JPH01194289A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法Info
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- JPH01194289A JPH01194289A JP63015938A JP1593888A JPH01194289A JP H01194289 A JPH01194289 A JP H01194289A JP 63015938 A JP63015938 A JP 63015938A JP 1593888 A JP1593888 A JP 1593888A JP H01194289 A JPH01194289 A JP H01194289A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高輝度で耐圧が高く、背面金属電極膜のホト
加工工程に耐性のある薄膜エレクトロルミネセンス素子
（以下、薄膜ＥＬ素子と言う）およびその製造方法に関
する。
加工工程に耐性のある薄膜エレクトロルミネセンス素子
（以下、薄膜ＥＬ素子と言う）およびその製造方法に関
する。
元素の周期表ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体９例えば硫化亜
鉛（ＺｎＳ）を母体とし、これに発光中心を形成するマ
ンガン（Ｍｎ）、あるいはフッ化テルビウム（ＴｂＦ、
）などの希土類化合物を添加した薄膜を発光層とし、こ
の両側に酸化物、あるいは窒化物などからなる絶縁層（
誘電体層）薄膜をサンドインチ状に積層して設け、さら
にこの薄膜構造体き、その一方が透明な一対の対向電極
で挟持した薄膜ＥＬ素子は周知であり、対向電極間に交
流電圧を印加することによって高輝度に発光し、しかも
長寿命であることは、よく知られている。
鉛（ＺｎＳ）を母体とし、これに発光中心を形成するマ
ンガン（Ｍｎ）、あるいはフッ化テルビウム（ＴｂＦ、
）などの希土類化合物を添加した薄膜を発光層とし、こ
の両側に酸化物、あるいは窒化物などからなる絶縁層（
誘電体層）薄膜をサンドインチ状に積層して設け、さら
にこの薄膜構造体き、その一方が透明な一対の対向電極
で挟持した薄膜ＥＬ素子は周知であり、対向電極間に交
流電圧を印加することによって高輝度に発光し、しかも
長寿命であることは、よく知られている。
ここで、従来の代表的な薄膜ＥＬ素子の一例を挙げ９図
によってその構造ならびに性能について説明する。第３
図は、従来の薄膜ＥＬ素子の断面構造を示す模式図であ
って、ガラス基板１上に。
によってその構造ならびに性能について説明する。第３
図は、従来の薄膜ＥＬ素子の断面構造を示す模式図であ
って、ガラス基板１上に。
Ｉｎ２Ｏ，： ＳｎＯ□などからなる透明電極膜２゜Ｔ
ａ２Ｏ，、Ｙ、Ｏ，、Ｓｌｌ、０３などからなる第１の
絶縁層膜３．ＭｎあるいはＴｂＦ、などの希土類化合物
を添加したＺｎＳもしくはＳｒＳなどの元素の周期表■
−■族化合物半導体からなる発光層膜４゜上記第１の絶
縁層膜３と同様な第２の絶縁層膜５および荊などよりな
る背面金属電極膜６が順次積層され薄膜ＥＬ素子が構成
されている。
ａ２Ｏ，、Ｙ、Ｏ，、Ｓｌｌ、０３などからなる第１の
絶縁層膜３．ＭｎあるいはＴｂＦ、などの希土類化合物
を添加したＺｎＳもしくはＳｒＳなどの元素の周期表■
−■族化合物半導体からなる発光層膜４゜上記第１の絶
縁層膜３と同様な第２の絶縁層膜５および荊などよりな
る背面金属電極膜６が順次積層され薄膜ＥＬ素子が構成
されている。
このような積層構造の薄膜ＥＬ素子に、交流電圧を印加
して発光層内部の電界強度が約１０’Ｖ／Ｃｌ１１程度
になると、絶縁層と発光層の界面などから生成された電
子が発光層内を電界によって加速されながら走行し９発
光中心物質を衝突励起することによってＥＬ発光が得ら
れる。上記第３図に示したような９発光層膜４を第１お
よび第２の絶縁層膜３，５でサンドイッチ状に挟んだ２
通常二重絶縁構造と呼ばれている構成の薄膜ＥＬ素子で
は。
して発光層内部の電界強度が約１０’Ｖ／Ｃｌ１１程度
になると、絶縁層と発光層の界面などから生成された電
子が発光層内を電界によって加速されながら走行し９発
光中心物質を衝突励起することによってＥＬ発光が得ら
れる。上記第３図に示したような９発光層膜４を第１お
よび第２の絶縁層膜３，５でサンドイッチ状に挟んだ２
通常二重絶縁構造と呼ばれている構成の薄膜ＥＬ素子で
は。
素子を流れる電荷密度の最大値（Ｑ、、、）は絶縁層膜
４のＱ□８で決まる。すなわち、素子のＱ ｍ ａ ｘ
が大きいということは、素子の動作時の電圧（Ｖｏｐ）
と素子が破壊する電圧（Ｖａｎ）との差（ＶＢＤ −Ｖ
ｏｐ）が大きいことを意味しており、薄膜ＥＬ素子の信
頼性を高めるという観点からＱ ＋ｗａｘの大きい第１
および第２の絶縁層膜３，５を使うことが望ましい。ま
たｖ Ｑｌｌａｘが大きければ、それだけ高輝度が得ら
れることになる。
４のＱ□８で決まる。すなわち、素子のＱ ｍ ａ ｘ
が大きいということは、素子の動作時の電圧（Ｖｏｐ）
と素子が破壊する電圧（Ｖａｎ）との差（ＶＢＤ −Ｖ
ｏｐ）が大きいことを意味しており、薄膜ＥＬ素子の信
頼性を高めるという観点からＱ ＋ｗａｘの大きい第１
および第２の絶縁層膜３，５を使うことが望ましい。ま
たｖ Ｑｌｌａｘが大きければ、それだけ高輝度が得ら
れることになる。
しかしながら、薄膜ＥＬ素子に用いられている絶縁層材
料の中でもＱ□８の大きい材料は１通常。
料の中でもＱ□８の大きい材料は１通常。
高誘電率材料と呼ばれているものであって、これらの材
料は発光層膜４に対する付着力が弱いものであった。
料は発光層膜４に対する付着力が弱いものであった。
したがって、薄膜ＥＬ素子の絶縁層としてＱｌｌｌａＸ
の大きい材料（例えばＴａ、Ｏｓ）を用いることは発光
特性の向上の観点からは好ましいが、その反面、素子の
背面金ｇＩｔ電極膜６をホト工程で加工する場合９例え
ば、背面金属電極膜６にＡｌｌを用い、リン酸系のエツ
チング液でパターニングすると、Ｔａ、ＯＳと発光層で
あるＺｎＳとの付着力が弱いために、Ｔａ、Ｏ，とＺｎ
Ｓとの界面にエツチング液が浸入し、Ｔａ、Ｏ，膜が剥
離してしまうなどの問題があった。
の大きい材料（例えばＴａ、Ｏｓ）を用いることは発光
特性の向上の観点からは好ましいが、その反面、素子の
背面金ｇＩｔ電極膜６をホト工程で加工する場合９例え
ば、背面金属電極膜６にＡｌｌを用い、リン酸系のエツ
チング液でパターニングすると、Ｔａ、ＯＳと発光層で
あるＺｎＳとの付着力が弱いために、Ｔａ、Ｏ，とＺｎ
Ｓとの界面にエツチング液が浸入し、Ｔａ、Ｏ，膜が剥
離してしまうなどの問題があった。
一方１発光層膜４に対する付着力の強い第１および第２
の絶縁層膜３．５のみを絶縁体層として用いた素子にお
いては、第１および第２の絶縁層膜３，５自体のＱ□８
が小さいため、耐圧、輝度共に低くなるという問題があ
った。
の絶縁層膜３．５のみを絶縁体層として用いた素子にお
いては、第１および第２の絶縁層膜３，５自体のＱ□８
が小さいため、耐圧、輝度共に低くなるという問題があ
った。
上述しごとく、従来の構成の薄ｒｆ４ＥＬ素子において
は、絶縁層膜の発光層膜に対する付着力が弱いため、ホ
トエツチング加工工程における耐性に劣るという欠点が
あり、また付着力の強い絶縁体材料を用いると薄膜ＥＬ
素子のＱｌ、ｌａｘが小となり。
は、絶縁層膜の発光層膜に対する付着力が弱いため、ホ
トエツチング加工工程における耐性に劣るという欠点が
あり、また付着力の強い絶縁体材料を用いると薄膜ＥＬ
素子のＱｌ、ｌａｘが小となり。
耐圧、輝度共に低く、性能が低下するという問題があっ
た。
た。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点ならびに問題点を
解消し、高輝度で耐圧が高く、背面金属電極膜のホト加
工工程に耐性のある薄膜Ｅ’Ｌ素子およびその製造方法
を提供することにある。
解消し、高輝度で耐圧が高く、背面金属電極膜のホト加
工工程に耐性のある薄膜Ｅ’Ｌ素子およびその製造方法
を提供することにある。
上記本発明の目的は、薄膜ＥＬ素子の構成において１発
光層膜と電界を加える背面金属電極膜との間に設ける絶
縁層膜を、成分組成の異なる２種類以上の絶縁層膜を積
層した複合構造の絶縁層膜とすることにより、達成され
る。
光層膜と電界を加える背面金属電極膜との間に設ける絶
縁層膜を、成分組成の異なる２種類以上の絶縁層膜を積
層した複合構造の絶縁層膜とすることにより、達成され
る。
本発明の薄膜ＥＬ素子において１発光層膜と背面金属電
極膜との間に設ける成分組成の異なる２種類以上の絶縁
層膜を積層した複合構造の絶縁層膜は９発光層膜に直接
接触する側の絶縁層膜を。
極膜との間に設ける成分組成の異なる２種類以上の絶縁
層膜を積層した複合構造の絶縁層膜は９発光層膜に直接
接触する側の絶縁層膜を。
発光層膜に対する付着力の強い９例えばＴ ａ Ｏｘ（
Ｘは２．５未満）などからなるタンタルと酸素を含む化
合物からなる所定の厚さの薄膜を絶縁層膜となし、この
付着力の強い絶縁層膜の上に、薄膜ＥＬ素子の絶縁体層
としてＱ＋ｓａｘの大きい材料。
Ｘは２．５未満）などからなるタンタルと酸素を含む化
合物からなる所定の厚さの薄膜を絶縁層膜となし、この
付着力の強い絶縁層膜の上に、薄膜ＥＬ素子の絶縁体層
としてＱ＋ｓａｘの大きい材料。
例えばＴ、Ｏ，、ＳｒＴｉＯ３，ＢａＴｉ０．、ＰｂＴ
ｉ０．．１３ａＴａｏ３などからなる絶縁層膜を積層し
て設けることにより、高輝度で耐圧が高く、背面金属電
極膜のホト加工工程に耐性のある薄膜ＥＬ素子を得るこ
とができる。
ｉ０．．１３ａＴａｏ３などからなる絶縁層膜を積層し
て設けることにより、高輝度で耐圧が高く、背面金属電
極膜のホト加工工程に耐性のある薄膜ＥＬ素子を得るこ
とができる。
本発明の薄膜ＥＬ素子は２発光層膜の片側もしくは両側
に絶縁層膜を設けた薄膜構造体を、背面金属電極膜およ
び透明電極膜からなる一対の電極によって挟持して、上
記電極間に交流電圧を印加して発光させる薄膜ＥＬ素子
であって９本発明の薄膜ＥＬ素子の特徴とするところは
、上記発光層膜と背面金属電極膜との間に設ける絶縁層
膜を。
に絶縁層膜を設けた薄膜構造体を、背面金属電極膜およ
び透明電極膜からなる一対の電極によって挟持して、上
記電極間に交流電圧を印加して発光させる薄膜ＥＬ素子
であって９本発明の薄膜ＥＬ素子の特徴とするところは
、上記発光層膜と背面金属電極膜との間に設ける絶縁層
膜を。
成分組成が異なる２種類以上の絶縁層膜を積層した複合
構造となし、この複合構造の絶縁層膜の発光層膜に直接
接触する側の絶８層膜を９発光層膜に対して付着力の強
い絶縁体材料である。一般式ＴａＯｘ （式中，ｘは２
．５未満を表わす。）で示される化合物で構成したとこ
ろにある。
構造となし、この複合構造の絶縁層膜の発光層膜に直接
接触する側の絶８層膜を９発光層膜に対して付着力の強
い絶縁体材料である。一般式ＴａＯｘ （式中，ｘは２
．５未満を表わす。）で示される化合物で構成したとこ
ろにある。
本発明の薄膜ＥＬ素子において２発光層膜と背面金属電
極膜との間に設ける複合構造の絶縁層膜の発光層膜に直
接接触する付着力の強い絶縁層膜の形成は、 Ａｒ、
Ｈｅ、 Ｎ、ｅ、 Ｘｅなどの不活性ガスのうちの少な
くとも１種を含む雰囲気中で、タンタルと酸素を含むタ
ーゲットを用い、スパッタリング法でＴａＯｘ膜を発光
層膜上に形成させる方法が最も望ましい。そして９発光
層膜に対する付着力の強い絶縁層膜であるＴａＯｘ膜の
膜厚は、約２〜３ｎｍから１１００ｎ程度の範囲が好ま
しく、上記膜厚範囲の下限未満では２発光層膜に対して
均一で付着力の強い絶縁層膜の形成が難しくなり、また
１１００ｎを超えると素子の駆動電圧を最小限に抑える
という観点から好ましくない。
極膜との間に設ける複合構造の絶縁層膜の発光層膜に直
接接触する付着力の強い絶縁層膜の形成は、 Ａｒ、
Ｈｅ、 Ｎ、ｅ、 Ｘｅなどの不活性ガスのうちの少な
くとも１種を含む雰囲気中で、タンタルと酸素を含むタ
ーゲットを用い、スパッタリング法でＴａＯｘ膜を発光
層膜上に形成させる方法が最も望ましい。そして９発光
層膜に対する付着力の強い絶縁層膜であるＴａＯｘ膜の
膜厚は、約２〜３ｎｍから１１００ｎ程度の範囲が好ま
しく、上記膜厚範囲の下限未満では２発光層膜に対して
均一で付着力の強い絶縁層膜の形成が難しくなり、また
１１００ｎを超えると素子の駆動電圧を最小限に抑える
という観点から好ましくない。
以下に本発明の実施例を挙げ２図面に基づいてさらに詳
細に説明する。なお２本実施例は一つの例示であって２
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で９種々の変更ある
いは改良を行い得ることは言うまでもない。
細に説明する。なお２本実施例は一つの例示であって２
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で９種々の変更ある
いは改良を行い得ることは言うまでもない。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の断面構造の一例を示す
模式図であって、ガラス基板７上に、透明電極膜８９発
光層に対する付着力の弱い第１の絶縁層膜９１発光層膜
１０．発光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜１１９発
光層膜に対する付着力の弱い第２の絶縁層膜１２および
背面金属電極膜１３が順次積層され薄膜ＥＬ素子が構成
されている。このような構造の素子を用いて背面金属電
極膜１３のホト加工を行うと２発光層膜ｌＯと発光層膜
に対する付着力の弱い第２の絶縁層膜１２との間に２発
光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜１１があるため。
模式図であって、ガラス基板７上に、透明電極膜８９発
光層に対する付着力の弱い第１の絶縁層膜９１発光層膜
１０．発光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜１１９発
光層膜に対する付着力の弱い第２の絶縁層膜１２および
背面金属電極膜１３が順次積層され薄膜ＥＬ素子が構成
されている。このような構造の素子を用いて背面金属電
極膜１３のホト加工を行うと２発光層膜ｌＯと発光層膜
に対する付着力の弱い第２の絶縁層膜１２との間に２発
光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜１１があるため。
ホト加工工程におけるエツチング液の浸入を防く′こと
ができ、薄ｇＥＬ構造体になんら悪影響を及４ぼすこと
なく、背面金属電極膜１３のホト加工を行うことができ
る。
ができ、薄ｇＥＬ構造体になんら悪影響を及４ぼすこと
なく、背面金属電極膜１３のホト加工を行うことができ
る。
次に本発明の薄膜ＥＬ素子の具体的な作製の手順ならび
に素子の性能について具体的に説明する。
に素子の性能について具体的に説明する。
第１図に示すＷＩ膜Ｅ、Ｌ素子を作製するにあたり。
ガラス基板７としてコーニング７０５９ （コーニング
社製商品名）を用いた。このガラス基板７上に。
社製商品名）を用いた。このガラス基板７上に。
Ｉｎ２Ｏ，： ＳｎＯ，からなる透明電極膜８を、 ２
００ｎｍの膜厚にスパッタ蒸着法で形成した。次に２発
光層膜に対する付着力の弱い第１の絶縁層膜９としてＴ
ａ２Ｏ，焼結体からなるターゲットを用い、マグネトロ
ン式高周波スパッタ法によりＡｒ１０□混合ガスの雰囲
気中でＴａ２Ｏ，膜を膜厚３００ｎｍ 、発光層膜１０
として、ＺｎＳ：Ｍｎを電子ビーム蒸着法により膜厚５
００ｎｍ 、発光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜１
１として、Ｔａ、Ｏ，焼結体からなるターゲットを用い
、マグネトロン式高周波スパッタ法により、Ａｒガス雰
囲気中でＴａＯｘ膜を１０ｎｍの膵厚に形成し２発光層
膜に対する付着力の弱い第２の絶縁層膜１２を、上記９
と同様にしてＴａ２Ｏ，膜を３００ｎｍの膜厚に、順次
、積層形成した。そして。
００ｎｍの膜厚にスパッタ蒸着法で形成した。次に２発
光層膜に対する付着力の弱い第１の絶縁層膜９としてＴ
ａ２Ｏ，焼結体からなるターゲットを用い、マグネトロ
ン式高周波スパッタ法によりＡｒ１０□混合ガスの雰囲
気中でＴａ２Ｏ，膜を膜厚３００ｎｍ 、発光層膜１０
として、ＺｎＳ：Ｍｎを電子ビーム蒸着法により膜厚５
００ｎｍ 、発光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜１
１として、Ｔａ、Ｏ，焼結体からなるターゲットを用い
、マグネトロン式高周波スパッタ法により、Ａｒガス雰
囲気中でＴａＯｘ膜を１０ｎｍの膵厚に形成し２発光層
膜に対する付着力の弱い第２の絶縁層膜１２を、上記９
と同様にしてＴａ２Ｏ，膜を３００ｎｍの膜厚に、順次
、積層形成した。そして。
最後に背面金属電極膜１３としてＡｌｌを電子ビーム蒸
着法により１１００ｎの膜厚に形成して薄膜ＥＩ、素子
を作製した。また、比較のために、上記本発明の薄膜Ｅ
Ｌ素子の構成から発光層膜に対する付着力の強い絶縁層
膜１１のみを除いた。従来の薄膜構造のＥＬ素子を同時
に作製した。以下９発光層膜に対する付着力の強い絶縁
層膜１１を含む薄膜ＥＬ素子を素子Ａ、含まない薄膜Ｅ
Ｌ素子を素子Ｂと呼ぶこととする。また、素子Ａと全く
同じ構成で。
着法により１１００ｎの膜厚に形成して薄膜ＥＩ、素子
を作製した。また、比較のために、上記本発明の薄膜Ｅ
Ｌ素子の構成から発光層膜に対する付着力の強い絶縁層
膜１１のみを除いた。従来の薄膜構造のＥＬ素子を同時
に作製した。以下９発光層膜に対する付着力の強い絶縁
層膜１１を含む薄膜ＥＬ素子を素子Ａ、含まない薄膜Ｅ
Ｌ素子を素子Ｂと呼ぶこととする。また、素子Ａと全く
同じ構成で。
背面金属電極膜１３をマスク蒸着でパターニングした薄
膜ＥＬ素子も併せて作製した。これを、素子Ｃと言う。
膜ＥＬ素子も併せて作製した。これを、素子Ｃと言う。
上記の素子Ａ、および素子Ｂの背面金属電極膜である背
面ＡＱ電極膜を、リン酸：硝酸：酢酸：水＝３：５：１
４ニア：３の組成のエツチング液で加工したところ、素
子Ａにおいてはなんら問題なく。
面ＡＱ電極膜を、リン酸：硝酸：酢酸：水＝３：５：１
４ニア：３の組成のエツチング液で加工したところ、素
子Ａにおいてはなんら問題なく。
背面層電極膜を加工することができたのに対し。
素子Ｂではエツチング液に浸漬してから約３０秒程で、
ＺｎＳ発光層膜とＴａ２０５絶縁層膜との間にエツチン
グ液が浸入し始め、１分後には２発光層膜に対する付着
力の弱い絶縁層膜であるＴａ２Ｏ，膜が、はぼ全面にわ
たって剥離するのが観測された。
ＺｎＳ発光層膜とＴａ２０５絶縁層膜との間にエツチン
グ液が浸入し始め、１分後には２発光層膜に対する付着
力の弱い絶縁層膜であるＴａ２Ｏ，膜が、はぼ全面にわ
たって剥離するのが観測された。
この時点で、素子Ｂは使用不可能な・状態になった。
以上の結果から明らかなように９本実施例において作製
した薄膜ＥＬ素子は、従来の薄膜ＥＬ素子に比べて、ホ
ト加工工程に対する耐性が格段に向上していることが分
かる。
した薄膜ＥＬ素子は、従来の薄膜ＥＬ素子に比べて、ホ
ト加工工程に対する耐性が格段に向上していることが分
かる。
第２図に、背面金属電極膜をホト加工でパターニングし
た薄膜ＥＬ素子八へ、マスク蒸着でパターニングした薄
膜ＥＬ素子Ｃの輝度−電圧特性を比較して示す０図にお
いて２曲線ａ（・印）は素子Ａの特性９曲線ｃ（×印）
は素子Ｃの特性をそれぞれ表わしている。曲線ａ、およ
び曲線Ｃかられかるように、素子Ａおよび素子Ｃは全く
同一の輝度−電圧特性を示しており、背面金属電極膜の
ホト加工工程が薄膜ＥＬ素子特性になんら悪影響を及ぼ
していないことが分かる。
た薄膜ＥＬ素子八へ、マスク蒸着でパターニングした薄
膜ＥＬ素子Ｃの輝度−電圧特性を比較して示す０図にお
いて２曲線ａ（・印）は素子Ａの特性９曲線ｃ（×印）
は素子Ｃの特性をそれぞれ表わしている。曲線ａ、およ
び曲線Ｃかられかるように、素子Ａおよび素子Ｃは全く
同一の輝度−電圧特性を示しており、背面金属電極膜の
ホト加工工程が薄膜ＥＬ素子特性になんら悪影響を及ぼ
していないことが分かる。
また、上記の発光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜１
１をマグネトロン式高周波スパッタ法により形成する際
の雰囲気として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅのうちの１種類のガ
ス、あるいはＡｒｇ Ｈｅｇ ＮｅｗＸｅのうちの複数
からなる混合ガスを用いても発光層膜に対する付着力の
強い絶縁層を得ることができ、上記実施例と同様の結果
が得られた。
１をマグネトロン式高周波スパッタ法により形成する際
の雰囲気として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅのうちの１種類のガ
ス、あるいはＡｒｇ Ｈｅｇ ＮｅｗＸｅのうちの複数
からなる混合ガスを用いても発光層膜に対する付着力の
強い絶縁層を得ることができ、上記実施例と同様の結果
が得られた。
上記実施例において、薄膜ＥＬ素子の発光層膜としてＺ
ｎＳ：Ｍｎの場合の例を挙げたが、その他にｅ Ｔｂｔ
Ｓｓ、 Ｃｅなどの希土類化合物を添加したＺｎＳ、
ＳｒＳ、ＣａＳなどの元素の周期表■−■族化合物半導
体薄膜を用いた場合においても。
ｎＳ：Ｍｎの場合の例を挙げたが、その他にｅ Ｔｂｔ
Ｓｓ、 Ｃｅなどの希土類化合物を添加したＺｎＳ、
ＳｒＳ、ＣａＳなどの元素の周期表■−■族化合物半導
体薄膜を用いた場合においても。
上記実施例と同様の効果があることを確認している。ま
た９発光層膜に対する付着力が弱く。
た９発光層膜に対する付着力が弱く。
Ｑ□８の大きい絶縁層膜として、上記実施例においては
Ｔａ２Ｏ，膜を用いたが、この他に、５ｒＴｉＯ，、Ｂ
ａＴｉ０．、ＰｂＴｉＯ３，ＢａＴａＯ３薄膜などを用
いても同様の効果が得られることを確認している。
Ｔａ２Ｏ，膜を用いたが、この他に、５ｒＴｉＯ，、Ｂ
ａＴｉ０．、ＰｂＴｉＯ３，ＢａＴａＯ３薄膜などを用
いても同様の効果が得られることを確認している。
以上詳細に説明したごとく２本発明の薄膜ＥＬ素子は、
ホト加工工程に対する耐性が高いことから高輝度で耐圧
の高い素子を得ることができるので、信頼性の高い高性
能薄膜ＥＬ表示パネルの製造が可能となる。
ホト加工工程に対する耐性が高いことから高輝度で耐圧
の高い素子を得ることができるので、信頼性の高い高性
能薄膜ＥＬ表示パネルの製造が可能となる。
第１図は本発明の実施例において作製した薄膜ＥＬ素子
の断面構造を示す模式図、第２図は本発明の実施例にお
いて背面金属電極膜をホト加工工程ならびにマスク蒸着
によってパターニングして作製した薄膜ＥＬ素子の輝度
−電圧特性を示すグラフ、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子
の断面構造を示す模式図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極膜３・・
・第１の絶縁層膜 ４・・・発光層膜５・・・第２の
絶縁層膜 ６・・・背面金属電極膜７・・・ガラス基
板 ８・・・透明電極膜９・・・発光層膜に対す
る付着力の弱い第１の絶縁層膜 ｌＯ・・・発光層膜 １１・・・発光層側に対する付着力の強い絶縁層膜１２
・・・発光層膜に対する付着力の弱い第２の絶縁層膜 １３・・・背面金属電極膜 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純之助 第１図 ７−、プラス塵Ｊ及 ８−弓１朗省ネジ頑
の断面構造を示す模式図、第２図は本発明の実施例にお
いて背面金属電極膜をホト加工工程ならびにマスク蒸着
によってパターニングして作製した薄膜ＥＬ素子の輝度
−電圧特性を示すグラフ、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子
の断面構造を示す模式図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極膜３・・
・第１の絶縁層膜 ４・・・発光層膜５・・・第２の
絶縁層膜 ６・・・背面金属電極膜７・・・ガラス基
板 ８・・・透明電極膜９・・・発光層膜に対す
る付着力の弱い第１の絶縁層膜 ｌＯ・・・発光層膜 １１・・・発光層側に対する付着力の強い絶縁層膜１２
・・・発光層膜に対する付着力の弱い第２の絶縁層膜 １３・・・背面金属電極膜 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純之助 第１図 ７−、プラス塵Ｊ及 ８−弓１朗省ネジ頑
Claims (3)
- １． 発光層膜の片側もしくは両側に絶縁層膜を積層し
た薄膜構造体を，背面金属電極膜および透明電極膜から
なる一対の電極によって挟持して，上記電極間に交流電
圧を印加して発光させる薄膜エレクトロルミネセンス素
子において，上記発光層膜と背面金属電極膜との間に設
ける絶縁層膜を，成分組成の異なる２種類以上の絶縁層
膜を積層した複合構造の絶縁層膜となし，上記複合構造
の絶縁層膜のうち，上記発光層膜に直接接触する絶縁層
膜を，発光層膜に対する付着力の強いタンタルと酸素を
含む化合物からなる絶縁層膜とし，これに積層する他の
絶縁層膜を，電荷密度の最大値（Ｑ＿ｍ＿ａ＿ｘ）の大
きい絶縁層膜とすることを特徴とする薄膜エレクトロル
ミネセンス素子。 - ２． 発光層膜に対する付着力の強いタンタルと酸素を
含む化合物からなる絶縁層膜が，一般式ＴａＯ＿ｘ（式
中，ｘは２．５未満を表わす。）で示される化合物によ
って構成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子。 - ３． 発光層膜に対する付着力の強いタンタルと酸素を
含む化合物からなる絶縁層膜の形成は，ヘリウム，アル
ゴン，ネオン，キセノンのうちより選択される少なくと
も１種の不活性ガスを含む雰囲気中で，タンタルと酸素
を含むターゲットを用い，スパッタリング法によって成
膜することを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項に記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015938A JPH01194289A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015938A JPH01194289A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01194289A true JPH01194289A (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=11902703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63015938A Pending JPH01194289A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01194289A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181295A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | 株式会社日立製作所 | 薄膜ｅｌ表示素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63015938A patent/JPH01194289A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181295A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | 株式会社日立製作所 | 薄膜ｅｌ表示素子の製造方法 |
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