JPH05267554A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPH05267554A
JPH05267554A JP4064427A JP6442792A JPH05267554A JP H05267554 A JPH05267554 A JP H05267554A JP 4064427 A JP4064427 A JP 4064427A JP 6442792 A JP6442792 A JP 6442792A JP H05267554 A JPH05267554 A JP H05267554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor integrated
integrated circuit
circuit device
resin
chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP4064427A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Umeki
義孝 梅木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH05267554A publication Critical patent/JPH05267554A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】ワイヤボンディング工程及び樹脂封止工程で隣
接する内部リード部5同志の短絡を防止する。 【構成】隣接する内部リード5の少くとも側面部6に絶
縁コーティングを施して、ワイヤボンディング工程及び
樹脂封止工程において起る電気的短絡を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、樹脂封止された半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体集積回路装置は、
集積回路が形成されたチップ上のボンディングパッド
と、内部リードフレームのチップ側端部をボンディング
ワイヤで接続し、モールド樹脂等で封止された構造とな
っている。
【0003】また、このリードフレームは導電性が要求
されるため、一般的に42合金,銅などが採用されてい
る。そしてリードフレームの内部リード部はモールド樹
脂により被われており、外部リード部は樹脂外部体より
突出し、折り曲げられてプリント板等への実装される。
また、この外部リード部は、実装を容易にすべくはんだ
めっき等の処理がされている。さらにパッケージ封止に
用いられるモールド樹脂はエポキシ系が多く用いられて
いた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路装置は、近年、高集積化,高密度化に伴ない、
多ピン化,小型化の傾向にあり、それにつれてリードの
幅,およびリードの間隔も縮少化に進んでいる。
【0005】そこで、組立工程におけるボンディング工
程およびモールド封止工程において、内部リード部のた
がいのリードどうしが接触する危険性が高くなる。この
ことは組立工程における歩留りの低下,および製品の信
頼性の低下を招くという欠点を有する。最近ではリード
フレーム全体をテープにより固定することで対処する方
法もとられているが、パッケージの一層の小型化により
リードフレーム長もさらに短かくなるので、テープによ
る固定も困難となってきた。
【0006】本発明の目的は、リード同志が短絡するこ
となくパッケージが形成される半導体集積回路装置を提
供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、半導体集積回路が形成されるチップと、このチ
ップのボンディングパッドをボンディングワイヤーで接
続される内部リード部をもリードフレームと、このリー
ドフレームの外部リード部を突出させて樹脂封止して形
成される樹脂外部体とで構成される半導体集積回路装置
において、少くとも前記内部リード部の互いに隣接す側
面部に絶縁コーティングされていることを特徴としてい
る。
【0008】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。
【0009】図1は本発明の半導体集積回路装置の一実
施例を説明するための部分破断斜視図である。この半導
体集積回路装置は、図1に示すように、集積回路が形成
されるチップ2と、このチップ2のボンディングパッド
と一端が接続されるボンディングワイヤ3と、このボン
ディングワイヤ3の他端と内部リード部5と接続し、樹
脂外郭部1より突出する外部リード4を有するリードフ
レームとで構成されている。そして、この半導体集積回
路装置は、多ピン化,小型化の傾向に対応して最も多く
採用されているQFP型パッケージの構造を示してい
る。
【0010】本発明の第1の実施例は、内部リード部5
の側面部6を絶縁コーティングすることにより、パッケ
ージ形成におけるボンディング工程および樹脂封止工程
において生じる内部リード間の短絡接触を防止したこと
である。それ以外は従来と同じである。また、絶縁コー
ティングする際に側面部6に限定することなく、内部リ
ード部5の同図全体に絶縁コーティングしても同様の効
果がある。
【0011】次に、この半導体集積回路装置の組立方法
について述べる。まず、ダイパッドにチップ2を搭載す
る。次に、あらかじめ内部リード部5の側面部が絶縁コ
ーティングされたリードフレームとチップ2のパッドと
をボンディングワイヤ3で接続する。次に、チップ2及
びリードフレームの構成体を樹脂封止して樹脂外郭体1
を形成する。また、絶縁コーティングは、ワイヤボンデ
ィング後に樹脂液の吹き付け、あるいは樹脂液に浸漬し
て行っても良い。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、少くとも
隣接する内部リード部の側面に絶縁コーティングを施す
ことにより内部リード間の隣接においても内部リード間
の導通を防ぐことが可能となり、パッケージ形成におけ
る歩留り低下の防止,および製品の信頼性の低下を防ぐ
という効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路装置の一実施例を説明
するための部分破断斜視図である。
【符号の説明】
1 樹脂外郭体 2 チップ 3 ボンディングワイヤ 4 外部リード部 5 内部リード部 6 側面部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体集積回路が形成されるチップと、
    このチップのボンディングパッドをボンディングワイヤ
    ーで接続される内部リード部をもリードフレームと、こ
    のリードフレームの外部リード部を突出させて樹脂封止
    して形成される樹脂外部体とで構成される半導体集積回
    路装置において、少くとも前記内部リード部の互いに隣
    接す側面部に絶縁コーティングされていることを特徴と
    する半導体集積回路装置。
JP4064427A 1992-03-23 1992-03-23 半導体集積回路装置 Pending JPH05267554A (ja)

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JPH05267554A true JPH05267554A (ja) 1993-10-15

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03124055A (ja) * 1989-10-06 1991-05-27 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法およびこれを用いた半導体装置
JPH0590475A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Toppan Printing Co Ltd リードフレームとその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03124055A (ja) * 1989-10-06 1991-05-27 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法およびこれを用いた半導体装置
JPH0590475A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Toppan Printing Co Ltd リードフレームとその製造方法

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980106