JPH0528111U - 位相補償高出力増幅器 - Google Patents
位相補償高出力増幅器Info
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- JPH0528111U JPH0528111U JP7584491U JP7584491U JPH0528111U JP H0528111 U JPH0528111 U JP H0528111U JP 7584491 U JP7584491 U JP 7584491U JP 7584491 U JP7584491 U JP 7584491U JP H0528111 U JPH0528111 U JP H0528111U
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- Pending
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 4
- 101001128814 Pandinus imperator Pandinin-1 Proteins 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＡＭ／ＰＭ変換係数を最小にすることができ、
マイクロ波信号の伝送品質の劣化を落さない高出力増幅
器を提供する。 【構成】マイクロ波信号は、入力端６から移相器１に入
力されて位相が制御電圧ｂの大きさに従って制御された
あと、複数の単位増幅器２により増幅され、最終段増幅
器３に入力される。最終段増幅器３は、ゲート抵抗器５
を介してバイアス電源８からゲートバイアスを得るＦＥ
Ｔトランジスタによってマイクロ波信号を増幅し、これ
を出力端７に出力する。ゲート抵抗器５の両端からはＦ
ＥＴトランジスタのゲート電流Ｉｇによって生じた電圧
を検出し、これをＤＣアンプ４によって適切な増幅度で
増幅して前述の制御電圧ｂとする。
マイクロ波信号の伝送品質の劣化を落さない高出力増幅
器を提供する。 【構成】マイクロ波信号は、入力端６から移相器１に入
力されて位相が制御電圧ｂの大きさに従って制御された
あと、複数の単位増幅器２により増幅され、最終段増幅
器３に入力される。最終段増幅器３は、ゲート抵抗器５
を介してバイアス電源８からゲートバイアスを得るＦＥ
Ｔトランジスタによってマイクロ波信号を増幅し、これ
を出力端７に出力する。ゲート抵抗器５の両端からはＦ
ＥＴトランジスタのゲート電流Ｉｇによって生じた電圧
を検出し、これをＤＣアンプ４によって適切な増幅度で
増幅して前述の制御電圧ｂとする。
Description
【０００１】
本考案はマイクロ波帯で使用する位相補償高出力増幅器に関する。
【０００２】
従来のマイクロ波帯における高出力増幅器について、図３に示すブロック図、 および図４に示す図３の従来例で使用する最終段増幅器３の特性図を参照して説 明する。
【０００３】 従来のマイクロ波信号を高出力に増幅する高出力増幅器は、複数の単位増幅器 ２により入力端６に入力する小電力の信号Ｐｉｎを増幅し、最終段に設けたＦＥ Ｔトランジスタを増幅素子とする最終段増幅器３の増幅によって出力端７に高出 力のマイクロ波信号Ｐｏｕｔを得ている。
【０００４】 この高出力増幅器は、多数の単位増幅器２を縦続接続することによって小信号 を大信号まで増幅しているが、最大の電源効率を得るため、最終段増幅器３はＦ ＥＴトランジスタを飽和出力レベルで使用することが多い。図４は最終段増幅器 ３の入力レベルＰｉｎ１に対する出力レベル（Ｐｏｕｔ），位相（ｐｈａｓｅ） ，ゲートリーク電流（Ｉｇ）を示すが、最終段増幅器３の出力レベルがほぼ飽和 レベルとなるａ２点付近から位相が急激に変動しはじめ、入力レベルＰｉｎ１に 対する位相の変化量であるＡＭ／ＰＭ変換係数が急激に悪化する。また、このａ ２点付近からゲートリーク電流Ｉｇは正方向に大きく流れはじめている。
【０００５】
上述した従来の高出力増幅器は、出力飽和レベル付近でＡＭ／ＰＭ変換係数が 急激に悪化し、マイクロ波信号の伝送品質を劣化させるので、高効率な運用が困 難であるという欠点があった。
【０００６】
本考案の位相補償高出力増幅器は、制御電圧によってマイクロ波信号を移相す る移相器と、前記移相器より後段に接続されゲート抵抗器によってゲートバイア スを得るＦＥＴトランジスタを増幅素子とする増幅器と、前記ゲート抵抗器の両 端から検出した電圧から前記制御電圧を生ずる制御回路とを有している。
【０００７】
次に本考案について図面を参照して説明する。
【０００８】 図１は本考案による位相補償高出力増幅器の一実施例の回路図、図２はその特 性図である。
【０００９】 位相補償高出力増幅器の移相器１は、入力端６に入力されるマイクロ波信号Ｐ ｉｎの位相を制御電圧ｂの大きさに従って移相する。移相器１から出力されたマ イクロ波信号は、縦続に接続された複数の単位増幅器２により増幅され、最終段 増幅器３に入力される。最終段増幅器３は、入力されたマイクロ波信号をゲート 抵抗器５を介してバイアス電源８からゲートバイアスを得るＦＥＴトランジスタ によって増幅し、出力マイクロ波信号Ｐｏｕｔを出力端７に出力する。ゲート抵 抗器５には最終段増幅器３に含まれるＦＥＴトランジスタのゲート電流Ｉｇが流 れており、ゲート抵抗器５の両端から検出された電圧は、制御回路であるＤＣア ンプ４に入力され、適切な増幅度で増幅されて前述の制御電圧ｂを生ずる。移相 器１またはＤＣアンプ４の一方，もしくはこの両方は、ゲート電流Ｉｇが正以外 では動作しないようにされている。
【００１０】 入力端６へのマイクロ波信号の入力レベルＰｉｎが増加し、最終段増幅器３の 飽和により、出力端７における出力レベルＰｏｕｔが飽和出力レベルａ１に達す ると、ゲートリーク電流Ｉｇも正方向に急激に流れ始める（従来例の説明におけ る図４参照）。このとき、ゲート抵抗器５の両端電圧も同様に増加する。この両 端電圧をＤＣアンプ４で増幅し、移相器１の移相量を最終段増幅器３の位相変化 を打消す方向の制御電圧ｂとする。この制御電圧ｂによって制御された移相器１ は、最終段増幅器３によって発生する位相変化を打消す。従って、図１の位相補 償高出力増幅器の入力レベルＰｉｎに対する出力位相ｐｈａｓｅは、図２に示す ように、飽和出力レベルａ１においても変化は少ない。このように、本実施例は 、最終段増幅器３によって発生するＡＭ／ＰＭ変換係数の増加を最小とする。
【００１１】
以上説明したように本考案は、最終段増幅器に含まれるＦＥＴトランジスタの ゲートバイアスを供給するゲート抵抗器の両端電圧を検出し、これから作成した 制御電圧によって、おもに最終段増幅器によって発生する位相変化を打消す方向 に、最終段増幅器より前段に配置した移相器の移相量を制御することにより、Ａ Ｍ／ＰＭ変換係数を最小にすることができ、マイクロ波信号の伝送品質の劣化を 落さずに、高効率で増幅器を運用できる効果がある。
【図１】本考案による一実施例の回路図である。
【図２】図１の実施例の特性図である。
【図３】従来例のブロック図である。
【図４】図３の従来例で使用する最終段増幅器３の特性
図である。
図である。
１ 移相器 ２ 単位増幅器 ３ 最終段増幅器 ４ ＤＣアンプ ５ ゲート抵抗器 ６ 入力端 ７ 出力端 ８ バイアス電源
Claims (1)
- 【請求項１】 制御電圧によってマイクロ波信号を移相
する移相器と、前記移相器より後段に接続されゲート抵
抗器によってゲートバイアスを得るＦＥＴトランジスタ
を増幅素子とする増幅器と、前記ゲート抵抗器の両端か
ら検出した電圧から前記制御電圧を生ずる制御回路とを
有することを特徴とする位相補償高出力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7584491U JPH0528111U (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 位相補償高出力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7584491U JPH0528111U (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 位相補償高出力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528111U true JPH0528111U (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=13587926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7584491U Pending JPH0528111U (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 位相補償高出力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528111U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2106022A1 (en) | 2008-03-25 | 2009-09-30 | Fujitsu Limited | Amplification apparatus and amplifier failure detecting method |
| KR101476414B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2014-12-24 | 브로드콤 코포레이션 | 증강된 선형 레인지를 갖는 포락선 검출기 |
| KR101476413B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2014-12-24 | 브로드콤 코포레이션 | 포락선 검출기, 포락선 검출기를 위한 클래스-ab 라디오 주파수 증폭기 및 포락선 검출기를 위한 클래스-ab 전압 증폭기의 피드백 회로 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP7584491U patent/JPH0528111U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2106022A1 (en) | 2008-03-25 | 2009-09-30 | Fujitsu Limited | Amplification apparatus and amplifier failure detecting method |
| KR101476414B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2014-12-24 | 브로드콤 코포레이션 | 증강된 선형 레인지를 갖는 포락선 검출기 |
| KR101476413B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2014-12-24 | 브로드콤 코포레이션 | 포락선 검출기, 포락선 검출기를 위한 클래스-ab 라디오 주파수 증폭기 및 포락선 검출기를 위한 클래스-ab 전압 증폭기의 피드백 회로 |
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