JPH05274914A

JPH05274914A - 絶縁材料

Info

Publication number: JPH05274914A
Application number: JP6706492A
Authority: JP
Inventors: Naoto Ota; 直人太田; Shuichi Matsuura; 秀一松浦; Yasuo Miyadera; 康夫宮寺
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 1992-03-25
Filing date: 1992-03-25
Publication date: 1993-10-22

Abstract

(57)【要約】【目的】比誘電率が低いポリアミド樹脂からなる絶縁材
料を提供する。【構成】アミド基中の窒素原子の一部または全部に非極
性置換基が結合してなるポリアミド樹脂からなる絶縁材
料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は比誘電率が低いポリアミ
ド樹脂からなる絶縁材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、電気・電子機器、コンピュ−タ等
の情報処理機器に対し演算速度の高速化の要求が強まっ
ている。このような情報処理機器の主要な部品である配
線板においては、演算速度の高速化は信号電送遅延時間
の短縮によって可能である。信号電送遅延時間は、下記
の数１によって求められることが知られている。

【数１】〔ただし、数１中、Ｔｄは信号伝送遅延時間（ｓ）、Ｌ
は信号伝送距離（ｍ）、ε_rは絶縁基材の比誘電率（無
次元）、ｃは光速度（ｍ／ｓ）である〕。

【０００３】信号電送遅延時間（Ｔｄ）の短縮は、前記
数式から明からなように、信号伝送距離（Ｌ）の短縮を
図ることがその一つの解決方法であり、従来、配線板に
ついて高密度実装を行うことにより、その解決が図られ
てきた。しかし、この方法にも限界が見え始めているこ
とから、更に、信号電送遅延時間を短縮するためのもう
一つの解決方法である基材の比誘電率（ε_r）の低減が
強く望まれている。

【０００４】一方、ポリアミド樹脂は機械特性に優れて
おり、特に芳香族ポリアミド樹脂は耐熱性にも優れてい
るため、非常に有用な樹脂材料であるが、従来一般に知
られているポリアミド樹脂は、比誘電率が高く、従っ
て、上記の要求を満足するものではなかった。例えば、
イソフタル酸とジアミノジフェニルエーテルからなるポ
リアミドの比誘電率は室温、１０ｋＨｚに於て４．８で
あり、米国特許第３８３８１１２号明細書に開示されて
いるｔ−２，５−ジメチルピペラジンと２−メチル−
１，２，３−トリアゾール−４，５−ジカルボニルクロ
ライドからなるポリアミドの比誘電率は２３℃、１０Ｍ
Ｈｚに於て４．５である。すなわち、従来、ポリアミド
樹脂は、低比誘電率樹脂としては注目されておらず、専
ら高強度・高弾性率繊維、耐火服などに応用されてい
た。

【０００５】また、芳香族ポリアミド樹脂、特にケブラ
ーに代表される全芳香族ポリアミド樹脂は分子鎖が屈曲
性に乏しく、剛直であることから溶解性・成形性に難が
あり、これを解決するために、特開昭５５−１１６７２
７号公報、特開昭５７−４２７２９号公報、特開昭５７
−４７３５１号公報に開示されるように、アミド基水素
を各種置換基で置き換え、分子間の水素結合を断ち切る
ことによって溶解性・成形性を改善する試みがなされて
いる。しかし、これらの公報においても、ポリアミド樹
脂を低比誘電率樹脂として注目するところはなく、従っ
て、前記した配線板における信号電送遅延時間を短縮す
るための基材として注目するところはない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、低比誘電率
化されたポリアミド樹脂からなる絶縁材料を提供するも
のである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明における絶縁材料
は、アミド基中の窒素原子の一部または全部に非極性置
換基が結合してなるポリアミド樹脂からなるものであ
る。

【０００８】前記ポリアミド樹脂は、下記化１〔一般式
（Ｉ）〕又は下記化２〔一般式（II）〕であらわされる
構成単位を含むものである。

【化１】〔ただし、一般式（Ｉ）中、Ｘはジアミンのアミノ基を
除いた残基を示し、Ｙはジカルボン酸のカルボキシル基
を除いた残基を示し、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、水
素又は非極性置換基を示し、Ｒ¹及びＲ²のうち少なくと
も一つは非極性置換基を示す〕。

【化２】〔ただし、一般式（II）中、Ｚはアミノカルボン酸のア
ミノ基及びカルボキシル基を除いた残基を示し、Ｒ³は
非極性置換基を示す〕。

【０００９】前記一般式（Ｉ）におけるＲ¹及びＲ²で示
される非極性置換基又は一般式（II）におけＲ³で示さ
れる非極性置換基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等がある。
ビニル基、アリル基等の導入は、ポリアミド樹脂に加熱
等の適当な方法により架橋性を付与することができるた
め、耐溶剤性の改善に有効である。

【００１０】前記一般式（Ｉ）におけるＸ及びＹ及び一
般式（II）におけるＺは、２価の脂肪族基、２価の脂環
式基、２価の芳香族基又は芳香族基を主鎖に含む基等で
ある。ポリアミド樹脂に優れた耐熱性を付与する上で
Ｘ、Ｙ及びＺは２価の芳香族基であるのが好ましい。
Ｘ、Ｙ及びＺの具体例としては、アルキレン基、シクロ
ヘキシレン基、化３〔一般式（III）〕

【化３】〔ただし、一般式（III）中、ｎは０又は１〜５の整数
を示し、Ｑは単結合、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ₂−、−
Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂−、−Ｃ
（ＣＦ₃）₂−を示し、各ベンゼン環の水素はアルキル
基、塩素、臭素、フッ素等で置換されていてもよい〕で
表される基等がある。

【００１１】前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で表さ
れる構成単位を有するポリアミド樹脂は、次の方法によ
り製造することができる。下記化４〔一般式（IV）〕で表されるジアミン化合物
と下記化５〔一般式（Ｖ）〕で表されるジカルボン酸又
はそのアミド形成性誘導体を重縮合反応させる方法。下記化６〔一般式（VI）〕で表されるジアミンと下記
化５〔一般式（Ｖ）〕で表されるジカルボン酸又はその
アミド形成性誘導体を重縮合反応させて得られるポリア
ミドのアミド基中のイミノ基水素を置換する方法。下記化７〔一般式（VII）〕で表されるアミノカルボ
ン酸化合物を重縮合反応させる方法。下記化８〔一般式（VIII）〕で表されるアミノカルボ
ン酸を反応させて得られるポリアミドのアミド基中のイ
ミノ基水素を置換する方法。

【化４】〔ただし、一般式（IV）中、Ｘ、Ｒ¹及びＲ²は、一般式
（Ｉ）に同じである〕。

【化５】〔ただし、一般式（Ｖ）中、Ｙは一般式（Ｉ）に同じで
ある〕。

【化６】Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂ （VI）〔ただし、一般式（VI）中、Ｘは一般式（Ｉ）に同じで
ある〕。

【化７】〔ただし、一般式（VII）中、Ｚ及びＲ³は、一般式（I
I）に同じである〕。

【化８】Ｈ₂Ｎ−Ｚ−ＣＯＯＨ（VIII）〔ただし、一般式（VIII）中、Ｚは一般式（II）に同じ
である〕。

【００１２】前記の方法について、説明する。一般式
（IV）で表されるジアミン化合物としては、Ｎ，Ｎ′−
ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，
Ｎ′−ジエチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジプロピル−４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジペンチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−３，３′−
ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジエチル−３，
３′−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジプロピ
ル−３，３′−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−
ジメチル−４，４′−メチレンビス（２、６−ジメチル
アニリン）、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４，４′−メチレン
ビス（２、６−ジエチルアニリン）、Ｎ，Ｎ′−ジメチ
ル−４，４′−メチレンビス（２、６−ジイソプロピル
アニリン）、Ｎ，Ｎ′−ジエチル−４，４′−メチレン
ビス（２、６−ジイソプロピルアニリン）、Ｎ，Ｎ′−
ジペンチル−４，４′−メチレンビス（２、６−ジイソ
プロピルアニリン）、Ｎ−メチル−４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、Ｎ−エチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、Ｎ−プロピル−４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、Ｎ−ペンチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、Ｎ−メチル−３，３′−ジアミノジフ
ェニルメタン、Ｎ−エチル−３，３′−ジアミノジフェ
ニルメタン、Ｎ−プロピル−３，３′−ジアミノジフェ
ニルメタン、Ｎ−メチル−４，４′−メチレンビス
（２、６−ジメチルアニリン）、Ｎ−メチル−４，４′
−メチレンビス（２、６−ジエチルアニリン）、Ｎ−メ
チル−４，４′−メチレンビス（２、６−ジイソプロピ
ルアニリン）、Ｎ−エチル−４，４′−メチレンビス
（２、６−ジイソプロピルアニリン）、Ｎ−ペンチル−
４，４′−メチレンビス（２、６−ジイソプロピルアニ
リン）、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−２，２−ビス（４−アミ
ノフェニル）プロパン、Ｎ，Ｎ′−ジエチル−２，２−
ビス（４−アミノフェニル）プロパン、Ｎ，Ｎ′−ジメ
チル−２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチル−２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−
２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフ
ェニル、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−３，３′−ジアミノジフ
ェニル、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフ
ェニルケトン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−３，３′−ジアミ
ノジフェニルケトン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４，４′−
ジアミノジフェニルエ−テル、Ｎ，Ｎ′−ジエチル−
４，４′−ジアミノジフェニルエ−テル、Ｎ，Ｎ′−ジ
ペンチル−４，４′−ジアミノジフェニルエ−テル、
Ｎ，Ｎ′−ジメチル−３，３′−ジアミノジフェニルエ
−テル、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−３，３′−ジア
ミノジフェニルスルホン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、Ｎ，Ｎ′−ジメ
チル−３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、Ｎ，
Ｎ′−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−
ジエチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジペン
チル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−
ｍ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−トルエ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４，４′−ビス
〔２，２−（４−アミノフェニル）イソプロピリデン〕
ベンゼン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−４，４′−ビス〔２，
２−（３−アミノフェニル）イソプロピリデン〕ベンゼ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、Ｎ，Ｎ′−ジメ
チル−２，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、Ｎ，
Ｎ′−ジメチル−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル）スルホン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、Ｎ，Ｎ′
−ジメチル−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕ケトン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−エチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−１，３−ジアミノプロパン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチル−１，４−ジアミノブタン、Ｎ，
Ｎ′−ジメチル−１，５−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ′
−ジメチル−１，６−ジアミノヘキサン、Ｎ，Ｎ′−ジ
メチル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ′−ジメチ
ル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−
１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−１，１
０−ジアミノウンデカン等がある。

【００１３】一般式（Ｖ）で表されるジカルボン酸とし
ては、イソフタル酸、テレフタル酸、ビフェニルカルボ
ン酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸、ジフェニル
エ−テルジカルボン酸、コハク酸、グルタン酸、アジピ
ン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバチ
ン酸、ウンデカンジオン酸、ドデカン二酸、トリデカン
二酸、１，１２−ドデカンジカルボン酸、ヘキサデカン
ジオン酸等があり、これらのジカルボン酸のアミド形成
性誘導体としては、これらのジカルボン酸のジクロライ
ド、ジアルキルエステル等がある。

【００１４】一般式（IV）で表されるジアミン化合物と
一般式（Ｖ）で表されるジカルボン酸又はそのアミド形
成性誘導体との反応は、テトラクロルエタン等の溶媒中
で、ジアミン化合物と酸成分（ジカルボン酸のジクロラ
イドが好ましい）を１１０〜１４５℃の温度で反応させ
ることにより行うことができる。このとき、ジアミン成
分と酸成分は当量で使用するのが最も好ましいが、一方
を１０モル％以内、好ましくは５％以内で過剰に使用し
てもよい。

【００１５】上記の反応に際して、前記一般式（IV）で
表されるジアミン化合物とともに一般式（VI）で表され
るジアミンを併用してもよいが、得られるポリアミド樹
脂の比誘電率の低下があまり阻害されない程度に使用さ
れる。

【００１６】前記の方法について説明する。前記一般
式（VI）で表されるジアミンとしては、４，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、３，３′−ジアミノジフェニル
メタン、４，４′−メチレンビス（２、６−ジメチルア
ニリン）、４，４′−メチレンビス（２、６−ジエチル
アニリン）、４，４′−メチレンビス（２、６−ジイソ
プロピルアニリン）、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、４，４′−ジアミノジフェニ
ル、３，３′−ジアミノジフェニル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルケトン、３，３′−ジアミノジフェニルケ
トン、４，４′−ジアミノジフェニルエ−テル、３，
３′−ジアミノジフェニルエ−テル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニル
スルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、
３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、ｐ−フェニ
レンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、トルエンジア
ミン、４，４′−ビス〔２，２−（４−アミノフェニ
ル）イソプロピリデン〕ベンゼン、４，４′−ビス
〔２，２−（３−アミノフェニル）イソプロピリデン〕
ベンゼン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス〔４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビ
ス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、
エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４
−ジアミノブタン、１，５−ジアミノヘプタン、１，６
−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，
８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，
１０−ジアミノウンデカン等がある。

【００１７】一般式（VI）で表されるジアミンと一般式
（IV）で表されるジカルボン酸又はそのアミド形成性誘
導体との反応は、ジアミン成と酸成分（ジカルボン酸）
をピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサ
メチレンホスホルアミド等の有機溶媒中、ヘキサクロロ
エタンとトリフェニルホスフィンの組合せ、亜リン酸ト
リフェニルとピリジンの組合せ等の活性剤の存在下に、
室温〜１００℃で反応させることにより行うことができ
る。また、酸成分としてジカルボン酸のジクロライドを
使用するときは、ジアミンとジカルボン酸のジクロライ
ドをクロロホルム、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチレンホスホ
ルアミド等の有機溶媒中、ピリジン、Ｎ−メチルピロリ
ドン、トリエチルアミン等の脱酸剤の存在下に室温以下
で反応させることにより行うことができる。このとき、
ジアミンと酸成分は当量で使用するのが最も好ましい
が、一方を１０モル％以内、好ましくは５％以内で過剰
に使用してもよい。また、上記活性剤及び上記脱酸剤
は、それぞれジアミン又は酸成分に対して当量以上で使
用するのが好ましい。

【００１８】一般式（VI）で表されるジアミン成と一般
式（Ｖ）で表されるジカルボン酸又はそのアミド形成性
誘導体との反応によって得られるポリアミドのアミド基
中のイミノ基水素を置換する方法としては、このポリア
ミドをジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルア
ミド等の極性溶媒に溶解し、金属ナトリウム又は水素化
ナトリウムの存在下にヨウ化メチル等のハロゲン化アル
キル、ヨウ化ビニル等のハロゲン化ビニル又はヨウ化ア
リル等のハロゲン化アリルと１００℃以下の温度で反応
させる方法がある。

【００１９】前記の方法について説明する。一般式
（VII）で表されるアミノカルボン酸化合物としては、
Ｎ−メチル−ｐ−アミノ安息香酸、Ｎ−エチル−ｐ−ア
ミノ安息香酸、Ｎ−プロピル−ｐ−アミノ安息香酸、Ｎ
−メチル−ｍ−アミノ安息香酸、Ｎ−エチル−ｍ−アミ
ノ安息香酸、Ｎ−プロピル−ｍ−アミノ安息香酸、Ｎ−
メチル−ｐ−アミノメチル安息香酸、Ｎ−メチル−３−
アミノ−ｐ−トルイル酸、Ｎ−メチル−６−アミノ−ｏ
−トルイル酸、Ｎ−メチル−４−アミノ−ｎ−酪酸、Ｎ
−メチル−６−アミノ−ｎ−カプロン酸、Ｎ−メチル−
１２−アミノラウリン酸等がある。反応は、ピリジン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチレンホス
ホルアミド等の有機溶媒中、テトラクロロエタンとトリ
フェニルホスフィンの組合せ、亜リン酸トリフェニルと
ピリジンの組合せ等の活性剤の存在下に、室温〜１００
℃で反応させることにより行うことができる。上記の反
応に際して、前記一般式（IV）で表されるジアミン化合
物とともに一般式（VIII）で表されるアミノカルボン酸
を併用してもよいが、得られるポリアミド樹脂の比誘電
率の低下があまり阻害されない程度に使用される。活性
剤は、アミノカルボン酸化合物に対して当量以上で使用
するのが好ましい。

【００２０】一般式（VIII）で表されるアミノカルボン
酸としては、ｐ−アミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香
酸、ｐ−アミノメチル安息香酸、３−アミノ−ｐ−トル
イル酸、６−アミノ−ｏ−トルイル酸、４−アミノ−ｎ
−酪酸、６−アミノ−ｎ−カプロン酸、１２−アミノラ
ウリン酸等がある。反応は、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルピロリドン、ヘキサメチレンホスホルアミド等の
有機溶媒中、テトラクロロエタンとトリフェニルホスフ
ィンの組合せ、亜リン酸トリフェニルとピリジンの組合
せ等の活性剤の存在下に、室温〜１００℃で反応させる
ことにより行うことができる。得られたポリアミドのＮ
−置換は、前記と同様に行われる。活性剤は、アミノカ
ルボン酸に対して当量以上で使用するのが好ましい。

【００２１】本発明におけるポリアミド樹脂は、比誘電
率が概ね２〜５のものであり、好ましくは２〜４．５の
もの、特に好ましくは２〜３のものである。本発明にお
けるポリアミド樹脂において、低比誘電率化の効果はア
ミド基窒素への置換基の導入と同時に発現し、ポリアミ
ドの比誘電率はアミド基中のイミノ基水素の置換率（Ｎ
−置換率）の増加と共に低下する。この効果はＮ−置換
率１００％で最大となる。すなわち、上記ポリアミド樹
脂の比誘電率の制御は、Ｎ−置換率の制御によって行う
ことができる。また、上記ポリアミド樹脂の比誘電率
は、樹脂組成及び置換基の種類によっても異なり、適宜
好ましい樹脂組成及び置換基の種類が決定される。

【００２２】本発明におけるポリアミド樹脂は、有機溶
剤に溶解したワニス、このワニス流延塗布した後乾燥し
て得られるフィルム等の形態で絶縁材料として使用する
ことができ、また、フィルム状のものは接着剤として絶
縁材料分野に使用することができる。絶縁材料（接着性
絶縁材料を含む）としての具体的な使用分野は、配線
板、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）、ハイブリッド
ＩＣ等の電子部品搭載用基板等があり、これらための基
板材料、層間絶縁材料、被覆絶縁材料等として有用であ
る。また、ポリアミド樹脂に、ガラス繊維などの強化
剤、特殊な目的のための添加剤（例えば難燃剤など）を
混合することもできるが、混合する材料の比誘電率が高
い場合には結果として得られる樹脂の比誘電率も高くな
るので、その使用には注意を要する。

【００２３】

【実施例】次に、本発明の実施例を示す。

【００２４】実施例１撹はん機、窒素ガス導入管、塩化カルシウム管を備えた
１００ｍｌ四つ口フラスコにＮ，Ｎ’−ジメチルジアミ
ノジフェニルエ−テル（ＤＭＤＤＥ）０．１１ｇ、ジア
ミノジフェニルエ−テル（ＤＤＥ）０．３０ｇ、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）２ｍｌ、ピリジン
０．３ｍｌを加えて均一に溶解した。室温でイソフタル
酸クロライド０．４１ｇを一度に加え、５時間反応し、
メタノ−ルより再沈し、洗浄、乾燥してポリアミド粉末
を得た（Ｎ−置換率２５％）。このポリアミド粉末をＤ
ＭＡｃに溶解して樹脂分１０重量％の絶縁ワニスを得
た。この絶縁ワニスをスピンナを用いてガラス上に塗布
し、８０℃で１０分、１５０℃で１時間乾燥して上記ポ
リアミドからなる絶縁フィルムを得た。この絶縁フィル
ムの熱分解温度〔空気中、昇温速度１０℃／ｍｉｎで測
定、以下同じ〕は３９５℃であった。ＪＩＳ６４８１
に準拠して比誘電率〔１０ｋＨｚ、室温、湿度５０〜７
０％の環境下、以下同じ〕を測定したところ４．３であ
った。

【００２５】実施例２実施例１において、ＤＭＤＤＥ０．１１ｇの代わりにＤ
ＭＤＤＥ０．２３ｇ及びＤＤＥ０．３０ｇの代わりにＤ
ＤＥ０．２０ｇを用いること以外、実施例１に準じて絶
縁フィルム（Ｎ−置換率５０％）を得た。熱分解温度は
３８５℃、比誘電率は３．９であった。

【００２６】実施例３実施例１において、ＤＭＤＤＥ０．１１ｇ及びＤＤＥ
０．３０ｇの代わりにＤＭＤＤＥを０．４６ｇ用いるこ
と以外、実施例１に準じて絶縁フィルム（Ｎ−置換率１
００％）を得た。熱分解温度は４１０℃、比誘電率は
３．２であった。同じ試料を１５０℃で１時間乾燥し、
室温、窒素気流下で比誘電率を測定したところ２．９と
非常に低い値となった。このものの比誘電率の予測値は
２．８である。

【００２７】実施例４実施例１において、ＤＭＤＤＥの代わりに、表１に示す
ジアミン化合物をイソフタル酸ジクロライドと等モル使
用すること以外は実施例１に準じて絶縁フィルムを作製
した。これらのポリアミドの比誘電率を表１に示す。

【表１】

【００２８】比較例１実施例１において、ＤＭＤＤＥ０．１１ｇの代わりにＤ
ＤＥを０．４０ｇを用いること以外、実施例１に準じて
ポリアミドフィルム（Ｎ−置換率０％）を得た。熱分解
温度は４１５℃、比誘電率は４．８であった。

【００２９】

【発明の効果】請求項１における絶縁材料は、比誘電率
が低い。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アミド基中の窒素原子の一部または全部に
非極性置換基が結合してなるポリアミド樹脂からなる絶
縁材料。