JPH05275174A - 電場発光素子 - Google Patents
電場発光素子Info
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- JPH05275174A JPH05275174A JP4066928A JP6692892A JPH05275174A JP H05275174 A JPH05275174 A JP H05275174A JP 4066928 A JP4066928 A JP 4066928A JP 6692892 A JP6692892 A JP 6692892A JP H05275174 A JPH05275174 A JP H05275174A
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- Japan
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- fluoride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐薬品性、耐水性、耐熱性を持つフッ化物薄
膜を緩衝薄膜として電場発光素子に使用することによ
り、素子の特性を向上させることができ、微細加工工程
における薬品をはじめとする素子への損傷を低減し、パ
ネルの作製を容易にし、生産性や品質の向上が図れる電
場発光素子を提供することを目的とする。 【構成】 この発明の電場発光素子では、発光層の片側
または両側と共に、素子の表面にフッ化物薄膜層を形成
することにより、素子の輝度特性を改善することができ
ると共に、微細加工工程における薬品をはじめとする素
子への損傷を低減し、パネルの作製を容易にし、生産性
や品質の向上が図れる。
膜を緩衝薄膜として電場発光素子に使用することによ
り、素子の特性を向上させることができ、微細加工工程
における薬品をはじめとする素子への損傷を低減し、パ
ネルの作製を容易にし、生産性や品質の向上が図れる電
場発光素子を提供することを目的とする。 【構成】 この発明の電場発光素子では、発光層の片側
または両側と共に、素子の表面にフッ化物薄膜層を形成
することにより、素子の輝度特性を改善することができ
ると共に、微細加工工程における薬品をはじめとする素
子への損傷を低減し、パネルの作製を容易にし、生産性
や品質の向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜電場発光素子に
関し、特に緩衝層およびパッシベーション膜に特徴を持
つ電場発光素子に関する。
関し、特に緩衝層およびパッシベーション膜に特徴を持
つ電場発光素子に関する。
【０００２】［発明の概要］この発明は、表示機器およ
び発光応用デバイスに使用される電場発光素子に関する
もので、特に交流薄膜電場発光素子に使用される緩衝薄
膜、パッシベーション膜に特徴を持つ薄膜電場発光素子
に関するものであり、発光層の緩衝層およびパッシベー
ション膜にとしてＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，Ｂａ
Ｆ2 ，ＺｎＦ2 ，ＣｄＦ2 ，ＬｎＦx （Ｌｎは希土類元
素）のいずれかのフッ化物薄膜を使用することにより、
電場発光素子の輝度特性を改善し、パネル製作時に採用
される微細加工工程において生ずる素子への損傷も軽減
することができるようにした電場発光素子である。
び発光応用デバイスに使用される電場発光素子に関する
もので、特に交流薄膜電場発光素子に使用される緩衝薄
膜、パッシベーション膜に特徴を持つ薄膜電場発光素子
に関するものであり、発光層の緩衝層およびパッシベー
ション膜にとしてＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，Ｂａ
Ｆ2 ，ＺｎＦ2 ，ＣｄＦ2 ，ＬｎＦx （Ｌｎは希土類元
素）のいずれかのフッ化物薄膜を使用することにより、
電場発光素子の輝度特性を改善し、パネル製作時に採用
される微細加工工程において生ずる素子への損傷も軽減
することができるようにした電場発光素子である。
【０００３】
【従来の技術】各種の表示機器および発光応用デバイス
に使用される従来の薄膜電場発光素子では、二酸化珪
素、窒化シリコンあるいは硫化亜鉛薄膜などが緩衝薄膜
として使用されている。また、パッシベーション膜とし
ては窒化シリコンが使用されている。
に使用される従来の薄膜電場発光素子では、二酸化珪
素、窒化シリコンあるいは硫化亜鉛薄膜などが緩衝薄膜
として使用されている。また、パッシベーション膜とし
ては窒化シリコンが使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の電場発光素子では、二酸化珪素、窒化シリコンあ
るいは硫化亜鉛薄膜などの緩衝薄膜によって素子の特性
の改善を果たすことができても、特に耐水性のないアル
カリ土金属硫化物（ＭｇＳ，ＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳ）
を主成分とした薄膜蛍光体を使用したパネルの作製時に
採用される微細加工工程において生ずる素子への損傷の
軽減効果が少ない問題点があった。そのために、パネル
の電極を微細加工するときには、乾式法で行なうとして
もかなりの注意を要し、手間と時間がかかる問題点があ
った。
従来の電場発光素子では、二酸化珪素、窒化シリコンあ
るいは硫化亜鉛薄膜などの緩衝薄膜によって素子の特性
の改善を果たすことができても、特に耐水性のないアル
カリ土金属硫化物（ＭｇＳ，ＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳ）
を主成分とした薄膜蛍光体を使用したパネルの作製時に
採用される微細加工工程において生ずる素子への損傷の
軽減効果が少ない問題点があった。そのために、パネル
の電極を微細加工するときには、乾式法で行なうとして
もかなりの注意を要し、手間と時間がかかる問題点があ
った。
【０００５】この発明は、このような従来の問題点に鑑
みなされたもので、耐薬品性、耐水性、耐熱性を持つフ
ッ化物薄膜を緩衝薄膜として電場発光素子に使用するこ
とにより、素子の特性を向上させることができ、微細加
工工程における薬品をはじめとする素子への損傷を低減
し、パネルの作製を容易にし、生産性や品質の向上が図
れる電場発光素子を提供することを目的とする。
みなされたもので、耐薬品性、耐水性、耐熱性を持つフ
ッ化物薄膜を緩衝薄膜として電場発光素子に使用するこ
とにより、素子の特性を向上させることができ、微細加
工工程における薬品をはじめとする素子への損傷を低減
し、パネルの作製を容易にし、生産性や品質の向上が図
れる電場発光素子を提供することを目的とする。
【０００６】またこの発明は、パッシベーション膜にフ
ッ化物薄膜を使用することにより、素子の動作時の劣化
を防止することができ、長時間安定した発光特性を維持
することができる電場発光素子を提供することを目的と
する。
ッ化物薄膜を使用することにより、素子の動作時の劣化
を防止することができ、長時間安定した発光特性を維持
することができる電場発光素子を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の電場発
光素子は、発光層の片側または両側にフッ化物薄膜層を
形成したものである。
光素子は、発光層の片側または両側にフッ化物薄膜層を
形成したものである。
【０００８】請求項２の発明の電場発光素子は、発光層
の片側または両側、および素子の表面にフッ化物薄膜層
を形成したものである。
の片側または両側、および素子の表面にフッ化物薄膜層
を形成したものである。
【０００９】そして、これら請求項１または２に記載の
電場発光素子において、フッ化物薄膜層がＭｇＦ2 ，Ｃ
ａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，ＢａＦ2 ，ＺｎＦ2 ，ＣｄＦ2 ，Ｌ
ｎＦx （Ｌｎは希土類元素）のいずれかにより形成され
たものとすることができる。
電場発光素子において、フッ化物薄膜層がＭｇＦ2 ，Ｃ
ａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，ＢａＦ2 ，ＺｎＦ2 ，ＣｄＦ2 ，Ｌ
ｎＦx （Ｌｎは希土類元素）のいずれかにより形成され
たものとすることができる。
【００１０】
【作用】請求項１の発明の電場発光素子では、発光層の
片側または両側にフッ化物薄膜層を形成することによ
り、素子の輝度特性を改善することができると共に、微
細加工工程における薬品をはじめとする素子への損傷を
低減し、パネルの作製を容易にし、生産性や品質の向上
が図れる。
片側または両側にフッ化物薄膜層を形成することによ
り、素子の輝度特性を改善することができると共に、微
細加工工程における薬品をはじめとする素子への損傷を
低減し、パネルの作製を容易にし、生産性や品質の向上
が図れる。
【００１１】請求項２の発明の電場発光素子では、発光
層の片側または両側と共に、素子の表面にフッ化物薄膜
層を形成することにより、素子の輝度特性を改善するこ
とができると共に、微細加工工程における薬品をはじめ
とする素子への損傷を低減し、パネルの作製を容易に
し、生産性や品質の向上が図れる。
層の片側または両側と共に、素子の表面にフッ化物薄膜
層を形成することにより、素子の輝度特性を改善するこ
とができると共に、微細加工工程における薬品をはじめ
とする素子への損傷を低減し、パネルの作製を容易に
し、生産性や品質の向上が図れる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて詳説
する。
する。
【００１３】図１はこの発明の一実施例の電場発光素子
の構造図であり、ガラス基板１上に透明電極２が形成さ
れ、その上に高誘電体薄膜の第１絶縁層３が形成されて
いる。また、絶縁層３の上に、ＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，Ｓ
ｒＦ2 ，ＢａＦ2 ，ＺｎＦ2，ＣｄＦ2 ，ＬｎＦx （Ｌ
ｎは希土類元素）のフッ化物のいずれかを主成分とする
緩衝薄膜層４が電子線蒸着法、抵抗加熱法などの蒸着法
により、あるいはスパッター法、化学気相法、印刷法な
どにより形成されている。
の構造図であり、ガラス基板１上に透明電極２が形成さ
れ、その上に高誘電体薄膜の第１絶縁層３が形成されて
いる。また、絶縁層３の上に、ＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，Ｓ
ｒＦ2 ，ＢａＦ2 ，ＺｎＦ2，ＣｄＦ2 ，ＬｎＦx （Ｌ
ｎは希土類元素）のフッ化物のいずれかを主成分とする
緩衝薄膜層４が電子線蒸着法、抵抗加熱法などの蒸着法
により、あるいはスパッター法、化学気相法、印刷法な
どにより形成されている。
【００１４】この緩衝薄膜層４の上に、両側を硫化亜鉛
のような緩衝薄膜５ａ，５ｂにより被覆されたＭｇＳ，
ＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳなどのアルカリ土金属硫化物を
主成分とする薄膜蛍光体の発光層６が積層されている。
のような緩衝薄膜５ａ，５ｂにより被覆されたＭｇＳ，
ＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳなどのアルカリ土金属硫化物を
主成分とする薄膜蛍光体の発光層６が積層されている。
【００１５】さらにこの発光層６の上に、上記と同じフ
ッ化物を主成分とする緩衝薄膜層７が同じ手法で形成さ
れ、その上に、高誘電体薄膜の第２絶縁層８が形成さ
れ、この第２絶縁層８の上に微細加工により短冊状に加
工されたアルミニウム電極のような電極９が積層されて
いる。
ッ化物を主成分とする緩衝薄膜層７が同じ手法で形成さ
れ、その上に、高誘電体薄膜の第２絶縁層８が形成さ
れ、この第２絶縁層８の上に微細加工により短冊状に加
工されたアルミニウム電極のような電極９が積層されて
いる。
【００１６】そして、これらの各層全体を被覆するよう
に、ＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＳｒＦ2，ＢａＦ2 ，ＺｎＦ
2 ，ＣｄＦ2 ，ＬｎＦx （Ｌｎは希土類元素）のフッ化
物のいずれかを主成分とするパッシベーション膜１０が
電子線蒸着法、抵抗加熱法などの蒸着法により、あるい
はスパッター法、化学気相法、印刷法などにより形成さ
れている。
に、ＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＳｒＦ2，ＢａＦ2 ，ＺｎＦ
2 ，ＣｄＦ2 ，ＬｎＦx （Ｌｎは希土類元素）のフッ化
物のいずれかを主成分とするパッシベーション膜１０が
電子線蒸着法、抵抗加熱法などの蒸着法により、あるい
はスパッター法、化学気相法、印刷法などにより形成さ
れている。
【００１７】このような構造の電場発光素子では、電極
２，９間に交流電圧を印加することにより発光層６が発
光することになる。
２，９間に交流電圧を印加することにより発光層６が発
光することになる。
【００１８】このようにして形成された電場発光素子で
は、フッ化物の緩衝薄膜層４，７の存在により、耐薬品
性、耐水性、耐熱性が増し、特性の向上が図れ、また、
表示パネルを形成するために素子に微細加工を行なう際
に、薬品をはじめとする素子への損傷を低減することが
でき、パネルの作製を容易にし、生産性の向上と品質の
向上が図れる。また、パッシベーション膜１０を形成す
ることにより、素子の動作時の劣化を防止することがで
きる。
は、フッ化物の緩衝薄膜層４，７の存在により、耐薬品
性、耐水性、耐熱性が増し、特性の向上が図れ、また、
表示パネルを形成するために素子に微細加工を行なう際
に、薬品をはじめとする素子への損傷を低減することが
でき、パネルの作製を容易にし、生産性の向上と品質の
向上が図れる。また、パッシベーション膜１０を形成す
ることにより、素子の動作時の劣化を防止することがで
きる。
【００１９】なお、この発明は上記の実施例に限定され
ることはなく、発光層６の表裏の硫化亜鉛などによる緩
衝層５ａ，５ｂは省略されることがあり、第１絶縁層３
と第２絶縁層８のいずれかが省略されたり、フッ化物緩
衝薄膜層４，７のいずれかが省略されることもある。
ることはなく、発光層６の表裏の硫化亜鉛などによる緩
衝層５ａ，５ｂは省略されることがあり、第１絶縁層３
と第２絶縁層８のいずれかが省略されたり、フッ化物緩
衝薄膜層４，７のいずれかが省略されることもある。
【００２０】さらに、パッシベーション膜１０も必要に
応じて形成されるものであり、省略されることがある。
応じて形成されるものであり、省略されることがある。
【００２１】＜＜実施例＞＞透明電極２を備えたガラス
基板１上に、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）の絶縁層３
を高周波スパッター法によってあらかじめ形成してお
き、緩衝薄膜４としてフッ化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｆ2 ）を電子線蒸着法によって約０．１〜０．３μｍの
厚さに形成し、さらにその上に、硫化亜鉛（ＺｎＳ）の
緩衝層５ａ、セリウム（Ｃｅ）を付活した硫化ストロン
チウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）の発光層６、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）の緩衝層５ｂを電子線蒸着法によって形成する。
基板１上に、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）の絶縁層３
を高周波スパッター法によってあらかじめ形成してお
き、緩衝薄膜４としてフッ化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｆ2 ）を電子線蒸着法によって約０．１〜０．３μｍの
厚さに形成し、さらにその上に、硫化亜鉛（ＺｎＳ）の
緩衝層５ａ、セリウム（Ｃｅ）を付活した硫化ストロン
チウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）の発光層６、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）の緩衝層５ｂを電子線蒸着法によって形成する。
【００２２】この緩衝層５ｂの上に、もう１つの緩衝薄
膜層７としてフッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2 ）を電子
線蒸着法によって約０．１μｍ〜０．３μｍ厚さに形成
する。さらにこの上に、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）
の絶縁層８とアルミニウム電極９を上記と同様にして形
成する。
膜層７としてフッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2 ）を電子
線蒸着法によって約０．１μｍ〜０．３μｍ厚さに形成
する。さらにこの上に、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）
の絶縁層８とアルミニウム電極９を上記と同様にして形
成する。
【００２３】こうして形成された素子の表面に、同じく
フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2 ）を電子線蒸着法によ
って約０．１μｍ〜０．３μｍ厚さに被覆してパッシベ
ーション膜１０を形成する。
フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2 ）を電子線蒸着法によ
って約０．１μｍ〜０．３μｍ厚さに被覆してパッシベ
ーション膜１０を形成する。
【００２４】このようにして形成された電場発光素子に
対して、１ｋＨｚの正弦波交流電圧を印加して輝度−電
圧特性を測定し、従来例としてフッ化ストロンチウム
（ＳｒＦ2 ）の緩衝層を形成していない電場発光素子の
輝度−電圧特性と比較した。
対して、１ｋＨｚの正弦波交流電圧を印加して輝度−電
圧特性を測定し、従来例としてフッ化ストロンチウム
（ＳｒＦ2 ）の緩衝層を形成していない電場発光素子の
輝度−電圧特性と比較した。
【００２５】その結果は図２に示してあるが、この発明
の実施例の輝度−電圧特性Ａは従来例の輝度−電圧特性
Ｂに比較してより高い輝度を得ている。また、微細加工
における損傷からの保護にも優れていることが分かっ
た。
の実施例の輝度−電圧特性Ａは従来例の輝度−電圧特性
Ｂに比較してより高い輝度を得ている。また、微細加工
における損傷からの保護にも優れていることが分かっ
た。
【００２６】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
発光層の片側または両側にフッ化物薄膜層を形成するこ
とにより、素子の輝度特性を改善することができると共
に、微細加工工程における薬品をはじめとする素子への
損傷を低減し、パネルの作製を容易にし、生産性や品質
の向上が図れる。
発光層の片側または両側にフッ化物薄膜層を形成するこ
とにより、素子の輝度特性を改善することができると共
に、微細加工工程における薬品をはじめとする素子への
損傷を低減し、パネルの作製を容易にし、生産性や品質
の向上が図れる。
【００２７】また請求項２の発明によれば、発光層の片
側または両側と共に、素子の表面にフッ化物薄膜層を形
成することにより、素子の輝度特性を改善することがで
きると共に、微細加工工程における薬品をはじめとする
素子への損傷をいっそう低減し、パネルの作製を容易に
し、生産性や品質の向上が図れる。
側または両側と共に、素子の表面にフッ化物薄膜層を形
成することにより、素子の輝度特性を改善することがで
きると共に、微細加工工程における薬品をはじめとする
素子への損傷をいっそう低減し、パネルの作製を容易に
し、生産性や品質の向上が図れる。
【図１】この発明の一実施例の構造断面図。
【図２】上記実施例の輝度−電圧特性図。
１ ガラス基板 ２ 電極 ３ 第１絶縁層 ４ 緩衝薄膜層 ５ａ，５ｂ 緩衝層 ６ 発光層 ７ 緩衝薄膜層 ８ 第２絶縁層 ９ 電極 １０ パッシベーション膜
Claims (3)
- 【請求項１】 発光層の片側または両側にフッ化物薄膜
層を形成して成る電場発光素子。 - 【請求項２】 発光層の片側または両側、および素子の
表面にフッ化物薄膜層を形成して成る電場発光素子。 - 【請求項３】 フッ化物薄膜層がＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，
ＳｒＦ2 ，ＢａＦ2，ＺｎＦ2 ，ＣｄＦ2 ，ＬｎＦ
x （Ｌｎは希土類元素）のいずれかにより形成されてい
ることを特徴とする請求項１または２に記載の電場発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4066928A JPH05275174A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 電場発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4066928A JPH05275174A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 電場発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275174A true JPH05275174A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13330139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4066928A Pending JPH05275174A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 電場発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275174A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466428B1 (ko) * | 2000-11-17 | 2005-01-13 | 티디케이가부시기가이샤 | 전계발광형광체 적층박막 및 전계발광소자 |
| KR100689641B1 (ko) * | 1999-07-23 | 2007-03-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 이엘 표시장치 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP4066928A patent/JPH05275174A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100689641B1 (ko) * | 1999-07-23 | 2007-03-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 이엘 표시장치 및 그 제조방법 |
| US7456037B2 (en) | 1999-07-23 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and a method of manufacturing the same |
| KR100466428B1 (ko) * | 2000-11-17 | 2005-01-13 | 티디케이가부시기가이샤 | 전계발광형광체 적층박막 및 전계발광소자 |
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