JPH05234925A - ウェーハ支持ボート - Google Patents
ウェーハ支持ボートInfo
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- JPH05234925A JPH05234925A JP6999992A JP6999992A JPH05234925A JP H05234925 A JPH05234925 A JP H05234925A JP 6999992 A JP6999992 A JP 6999992A JP 6999992 A JP6999992 A JP 6999992A JP H05234925 A JPH05234925 A JP H05234925A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ８インチ等の大径の半導体ウェーハを、サー
マルショックを生じることなく熱処理できるようにし
た、ウェーハ支持ボートを提供する。 【構成】 複数の半導体ウェーハを支持し、所定の熱処
理を施すためのウェーハ支持ボートであって、半導体ウ
ェーハを支持する支持部を複数個形成する。この支持部
は、半導体ウェーハを点接触又は線接触で支持すること
により熱容量を小さくする。
マルショックを生じることなく熱処理できるようにし
た、ウェーハ支持ボートを提供する。 【構成】 複数の半導体ウェーハを支持し、所定の熱処
理を施すためのウェーハ支持ボートであって、半導体ウ
ェーハを支持する支持部を複数個形成する。この支持部
は、半導体ウェーハを点接触又は線接触で支持すること
により熱容量を小さくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハを熱処
理する際に使用するウェーハ支持ボートに関するもので
ある。
理する際に使用するウェーハ支持ボートに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハはその表面に酸
化膜等を形成するために熱処理が行われ、その熱処理の
際には半導体ウェーハを所定の間隔をあけて並置保持す
るためのウェーハ支持ボートが使用される。このウェー
ハ支持ボートは、例えば図６に示すように両側の側枠部
材ａを複数本の支持ロッドｂで連結し、その支持ロッド
ｂに半導体ウェーハｃを嵌め込むためのウェーハ装着溝
ｄを一定の間隔をあけてそれぞれ形成し、このウェーハ
装着溝ｄに半導体ウェーハｃを装着して支持するように
なっている（実公昭５９−４０４４３号公報）。
化膜等を形成するために熱処理が行われ、その熱処理の
際には半導体ウェーハを所定の間隔をあけて並置保持す
るためのウェーハ支持ボートが使用される。このウェー
ハ支持ボートは、例えば図６に示すように両側の側枠部
材ａを複数本の支持ロッドｂで連結し、その支持ロッド
ｂに半導体ウェーハｃを嵌め込むためのウェーハ装着溝
ｄを一定の間隔をあけてそれぞれ形成し、このウェーハ
装着溝ｄに半導体ウェーハｃを装着して支持するように
なっている（実公昭５９−４０４４３号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近時、ＩＣ等の高集積
化が進むにつれて半導体ウェーハの径も大きくなり、５
インチ、６インチが主流であったものが８インチに移行
しつつある。この状況下において、８インチの半導体ウ
ェーハを従来と同様なウェーハ支持ボートを用いて熱処
理を行うと、５インチや６インチでは生じなかった熱歪
みの問題が発生した。この熱歪みは所謂サーマルショッ
クという現象で、これが半導体ウェーハ内に生じるとＩ
Ｃチップとして使い物にならなくなり、生産性の向上の
ために半導体ウェーハの直径を大きくした意味がなくな
り、大径化が却って歩留りの低下を招く結果となってし
まう。
化が進むにつれて半導体ウェーハの径も大きくなり、５
インチ、６インチが主流であったものが８インチに移行
しつつある。この状況下において、８インチの半導体ウ
ェーハを従来と同様なウェーハ支持ボートを用いて熱処
理を行うと、５インチや６インチでは生じなかった熱歪
みの問題が発生した。この熱歪みは所謂サーマルショッ
クという現象で、これが半導体ウェーハ内に生じるとＩ
Ｃチップとして使い物にならなくなり、生産性の向上の
ために半導体ウェーハの直径を大きくした意味がなくな
り、大径化が却って歩留りの低下を招く結果となってし
まう。
【０００４】本発明の発明者はその原因について色々検
討した結果、例えば１０００℃前後の熱処理において、
半導体ウェーハは比較的薄いので温度上昇に追随する
が、支持ロッドは比較的太く温度上昇に追随し難く、そ
の結果半導体ウェーハとそれを支持する支持部との間に
急激な温度差が生じ、それがサーマルショックを生じさ
せるという事実を見い出した。本発明は、このような事
実に基づいて８インチのような大径の半導体ウェーハに
サーマルショックを生じさせない支持部を有するウェー
ハ支持ボートを提供することを課題としたものである。
討した結果、例えば１０００℃前後の熱処理において、
半導体ウェーハは比較的薄いので温度上昇に追随する
が、支持ロッドは比較的太く温度上昇に追随し難く、そ
の結果半導体ウェーハとそれを支持する支持部との間に
急激な温度差が生じ、それがサーマルショックを生じさ
せるという事実を見い出した。本発明は、このような事
実に基づいて８インチのような大径の半導体ウェーハに
サーマルショックを生じさせない支持部を有するウェー
ハ支持ボートを提供することを課題としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、複数の半導体ウェー
ハを支持し、所定の熱処理を施すためのウェーハ支持ボ
ートであって、このウェーハ支持ボートには半導体ウェ
ーハを支持する支持部が複数形成されており、この支持
部は熱容量が小さくなるように構成したことを要旨とす
るものである。又、支持部は、点又は線若しくは薄板等
で構成されていることを要旨とするものである。
するための手段として、本発明は、複数の半導体ウェー
ハを支持し、所定の熱処理を施すためのウェーハ支持ボ
ートであって、このウェーハ支持ボートには半導体ウェ
ーハを支持する支持部が複数形成されており、この支持
部は熱容量が小さくなるように構成したことを要旨とす
るものである。又、支持部は、点又は線若しくは薄板等
で構成されていることを要旨とするものである。
【０００６】
【作 用】ウェーハ支持ボートの支持部は、半導体ウェ
ーハに点接触又は線接触するようにして接触面積を極力
小さくしたので、支持部の熱容量が小となって半導体ウ
ェーハと支持部との間に急激な温度差が生じ難くなり、
サーマルショックを防止することができる。
ーハに点接触又は線接触するようにして接触面積を極力
小さくしたので、支持部の熱容量が小となって半導体ウ
ェーハと支持部との間に急激な温度差が生じ難くなり、
サーマルショックを防止することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面により詳説
する。図１は本発明の第１実施例を示すもので、１は上
下の円形端板であり、４本の支持ロッド２で連結一体化
され、これらの支持ロッド２には一定の間隔をあけて半
導体ウェーハを支持するための装着溝３がそれぞれ形成
されている。
する。図１は本発明の第１実施例を示すもので、１は上
下の円形端板であり、４本の支持ロッド２で連結一体化
され、これらの支持ロッド２には一定の間隔をあけて半
導体ウェーハを支持するための装着溝３がそれぞれ形成
されている。
【０００８】４は上の円形端板１の中央部に設けられた
係止部であり、この係止部を熱処理装置のボートローダ
（図略）で掴み、ウェーハ支持ボート５を吊り下げた状
態で加熱炉に出し入れできるようにしてある。
係止部であり、この係止部を熱処理装置のボートローダ
（図略）で掴み、ウェーハ支持ボート５を吊り下げた状
態で加熱炉に出し入れできるようにしてある。
【０００９】前記装着溝３は図２(イ) に拡大して示すよ
うに、下面３ａのほぼ中央部に断面三角形の突条６を溝
の深さ方向に沿って設けてある。従って、この装着溝３
に半導体ウェーハＷを入れると、図２(ロ) にしめすよう
に前記突条６の上縁つまり両側の斜面が交差した稜線６
ａに接触して受止されることになる。
うに、下面３ａのほぼ中央部に断面三角形の突条６を溝
の深さ方向に沿って設けてある。従って、この装着溝３
に半導体ウェーハＷを入れると、図２(ロ) にしめすよう
に前記突条６の上縁つまり両側の斜面が交差した稜線６
ａに接触して受止されることになる。
【００１０】このようにして、各支持ロッド２の装着溝
３において半導体ウェーハＷが接触するのは各装着溝３
内に設けられた突条６の稜線６ａのみであるから、従来
例に比べると接触面積が著しく減少し、このため熱容量
が小さくなって半導体ウェーハＷと装着溝３の接触点に
おいて急激な温度差が生じ難くなり、サーマルショック
を未然に防止することができる。
３において半導体ウェーハＷが接触するのは各装着溝３
内に設けられた突条６の稜線６ａのみであるから、従来
例に比べると接触面積が著しく減少し、このため熱容量
が小さくなって半導体ウェーハＷと装着溝３の接触点に
おいて急激な温度差が生じ難くなり、サーマルショック
を未然に防止することができる。
【００１１】図３は装着溝の他の実施例を示すもので、
(イ) は支持ロッド１２の装着溝１３の下面１３ａの内縁
部に三角錐状の小突起１６を設けた例であり、この場合
は小突起１６の頂点１６ａのみが半導体ウェーハと接触
し、言わば点接触となるため前記突条６の稜線６ａによ
る線接触よりも一層接触面積の減少を図ることが可能と
なる。
(イ) は支持ロッド１２の装着溝１３の下面１３ａの内縁
部に三角錐状の小突起１６を設けた例であり、この場合
は小突起１６の頂点１６ａのみが半導体ウェーハと接触
し、言わば点接触となるため前記突条６の稜線６ａによ
る線接触よりも一層接触面積の減少を図ることが可能と
なる。
【００１２】図３(ロ) は、支持ロッド２２の装着溝２３
の下面２３ａを溝の深さ方向に下傾させて形成し、その
斜面の高い方即ち内側縁２３ｂで半導体ウェーハを受止
するようにしたものである。この場合は、図２(イ) と同
様に半導体ウェーハに対して線接触となる。
の下面２３ａを溝の深さ方向に下傾させて形成し、その
斜面の高い方即ち内側縁２３ｂで半導体ウェーハを受止
するようにしたものである。この場合は、図２(イ) と同
様に半導体ウェーハに対して線接触となる。
【００１３】図４は支持部の他の実施例を示すもので、
支持部が装着溝ではなく薄板の例であり、(イ) は支持ロ
ッド３２の内面側に薄くて小さい受け板３７を張り出さ
せて設けたものである。この場合、受け板３７が半導体
ウェーハに接触することになるが、薄板であるために熱
容量が小さく半導体ウェーハと共に温度変化に追随で
き、半導体ウェーハと受け板３７との間には温度差が生
じ難く、サーマルショックを未然に防止することができ
る。
支持部が装着溝ではなく薄板の例であり、(イ) は支持ロ
ッド３２の内面側に薄くて小さい受け板３７を張り出さ
せて設けたものである。この場合、受け板３７が半導体
ウェーハに接触することになるが、薄板であるために熱
容量が小さく半導体ウェーハと共に温度変化に追随で
き、半導体ウェーハと受け板３７との間には温度差が生
じ難く、サーマルショックを未然に防止することができ
る。
【００１４】図４(ロ) も支持部が薄板の例であるが、こ
れは受け板４７の受け止面４７ａを(イ) の場合よりも減
少させたものであり、更にその受け止面の前端部に球状
小突起４８を設けた場合には、言わば点接触となって受
け止面４７ａによる面接触よりも一層半導体ウェーハに
対する接触面積を減少させることができる。
れは受け板４７の受け止面４７ａを(イ) の場合よりも減
少させたものであり、更にその受け止面の前端部に球状
小突起４８を設けた場合には、言わば点接触となって受
け止面４７ａによる面接触よりも一層半導体ウェーハに
対する接触面積を減少させることができる。
【００１５】図５は本発明の第２実施例を示すもので、
前記のような線接触又は点接触構造で半導体ウェーハを
支持できるようにしたウェーハ支持棚５６（仮想線で示
す）を、ウェーハ支持ボート５５とは別体に形成すると
共に着脱自在に構成したものである。この場合は、ウェ
ーハ支持ボート５５の支持ロッド５２に装着溝を形成し
ないので、ウェーハ支持ボートの製作が簡単になる。ウ
ェーハ支持棚５６は、ウェーハ支持ボート５５とは別体
であるから容易に製造することができる。又、半導体ウ
ェーハを支持するだけなので支持ロッドを比較的細くす
ることができ、温度変化に追随できる構造とすることが
可能である。
前記のような線接触又は点接触構造で半導体ウェーハを
支持できるようにしたウェーハ支持棚５６（仮想線で示
す）を、ウェーハ支持ボート５５とは別体に形成すると
共に着脱自在に構成したものである。この場合は、ウェ
ーハ支持ボート５５の支持ロッド５２に装着溝を形成し
ないので、ウェーハ支持ボートの製作が簡単になる。ウ
ェーハ支持棚５６は、ウェーハ支持ボート５５とは別体
であるから容易に製造することができる。又、半導体ウ
ェーハを支持するだけなので支持ロッドを比較的細くす
ることができ、温度変化に追随できる構造とすることが
可能である。
【００１６】この第２実施例においても、ウェーハ支持
棚５６と半導体ウェーハとの接触面積が極小となるため
熱容量が小さくなって急激な温度差が生じ難くなり、サ
ーマルショックを未然に防止することができる。
棚５６と半導体ウェーハとの接触面積が極小となるため
熱容量が小さくなって急激な温度差が生じ難くなり、サ
ーマルショックを未然に防止することができる。
【００１７】尚、ウェーハ支持ボートの材質はSi、Si
O2、SiC 等のいずれでも良く、又組立式でも一体形でも
どちらでも構わない。
O2、SiC 等のいずれでも良く、又組立式でも一体形でも
どちらでも構わない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハ支持ボートの支持部を点接触又は面接触構造に
して半導体ウェーハとの接触面積を極小にし、支持部の
熱容量を小さくするで熱処理時の急激な温度差を生じ難
くし、半導体ウェーハのサーマルショックを未然に防止
することができる。従って、８インチ等の大径の半導体
ウェーハであっても熱歪みを起こすことなく熱処理がで
き、生産性の向上及び歩留りの向上が図れる等の優れた
効果を奏する。
ウェーハ支持ボートの支持部を点接触又は面接触構造に
して半導体ウェーハとの接触面積を極小にし、支持部の
熱容量を小さくするで熱処理時の急激な温度差を生じ難
くし、半導体ウェーハのサーマルショックを未然に防止
することができる。従って、８インチ等の大径の半導体
ウェーハであっても熱歪みを起こすことなく熱処理がで
き、生産性の向上及び歩留りの向上が図れる等の優れた
効果を奏する。
【図１】 本発明の第１実施例を示す斜視図である。
【図２】 そのＡ部の拡大斜視図である。
【図３】 (イ) 、(ロ) はいずれも装着溝の他の実施例を
示す拡大斜視図である。
示す拡大斜視図である。
【図４】 (イ) 、(ロ) はいずれも支持部の他の実施例を
示す拡大斜視図である。
示す拡大斜視図である。
【図５】 本発明の第２実施例を示す斜視図である。
【図６】 従来例を示す平面図である。
１…円形端板 ２…支持ロッド ３…装着溝 ３
…下面 ４…係止部 ５…ウェーハ支持ボート ６…突条 ６ａ…稜線
１２…支持ロッド １３…装着溝 １３ａ…下面 １６…小突起 １
６ａ…頂点 ２２…支持ロッド ２３…装着溝
２３ａ…下面 ２３ｂ…内側縁 ３２…支持ロッド
３７…受け板 ４７…受け板 ４７ａ…受け止
面 ４８…球状小突起 ５２…支持ロッド ５５
…ウェーハ支持ボート ５６…ウェーハ支持棚
…下面 ４…係止部 ５…ウェーハ支持ボート ６…突条 ６ａ…稜線
１２…支持ロッド １３…装着溝 １３ａ…下面 １６…小突起 １
６ａ…頂点 ２２…支持ロッド ２３…装着溝
２３ａ…下面 ２３ｂ…内側縁 ３２…支持ロッド
３７…受け板 ４７…受け板 ４７ａ…受け止
面 ４８…球状小突起 ５２…支持ロッド ５５
…ウェーハ支持ボート ５６…ウェーハ支持棚
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 ウェーハ支持ボート
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハを熱処
理する際に使用するウェーハ支持ボートに関するもので
ある。
理する際に使用するウェーハ支持ボートに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハはその表面に酸
化膜等を形成するために熱処理が行われ、その熱処理の
際には半導体ウェーハを所定の間隔をあけて並置保持す
るためのウェーハ支持ボートが使用される。このウェー
ハ支持ボートは、例えば図６に示すように両側の側枠部
材ａを複数本の支持ロッドｂで連結し、その支持ロッド
ｂに半導体ウェーハｃを支持するためのウェーハ装着溝
ｄを一定の間隔をあけてそれぞれ形成し、このウェーハ
装着溝ｄに半導体ウェーハｃを装着して支持するように
なっている（実公昭５９−４０４４３号公報）。
化膜等を形成するために熱処理が行われ、その熱処理の
際には半導体ウェーハを所定の間隔をあけて並置保持す
るためのウェーハ支持ボートが使用される。このウェー
ハ支持ボートは、例えば図６に示すように両側の側枠部
材ａを複数本の支持ロッドｂで連結し、その支持ロッド
ｂに半導体ウェーハｃを支持するためのウェーハ装着溝
ｄを一定の間隔をあけてそれぞれ形成し、このウェーハ
装着溝ｄに半導体ウェーハｃを装着して支持するように
なっている（実公昭５９−４０４４３号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近時、ＩＣ等の高集積
化が進むにつれて半導体ウェーハの径も大きくなり、５
インチ、６インチが主流であったものが８インチに移行
しつつある。この状況下において、８インチの半導体ウ
ェーハを従来と同様なウェーハ支持ボートを用いて熱処
理を行うと、５インチや６インチでは生じなかった熱歪
の問題が発生した。この熱歪は所謂サーマルショックと
いう現象で、これが半導体ウェーハ内に生じるとＩＣチ
ップとして使い物にならなくなり、生産性の向上のため
に半導体ウェーハの直径を大きくした意味がなくなり、
大径化が却って歩留りの低下を招く結果となってしま
う。
化が進むにつれて半導体ウェーハの径も大きくなり、５
インチ、６インチが主流であったものが８インチに移行
しつつある。この状況下において、８インチの半導体ウ
ェーハを従来と同様なウェーハ支持ボートを用いて熱処
理を行うと、５インチや６インチでは生じなかった熱歪
の問題が発生した。この熱歪は所謂サーマルショックと
いう現象で、これが半導体ウェーハ内に生じるとＩＣチ
ップとして使い物にならなくなり、生産性の向上のため
に半導体ウェーハの直径を大きくした意味がなくなり、
大径化が却って歩留りの低下を招く結果となってしま
う。
【０００４】本発明の発明者はその原因について色々検
討した結果、例えば１０００℃前後の熱処理において、
半導体ウェーハは比較的薄いので温度上昇に追随する
が、支持ロッドは比較的太く温度上昇に追随し難く、そ
の結果半導体ウェーハとそれを支持する支持部との間に
急激な温度差が生じ、それがサーマルショックを生じさ
せるという事実を見い出した。本発明は、このような事
実に基づいて８インチのような大径の半導体ウェーハに
サーマルショックを生じさせない支持部を有するウェー
ハ支持ボートを提供することを課題としたものである。
討した結果、例えば１０００℃前後の熱処理において、
半導体ウェーハは比較的薄いので温度上昇に追随する
が、支持ロッドは比較的太く温度上昇に追随し難く、そ
の結果半導体ウェーハとそれを支持する支持部との間に
急激な温度差が生じ、それがサーマルショックを生じさ
せるという事実を見い出した。本発明は、このような事
実に基づいて８インチのような大径の半導体ウェーハに
サーマルショックを生じさせない支持部を有するウェー
ハ支持ボートを提供することを課題としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、複数の半導体ウェー
ハを支持し、所定の熱処理を施すためのウェーハ支持ボ
ートであって、このウェーハ支持ボートには半導体ウェ
ーハを支持する支持部が複数形成されており、この支持
部は熱容量が小さくなるように点又は線で支持するよう
に、構成されていることを要旨とするものである。
するための手段として、本発明は、複数の半導体ウェー
ハを支持し、所定の熱処理を施すためのウェーハ支持ボ
ートであって、このウェーハ支持ボートには半導体ウェ
ーハを支持する支持部が複数形成されており、この支持
部は熱容量が小さくなるように点又は線で支持するよう
に、構成されていることを要旨とするものである。
【０００６】
【作 用】ウェーハ支持ボートの支持部は、半導体ウェ
ーハに点接触又は線接触するようにして接触面積を極力
小さくしたので、支持部の熱容量が小となって半導体ウ
ェーハと支持部との間に急激な温度差が生じ難くなり、
サーマルショックを防止することができる。
ーハに点接触又は線接触するようにして接触面積を極力
小さくしたので、支持部の熱容量が小となって半導体ウ
ェーハと支持部との間に急激な温度差が生じ難くなり、
サーマルショックを防止することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面により詳説
する。図１は本発明の第１実施例を示すもので、１は上
下の円形端板であり、４本の支持ロッド２で連結一体化
され、これらの支持ロッド２には一定の間隔をあけて半
導体ウェーハを支持するための支持部３がそれぞれ形成
されている。
する。図１は本発明の第１実施例を示すもので、１は上
下の円形端板であり、４本の支持ロッド２で連結一体化
され、これらの支持ロッド２には一定の間隔をあけて半
導体ウェーハを支持するための支持部３がそれぞれ形成
されている。
【０００８】４は上の円形端板１の中央部に設けられた
係止部であり、この係止部を熱処理装置のボートローダ
（図略）で掴み、ウェーハ支持ボート５を吊り下げた状
態で加熱炉に出し入れできるようにしてある。
係止部であり、この係止部を熱処理装置のボートローダ
（図略）で掴み、ウェーハ支持ボート５を吊り下げた状
態で加熱炉に出し入れできるようにしてある。
【０００９】前記支持部３は図２（イ）に拡大して示す
ように、凹溝であってその下面３ａのほぼ中央部に断面
三角形の突条６を溝の深さ方向に沿って設けてある。従
って、この支持部３に半導体ウェーハＷを入れると、図
２（ロ）に示すように前記突条６の上縁つまり両側の斜
面が交差した稜線６ａに接触して受止されることにな
る。
ように、凹溝であってその下面３ａのほぼ中央部に断面
三角形の突条６を溝の深さ方向に沿って設けてある。従
って、この支持部３に半導体ウェーハＷを入れると、図
２（ロ）に示すように前記突条６の上縁つまり両側の斜
面が交差した稜線６ａに接触して受止されることにな
る。
【００１０】このようにして、各支持ロッド２の支持部
３において半導体ウェーハＷが接触するのは各支持部３
内に設けられた突条６の稜線６ａのみであるから、従来
例に比べると接触面積が著しく減少し、このため熱容量
が小さくなって半導体ウェーハＷと支持部３の接触点に
おいて急激な温度差が生じ難くなり、サーマルショック
を未然に防止することができる。
３において半導体ウェーハＷが接触するのは各支持部３
内に設けられた突条６の稜線６ａのみであるから、従来
例に比べると接触面積が著しく減少し、このため熱容量
が小さくなって半導体ウェーハＷと支持部３の接触点に
おいて急激な温度差が生じ難くなり、サーマルショック
を未然に防止することができる。
【００１１】図３は支持部の他の実施例を示すもので、
（イ）は支持ロッド１２の凹溝状支持部１３の下面１３
ａの内縁部に三角錐状の小突起１６を設けたものであ
り、この場合は小突起１６の頂点１６ａのみが半導体ウ
ェーハと接触し、言わば点接触となるため前記突条６の
稜線６ａによる線接触よりも一層接触面積の減少を図る
ことが可能となる。
（イ）は支持ロッド１２の凹溝状支持部１３の下面１３
ａの内縁部に三角錐状の小突起１６を設けたものであ
り、この場合は小突起１６の頂点１６ａのみが半導体ウ
ェーハと接触し、言わば点接触となるため前記突条６の
稜線６ａによる線接触よりも一層接触面積の減少を図る
ことが可能となる。
【００１２】図３（ロ）は、支持ロッド２２の凹溝状支
持部２３の下面２３ａを溝の深さ方向に下傾させて形成
し、その斜面の高い方即ち内側縁２３ｂで半導体ウェー
ハを受止するようにしたものである。この場合は、図２
（イ）と同様に半導体ウェーハに対して線接触となる。
持部２３の下面２３ａを溝の深さ方向に下傾させて形成
し、その斜面の高い方即ち内側縁２３ｂで半導体ウェー
ハを受止するようにしたものである。この場合は、図２
（イ）と同様に半導体ウェーハに対して線接触となる。
【００１３】図４は支持部の更に他の実施例を示すもの
で、この場合は支持ロッド４２の支持部４７は凹溝状で
はなく突起状であって、その上面４７ａの前端部に球状
小突起４８を設けたものであり、この球状小突起４８が
半導体ウェーハを受止することで点接触とし、支持部４
７の上面４７ａによる面接触よりも一層接触面積を減少
させることができる。
で、この場合は支持ロッド４２の支持部４７は凹溝状で
はなく突起状であって、その上面４７ａの前端部に球状
小突起４８を設けたものであり、この球状小突起４８が
半導体ウェーハを受止することで点接触とし、支持部４
７の上面４７ａによる面接触よりも一層接触面積を減少
させることができる。
【００１４】図５は本発明の第２実施例を示すもので、
前記のような線接触又は点接触構造で半導体ウェーハを
支持できるようにしたウェーハ支持棚５６（仮想線で示
す）を、ウェーハ支持ボート５５とは別体に形成すると
共に着脱自在に構成したものである。この場合は、ウェ
ーハ支持ボート５５の支持ロッド５２に支持部を形成し
ないので、ウェーハ支持ボートの製作が簡単になる。ウ
ェーハ支持棚５６は、ウェーハ支持ボート５５とは別体
であるから容易に製造することができる。又、半導体ウ
ェーハを支持するだけなので支持ロッドを比較的細くす
ることができ、温度変化に追随できる構造とすることが
可能である。
前記のような線接触又は点接触構造で半導体ウェーハを
支持できるようにしたウェーハ支持棚５６（仮想線で示
す）を、ウェーハ支持ボート５５とは別体に形成すると
共に着脱自在に構成したものである。この場合は、ウェ
ーハ支持ボート５５の支持ロッド５２に支持部を形成し
ないので、ウェーハ支持ボートの製作が簡単になる。ウ
ェーハ支持棚５６は、ウェーハ支持ボート５５とは別体
であるから容易に製造することができる。又、半導体ウ
ェーハを支持するだけなので支持ロッドを比較的細くす
ることができ、温度変化に追随できる構造とすることが
可能である。
【００１５】この第２実施例においても、ウェーハ支持
棚５６と半導体ウェーハとの接触面積が極小となるため
熱容量が小さくなって急激な温度差が生じ難くなり、サ
ーマルショックを未然に防止することができる。
棚５６と半導体ウェーハとの接触面積が極小となるため
熱容量が小さくなって急激な温度差が生じ難くなり、サ
ーマルショックを未然に防止することができる。
【００１６】尚、ウェーハ支持ボートの材質はＳｉ、Ｓ
ｉＯ２、ＳｉＣ等のいずれでも良く、又組立式でも一体
形でもどちらでも構わない。
ｉＯ２、ＳｉＣ等のいずれでも良く、又組立式でも一体
形でもどちらでも構わない。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハ支持ボートの支持部を点接触又は線接触構造に
して半導体ウェーハとの接触面積を極小にし、支持部の
熱容量を小さくすることで熱処理時の急激な温度差を生
じ難くし、半導体ウェーハのサーマルショックを未然に
防止することができる。従って、８インチ等の大径の半
導体ウェーハであっても熱歪を起こすことなく熱処理が
でき、生産性の向上及び歩留りの向上が図れる等の優れ
た効果を奏する。
ウェーハ支持ボートの支持部を点接触又は線接触構造に
して半導体ウェーハとの接触面積を極小にし、支持部の
熱容量を小さくすることで熱処理時の急激な温度差を生
じ難くし、半導体ウェーハのサーマルショックを未然に
防止することができる。従って、８インチ等の大径の半
導体ウェーハであっても熱歪を起こすことなく熱処理が
でき、生産性の向上及び歩留りの向上が図れる等の優れ
た効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例を示す斜視図である。
【図２】 そのＡ部の拡大斜視図である。
【図３】 （イ）、（ロ）はいずれも支持部の他の実施
例を示す一部拡大斜視図である。
例を示す一部拡大斜視図である。
【図４】 支持部の更に他の実施例を示す一部拡大斜視
図である。
図である。
【図５】 本発明の第２実施例を示す斜視図である。
【図６】 従来例を示す平面図である。
【符号の説明】 １…円形端板 ２…支持ロッド ３…支持部 ３
…下面 ４…係止部 ５…ウェーハ支持ボート ６…突条 ６ａ…稜線
１２…支持ロッド １３…支持部 １３ａ…下面 １６…小突起 １
６ａ…頂点 ２２…支持ロッド ２３…支持部
２３ａ…下面 ２３ｂ…内側縁 ４２…支持ロッド
４７…支持部 ４７ａ…上面 ４８…球状小突
起 ５２…支持ロッド ５５…ウェーハ支持ボート
５６…ウェーハ支持棚
…下面 ４…係止部 ５…ウェーハ支持ボート ６…突条 ６ａ…稜線
１２…支持ロッド １３…支持部 １３ａ…下面 １６…小突起 １
６ａ…頂点 ２２…支持ロッド ２３…支持部
２３ａ…下面 ２３ｂ…内側縁 ４２…支持ロッド
４７…支持部 ４７ａ…上面 ４８…球状小突
起 ５２…支持ロッド ５５…ウェーハ支持ボート
５６…ウェーハ支持棚
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の半導体ウェーハを支持し、所定の
熱処理を施すためのウェーハ支持ボートであって、この
ウェーハ支持ボートには半導体ウェーハを支持する支持
部が複数形成されており、この支持部は熱容量が小さく
なるように構成されていることを特徴とするウェーハ支
持ボート。 - 【請求項２】 前記支持部は、点又は線若しくは薄板等
で構成されている請求項１記載のウェーハ支持ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6999992A JPH05234925A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | ウェーハ支持ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6999992A JPH05234925A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | ウェーハ支持ボート |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4327601A Division JPH05267202A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | ウェーハ支持ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234925A true JPH05234925A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13418882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6999992A Pending JPH05234925A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | ウェーハ支持ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234925A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048244A1 (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-17 | Hitachi, Ltd. | Device and method for heat-treating wafer |
| KR100284867B1 (ko) * | 1997-01-22 | 2001-04-02 | 가네꼬 히사시 | 기판용 카세트 |
| JP2014170792A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Sakaguchi Dennetsu Kk | 加熱装置 |
| CN110627506A (zh) * | 2019-10-29 | 2019-12-31 | 哈尔滨理工大学 | 一种Cf/SiC晶舟及其结合3D打印制备方法 |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP6999992A patent/JPH05234925A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100284867B1 (ko) * | 1997-01-22 | 2001-04-02 | 가네꼬 히사시 | 기판용 카세트 |
| WO2000048244A1 (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-17 | Hitachi, Ltd. | Device and method for heat-treating wafer |
| JP2014170792A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Sakaguchi Dennetsu Kk | 加熱装置 |
| CN110627506A (zh) * | 2019-10-29 | 2019-12-31 | 哈尔滨理工大学 | 一种Cf/SiC晶舟及其结合3D打印制备方法 |
| CN110627506B (zh) * | 2019-10-29 | 2022-06-17 | 哈尔滨理工大学 | 一种结合3D打印制备Cf/SiC晶舟的方法 |
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