JPS62202492A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS62202492A JPS62202492A JP61045757A JP4575786A JPS62202492A JP S62202492 A JPS62202492 A JP S62202492A JP 61045757 A JP61045757 A JP 61045757A JP 4575786 A JP4575786 A JP 4575786A JP S62202492 A JPS62202492 A JP S62202492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- light
- emitting layer
- light emitting
- plzt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は発光層の上下両主面を絶縁膜でサンドイッチし
た構造を有し、交流電界の印加に応答してＥ Ｌ （Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｅｎｃｅ）発光する、い
わゆる３層構造薄膜ＥＬ素子に関するものであり、特に
ＥＬ全発光利用した表示に対するコントラストを向上さ
せるための素子（１η造に関するものである。
た構造を有し、交流電界の印加に応答してＥ Ｌ （Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｅｎｃｅ）発光する、い
わゆる３層構造薄膜ＥＬ素子に関するものであり、特に
ＥＬ全発光利用した表示に対するコントラストを向上さ
せるための素子（１η造に関するものである。
〈従来の技術とその問題点〉
従来知られている薄膜ＥＬ素子の基本的な構造を第２図
に示す。ガラス等の透光性基板１上に透明電極２が帯状
に複数本平行配列され、この上に第１絶縁Ｍ３、ＺｎＳ
に活性物質をドープした発光層４及び第２絶縁層５が順
次積層されて発光層４を上下方向から絶縁Ｍ３，５で挟
持した３Ｍ構造部が構成されている。第２絶縁層５上に
は、上記透明電極２と直交する方向に帯状のＡｅから成
る背面電極６が平行配列され、背面電極６と透明電極長
は交流電源７に接続されて薄膜ＥＬ素子が駆動される。
に示す。ガラス等の透光性基板１上に透明電極２が帯状
に複数本平行配列され、この上に第１絶縁Ｍ３、ＺｎＳ
に活性物質をドープした発光層４及び第２絶縁層５が順
次積層されて発光層４を上下方向から絶縁Ｍ３，５で挟
持した３Ｍ構造部が構成されている。第２絶縁層５上に
は、上記透明電極２と直交する方向に帯状のＡｅから成
る背面電極６が平行配列され、背面電極６と透明電極長
は交流電源７に接続されて薄膜ＥＬ素子が駆動される。
薄膜ＥＬ素子に使用される背面電極６としては、製作が
容易であり、第２絶縁層５との密着性が良好でかつ高導
電性を具備する材料が望ましく、一般にアルミニウム薄
膜が採用されている。しかしながらアルミニウム薄膜は
金属の中でも極めて光度射率が高く（反射率９０％以上
）、このためアルミニウム薄膜を使用した背面電極６ば
、明るい周囲光の下では、ガラス基板１を介してＥ Ｌ
ハネル内へ侵入した外部光をその界面で反射させるこ
ととなり、コントラスト及び表示品位の低下を招くとい
った問題点を内包する。即ち薄膜ＥＬ素子を構成する各
薄膜層は、透明度が顆めて高いものであり、ガラヌ基板
１よシ入射した外部光は各薄膜層全透過して背面電極６
′＝！で達し、背面型（ｊ６で反射され、再び外部へ出
射されるため、ＺｎＳ発光層４のＥＬ全発光背面電極６
で反射された反射光が相互干渉を起こし、発光絵素と非
発光絵素間＋７）コントラスト比が著しく低下する。さ
らに周囲光が極めて明るい場合にばＥＬ全発光反射光の
輝度が同程度とな９、表示能力が大幅に悪化する。
容易であり、第２絶縁層５との密着性が良好でかつ高導
電性を具備する材料が望ましく、一般にアルミニウム薄
膜が採用されている。しかしながらアルミニウム薄膜は
金属の中でも極めて光度射率が高く（反射率９０％以上
）、このためアルミニウム薄膜を使用した背面電極６ば
、明るい周囲光の下では、ガラス基板１を介してＥ Ｌ
ハネル内へ侵入した外部光をその界面で反射させるこ
ととなり、コントラスト及び表示品位の低下を招くとい
った問題点を内包する。即ち薄膜ＥＬ素子を構成する各
薄膜層は、透明度が顆めて高いものであり、ガラヌ基板
１よシ入射した外部光は各薄膜層全透過して背面電極６
′＝！で達し、背面型（ｊ６で反射され、再び外部へ出
射されるため、ＺｎＳ発光層４のＥＬ全発光背面電極６
で反射された反射光が相互干渉を起こし、発光絵素と非
発光絵素間＋７）コントラスト比が著しく低下する。さ
らに周囲光が極めて明るい場合にばＥＬ全発光反射光の
輝度が同程度とな９、表示能力が大幅に悪化する。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は上記問題点に鑑み、３層構造薄膜ＥＬ素子の基
板及び第一絶縁層を兼用するものとして、フォトクロミ
ズムを示す薄膜（例えばＦｅをドープしたＰＬＺＴ薄＠
）が表面に堆積されたＰＬＺＴセラミック板を使用し、
フォトクロミズムヲ示ス薄膜で光吸収機能を構成して表
示における黒色背景を形成し、コントラスト及び表示品
位を飛躍的に向上させた新規有用な薄膜ＥＬ素子を提供
することを目的とするものである。
板及び第一絶縁層を兼用するものとして、フォトクロミ
ズムを示す薄膜（例えばＦｅをドープしたＰＬＺＴ薄＠
）が表面に堆積されたＰＬＺＴセラミック板を使用し、
フォトクロミズムヲ示ス薄膜で光吸収機能を構成して表
示における黒色背景を形成し、コントラスト及び表示品
位を飛躍的に向上させた新規有用な薄膜ＥＬ素子を提供
することを目的とするものである。
発光層がＥＬ全発光ると、ＰＬＺＴセラミックス板上に
堆積されたフォトクロミズムを示す薄膜はその光に応答
して黒く変色する。これにより、発光層がＥＬ全発光て
いる期間は発光層の背面に黒色背景が形成されこの部分
で光吸収が行なわれることになる。
堆積されたフォトクロミズムを示す薄膜はその光に応答
して黒く変色する。これにより、発光層がＥＬ全発光て
いる期間は発光層の背面に黒色背景が形成されこの部分
で光吸収が行なわれることになる。
〈実施例〉
第１図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ素子の模式構
成図である。基板と第１絶縁層を兼用するＰＬＺＴセラ
ミックス板９の片面にＡｌ電極８を複数本平行配列する
。ＰＬＺＴセラミックス板９の他方の而には発光層形成
位置に対応する領域にフォトクロミズムを示す薄膜１０
を堆積する。
成図である。基板と第１絶縁層を兼用するＰＬＺＴセラ
ミックス板９の片面にＡｌ電極８を複数本平行配列する
。ＰＬＺＴセラミックス板９の他方の而には発光層形成
位置に対応する領域にフォトクロミズムを示す薄膜１０
を堆積する。
この薄膜１０は広＜ＰＬＺＴセラミックヌ板９の全面に
形成してもよい。活性物質としてＭｎ又は希土類イオン
を添加したＺｎ５ｅ又はＣａＳ等から成る発光層１１を
形成し、これを第２絶縁層１２で被覆する。その上に８
のＡｌ第２絶縁層１２としてはＹ２０３ 、 Ｔｉ ０
２ ＋ Ｓ ｉ０２ 、 Ｓ ｉ３Ｎ＜等の酸化物又は
窒化物が適宜選定される。その上にＡ［電極８と直交す
る方向に帯状の透明電極１３を複数本パターン形成し、
薄膜ＥＬ素子が作製される。透明電極１３とＡｌ電極８
は交流電源１４に接続されて薄膜ＥＬ素子が駆動される
。この場合、ＥＬ光は第１図の上部、即ち透明電極１３
側に出射される。
形成してもよい。活性物質としてＭｎ又は希土類イオン
を添加したＺｎ５ｅ又はＣａＳ等から成る発光層１１を
形成し、これを第２絶縁層１２で被覆する。その上に８
のＡｌ第２絶縁層１２としてはＹ２０３ 、 Ｔｉ ０
２ ＋ Ｓ ｉ０２ 、 Ｓ ｉ３Ｎ＜等の酸化物又は
窒化物が適宜選定される。その上にＡ［電極８と直交す
る方向に帯状の透明電極１３を複数本パターン形成し、
薄膜ＥＬ素子が作製される。透明電極１３とＡｌ電極８
は交流電源１４に接続されて薄膜ＥＬ素子が駆動される
。この場合、ＥＬ光は第１図の上部、即ち透明電極１３
側に出射される。
ＰＬＺＴ（（Ｐｂ、Ｌａ ）（Ｚｒ、Ｔｉ ）０３）セ
ラミックス板は透光性セラミックスとして有名であり、
これにＦｅをドープしたものは、３．２００〜５ＪＯＯ
Ａの波長の光を照射すると黒く着色するフォトクロミズ
ムを示すことが知られている。
ラミックス板は透光性セラミックスとして有名であり、
これにＦｅをドープしたものは、３．２００〜５ＪＯＯ
Ａの波長の光を照射すると黒く着色するフォトクロミズ
ムを示すことが知られている。
一方、活性物質として例えばツリウム（Ｔｍ）またはＴ
ｍ化合物をドープしたＺｎＳ発光層は波長４、７７０
Ａ付近の青色のＥＬ光を放射する。従って、これらの特
性を利用するために本実施例では発光層１１として青色
発光を呈するＥＬ発光層（例えば活性物質としてＴｍＦ
３をドープしたＺｎＳ層）、フォトクロミズムを示す薄
膜１０として、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の薄
膜形成法でＰＬＺＴセラミックス板９上に堆積したＦｅ
ドープＰＬＺＴ薄膜を選定し、発光層１１のＥＬ光がフ
ォトクロミズムを示す薄膜１０へ照射される構成とする
。
ｍ化合物をドープしたＺｎＳ発光層は波長４、７７０
Ａ付近の青色のＥＬ光を放射する。従って、これらの特
性を利用するために本実施例では発光層１１として青色
発光を呈するＥＬ発光層（例えば活性物質としてＴｍＦ
３をドープしたＺｎＳ層）、フォトクロミズムを示す薄
膜１０として、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の薄
膜形成法でＰＬＺＴセラミックス板９上に堆積したＦｅ
ドープＰＬＺＴ薄膜を選定し、発光層１１のＥＬ光がフ
ォトクロミズムを示す薄膜１０へ照射される構成とする
。
Ａｌ電極８と透明電極１３を介して発光層１１に交流電
界が印加され、波長４．７７０Ａ付近の青色ＥＬ全発光
放射されるとＦｅをドープしたＰＬＺＴから成る薄膜１
０は黒く着色する。この黒色化した薄膜１０の光吸収作
用により、Ａｌ電極８に照射される外部光及びＥＬ光を
大幅に減少することができ、透明重態１３の方向に得ら
れるＥＬ光による表示のコントラストが飛躍的て向上す
る。
界が印加され、波長４．７７０Ａ付近の青色ＥＬ全発光
放射されるとＦｅをドープしたＰＬＺＴから成る薄膜１
０は黒く着色する。この黒色化した薄膜１０の光吸収作
用により、Ａｌ電極８に照射される外部光及びＥＬ光を
大幅に減少することができ、透明重態１３の方向に得ら
れるＥＬ光による表示のコントラストが飛躍的て向上す
る。
薄膜１０はＥＬ光が照射されている間だけ黒色化されて
表示に対する黒色背景を形成しＥＬ光照射が解除される
と元の透明状態に戻る。
表示に対する黒色背景を形成しＥＬ光照射が解除される
と元の透明状態に戻る。
上記実施例において、ＰＬＺＴセラミックス板９は比誘
電率が非常に大きい（ε＝９００〜５．０００）ことか
ら、ＰＬＺＴセラミックス板９の厚さが０．１問以下で
あれば駆動電圧も従来のものよシ低電圧化することがで
きる。また、第２絶線層１２の材料としてＰＬＺＴ系薄
膜（（Ｐｂ。
電率が非常に大きい（ε＝９００〜５．０００）ことか
ら、ＰＬＺＴセラミックス板９の厚さが０．１問以下で
あれば駆動電圧も従来のものよシ低電圧化することがで
きる。また、第２絶線層１２の材料としてＰＬＺＴ系薄
膜（（Ｐｂ。
Ｌａ ）（Ｚｒ、Ｔｉ ）０３．Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ ）
０３ 、（Ｐｂ、Ｌａ ）Ｔｉ０３ 、ＰｂＴｉＯ３。
０３ 、（Ｐｂ、Ｌａ ）Ｔｉ０３ 、ＰｂＴｉＯ３。
ＰｂＺｒＯ３等）を用いれば、これらの材料も比誘電率
が大きいので更に低電圧駆動が可能となる。
が大きいので更に低電圧駆動が可能となる。
さらにこのＰＬＺＴ薄膜とＰＬＺＴセラミックス板９が
同系質の材料であることから、密着性も向上する。
同系質の材料であることから、密着性も向上する。
尚、フォトクロミズムを示す薄膜１０としてはＦｅドー
プＰＬＺＴ以外にも種々の材料を用いることができる。
プＰＬＺＴ以外にも種々の材料を用いることができる。
また発光層１１もこの薄膜１０を着色反応させる波長成
分を有するＥＬ光を放射する材料であれば全て適用可能
である。
分を有するＥＬ光を放射する材料であれば全て適用可能
である。
〈発明の効果〉
本発明の基板及び第１＠緑層としてフォトクロミズムを
示す薄膜が表面に堆積されたＰＬＺＴセラミノクヌ板を
適用した薄膜ＥＬ素子はＥＬ全発光時背面に黒化層が形
成され、外部光が大幅に吸収される為、表示のコントラ
ストが向上し、従って表示品位が良好となり、発光表示
装置として用いた場合に非常に有効な効果を奏する。ま
た、ＥＬ素子の駆動電圧の低電圧化も達成される。
示す薄膜が表面に堆積されたＰＬＺＴセラミノクヌ板を
適用した薄膜ＥＬ素子はＥＬ全発光時背面に黒化層が形
成され、外部光が大幅に吸収される為、表示のコントラ
ストが向上し、従って表示品位が良好となり、発光表示
装置として用いた場合に非常に有効な効果を奏する。ま
た、ＥＬ素子の駆動電圧の低電圧化も達成される。
第１図は本発明の１実施例を説明する薄、嘆ＥＬ素子の
模式構成図である。 第２図は従来の薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示す構成図
である。
模式構成図である。 第２図は従来の薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示す構成図
である。
Claims (1)
- １．電界の印加に応答してＥＬ発光を生起する発光層と
該発光層を被覆する絶縁体層とを１対の電極間に介設し
て成る薄膜ＥＬ素子において、前記発光層はフォトクロ
ミズムを示す薄膜が堆積されたＰＬＺＴセラミックス板
に重畳して形成されていることを特徴とする薄膜ＥＬ素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045757A JPS62202492A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045757A JPS62202492A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202492A true JPS62202492A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12728164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61045757A Pending JPS62202492A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202492A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61045757A patent/JPS62202492A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
| US5965981A (en) * | 1994-06-10 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd | Transparent thin-film EL display apparatus |
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