定の熱処
理を施すためのウェーハ支持ボートであって、半導体ウ
ェーハを支持する支持部３，１３を薄板で形成すること
により熱容量を小さくする。
マルショックを生じることなく熱処理できるようにし
た、ウェーハ支持ボートを提供する。 【構成】 複数の半導体ウェーハを支持し、所定の熱処
理を施すためのウェーハ支持ボートであって、半導体ウ
ェーハを支持する支持部３，１３を薄板で形成すること
により熱容量を小さくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハを熱処
理する際に使用するウェーハ支持ボートに関するもので
ある。
理する際に使用するウェーハ支持ボートに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハはその表面に酸
化膜等を形成するために熱処理が行われ、その熱処理の
際には半導体ウェーハを所定の間隔をあけて並置保持す
るためのウェーハ支持ボートが使用される。このウェー
ハ支持ボートは、例えば図３に示すように両側の側枠部
材ａを複数本の支持ロッドｂで連結し、その支持ロッド
ｂに半導体ウェーハｃを支持するためのウェーハ装着溝
ｄを一定の間隔をあけてそれぞれ形成し、このウェーハ
装着溝ｄに半導体ウェーハｃを装着して支持するように
なっている（実公昭５９−４０４４３号公報）。
化膜等を形成するために熱処理が行われ、その熱処理の
際には半導体ウェーハを所定の間隔をあけて並置保持す
るためのウェーハ支持ボートが使用される。このウェー
ハ支持ボートは、例えば図３に示すように両側の側枠部
材ａを複数本の支持ロッドｂで連結し、その支持ロッド
ｂに半導体ウェーハｃを支持するためのウェーハ装着溝
ｄを一定の間隔をあけてそれぞれ形成し、このウェーハ
装着溝ｄに半導体ウェーハｃを装着して支持するように
なっている（実公昭５９−４０４４３号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近時、ＩＣ等の高集積
化が進むにつれて半導体ウェーハの径も大きくなり、５
インチ、６インチが主流であったものが８インチに移行
しつつある。この状況下において、８インチの半導体ウ
ェーハを従来と同様なウェーハ支持ボートを用いて熱処
理を行うと、５インチや６インチでは生じなかった熱歪
の問題が発生した。この熱歪は所謂サーマルショックと
いう現象で、これが半導体ウェーハ内に生じるとＩＣチ
ップとして使い物にならなくなり、生産性の向上のため
に半導体ウェーハの直径を大きくした意味がなくなり、
大径化が却って歩留りの低下を招く結果となってしま
う。
化が進むにつれて半導体ウェーハの径も大きくなり、５
インチ、６インチが主流であったものが８インチに移行
しつつある。この状況下において、８インチの半導体ウ
ェーハを従来と同様なウェーハ支持ボートを用いて熱処
理を行うと、５インチや６インチでは生じなかった熱歪
の問題が発生した。この熱歪は所謂サーマルショックと
いう現象で、これが半導体ウェーハ内に生じるとＩＣチ
ップとして使い物にならなくなり、生産性の向上のため
に半導体ウェーハの直径を大きくした意味がなくなり、
大径化が却って歩留りの低下を招く結果となってしま
う。
【０００４】本発明の発明者はその原因について色々検
討した結果、例えば１０００℃前後の熱処理において、
半導体ウェーハは比較的薄いので温度上昇に追随する
が、支持ロッドは比較的太く温度上昇に追随し難く、そ
の結果半導体ウェーハとそれを支持する支持部との間に
急激な温度差が生じ、それがサーマルショックを生じさ
せるという事実を見い出した。本発明は、このような事
実に基づいて８インチのような大径の半導体ウェーハに
サーマルショックを生じさせない支持部を有するウェー
ハ支持ボートを提供することを課題としたものである。
討した結果、例えば１０００℃前後の熱処理において、
半導体ウェーハは比較的薄いので温度上昇に追随する
が、支持ロッドは比較的太く温度上昇に追随し難く、そ
の結果半導体ウェーハとそれを支持する支持部との間に
急激な温度差が生じ、それがサーマルショックを生じさ
せるという事実を見い出した。本発明は、このような事
実に基づいて８インチのような大径の半導体ウェーハに
サーマルショックを生じさせない支持部を有するウェー
ハ支持ボートを提供することを課題としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、複数の半導体ウェー
ハを支持し、所定の熱処理を施すためのウェーハ支持ボ
ートであって、このウェーハ支持ボートには半導体ウェ
ーハを支持する支持部が複数形成されており、この支持
部は熱容量が小さくなるように薄板で構成されているこ
とを要旨とするものである。
するための手段として、本発明は、複数の半導体ウェー
ハを支持し、所定の熱処理を施すためのウェーハ支持ボ
ートであって、このウェーハ支持ボートには半導体ウェ
ーハを支持する支持部が複数形成されており、この支持
部は熱容量が小さくなるように薄板で構成されているこ
とを要旨とするものである。
【０００６】
【作 用】ウェーハ支持ボートの支持部は薄板にしたの
で、支持部の熱容量が小となって半導体ウェーハと支持
部との間に急激な温度差が生じ難くなり、サーマルショ
ックを防止することができる。
で、支持部の熱容量が小となって半導体ウェーハと支持
部との間に急激な温度差が生じ難くなり、サーマルショ
ックを防止することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面により詳説
する。図１は本発明の実施例を示すもので、１は上下の
円形端板であり、４本の支持ロッド２で連結一体化さ
れ、これらの支持ロッド２には一定の間隔をあけて半導
体ウェーハを支持するための支持部３がそれぞれ形成さ
れている。
する。図１は本発明の実施例を示すもので、１は上下の
円形端板であり、４本の支持ロッド２で連結一体化さ
れ、これらの支持ロッド２には一定の間隔をあけて半導
体ウェーハを支持するための支持部３がそれぞれ形成さ
れている。
【０００８】この支持部３は図２(イ) に示すように、薄
板状小片で支持ロッド２の内面側に一定の間隔をあけて
水平張り出し状態に設けたものである。この場合、支持
部３の幅は支持ロッド２の支持部取付面の幅より小さく
形成されているが、図２(ロ)に示すように支持部１３の
幅を支持ロッド１２の支持部取付面の幅と一致させるよ
うに形成しても良い。
板状小片で支持ロッド２の内面側に一定の間隔をあけて
水平張り出し状態に設けたものである。この場合、支持
部３の幅は支持ロッド２の支持部取付面の幅より小さく
形成されているが、図２(ロ)に示すように支持部１３の
幅を支持ロッド１２の支持部取付面の幅と一致させるよ
うに形成しても良い。
【０００９】４は前記円形端板１の中央部に設けられた
係止部であり、この係止部を熱処理装置のボートローダ
（図略）で掴み、ウェーハ支持ボート５を吊り下げた状
態で加熱炉に出し入れできるようにしてある。
係止部であり、この係止部を熱処理装置のボートローダ
（図略）で掴み、ウェーハ支持ボート５を吊り下げた状
態で加熱炉に出し入れできるようにしてある。
【００１０】本発明に係るウェーハ支持ボートは上記の
ように構成され、前記支持部３は半導体ウェーハを受止
して保持するので半導体ウェーハに接触することになる
が、薄板状小片で熱容量が極めて小さいため半導体ウェ
ーハと共に温度変化に追随でき、半導体ウェーハと支持
部３との間には温度差が生じ難く、サーマルショックを
未然に防止することができる。
ように構成され、前記支持部３は半導体ウェーハを受止
して保持するので半導体ウェーハに接触することになる
が、薄板状小片で熱容量が極めて小さいため半導体ウェ
ーハと共に温度変化に追随でき、半導体ウェーハと支持
部３との間には温度差が生じ難く、サーマルショックを
未然に防止することができる。
【００１１】尚、ウェーハ支持ボートの材質はSi、Si
O2、SiC 等のいずれでも良く、又組立式でも一体形でも
どちらでも構わない。又、支持部の厚さは半導体ウェー
ハの厚さに対応させて、例えば０．５ｍｍ〜２．０ｍｍ
程度にするのが好ましい。
O2、SiC 等のいずれでも良く、又組立式でも一体形でも
どちらでも構わない。又、支持部の厚さは半導体ウェー
ハの厚さに対応させて、例えば０．５ｍｍ〜２．０ｍｍ
程度にするのが好ましい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハ支持ボートの支持部を薄板にし熱容量を小さく
することにより熱処理時の急激な温度差を無くし、半導
体ウェーハのサーマルショックを未然に防止することが
できる。従って、８インチ等の大径の半導体ウェーハで
あっても熱歪を起こすことなく熱処理ができ、生産性の
向上と歩留りの向上が図れる等の優れた効果を奏する。
ウェーハ支持ボートの支持部を薄板にし熱容量を小さく
することにより熱処理時の急激な温度差を無くし、半導
体ウェーハのサーマルショックを未然に防止することが
できる。従って、８インチ等の大径の半導体ウェーハで
あっても熱歪を起こすことなく熱処理ができ、生産性の
向上と歩留りの向上が図れる等の優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の実施例を示す斜視図である。
【図２】 (イ) は図１のＡ部の拡大斜視図、(ロ) は受止
部の他の実施例を示す拡大斜視図である。
部の他の実施例を示す拡大斜視図である。
【図３】 従来例を示す平面図である。
１…円形端板 ２…支持ロッド ３…支持部 ４
…係止部 ５…ウェーハ支持ボート １２…支持ロ
ッド １３…支持部
…係止部 ５…ウェーハ支持ボート １２…支持ロ
ッド １３…支持部
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の半導体ウェーハを支持し、所定の
熱処理を施すためのウェーハ支持ボートであって、この
ウェーハ支持ボートには半導体ウェーハを支持する支持
部が複数形成されており、この支持部は熱容量が小さく
なるように薄板で構成されているウェーハ支持ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4327601A JPH05267202A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | ウェーハ支持ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4327601A JPH05267202A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | ウェーハ支持ボート |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6999992A Division JPH05234925A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | ウェーハ支持ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267202A true JPH05267202A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=18200883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4327601A Pending JPH05267202A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | ウェーハ支持ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267202A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6186344B1 (en) | 1995-09-07 | 2001-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cassette for loading glasses for liquid crystal display device |
| KR100350448B1 (ko) * | 1999-08-25 | 2002-08-28 | 삼성전자 주식회사 | 실리카 소결용 웨이퍼 카세트 |
| JP2020043260A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 多結晶膜の成膜方法、基板載置機構および成膜装置 |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP4327601A patent/JPH05267202A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6186344B1 (en) | 1995-09-07 | 2001-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cassette for loading glasses for liquid crystal display device |
| KR100350448B1 (ko) * | 1999-08-25 | 2002-08-28 | 삼성전자 주식회사 | 실리카 소결용 웨이퍼 카세트 |
| JP2020043260A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 多結晶膜の成膜方法、基板載置機構および成膜装置 |
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