JPH05267794A - 半導体レーザモジュールのチップキャリア固定構造 - Google Patents
半導体レーザモジュールのチップキャリア固定構造Info
- Publication number
- JPH05267794A JPH05267794A JP9361792A JP9361792A JPH05267794A JP H05267794 A JPH05267794 A JP H05267794A JP 9361792 A JP9361792 A JP 9361792A JP 9361792 A JP9361792 A JP 9361792A JP H05267794 A JPH05267794 A JP H05267794A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip carrier
- semiconductor laser
- base
- piece
- welding
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ１の放熱を妨げることなく長期
にわたる光学系の安定性を確保する半導体レーザモジュ
ールのチップキャリア固定構造を提供する。 【構成】 半導体レーザ１をヒートシンク２に載せ、チ
ップキャリア３をヒートシンク２を載せる。チップキャ
リア３をベース４に載せる。チップキャリア３は熱伝導
率の高い放熱片３Ａと、放熱片３Ａ上にろう付けされる
セラミック電極３Ｂと、放熱片３Ａの両側面にろう付け
される溶接片３Ｃにより構成される。ベース４は熱伝導
率の高い放熱板４Ａと、放熱板４Ａの両側面にろう付け
される溶接板４Ｂにより構成される。チップキャリア３
の溶接片３Ｃとベース４の溶接板４Ｂは溶接される。
にわたる光学系の安定性を確保する半導体レーザモジュ
ールのチップキャリア固定構造を提供する。 【構成】 半導体レーザ１をヒートシンク２に載せ、チ
ップキャリア３をヒートシンク２を載せる。チップキャ
リア３をベース４に載せる。チップキャリア３は熱伝導
率の高い放熱片３Ａと、放熱片３Ａ上にろう付けされる
セラミック電極３Ｂと、放熱片３Ａの両側面にろう付け
される溶接片３Ｃにより構成される。ベース４は熱伝導
率の高い放熱板４Ａと、放熱板４Ａの両側面にろう付け
される溶接板４Ｂにより構成される。チップキャリア３
の溶接片３Ｃとベース４の溶接板４Ｂは溶接される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザモジュ
ールのチップキャリア固定構造についてのものである。
ールのチップキャリア固定構造についてのものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザモジュールは、ケース内に
半導体レーザ、集光レンズ、モニタ用フォトダイオード
などを収納し、ケース側面に光ファイバを固定する。ま
た、半導体レーザは、熱により出力光が変動するので、
半導体レーザの温度を一定にする目的で電子冷却素子を
使用する。
半導体レーザ、集光レンズ、モニタ用フォトダイオード
などを収納し、ケース側面に光ファイバを固定する。ま
た、半導体レーザは、熱により出力光が変動するので、
半導体レーザの温度を一定にする目的で電子冷却素子を
使用する。
【０００３】次に、従来技術による半導体レーザモジュ
ールの構成を図２により説明する。図２の１は半導体レ
ーザ、２はヒートシンク、５はチップキャリア、６はベ
ース、７Ａは集光レンズ、７Ｂはモニタ用フォトダイオ
ード、７Ｃは電子冷却素子、７Ｄはケース、７Ｅは蓋、
８Ａは光ファイバリング、８Ｂはフェルール、８Ｃは光
ファイバである。
ールの構成を図２により説明する。図２の１は半導体レ
ーザ、２はヒートシンク、５はチップキャリア、６はベ
ース、７Ａは集光レンズ、７Ｂはモニタ用フォトダイオ
ード、７Ｃは電子冷却素子、７Ｄはケース、７Ｅは蓋、
８Ａは光ファイバリング、８Ｂはフェルール、８Ｃは光
ファイバである。
【０００４】半導体レーザ１はヒートシンク２に載せら
れ、ヒートシンク２はチップキャリア５に載せられる。
チップキャリア５はベース６に固定され、ベース６には
集光レンズ７Ａが取り付けられる。モニタ用フォトダイ
オード７Ｂはベース６に取り付けられ、ベース６の底面
とケース７Ｄの間には電子冷却素子７Ｃが取り付けられ
る。ケース７Ｄは、蓋７Ｅで密閉される。フェルール８
Ｂで保護される光ファイバ８Ｃは光ファイバリング８Ａ
を介してケース７Ｄの側面にＹＡＧレーザ溶接などで固
定される。
れ、ヒートシンク２はチップキャリア５に載せられる。
チップキャリア５はベース６に固定され、ベース６には
集光レンズ７Ａが取り付けられる。モニタ用フォトダイ
オード７Ｂはベース６に取り付けられ、ベース６の底面
とケース７Ｄの間には電子冷却素子７Ｃが取り付けられ
る。ケース７Ｄは、蓋７Ｅで密閉される。フェルール８
Ｂで保護される光ファイバ８Ｃは光ファイバリング８Ａ
を介してケース７Ｄの側面にＹＡＧレーザ溶接などで固
定される。
【０００５】次に、図２のチップキャリア５付近の詳細
構造を図３により説明する。図３のチップキャリア５は
放熱片５Ａとセラミック電極５Ｂで構成される。セラミ
ック電極５Ｂは放熱片５Ａ上にろう付けされ、チップキ
ャリア５はベース６に半田６Ａにより固定される。半導
体レーザ１はボンディングワイヤ５Ｃによりセラミック
電極５Ｂに接続され、ヒートシンク２はボンディングワ
イヤ５Ｃにより放熱片５Ａに電気的に接続される。
構造を図３により説明する。図３のチップキャリア５は
放熱片５Ａとセラミック電極５Ｂで構成される。セラミ
ック電極５Ｂは放熱片５Ａ上にろう付けされ、チップキ
ャリア５はベース６に半田６Ａにより固定される。半導
体レーザ１はボンディングワイヤ５Ｃによりセラミック
電極５Ｂに接続され、ヒートシンク２はボンディングワ
イヤ５Ｃにより放熱片５Ａに電気的に接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３の半導体レーザ１
と電子冷却素子７Ｃの間の熱抵抗を小さくするため、チ
ップキャリア５の放熱片５Ａとベース６には、熱伝導率
の高い金属製のものを使用する。このため、チップキャ
リア５とベース６を溶接で固定することができないの
で、チップキャリア５とベース６を半田６Ａで固定し、
半田６Ａの熱が半導体レーザ１に伝導しないように、半
田６Ａには融点の低いものを使用する。しかし、半田に
は時間と共にひずむクリープ現象がおきやすい。このた
め半導体レーザ１の位置が時間と共に変化することにな
り、長期にわたって光学系の安定性を確保できないとい
う問題がある。
と電子冷却素子７Ｃの間の熱抵抗を小さくするため、チ
ップキャリア５の放熱片５Ａとベース６には、熱伝導率
の高い金属製のものを使用する。このため、チップキャ
リア５とベース６を溶接で固定することができないの
で、チップキャリア５とベース６を半田６Ａで固定し、
半田６Ａの熱が半導体レーザ１に伝導しないように、半
田６Ａには融点の低いものを使用する。しかし、半田に
は時間と共にひずむクリープ現象がおきやすい。このた
め半導体レーザ１の位置が時間と共に変化することにな
り、長期にわたって光学系の安定性を確保できないとい
う問題がある。
【０００７】この発明は、チップキャリアを熱伝導率の
高い放熱片と、放熱片上にろう付けされるセラミック電
極と、放熱片の両側面にろう付けされる溶接片により構
成し、ベースを熱伝導率の高い放熱板と、放熱板の両側
面にろう付けされる溶接板により構成し、チップキャリ
アの溶接片とベースの溶接板を溶接することにより、半
導体レーザの放熱を妨げることなく長期にわたる光学系
の安定性を確保するチップキャリア固定構造の提供を目
的とする。
高い放熱片と、放熱片上にろう付けされるセラミック電
極と、放熱片の両側面にろう付けされる溶接片により構
成し、ベースを熱伝導率の高い放熱板と、放熱板の両側
面にろう付けされる溶接板により構成し、チップキャリ
アの溶接片とベースの溶接板を溶接することにより、半
導体レーザの放熱を妨げることなく長期にわたる光学系
の安定性を確保するチップキャリア固定構造の提供を目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明では、半導体レーザ１を載せるヒートシン
ク２と、ヒートシンク２を載せるチップキャリア３と、
チップキャリア３を載せるベース４とを備え、チップキ
ャリア３は熱伝導率の高い放熱片３Ａと、放熱片３Ａ上
にろう付けされるセラミック電極３Ｂと、放熱片３Ａの
両側面にろう付けされる溶接片３Ｃにより構成され、ベ
ース４は熱伝導率の高い放熱板４Ａと、放熱板４Ａの両
側面にろう付けされる溶接板４Ｂにより構成され、チッ
プキャリア３の溶接片３Ｃとベース４の溶接板４Ｂを溶
接する。
に、この発明では、半導体レーザ１を載せるヒートシン
ク２と、ヒートシンク２を載せるチップキャリア３と、
チップキャリア３を載せるベース４とを備え、チップキ
ャリア３は熱伝導率の高い放熱片３Ａと、放熱片３Ａ上
にろう付けされるセラミック電極３Ｂと、放熱片３Ａの
両側面にろう付けされる溶接片３Ｃにより構成され、ベ
ース４は熱伝導率の高い放熱板４Ａと、放熱板４Ａの両
側面にろう付けされる溶接板４Ｂにより構成され、チッ
プキャリア３の溶接片３Ｃとベース４の溶接板４Ｂを溶
接する。
【０００９】
【作用】次に、この発明によるチップキャリア固定構造
を図１により説明する。図１の３はチップキャリア、４
はベースである。チップキャリア３は熱伝導率の高い放
熱片３Ａと、放熱片３Ａ上にろう付けされるセラミック
電極３Ｂと、放熱片３Ａの両側面にろう付けされる溶接
片３Ｃにより構成される。ベース４は熱伝導率の高い放
熱板４Ａと、放熱板４Ａの両側面にろう付けされる溶接
板４Ｂにより構成される。
を図１により説明する。図１の３はチップキャリア、４
はベースである。チップキャリア３は熱伝導率の高い放
熱片３Ａと、放熱片３Ａ上にろう付けされるセラミック
電極３Ｂと、放熱片３Ａの両側面にろう付けされる溶接
片３Ｃにより構成される。ベース４は熱伝導率の高い放
熱板４Ａと、放熱板４Ａの両側面にろう付けされる溶接
板４Ｂにより構成される。
【００１０】半導体レーザ１はボンディングワイヤ３Ｄ
によりセラミック電極３Ｂに電気的に接続され、ヒート
シンク２はボンディングワイヤ５Ｃにより放熱片５Ａに
電気的に接続される。チップキャリア３の溶接片３Ｃと
ベース４の溶接板４ＢはＹＡＧレーザなどによる溶接部
４Ｃにより溶接される。ベース４の底面には、図２と同
じように電子冷却素子７Ｃが取り付けられる。放熱片３
Ａと放熱板４Ａには熱伝導率の高い金属を使用し、溶接
片３Ｃと溶接板４ＢにはＳＵＳ３０４などの溶接性のよ
いものを使用する。
によりセラミック電極３Ｂに電気的に接続され、ヒート
シンク２はボンディングワイヤ５Ｃにより放熱片５Ａに
電気的に接続される。チップキャリア３の溶接片３Ｃと
ベース４の溶接板４ＢはＹＡＧレーザなどによる溶接部
４Ｃにより溶接される。ベース４の底面には、図２と同
じように電子冷却素子７Ｃが取り付けられる。放熱片３
Ａと放熱板４Ａには熱伝導率の高い金属を使用し、溶接
片３Ｃと溶接板４ＢにはＳＵＳ３０４などの溶接性のよ
いものを使用する。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、チップキャリアを熱
伝導率の高い放熱片と、放熱片上にろう付けされるセラ
ミック電極と、放熱片の両側面にろう付けされる溶接片
により構成し、ベースを熱伝導率の高い放熱板と、放熱
板の両側面にろう付けされる溶接板により構成し、溶接
片と溶接板を溶接することで、半導体レーザと電子冷却
素子の間の熱抵抗を小さくすることができ、チップキャ
リアとベースを溶接により固定することができるので、
半導体レーザの放熱を妨げることなく長期にわたる光学
系の安定性を確保することができる。
伝導率の高い放熱片と、放熱片上にろう付けされるセラ
ミック電極と、放熱片の両側面にろう付けされる溶接片
により構成し、ベースを熱伝導率の高い放熱板と、放熱
板の両側面にろう付けされる溶接板により構成し、溶接
片と溶接板を溶接することで、半導体レーザと電子冷却
素子の間の熱抵抗を小さくすることができ、チップキャ
リアとベースを溶接により固定することができるので、
半導体レーザの放熱を妨げることなく長期にわたる光学
系の安定性を確保することができる。
【図１】この発明によるチップキャリア固定構造であ
る。
る。
【図２】従来技術による半導体レーザモジュールの構成
図である。
図である。
【図３】図２のチップキャリア５付近の詳細構造図であ
る。
る。
１ 半導体レーザ ２ ヒートシンク ３ チップキャリア ３Ａ 放熱片 ３Ｂ セラミック電極 ３Ｃ 溶接片 ４ ベース ４Ａ 放熱板 ４Ｂ 溶接板
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザ(1) を載せるヒートシンク
(2) と、 ヒートシンク(2) を載せるチップキャリア(3) と、 チップキャリア(3) を載せるベース(4) とを備え、 チップキャリア(3) は熱伝導率の高い放熱片(3A)と、放
熱片(3A)上にろう付けされるセラミック電極(3B)と、放
熱片(3A)の両側面にろう付けされる溶接片(3C)により構
成され、 ベース(4) は熱伝導率の高い放熱板(4A)と、放熱板(4A)
の両側面にろう付けされる溶接板(4B)により構成され、 チップキャリア(3) の溶接片(3C)とベース(4) の溶接板
(4B)を溶接することを特徴とする半導体レーザモジュー
ルのチップキャリア固定構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9361792A JPH05267794A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体レーザモジュールのチップキャリア固定構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9361792A JPH05267794A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体レーザモジュールのチップキャリア固定構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267794A true JPH05267794A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=14087286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9361792A Pending JPH05267794A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体レーザモジュールのチップキャリア固定構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267794A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011081343A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-04-21 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd | 溶接可能な挿入部を有する並列光通信装置 |
| WO2021131171A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | レーザ光源 |
| CN115769123A (zh) * | 2021-03-25 | 2023-03-07 | 华为技术有限公司 | 一种驱动马达、摄像头模组和电子设备 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP9361792A patent/JPH05267794A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011081343A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-04-21 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd | 溶接可能な挿入部を有する並列光通信装置 |
| WO2021131171A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | レーザ光源 |
| JPWO2021131171A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | ||
| JP2024147733A (ja) * | 2019-12-26 | 2024-10-16 | 日亜化学工業株式会社 | レーザ光源 |
| US12413040B2 (en) | 2019-12-26 | 2025-09-09 | Nichia Corporation | Laser light source |
| CN115769123A (zh) * | 2021-03-25 | 2023-03-07 | 华为技术有限公司 | 一种驱动马达、摄像头模组和电子设备 |
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