JPH0590475A - リードフレームとその製造方法 - Google Patents
リードフレームとその製造方法Info
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- JPH0590475A JPH0590475A JP27640991A JP27640991A JPH0590475A JP H0590475 A JPH0590475 A JP H0590475A JP 27640991 A JP27640991 A JP 27640991A JP 27640991 A JP27640991 A JP 27640991A JP H0590475 A JPH0590475 A JP H0590475A
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- Japan
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- lead frame
- lead
- frame material
- protective layer
- electrodeposition
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】インナーリードの先端部側面を絶縁物で保護
し、多ピン用のリードフレームであってもそのインナー
リードの接触が生じないようにする。 【構成】所定のパターンが形成されたリードフレーム用
材におけるインナーリード４ａ，４ｂの先端部の側面に
絶縁保護層５を設ける。
し、多ピン用のリードフレームであってもそのインナー
リードの接触が生じないようにする。 【構成】所定のパターンが形成されたリードフレーム用
材におけるインナーリード４ａ，４ｂの先端部の側面に
絶縁保護層５を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子素子のリードフレ
ームおよびその製造方法に関するものである。
ームおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のリードフレームは、リー
ドフレーム用材を、所定のパターンを有する金型を用い
て打ち抜きすることによって製造したり、またこのリー
ドフレーム用材にレジスト剤（フォトレジスト）を塗布
して所定のパターンで露光、現像し、エッチングを行う
ことによって製造している。
ドフレーム用材を、所定のパターンを有する金型を用い
て打ち抜きすることによって製造したり、またこのリー
ドフレーム用材にレジスト剤（フォトレジスト）を塗布
して所定のパターンで露光、現像し、エッチングを行う
ことによって製造している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのリードフ
レームに搭載される昨今の半導体素子においては集積度
が高まり、よってこの集積度に対応するようにリードフ
レームにおいても多ピン化が望まれるようになってい
る。しかしながら、多ピンするためインナーリード部の
リード間隔を狭くすると、樹脂モールド時における樹脂
の流れによってインナーリード先端部が相互に接触して
不良が発生するという問題がある。特に多ピン化に対応
すべく、パターン形成されたリードフレーム用材を上下
重ね合わせてなるリードフレーム（上位のインナーリー
ド間に下位のインナーリードが配置するようにしたも
の）にあっては、そのインナーリード間隔が極めて小さ
く、前述した接触が大きな問題となる。
レームに搭載される昨今の半導体素子においては集積度
が高まり、よってこの集積度に対応するようにリードフ
レームにおいても多ピン化が望まれるようになってい
る。しかしながら、多ピンするためインナーリード部の
リード間隔を狭くすると、樹脂モールド時における樹脂
の流れによってインナーリード先端部が相互に接触して
不良が発生するという問題がある。特に多ピン化に対応
すべく、パターン形成されたリードフレーム用材を上下
重ね合わせてなるリードフレーム（上位のインナーリー
ド間に下位のインナーリードが配置するようにしたも
の）にあっては、そのインナーリード間隔が極めて小さ
く、前述した接触が大きな問題となる。
【０００４】そこで本発明は、上記した事情に鑑みて、
インナーリードの先端部側面を絶縁物で保護することを
課題とし、多ピン用のリードフレームであってもそのイ
ンナーリードの接触が生じないようにすることを目的と
する。
インナーリードの先端部側面を絶縁物で保護することを
課題とし、多ピン用のリードフレームであってもそのイ
ンナーリードの接触が生じないようにすることを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した課題
を考慮してなされたもので、アイランド部、リード部、
外枠部を有するリードフレームにおいて、インナーリー
ドの先端部の側面に樹脂層からなる絶縁保護層が設けら
れていることを特徴とするリードフレームを提供して、
上記課題を解消するものである。
を考慮してなされたもので、アイランド部、リード部、
外枠部を有するリードフレームにおいて、インナーリー
ドの先端部の側面に樹脂層からなる絶縁保護層が設けら
れていることを特徴とするリードフレームを提供して、
上記課題を解消するものである。
【０００６】またもう一つの発明は、所定のパターン形
成が行われた二枚のリードフレーム用材を、上位のイン
ナーリード間に下位のインナーリードが配置するように
重ね合わせて、アイランド部、リード部、外枠部を有す
るリードフレームにおいて、インナーリードの先端部の
側面に樹脂層からなる絶縁保護層が設けられていること
を特徴とするリードフレームであり、このリードフレー
ムを提供して上記課題を解消する。
成が行われた二枚のリードフレーム用材を、上位のイン
ナーリード間に下位のインナーリードが配置するように
重ね合わせて、アイランド部、リード部、外枠部を有す
るリードフレームにおいて、インナーリードの先端部の
側面に樹脂層からなる絶縁保護層が設けられていること
を特徴とするリードフレームであり、このリードフレー
ムを提供して上記課題を解消する。
【０００７】そして他の発明は、リードフレーム用材に
レジスト剤を所定のパターンで設けて、該リードフレー
ム用材にエッチングを施し、前記エッチングによりパタ
ーン形成されたリードフレーム用材を電極として、この
リードフレーム用材におけるインナーリード先端部側領
域の側面に電着樹脂層からなる絶縁保護層を電着形成
し、前記電着樹脂層を加熱硬化させた後に前記レジスト
剤を除去することを特徴とするリードフレームの製造方
法であり、このリードフレームの製造方法を提供して上
記課題を解消するものである。
レジスト剤を所定のパターンで設けて、該リードフレー
ム用材にエッチングを施し、前記エッチングによりパタ
ーン形成されたリードフレーム用材を電極として、この
リードフレーム用材におけるインナーリード先端部側領
域の側面に電着樹脂層からなる絶縁保護層を電着形成
し、前記電着樹脂層を加熱硬化させた後に前記レジスト
剤を除去することを特徴とするリードフレームの製造方
法であり、このリードフレームの製造方法を提供して上
記課題を解消するものである。
【０００８】さらに他の発明は、二枚のリードフレーム
用材にレジスト剤をそれぞれ所定のパターンで設けて、
該リードフレーム用材それぞれにエッチングを施し、前
記エッチングによりパターン形成されたリードフレーム
用材それぞれを電極として、このリードフレーム用材に
おけるインナーリード先端部側領域の側面に電着樹脂層
からなる絶縁保護層を電着形成し、前記電着樹脂層を加
熱硬化させた後に前記レジスト剤を除去したリードフレ
ーム用材を、上位のインナーリード間に下位のインナー
リードが配置するように重ね合わせたことを特徴とする
リードフレームの製造方法である。
用材にレジスト剤をそれぞれ所定のパターンで設けて、
該リードフレーム用材それぞれにエッチングを施し、前
記エッチングによりパターン形成されたリードフレーム
用材それぞれを電極として、このリードフレーム用材に
おけるインナーリード先端部側領域の側面に電着樹脂層
からなる絶縁保護層を電着形成し、前記電着樹脂層を加
熱硬化させた後に前記レジスト剤を除去したリードフレ
ーム用材を、上位のインナーリード間に下位のインナー
リードが配置するように重ね合わせたことを特徴とする
リードフレームの製造方法である。
【０００９】もう一つの発明は、所定のパターン形成が
行われたリードフレーム用材を、該リードフレーム用材
におけるインナーリード先端部側領域の側面を表出させ
るマスクで覆い、このマスクで覆われたリードフレーム
用材を電極として、インナーリード先端部側領域の側面
に電着樹脂層からなる絶縁保護層を電着形成した後、前
記マスクを除去することを特徴とするリードフレームの
製造方法であり、このリードフレームの製造方法を提供
して、上記課題を解消するものである。
行われたリードフレーム用材を、該リードフレーム用材
におけるインナーリード先端部側領域の側面を表出させ
るマスクで覆い、このマスクで覆われたリードフレーム
用材を電極として、インナーリード先端部側領域の側面
に電着樹脂層からなる絶縁保護層を電着形成した後、前
記マスクを除去することを特徴とするリードフレームの
製造方法であり、このリードフレームの製造方法を提供
して、上記課題を解消するものである。
【００１０】さらにもう一つの発明は、所定のパターン
形成が行われたリードフレーム用材を、該リードフレー
ム用材におけるインナーリードの側面を表出させるマス
クで覆い、このマスクで覆われたリードフレーム用材を
電極として、インナーリードの側面に感光性電着レジス
ト剤からなる絶縁保護層を電着させ、インナーリード先
端部側領域の前記感光性レジスト剤が残るパターンで露
光、現像を行った後、前記マスクを除去することを特徴
とするリードフレームの製造方法であり、上記課題を解
消するものである。
形成が行われたリードフレーム用材を、該リードフレー
ム用材におけるインナーリードの側面を表出させるマス
クで覆い、このマスクで覆われたリードフレーム用材を
電極として、インナーリードの側面に感光性電着レジス
ト剤からなる絶縁保護層を電着させ、インナーリード先
端部側領域の前記感光性レジスト剤が残るパターンで露
光、現像を行った後、前記マスクを除去することを特徴
とするリードフレームの製造方法であり、上記課題を解
消するものである。
【００１１】
【作用】第一の発明および第二の発明ではインナーリー
ドそれぞれの先端部側面に保護層があり、インナーリー
ド相互が直接接触しないようになる。また第三の発明お
よび第四の発明では、電着によってリードフレーム用材
のインナーリードの先端部の側面に保護層ができ、この
保護層を加熱硬化させた後にレジスト剤を除去すること
によって、インナーリード先端部の側面に保護層を配置
したリードフレームが得られる。第五の発明では、リー
ドフレーム用材を覆うマスクおよび電着によって、イン
ナーリード先端部の側面に保護層ができ、前記マスクを
除去することによって、インナーリード先端部の側面に
保護層を配置したリードフレームが得られる。第六の発
明では、リードフレーム用材を覆うマスクおよび電着に
よって、インナーリードの側面に感光性電着レジスト剤
からなる保護層が付き、インナーリードの先端部側領域
の感光性レジスト剤が残る露光、現像およびマスクの除
去で、インナーリードの先端部の側面に保護層を配置し
たリードフレームが得られる。
ドそれぞれの先端部側面に保護層があり、インナーリー
ド相互が直接接触しないようになる。また第三の発明お
よび第四の発明では、電着によってリードフレーム用材
のインナーリードの先端部の側面に保護層ができ、この
保護層を加熱硬化させた後にレジスト剤を除去すること
によって、インナーリード先端部の側面に保護層を配置
したリードフレームが得られる。第五の発明では、リー
ドフレーム用材を覆うマスクおよび電着によって、イン
ナーリード先端部の側面に保護層ができ、前記マスクを
除去することによって、インナーリード先端部の側面に
保護層を配置したリードフレームが得られる。第六の発
明では、リードフレーム用材を覆うマスクおよび電着に
よって、インナーリードの側面に感光性電着レジスト剤
からなる保護層が付き、インナーリードの先端部側領域
の感光性レジスト剤が残る露光、現像およびマスクの除
去で、インナーリードの先端部の側面に保護層を配置し
たリードフレームが得られる。
【００１２】
【実施例】つぎに本発明を図１から図１０に示す実施例
に基づいて詳細に説明する。図１はリードフレーム１を
示すもので、アイランド部２とリード部（インナーリー
ド）３が図示されており、他の部分は図示はしていない
が周知の構造を有する。そしてこのリードフレーム１
は、上下二枚のリードフレーム用材ａ，ｂを、上位のイ
ンナーリード間に下位のインナーリードが配置するよう
に重ね合わせたもので、一方のリードフレーム用材ａは
図示する部分においてインナーリード４ａを有するパタ
ーンであり、他のリードフレーム用材ｂはアイランド部
２とインナーリード４ｂを有するパターンとなってい
る。なおアイランド部の吊りシードは省略してある。図
示するようにこのリードフレーム１のインナーリード先
端部側領域においては、アイランド部２の側面（周囲）
と各インナーリード４ａ，４ｂの先端部の側面が樹脂層
からなる絶縁保護層５によって覆われており、隣り合う
インナーリード４ａ，４ｂの先端部が相互に近接しても
インナーリードが直接接触することがないように設けら
れ、超多ピンを要する半導体素子などに対応できるもの
となっている。なお、上記実施例は上下二枚のリードフ
レーム用材を重ね合わせ所要箇所をレーザースポット溶
接したものであるが、一枚のリードフレーム用材からこ
のリードフレーム１の構成を採ることができる。
に基づいて詳細に説明する。図１はリードフレーム１を
示すもので、アイランド部２とリード部（インナーリー
ド）３が図示されており、他の部分は図示はしていない
が周知の構造を有する。そしてこのリードフレーム１
は、上下二枚のリードフレーム用材ａ，ｂを、上位のイ
ンナーリード間に下位のインナーリードが配置するよう
に重ね合わせたもので、一方のリードフレーム用材ａは
図示する部分においてインナーリード４ａを有するパタ
ーンであり、他のリードフレーム用材ｂはアイランド部
２とインナーリード４ｂを有するパターンとなってい
る。なおアイランド部の吊りシードは省略してある。図
示するようにこのリードフレーム１のインナーリード先
端部側領域においては、アイランド部２の側面（周囲）
と各インナーリード４ａ，４ｂの先端部の側面が樹脂層
からなる絶縁保護層５によって覆われており、隣り合う
インナーリード４ａ，４ｂの先端部が相互に近接しても
インナーリードが直接接触することがないように設けら
れ、超多ピンを要する半導体素子などに対応できるもの
となっている。なお、上記実施例は上下二枚のリードフ
レーム用材を重ね合わせ所要箇所をレーザースポット溶
接したものであるが、一枚のリードフレーム用材からこ
のリードフレーム１の構成を採ることができる。
【００１３】つぎに、リードフレームの製造を上下二枚
のリードフレーム用材を用いる場合について説明する。
まず図２に示すように、リードフレーム用材ｃの上下両
面にレジスト剤６をコートする。つぎに露光、現像を行
って前記レジスト剤６を所定パターンとし（図３）、こ
れにエッチングを施して所定のパターンを有するリード
フレーム用材ａを得る（図４、図８（Ａ）参照）。リー
ドフレーム用材ａは、上下両面が前記レジスト剤６で覆
われインナーリードの側面が表出している状態となって
おり、このリードフレーム用材ａの前記インナーリード
４ａの先端部側面に、後述する方法によって絶縁保護層
５を設ける（図５、図９（Ａ）参照）。この後、前記レ
ジスト剤６を除去してリードフレーム用材ａを得る（図
６、図１０（Ａ）参照）。また他方のリードフレーム用
材ｂは、上記リードフレーム用材ｃに施すパターンエッ
チングにてアイランド部２を有するように形成され（図
８（Ｂ）参照）、その後上述の工程にしたがって、アイ
ランド部２の側面とインナーリードの先端部側面に絶縁
保護層５を設け（図９（Ｂ）参照）、レジスト剤６を除
去して得られる（図１０（Ｂ）参照）。最後にこのリー
ドフレーム用材ａ，ｂを重ね合わせ所要箇所を溶接する
ことにより、リードフレーム１が得られる（図１参
照）。
のリードフレーム用材を用いる場合について説明する。
まず図２に示すように、リードフレーム用材ｃの上下両
面にレジスト剤６をコートする。つぎに露光、現像を行
って前記レジスト剤６を所定パターンとし（図３）、こ
れにエッチングを施して所定のパターンを有するリード
フレーム用材ａを得る（図４、図８（Ａ）参照）。リー
ドフレーム用材ａは、上下両面が前記レジスト剤６で覆
われインナーリードの側面が表出している状態となって
おり、このリードフレーム用材ａの前記インナーリード
４ａの先端部側面に、後述する方法によって絶縁保護層
５を設ける（図５、図９（Ａ）参照）。この後、前記レ
ジスト剤６を除去してリードフレーム用材ａを得る（図
６、図１０（Ａ）参照）。また他方のリードフレーム用
材ｂは、上記リードフレーム用材ｃに施すパターンエッ
チングにてアイランド部２を有するように形成され（図
８（Ｂ）参照）、その後上述の工程にしたがって、アイ
ランド部２の側面とインナーリードの先端部側面に絶縁
保護層５を設け（図９（Ｂ）参照）、レジスト剤６を除
去して得られる（図１０（Ｂ）参照）。最後にこのリー
ドフレーム用材ａ，ｂを重ね合わせ所要箇所を溶接する
ことにより、リードフレーム１が得られる（図１参
照）。
【００１４】上記の工程は上下二枚のリードフレーム用
材を用いた場合を示すが、一枚のリードフレーム用材を
用いてリードフレーム１を製造する場合にも採用でき
る。またリードフレーム用材ｃからのパターン形成は上
述したレジスト剤の露光現像、エッチングのほかに、他
の手法（例えば打ち抜き）が採用でき、これによって所
定のパターンを有したリードフレーム用材を得て、この
リードフレーム用材のインナーリード先端部側領域の側
面が表出するように表裏両面からマスキングし、後述す
る方法によって前記側面に絶縁保護層を設けるようにす
ることも可能である。
材を用いた場合を示すが、一枚のリードフレーム用材を
用いてリードフレーム１を製造する場合にも採用でき
る。またリードフレーム用材ｃからのパターン形成は上
述したレジスト剤の露光現像、エッチングのほかに、他
の手法（例えば打ち抜き）が採用でき、これによって所
定のパターンを有したリードフレーム用材を得て、この
リードフレーム用材のインナーリード先端部側領域の側
面が表出するように表裏両面からマスキングし、後述す
る方法によって前記側面に絶縁保護層を設けるようにす
ることも可能である。
【００１５】実施例１ 厚さ０．１５ｍｍの４２合金（Ｎｉ４２％、残りＦｅ）
からなるリードフレーム用材の両面に、東京応化工業社
製のフォトレジストＰＭＥＲ（レジスト剤６）を浸漬塗
布法により厚さ１０μｍで塗布し、７０℃３０分間クリ
ーンオーブンで乾燥させた。所望のパターンを有するフ
ォトマスクを表裏両面から精度よく挟み込み、脱気後、
超高圧水銀灯にて露光する。このとき露光量は２００ｍ
Ｊ／ｃｍ2 であった。この後ＰＭＥＲ用現像液を用い、
約１．０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でスプレー現像を室温で行
い、水洗、乾燥させて、１１０℃、３０分間加熱させ
た。所望のレジストパターンが得られたリードフレーム
用材を５０℃、４５°Ｂｃの塩化第二鉄液で約１．５ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力でスプレーエッチングし、水洗、乾燥
して、所望のパターンを有するリードフレーム用材を得
た。（以上前工程）
からなるリードフレーム用材の両面に、東京応化工業社
製のフォトレジストＰＭＥＲ（レジスト剤６）を浸漬塗
布法により厚さ１０μｍで塗布し、７０℃３０分間クリ
ーンオーブンで乾燥させた。所望のパターンを有するフ
ォトマスクを表裏両面から精度よく挟み込み、脱気後、
超高圧水銀灯にて露光する。このとき露光量は２００ｍ
Ｊ／ｃｍ2 であった。この後ＰＭＥＲ用現像液を用い、
約１．０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でスプレー現像を室温で行
い、水洗、乾燥させて、１１０℃、３０分間加熱させ
た。所望のレジストパターンが得られたリードフレーム
用材を５０℃、４５°Ｂｃの塩化第二鉄液で約１．５ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力でスプレーエッチングし、水洗、乾燥
して、所望のパターンを有するリードフレーム用材を得
た。（以上前工程）
【００１６】このリードフレーム用材のインナーリード
先端部とアイランド部が露出し、他の部分は電着液と接
触しないように設計したマスク板を用いてリードフレー
ム用材を表裏両側から挟み込み、このリードフレーム用
材を陽極とし、ＳＵＳ３０４板を陰極として、東亜合成
化学工業社製の電着塗料アロンＥＤ−５０１０（電着樹
脂剤）により電着槽にて電着を行った。条件としては、
浴温２０℃、印加電圧４０Ｖ、時間３分であった。その
後、１５０℃、２０分間加熱硬化させた。このとき得ら
れた電着樹脂層の厚さは約５μｍであった。この後、上
記エッチングレジストを、５％ＮａＯＨ水溶液（室温）
中に浸漬させることにより剥離させ、水洗、乾燥を行っ
た。このようにして得られた一対のリードフレーム用材
を重ね合わせて所要箇所をレーザースポット溶接して、
目的のリードフレームが得られた。
先端部とアイランド部が露出し、他の部分は電着液と接
触しないように設計したマスク板を用いてリードフレー
ム用材を表裏両側から挟み込み、このリードフレーム用
材を陽極とし、ＳＵＳ３０４板を陰極として、東亜合成
化学工業社製の電着塗料アロンＥＤ−５０１０（電着樹
脂剤）により電着槽にて電着を行った。条件としては、
浴温２０℃、印加電圧４０Ｖ、時間３分であった。その
後、１５０℃、２０分間加熱硬化させた。このとき得ら
れた電着樹脂層の厚さは約５μｍであった。この後、上
記エッチングレジストを、５％ＮａＯＨ水溶液（室温）
中に浸漬させることにより剥離させ、水洗、乾燥を行っ
た。このようにして得られた一対のリードフレーム用材
を重ね合わせて所要箇所をレーザースポット溶接して、
目的のリードフレームが得られた。
【００１７】実施例２ この実施例２はその前工程が上記実施例１の前工程と同
じであり、省略する。前工程で得られたリードフレーム
用材を陽極とし、陰極にはＳＵＳ３０４板を用い、東亜
合成化学工業社製のフォトイマージＥＤ（感光性電着レ
ジスト剤）により電着槽にて電着を行った。条件として
は、温度２５℃、電流密度６０ｍＡ／ｄｍ2 、時間１分
３０秒であった。その後、９０℃、１０分間乾燥させ
た。リードフレーム用材におれるインナーリード先端部
側領域での側面に付いた電着層（感光性電着レジスト
剤）は膜厚が５μｍであった。つぎにインナーリード先
端部とアイランド部のみに光が当たるようなフォトマス
クを用い、リードフレーム用材の表裏両側から露光を行
った。この後１％の無水炭酸ソーダ（３０℃）でスプレ
ー現像（圧１．５ｋｇ／ｃｍ2 ）を行い、水洗した（イ
ンナーリード側面の余剰部分に付いた前記感光性電着レ
ジスト剤を取り去り、インナーリード先端部側面及びア
イランド部の側面にこの感光性電着レジスト剤を残
す）。この後、レジスト剤を５％ＮａＯＨ水溶液（室
温）中に浸漬させることにより剥離し、水洗、乾燥を行
った。このようにして得られた一対のリードフレーム用
材を重ね合わせて所要箇所をレーザースポット溶接し
て、目的のリードフレームが得られた。
じであり、省略する。前工程で得られたリードフレーム
用材を陽極とし、陰極にはＳＵＳ３０４板を用い、東亜
合成化学工業社製のフォトイマージＥＤ（感光性電着レ
ジスト剤）により電着槽にて電着を行った。条件として
は、温度２５℃、電流密度６０ｍＡ／ｄｍ2 、時間１分
３０秒であった。その後、９０℃、１０分間乾燥させ
た。リードフレーム用材におれるインナーリード先端部
側領域での側面に付いた電着層（感光性電着レジスト
剤）は膜厚が５μｍであった。つぎにインナーリード先
端部とアイランド部のみに光が当たるようなフォトマス
クを用い、リードフレーム用材の表裏両側から露光を行
った。この後１％の無水炭酸ソーダ（３０℃）でスプレ
ー現像（圧１．５ｋｇ／ｃｍ2 ）を行い、水洗した（イ
ンナーリード側面の余剰部分に付いた前記感光性電着レ
ジスト剤を取り去り、インナーリード先端部側面及びア
イランド部の側面にこの感光性電着レジスト剤を残
す）。この後、レジスト剤を５％ＮａＯＨ水溶液（室
温）中に浸漬させることにより剥離し、水洗、乾燥を行
った。このようにして得られた一対のリードフレーム用
材を重ね合わせて所要箇所をレーザースポット溶接し
て、目的のリードフレームが得られた。
【００１８】上記実施例１，２では元材のリードフレー
ム用材から所定のパターンを有するリードフレーム用材
を得るためのレジスト剤を、絶縁保護層を形成する際に
も利用しているものである。しかし本発明はこれに限定
されるものではなく、各種の方法によって得られた所定
のパターンを有するリードフレーム用材において、実施
例１のごとくこのリードフレーム用材におけるインナー
リード先端部側領域の側面のみが表出するマスク板で表
裏両面から覆い、前記側面に電着樹脂層を形成するよう
にすることができる。また所定のパターンを有するリー
ドフレーム用材において、実施例２のごとくこのリード
フレーム用材におけるインナーリードの側面が表出する
マスク板で表裏両面から覆い、前記側面に感光性電着レ
ジスト剤を形成し、上述のごとく所定パターンでの露
光、現像を経て、インナーリード先端部側面に前記感光
性電着レジスト剤からなる保護層を形成することも可能
である。
ム用材から所定のパターンを有するリードフレーム用材
を得るためのレジスト剤を、絶縁保護層を形成する際に
も利用しているものである。しかし本発明はこれに限定
されるものではなく、各種の方法によって得られた所定
のパターンを有するリードフレーム用材において、実施
例１のごとくこのリードフレーム用材におけるインナー
リード先端部側領域の側面のみが表出するマスク板で表
裏両面から覆い、前記側面に電着樹脂層を形成するよう
にすることができる。また所定のパターンを有するリー
ドフレーム用材において、実施例２のごとくこのリード
フレーム用材におけるインナーリードの側面が表出する
マスク板で表裏両面から覆い、前記側面に感光性電着レ
ジスト剤を形成し、上述のごとく所定パターンでの露
光、現像を経て、インナーリード先端部側面に前記感光
性電着レジスト剤からなる保護層を形成することも可能
である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した本発明の構成により、リー
ドフレームにおけるインナーリードの先端部側面に絶縁
保護層が設けられているので、インナーリードの間隔が
極めて小さい場合でもインナーリードが相互に接触せ
ず、従来の樹脂モールドでの不良発生を解消することが
できるなど、実用性に優れた効果を奏するものである。
ドフレームにおけるインナーリードの先端部側面に絶縁
保護層が設けられているので、インナーリードの間隔が
極めて小さい場合でもインナーリードが相互に接触せ
ず、従来の樹脂モールドでの不良発生を解消することが
できるなど、実用性に優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明に係るリードフレームの一実施例の要部
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図２】本発明に係るリードフレームの製造方法の一実
施例におけるレジスト剤のコート状態を示す説明図であ
る。
施例におけるレジスト剤のコート状態を示す説明図であ
る。
【図３】同じくレジストパターンの形成を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】エッチングを示す説明図である。
【図５】絶縁保護層の形成を示す説明図である。
【図６】レジスト剤を除去した状態を示す説明図であ
る。
る。
【図７】二枚のリードフレーム用材を重ね合わせた状態
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図８】二種のリードフレーム用材に対するエッチング
を示すもので、（Ａ）はアイランド部を持たないリード
フレーム用材のエッチングを示し、（Ｂ）はアイランド
部を有するリードフレーム用材のエッチングを示す説明
図である。
を示すもので、（Ａ）はアイランド部を持たないリード
フレーム用材のエッチングを示し、（Ｂ）はアイランド
部を有するリードフレーム用材のエッチングを示す説明
図である。
【図９】二種のリードフレーム用材に対する保護層形成
を示すもので、（Ａ）はアイランド部を持たないリード
フレーム用材を示し、（Ｂ）はアイランド部を有するリ
ードフレーム用材を示す説明図である。
を示すもので、（Ａ）はアイランド部を持たないリード
フレーム用材を示し、（Ｂ）はアイランド部を有するリ
ードフレーム用材を示す説明図である。
【図１０】二種のリードフレーム用材に対するレジスト
剤の除去を示すもので、（Ａ）はアイランド部を持たな
いリードフレーム用材を示し、（Ｂ）はアイランド部を
有するリードフレーム用材を示す説明図である。
剤の除去を示すもので、（Ａ）はアイランド部を持たな
いリードフレーム用材を示し、（Ｂ）はアイランド部を
有するリードフレーム用材を示す説明図である。
１…リードフレーム ２…アイランド部 ３…リード部 ４ａ，４ｂ…インナーリード ５…絶縁保護層 ６…レジスト剤 ａ，ｂ，ｃ…リードフレーム用材
Claims (6)
- 【請求項１】アイランド部、リード部、外枠部を有する
リードフレームにおいて、 インナーリードの先端部の側面に樹脂層からなる絶縁保
護層が設けられていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】所定のパターン形成が行われた二枚のリー
ドフレーム用材を、上位のインナーリード間に下位のイ
ンナーリードが配置するように重ね合わせて、アイラン
ド部、リード部、外枠部を有するリードフレームにおい
て、 インナーリードの先端部の側面に樹脂層からなる絶縁保
護層が設けられていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項３】リードフレーム用材にレジスト剤を所定の
パターンで設けて、該リードフレーム用材にエッチング
を施し、 前記エッチングによりパターン形成されたリードフレー
ム用材を電極として、このリードフレーム用材における
インナーリード先端部側領域の側面に電着樹脂層からな
る絶縁保護層を電着形成し、 前記電着樹脂層を加熱硬化させた後に前記レジスト剤を
除去することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項４】二枚のリードフレーム用材にレジスト剤を
それぞれ所定のパターンで設けて、該リードフレーム用
材それぞれにエッチングを施し、 前記エッチングによりパターン形成されたリードフレー
ム用材それぞれを電極として、このリードフレーム用材
におけるインナーリード先端部側領域の側面に電着樹脂
層からなる絶縁保護層を電着形成し、 前記電着樹脂層を加熱硬化させた後に前記レジスト剤を
除去したリードフレーム用材を、上位のインナーリード
間に下位のインナーリードが配置するように重ね合わせ
たことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項５】所定のパターン形成が行われたリードフレ
ーム用材を、該リードフレーム用材におけるインナーリ
ード先端部側領域の側面を表出させるマスクで覆い、 このマスクで覆われたリードフレーム用材を電極とし
て、インナーリード先端部側領域の側面に電着樹脂層か
らなる絶縁保護層を電着形成した後、前記マスクを除去
することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項６】所定のパターン形成が行われたリードフレ
ーム用材を、該リードフレーム用材におけるインナーリ
ードの側面を表出させるマスクで覆い、 このマスクで覆われたリードフレーム用材を電極とし
て、インナーリードの側面に感光性電着レジスト剤から
なる絶縁保護層を電着させ、 前記インナーリードの先端部側領域の前記感光性レジス
ト剤が残るパターンで露光、現像を行った後、前記マス
クを除去することを特徴とするリードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27640991A JPH0590475A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | リードフレームとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27640991A JPH0590475A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | リードフレームとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590475A true JPH0590475A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17569007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27640991A Pending JPH0590475A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | リードフレームとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590475A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267554A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-15 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| IT201900009585A1 (it) * | 2019-06-20 | 2020-12-20 | St Microelectronics Srl | Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore e dispositivo a semiconduttore corrispondente |
| US11569179B2 (en) * | 2020-11-19 | 2023-01-31 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Package structure including an outer lead portion and an inner lead portion and method for manufacturing package structure |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP27640991A patent/JPH0590475A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267554A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-15 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| IT201900009585A1 (it) * | 2019-06-20 | 2020-12-20 | St Microelectronics Srl | Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore e dispositivo a semiconduttore corrispondente |
| CN112117197A (zh) * | 2019-06-20 | 2020-12-22 | 意法半导体股份有限公司 | 制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 |
| US11437309B2 (en) | 2019-06-20 | 2022-09-06 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device |
| US11569179B2 (en) * | 2020-11-19 | 2023-01-31 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Package structure including an outer lead portion and an inner lead portion and method for manufacturing package structure |
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