JPH05267909A

JPH05267909A - アンテナ共用器

Info

Publication number: JPH05267909A
Application number: JP6407192A
Authority: JP
Inventors: Toshio Shimizu; 利雄清水; Satoshi Kazama; 智風間; Jiro Ogiwara; 次朗荻原; Tatsuya Imaizumi; 達也今泉
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1992-03-19
Filing date: 1992-03-19
Publication date: 1993-10-15

Abstract

(57)【要約】【目的】配置に影響されずに所望の特性が得られる小
型のアンテナ共用器を提供すること。【構成】比誘電率が低い低温焼成セラミックスからな
る多層回路基板100 に所定の特性インピーダンスを有す
るストリップライン135,136,155 からなる伝送ラインを
形成し、アンテナＡＮＴと送信フィルタＴＸＦ及び受信
フィルタＲＸＦの接続における位相調整を行う。【効果】一層当たりの面積を縮小することができ、小
型に形成することができる。また、各ストリップライン
135,136,155 はアースパターン124,143,156 の間に形成
されるので、浮遊容量の発生を防止でき、安定した接地
電位を得られる。さらに、伝送ラインを比抵抗の小さい
材料、例えば銀、銅等によって形成することができるの
で、共用器における電力ロス等を低減することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アンテナ共用器の改良
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、１つのアンテナを送信機及び受信
機で共用できるように分波する役割をアンテナ共用器が
担っている。図２は従来のアンテナ共用器の一例を示す
構成図で、送信フィルタＴＸＦと受信フィルタＲＸＦを
一体として１つのケース内に納める場合のものである。
図において、１は例えばアルミナからなる単層回路基板
（以下、基板と称する）で、基板１上に送信フィルタＴ
ＸＦ及び受信フィルタＲＸＦが形成され、これらは金属
ケースＡ内に収納されている。

【０００３】送信フィルタＴＸＦ及び受信フィルタＲＸ
Ｆのそれぞれは、複数の同軸共振器２及びこれらを結合
するコンデンサ３から構成されている。さらに、送信フ
ィルタＴＸＦ及び受信フィルタＲＸＦの一端は、基板１
に形成された結合部１０を介して図示せぬアンテナに接
続され、それぞれの他端は接続部４，５を介して送信機
或いは受信機に接続されるようになっている。

【０００４】図３の(a) は結合部１０を示す構成図、図
３の(b) は等価回路図である。結合部１０においては、
基板１の表面には略正方形状の電極１２〜１４が所定の
間隔を開けて形成されると共に、これらの電極１２〜１
４の間は、所定の特性インピーダンスを有する導体パタ
ーン１５，１６によって接続されている。さらに、基板
１の裏面には、電極１２〜１４に対向するように電極１
７〜１９が形成され、これらは接地されている。

【０００５】前述の構成によれば、送信フィルタＴＸＦ
及び受信フィルタＲＸＦのそれぞれは電極１２，１３に
接続され、アンテナＡＮＴは電極１４に接続される。こ
れにより、対向して設けられた３組の電極１２〜１４，
１７〜１９のそれぞれによってキャパシタＣ１〜Ｃ４が
形成されると共に、導体パターン１５，１６によってイ
ンダクタＬ１，Ｌ２が形成さる。従って、これらのキャ
パシタＣ１〜Ｃ４及びインダクタＬ１，Ｌ２によって構
成されるπ型インバータ回路によって位相調整されて、
１つのアンテナを送信器と受信機で共用することができ
る。さらに、キャパシタＣ１〜Ｃ４及びインダクタＬ
１，Ｌ２をパターンによって形成しているので、部品点
数を削減できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のアンテナ共用器においては、単層の基板１に形
成した導体パターン１５，１６によってインダクタを構
成しているので、基板１の面積を小さくすることができ
ず、小型化に難点があった。

【０００７】また、基板１の比誘電率を高くすることに
より導体パターン１５，１６の長さを短く形成すること
ができるが、この場合伝送路の特性インピーダンスを所
定値、例えば５０Ωに保つためにはライン幅を狭くしな
ければならない。このため、ライン幅のばらつきにより
特性インピーダンスが大きく変化し、歩留まりが悪くな
ると共に、製造上、特性にバラツキが生じる。

【０００８】さらに、基板１を上位装置の金属ケースに
収納した場合、図４の(a) に示すように、収納率を高め
るために基板１はケースＡに接近して配置されることが
多い。このため、基板１とケースＡとの距離が非常に短
くなるので、インダクタＬ１，Ｌ２を形成する導体パタ
ーン１５，１６と金属ケースＡとの間に浮遊容量が発生
し、所望の特性が得られなかった。これを回避するため
に、図３の(b) に示すように、基板１に対向する金属ケ
ースＡに凹凸を形成し、浮遊容量の発生を低減すること
が試みられたが、ケースの加工や組立作業効率の悪化等
の問題が発生し、コストの増加につながってしまった。

【０００９】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、配置
に影響されずに所望の特性が得られる小型のアンテナ共
用器を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、送信フィルタ及び受信フィ
ルタと、これらのフィルタの結合回路とを有するアンテ
ナ共用器において、セラミックスからなる多層回路基板
内に伝送ラインを形成すると共に、前記多層基板上に前
記送信フィルタ及び受信フィルタを配置したアンテナ共
用器を提案する。

【００１１】また、請求項２では、請求項１記載のアン
テナ共用器において、位相調整用のキャパシタ或いはイ
ンダクタを前記多層回路基板内部に設けたアンテナ共用
器を提案する。

【００１２】さらに、請求項３では、請求項１または２
記載のアンテナ共用器において、少なくとも前記伝送ラ
インの一部を所定の特性インピーダンスを有する位相調
整用のマイクロストリップライン或いはストリップライ
ンによって形成したアンテナ共用器を提案する。

【００１３】

【作用】本発明の請求項１によれば、伝送ラインは、例
えば比誘電率が低い低温焼成セラミックスからなる多層
回路基板に形成される。これにより、前記伝送ラインを
前記多層回路基板の各層に亙って形成することが可能と
なると共に、前記伝送ラインを、高温焼成においては融
点が低くて使用できない比抵抗の小さい材料、例えば
銀、銅等によって形成することができる。また、前記多
層回路基板の比誘電率を低くすることが可能であるた
め、前記伝送ラインをストリップライン或いはマイクロ
ストリップライン等によって構成する場合においても、
前記伝送ラインを厚膜によって容易に形成することがで
きる。

【００１４】また、請求項２によれば、位相調整用のキ
ャパシタ或いはインダクタは前記多層回路基板の内部に
設けられる。

【００１５】さらに、請求項３によれば、少なくとも前
記伝送ラインの一部が所定の特性インピーダンスを有す
る位相調整用のマイクロストリップライン或いはストリ
ップラインによって形成される。

【００１６】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。また、実施例におけるアンテナ共用器の全体の構
成は図２に示す従来例とほぼ同一であり、相違点は基板
１を多層回路基板によって構成すると共に、結合部１０
を多層回路基板中に構成された結合部としたことにあ
る。以下の説明においては、主に結合部について説明す
る。

【００１７】図１は本発明の第１の実施例を示す図で、
図１の(a) は分解斜視図、図１の(b) は等価回路図であ
る。図において、100 は多層回路基板（以下、基板と称
する）、101 はアンテナＡＮＴと送信フィルタＴＸＦ及
び受信フィルタＲＸＦとを接続する結合部である。基板
100 は、例えばＡｌ₂Ｏ₃・ＣａＯ−ＳｉＯ₂・ＭｇＯ
・Ｂａ₂Ｏ₃からなり比誘電率が6.9 のシートにＡｇに
よって電極及び伝送ラインを印刷し、約950 度程度の温
度で焼成した低温焼成セラミックスによって形成されて
いる。さらにこの後、基板100 の表面のパターン、即ち
第１層110 の上面の電極111 〜113 及び第５層150 の下
面のアースパターン156 のみ、再度ＡｇＰｔを用いて形
成される。

【００１８】基板100 は５つの層110 〜150 によって構
成され、各層110 〜150 のそれぞれは約200 μｍの厚さ
に形成されている。第１層110 の上面にはアンテナＡＮ
Ｔ、及び送信フィルタＴＸＦ、受信フィルタＲＸＦのそ
れぞれに対応して略正方形状の電極111 〜113 が形成さ
れ、第２層120 の上面には、第１層110 の電極111 〜11
3 に対応する位置にランド121 〜123 が形成されると共
に、ランド121 〜123以外の部分にはアース用のパター
ン124 が形成されている。さらに、ランド121〜123 の
それぞれは第１層110 に設けられたヴィアホールによっ
て対応する電極111 〜113 に導電接続されている。

【００１９】また、第３層130 の上面には、その４隅に
ランド131 〜134 が形成されると共に、ストリップライ
ン135,136 が形成されている。ストリップライン135,13
6 のそれぞれは蛇行して形成され、これらによって伝送
線路が構成されている。ストリップライン135,136 のそ
れぞれの一端135a,136a は、第２層120 のランド122,12
3 に対応する位置に形成され、ヴィアホールを介してラ
ンド122,123 に導電接続されると共に、ストリップライ
ン136 の他端136bはランド121 に対応する位置に形成さ
れ、ヴィアホールを介してランド121 に導電接続されて
いる。さらに、ランド131 〜134 のそれぞれはヴィアホ
ールを介して第２層120 のアースパターン124 に導電接
続されている。

【００２０】第４層140 の上面には、ストリップライン
135 の他端135bに対応する位置にランド141 が、またス
トリップライン136 の他端136bに対応する位置にランド
142がそれぞれ形成されると共に、これ以外の部分には
アースパターン143 が形成されている。また、ランド14
1 はヴィアホールを介してストリップライン135 の他端
135bに導電接続され、ランド142 はヴィアホールを介し
てストリップライン136 の他端136bに導電接続されてい
る。さらに、アースパターン143 はヴィアホールを介し
て第３層130 のランド131 〜134 のそれぞれに導電接続
されている。

【００２１】第５層150 の上面には、その４隅にランド
151 〜154 が形成されると共に、ストリップライン155
が蛇行して形成され、伝送線路が構成されている。スト
リップライン155 の一端155aはランド141 に対応する位
置に形成され、ヴィアホールを介してランド141 に導電
接続されている。また、ストリップライン155 の他端15
5bはランド142 に対応する位置に形成され、ヴィアホー
ルを介してランド142に導電接続されている。さらに、
第５層150 の下面全面にはアースパターン156が形成さ
れ、アースパターン156 はランド151 〜154 と共にヴィ
アホールを介してアースパターン143 に導電接続されて
いる。

【００２２】前述の構成よりなる第１の実施例によれ
ば、アースパターン124 とアースパターン143 の間に特
性インピーダンス５０Ωのストリップライン135,136 が
構成され、アースパターン143 とアースパターン156 と
の間にストリップライン135 の延長の特性インピーダン
ス５０Ωのストリップライン155 が構成される。アンテ
ナＡＮＴ及び送信フィルタＴＸＦ、受信フィルタＲＸＦ
のそれぞれは、対応する電極111 〜113 に接続される。
これにより、アンテナＡＮＴと送信フィルタＴＸＦとの
間は特性インピーダンス５０Ωのストリップライン135,
155 により接続され、またアンテナＡＮＴと受信フィル
タＲＸＦとの間は特性インピーダンス５０Ωのストリッ
プライン136 によって接続され、位相調整される。

【００２３】また、多層基板100 を用いることにより、
複数の層に形成したストリップラインを構成することが
できるので、一層における形成面積を縮小でき、従来よ
りも形状を小型に形成することができる。これにより、
このアンテナ共用器を用いた上位装置の小型化を図るこ
とができる。

【００２４】さらに、基板100 を金属ケース内に収納し
た場合においても、前記伝送線路を構成するストリップ
ライン135,136,155 は多層基板100 の内層に形成され、
基板100 の裏面には全面にアースパターン156 が形成さ
れているので、従来のような浮遊容量の影響を回避で
き、安定した接地電位を得ることができる。

【００２５】また、基板100 の比誘電率が低いのでスト
リップライン135,136,155 を厚膜によって容易に構成で
きると共に、これらを比抵抗の低いＡｇによって形成し
ているので、共用器における電力ロス等を低減すること
ができる。従って、小型にして所望の特性を得ることが
できる。

【００２６】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
図５は第２の実施例を示す図で、図５の(a) は分解斜視
図、図５の(b) は等価回路図である。図において、200
は第１の実施例と同様の多層回路基板（以下、基板と称
する）、201 はアンテナＡＮＴと送信フィルタＴＸＦ及
び受信フィルタＲＸＦとを接続する結合部である。基板
200 波、例えばＡｌ₂Ｏ₃・ＣａＯ−ＳｉＯ₂・ＭｇＯ
・Ｂａ₂Ｏ₃からなり比誘電率が6.9 のシートにＡｇに
よって電極及び伝送ラインを印刷し、約950 度程度の温
度で焼成した低温焼成セラミックスによって形成されて
いる。さらにこの後、基板200 の表面のパターン、即ち
第１層210 の上面の電極211 〜213 、導体パターン214
及び第３層230 の下面のアースパターン233 のみ、再度
ＡｇＰｔを用いて形成される。

【００２７】基板200 は３つの層210 〜230 によって構
成され、各層210 〜230 のそれぞれは約200 μｍの厚さ
に形成されている。第１層210 の上面にはアンテナＡＮ
Ｔ、及び送信フィルタＴＸＦ、受信フィルタＲＸＦのそ
れぞれに対応して略正方形状の電極211 〜213 が形成さ
れ、電極211 と電極212 との間には空芯コイル240 が接
続され、電極211 と電極213 との間は導体パターン214
によって接続されている。また、第２層220 の上面に
は、電極211,212 のそれぞれに対応する位置に長方形状
の電極221,222 が形成され、これらはヴィアホールを介
して対応する電極211,212 に導電接続されている。さら
に、第３層230 の上面には電極221,222 に対向する位置
に電極231,232 が形成され、これらはヴィアホールを介
して第３層230 の下面に形成されたアースパターン233
に導電接続されている。

【００２８】前述の構成よりなる第２の実施例によれ
ば、空芯コイル240 によってインダクタＬ３が構成さ
れ、電極221 と電極231 によってキャパシタＣ５が、ま
た電極222 と電極232 によってキャパシタＣ６がそれぞ
れ構成される。

【００２９】使用に際しては、電極211 にアンテナＡＮ
Ｔが接続され、電極212,213 のそれぞれに送信フィルタ
ＴＸＦ及び受信フィルタＲＸＦが接続される。これによ
り、アンテナＡＮＴと受信フィルタＲＸＦは導体パター
ン214 を介して接続され、アンテナＡＮＴと送信フィル
タＴＸＦは空芯コイル240 、キャパシタＣ５，Ｃ６によ
って構成されるπ型インバータ回路を介して接続され、
アンテナＡＮＴと送信フィルタＴＸＦ及び受信フィルタ
ＲＸＦとの間の位相調整が行われ、送受信機の間でアン
テナＡＮＴを共用することができる。

【００３０】また、多層基板200 を用いることにより、
複数の層に分離して各電極を形成できるので、一層にお
ける形成面積を縮小でき、従来よりも形状を小型に形成
することができる。これにより、このアンテナ共用器を
用いた上位装置の小型化を図ることができる。

【００３１】さらに、基板200 の比誘電率が低いので導
体パターン及び電極を厚膜によって容易に構成できると
共に、これらを比抵抗の低いＡｇによって形成している
ので、共用器における電力ロス等を低減することができ
る。従って、小型にして所望の特性を得ることができ
る。

【００３２】次に、本発明の第３の実施例を説明する。
図６は第３の実施例を示す図で、図６の(a) は分解斜視
図、図６の(b) は等価回路図である。図において、300
は第１及び第２の実施例と同様の多層回路基板（以下、
基板と称する）、301 はアンテナＡＮＴと送信フィルタ
ＴＸＦ及び受信フィルタＲＸＦとを接続する結合部であ
る。基板300 は、例えばＡｌ₂Ｏ₃・ＣａＯ−ＳｉＯ₂
・ＭｇＯ・Ｂａ₂Ｏ₃からなり比誘電率が6.9 のシート
にＡｇによって電極及び伝送ラインを印刷し、約950 度
程度の温度で焼成した低温焼成セラミックスによって形
成されている。さらにこの後、基板300 の表面のパター
ン、即ち第１層310 の上面の電極311 〜313 、インダク
タライン314 及び第４層340 の下面のアースパターン34
4 のみ、再度ＡｇＰｔを用いて形成される。

【００３３】基板300 は４つの層310 〜340 によって構
成され、各層310 〜340 のそれぞれは約200 μｍの厚さ
に形成されている。第１層310 の上面にはアンテナＡＮ
Ｔ、及び送信フィルタＴＸＦ、受信フィルタＲＸＦのそ
れぞれに対応して略正方形状の電極311 〜313 が形成さ
れると共に、電極311 には渦巻状に形成されたインダク
タライン314 の一端314aが接続されている。

【００３４】第２層320 の上面には、第１層310 の電極
311 〜313 に対応する位置にランド321 〜323 が形成さ
れると共に、インダクタライン314 の他端314bに対応す
る位置にランド324 が形成され、ランド322 とランド32
4 は導体パターン325 によって接続されている。また、
ランド321 〜324 及び導体パターン325 以外の部分には
アース用のパターン326 が形成されている。さらに、ラ
ンド321 〜324 のそれぞれは第１層310 に設けられたヴ
ィアホールによって対応する電極311 〜313 及びインダ
クタライン314 に導電接続されている。

【００３５】また、第３層330 の上面には、第２層のア
ースパターン326 に対応する位置にランド331,332 が、
またランド321,322 に対応する位置に電極333,334 がそ
れぞれ形成されると共に、特性インピーダンス５０Ωの
ストリップライン335 が形成されている。ストリップラ
イン335 の一端335aは電極333 に接続され、他端335bは
第２層320 のランド323 に対応する位置に形成され、ヴ
ィアホールを介してランド323 に導電接続されている。
さらに、電極333,334 のそれぞれはヴィアホールを介し
て対応するランド321,322 に導電接続されている。

【００３６】第４層340 の上面には、ストリップライン
335 に対応する位置にアースパターン341 が、また電極
333,334 のそれぞれに対向する位置に電極342,343 が形
成され手いる。さらに、アースパターン341 はヴィアホ
ールを介して第２層320 のアースパターン326 に導電接
続されている。また、第４層340 の下面全面にはアース
パターン346 が形成され、これはヴィアホールを介して
電極342,343 及びアースパターン341 に導電接続されて
いる。

【００３７】前述の構成よりなる第３の実施例によれ
ば、電極333 と電極342 によりキャパシタＣ７が、また
電極334 と電極343 によりキャパシタＣ８がそれぞれ構
成されると共に、インダクタライン314 によってインダ
クタＬ４が構成される。アンテナＡＮＴ及び送信フィル
タＴＸＦ、受信フィルタＲＸＦのそれぞれは、対応する
電極311 〜313 に接続される。これにより、アンテナＡ
ＮＴと送信フィルタＴＸＦとの間はキャパシタＣ７，Ｃ
８及びインダクタＬ４によって構成されるπ型インバー
タ回路によって、またアンテナＡＮＴと受信フィルタＲ
ＸＦとの間は特性インピーダンス５０Ωのストリップラ
イン335 によってそれぞれ接続され、位相調整される。

【００３８】また、多層基板300 を用いることにより、
キャパシタＣ７，Ｃ８及びインダクタＬ４を複数の層に
分離して構成することができるので、一層における形成
面積を縮小でき、従来よりも形状を小型に形成すること
ができる。これにより、このアンテナ共用器を用いた上
位装置の小型化を図ることができる。

【００３９】さらに、基板300 を金属ケースＡ内に収納
した場合においても、基板300 の裏面には全面にアース
パターン344 が形成されているので、従来のような浮遊
容量の影響を回避でき、安定した接地電位を得ることが
できる。さらにまた、基板300 の比誘電率が低いのでス
トリップライン及び電極を厚膜によって容易に構成でき
ると共に、これらを比抵抗の低いＡｇによって形成して
いるので、共用器における電力ロス等を低減することが
できる。従って、小型にして所望の特性を得ることがで
きる。尚、結合部301 に形成される回路をπ型フィルタ
によって構成しても良い。

【００４０】次に、本発明の第４の実施例を説明する。
図７は第４の実施例を示す図で、図７の(a) は分解斜視
図、図７の(b) は等価回路図である。図において、400
は前述と同様の多層回路基板（以下、基板と称する）、
501 はアンテナＡＮＴと送信フィルタＴＸＦ及び受信フ
ィルタＲＸＦとを接続する結合部である。基板400 は、
例えばＡｌ₂Ｏ₃・ＣａＯ−ＳｉＯ₂・ＭｇＯ・Ｂａ₂
Ｏ₃からなり比誘電率が6.9 のシートにＡｇによって電
極及び伝送ラインを印刷し、約950 度程度の温度で焼成
した低温焼成セラミックスによって形成されている。さ
らにこの後、基板400 の表面のパターン、即ち第１層41
0の上面の電極411 〜413 、導体パターン414,415 及び
第５層450 の下面のアースパターン554 のみ、再度Ａｇ
Ｐｔを用いて形成される。

【００４１】基板400 は５つの層410 〜450 によって構
成され、各層410 〜450 のそれぞれは約200 μｍの厚さ
に形成されている。第１層410 の上面には、アンテナＡ
ＮＴ、及び送信フィルタＴＸＦ、受信フィルタＲＸＦの
それぞれに対応して略正方形状の電極411 〜413 が形成
されると共に、一端414a,415a のそれぞれが電極411,41
3 に接続された所定幅を有する略Ｌ字形状のインダクタ
ライン414,415 が形成されている。

【００４２】第２層420 の上面には、第１層410 の電極
411 〜413 に対応する位置にランド421 〜423 が形成さ
れると共に、インダクタライン414,415 のそれぞれに対
応して所定幅を有する略コ字形状のインダクタライン42
4,425 が形成されている。ランド421 〜423 のそれぞれ
はヴィアホールを介して対応する電極411 〜413 に導電
接続され、インダクタライン424 の一端424aはインダク
タライン414 の他端414bに対応した位置に形成され、こ
れらはヴィアホールを介して導電接続されている。ま
た、インダクタライン425 の一端425aはインダクタライ
ン415 の他端415bに対応した位置に形成され、これらは
ヴィアホールを介して導電接続されている。

【００４３】第３層430 の上面には、ランド423 に対応
する位置にランド431 が形成されると共に、略Ｌ字形状
のインダクタライン432,433 が形成され、インダクタラ
イン432 の一端432aはインダクタライン424 の他端424b
に対応する位置に、また他端432bは電極422 に対応する
位置にそれぞれ形成されている。インダクタライン433
の一端433aは電極421 に対応する位置に、また他端433b
はインダクタライン425 の他端425bに対応する位置にそ
れぞれ形成されている。さらに、インダクタライン432
の一端432aとインダクタライン424 の他端424b、及びイ
ンダクタライン432 の他端432bと電極422 はそれぞれヴ
ィアホールを介して導電接続され、インダクタライン43
3 の一端433aと電極421 、及びインダクタライン433 の
他端433bとインダクタライン425 の他端425bはそれぞれ
ヴィアホールを介して導電接続されている。

【００４４】第４層440 の上面には、電極411 〜413 の
それぞれに対応する位置に、これらとヴィアホールを介
して導電接続された長方形状の電極441 〜443 が形成さ
れている。また、第５層450 の上面には電極441 〜443
のそれぞれに対向する電極451 〜453 が形成され、下面
全面にはアースパターン454 が形成されている。さら
に、電極451 〜453 はヴィアホールを介してアースパタ
ーン454 に導電接続されている。

【００４５】前述の構成よりなる第５の実施例によれ
ば、電極441 と電極451 によりキャパシタＣ９，Ｃ１０
が、電極442 と電極452 によりキャパシタＣ１１が、ま
た電極443 と電極453 によりキャパシタＣ１２がそれぞ
れ構成される。さらに、インダクタライン414,424,432
によりインダクタＬ５が、またインダクタライン415,42
5,433 によりインダクタＬ６がそれぞれ構成される。こ
れにより、アンテナＡＮＴと送信フィルタＴＸＦとの間
はキャパシタＣ９、Ｃ１１及びインダクタＬ５によって
構成されるπ型インバータ回路によって、またアンテナ
ＡＮＴと受信フィルタＲＸＦとの間はキャパシタＣ１
０，Ｃ１２及びインダクタＬ６によって構成されるπ型
インバータ回路によってそれぞれ接続され、位相調整さ
れる。

【００４６】また、多層基板400 を用いることにより、
キャパシタＣ９〜Ｃ１７及びインダクタＬ５，Ｌ６を複
数の層に分離して構成することができるので、一層にお
ける形成面積を縮小でき、従来よりも形状を小型に形成
することができる。これにより、このアンテナ共用器を
用いた上位装置の小型化を図ることができる。

【００４７】さらに、基板400 を金属ケースＡ内に収納
した場合においても、基板400 の裏面全体にアースパタ
ーン454 が形成されているため、前記インダクタＬ５，
Ｌ６を構成するインダクタライン414,424,432,415,425,
433 とアースパターン454 との間隔は常に一定であるの
で、インダクタライン414,424,432,415,425,433 と金属
ケースＡとの間の浮遊容量の発生を防止することができ
る。これにより、従来のような浮遊容量の影響を回避で
き、安定した接地電位を得ることができる。

【００４８】さらにまた、基板400 の比誘電率が低いの
でインダクタライン及び電極を厚膜によって容易に構成
できると共に、これらを比抵抗の低いＡｇによって形成
しているので、共用器における電力ロス等を低減するこ
とができる。従って、小型にして所望の特性を得ること
ができる。

【００４９】尚、本実施例では、電極等をＡｇによって
形成したがこれに限定されることはなく、比抵抗の低い
銅等によって形成しても同様の効果を得ることができ
る。

【００５０】また、本実施例では、結合部101 〜401 を
従来と同様の位置、即ち同軸共振器２の一端側に配置す
るようにしたが、これに限定されることはない。例え
ば、同軸共振器２の下部の多層回路基板内に設けること
も可能であり、これにより基板面積をさらに縮小するこ
とができ、アンテナ共用器を、より小型に形成すること
ができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
よれば、伝送ラインを前記多層回路基板の各層に亙って
形成することができるので、一層当たりの面積を縮小す
ることができ、小型に形成することができる。また、前
記伝送ラインを比抵抗の小さい材料、例えば銀、銅等に
よって形成することができると共に、前記多層回路基板
の比誘電率が低いので、前記伝送ラインを厚膜によって
形成することができ、共用器における電力ロス等を低減
することができる。

【００５２】また、請求項２によれば、上記の効果に加
えて、位相調整用のキャパシタ或いはインダクタは前記
多層回路基板の内部に設けられるので、小さなスペース
で位相調整を行うことができる。

【００５３】さらに、請求項３によれば、上記の効果に
加えて、マイクロストリップライン或いはストリップラ
インによって位相調整が行われるので、位相調整にける
外部からの影響を従来に比べて大幅に低減することがで
きるという非常に優れた効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す図

【図２】従来例を示す構成図

【図３】従来例における結合部を示す構成図

【図４】従来例の問題点を説明する図

【図５】本発明の第２の実施例を示す図

【図６】本発明の第３の実施例を示す図

【図７】本発明の第４の実施例を示す図

【符号の説明】

100 〜400 …多層回路基板、110 〜410 …第１層、120
〜420 …第２層、130〜430 …第３層、140,340,440 …
第４層、150,450 …第５層、111 〜113,211 〜213,221,
222,231,232,333,334,342,343,411 〜413,441 〜443,45
1 〜453 …電極、135,136,155,314,335 …ストリップラ
イン、214,325 …導体パターン、314,414,415,424,425,
432,433 …インダクタライン、124,143,156,233,341,34
4,454 …アースパターン、Ｃ１〜Ｃ１２…キャパシタ、
Ｌ１〜Ｌ６…インダクタ、ＡＮＴ…アンテナ、ＴＸＦ…
送信フィルタ、ＲＸＦ…受信フィルタ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者今泉達也東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】送信フィルタ及び受信フィルタと、これ
らのフィルタの結合回路とを有するアンテナ共用器にお
いて、セラミックスからなる多層回路基板内に伝送ラインを形
成すると共に、前記多層基板上に前記送信フィルタ及び受信フィルタを
配置した、ことを特徴とするアンテナ共用器。
【請求項２】位相調整用のキャパシタ或いはインダク
タを前記多層回路基板内部に設けたことを特徴とする請
求項１記載のアンテナ共用器。
【請求項３】少なくとも前記伝送ラインの一部を所定
の特性インピーダンスを有する位相調整用のマイクロス
トリップライン或いはストリップラインによって形成し
たことを特徴とする請求項１または２記載のアンテナ共
用器。