JPH05282107A - 外部記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光磁気記憶装置のような大容量ながら低速の
外部記憶装置のアクセス速度を速くする。 【構成】 この発明の外部記憶装置では、１つの筐体内
に大容量記憶装置と磁気記憶装置を内蔵させ、大容量記
憶装置に記憶されているデータは、アクセス時に磁気記
憶装置に転送して磁気記憶装置から外部に出力する。ま
た、磁気記憶装置に記憶されているデータでも、一定時
間以上アクセスされなくなったデータは磁気記憶装置か
ら大容量記憶装置に戻し、この際、磁気記憶装置におい
て更新されているデータは大容量記憶装置に戻す際に更
新する。こうして、低速な大容量記憶装置の動作を最小
限に抑え、外部からは比較的高速、かつ大容量な磁気記
憶装置に対してアクセスするようにして、データアクセ
スの待ち時間、データの転送時間、転送路上のデータ量
を減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、外部記憶装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば光磁気記憶装置のような外
部記憶装置は、磁気記憶装置と比較して大容量の記憶を
行なうことができるが、反面、アクセス速度が遅い問題
点があった。

【０００３】そこで、大容量の記憶装置を備えたシステ
ムでは、記憶装置のデータを数次に渡って繰り返しアク
セスするような場合には、データアクセス時の待ち時間
を小さくするために、最初のアクセス時にデータを一括
してシステム内の別の高速な記憶装置に転送した後、ア
クセスするようにしていた。

【０００４】また、小規模なシステムでは、記憶装置内
に半導体メモリを持ち、ここにいったんデータを記憶さ
せ、高速なアクセスができるようにしていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の外部記憶装置では、システムが大規模なデータを
扱う際には、データを転送するためにかかる時間が長く
なり、またその転送のため転送路を占有してしまう問題
点があった。

【０００６】また、半導体メモリを備えさせる場合に
は、大規模なデータを記憶させるにはコストがかかりす
ぎ、実用化できない問題点があった。

【０００７】この発明は、このような従来の問題点に鑑
みなされたもので、大容量ながら低速な記憶装置に対し
て、比較的コストをかけずに高速なアクセスができるよ
うにした外部記憶装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明の外部記憶装置
は、ランダムアクセス可能な大容量記憶装置と、前記大
容量記憶装置に対して比較的小容量、かつ比較的高速の
アクセスが可能な磁気記憶装置と、外部から前記大容量
記憶装置にアクセスする場合に、該当する記憶データを
前記磁気記憶装置にいったんストアし、当該磁気記憶装
置から外部に出力し、かつ外部からの書き込みデータを
前記磁気記憶装置にいったん書き込み、その後前記大容
量記憶装置に書き込むように制御する記憶部制御装置と
を１つの装置として内蔵したものである。

【０００９】

【作用】この発明の外部記憶装置では、大容量記憶装置
に記憶されているデータは、アクセス時に磁気記憶装置
に転送して、磁気記憶装置から外部に出力し、アクセス
終了後、磁気記憶装置から再び大容量記憶装置に転送す
るように記憶部制御装置によって両記憶装置を管理す
る。これによって、外部からは、磁気記憶装置内のデー
タをアクセスし、書き込みも磁気記憶装置のデータに対
して行なうようにする。

【００１０】さらに、記憶部制御装置はディレクトリを
持ち、大容量記憶装置から磁気記憶装置への転送制御
と、磁気記憶装置内のアクセスされなくなったデータを
大容量記憶装置に転送する制御を行なう。

【００１１】こうして、低速な大容量記憶装置の動作を
最小限に抑え、外部からは比較的高速、かつ大容量な磁
気記憶装置に対してアクセスするようにして、データア
クセスの待ち時間、データの転送時間、転送路上のデー
タ量を減少させる。

【００１２】

【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて詳説
する。

【００１３】図１はこの発明の一実施例のシステム構成
を示し、図２は特に制御装置の詳しい構成を示してい
る。

【００１４】図１において、１は磁気記憶装置であり、
外部からアクセスされるデータをいったんここに記憶す
るようにしている。２は光磁気記憶装置のようなアクセ
ス速度は遅いが大容量の記憶ができる大容量記憶装置で
あり、システム内のデータはすべてここに記憶される。
３はこの外部記憶装置の内部制御を行なう制御装置であ
り、磁気記憶装置１と大容量記憶装置２との間のデータ
転送を制御し、２つの記憶装置１，２内のデータを管理
する。

【００１５】４は入出力回路であり、本装置と外部計算
機との間でデータをやりとりする。５は制御信号線であ
り、制御装置３が記憶装置１，２を制御したり、データ
をやりとりする場合の制御信号を伝送する。また６はデ
ータ信号線であり、記憶装置１，２間、記憶装置１と入
出力回路４との間でデータ信号を伝送する。

【００１６】そして、制御装置３は図２に示すように、
磁気記憶装置１のデータ書き込み、読み出しを制御する
対磁気記憶装置データ書き込み・読み出し制御部３１、
大容量記憶装置２のデータ書き込み、読み出しを制御す
る対大容量記憶装置データ書き込み・読み出し制御部３
２、入出力回路４の入出力動作を制御する入出力回路制
御部３３、磁気記憶装置１に記憶されたデータに対する
アクセス頻度を監視するアクセス頻度監視部３４、およ
びこれらの各部を制御する全体制御部３５から構成され
ている。

【００１７】次に、上記構成の外部記憶装置の動作につ
いて説明する。

【００１８】制御装置３は、入出力回路４を介して接続
されている計算機（図示せず）からデータアクセスの要
求があった場合には、入出力回路制御部３３がその要求
データを判別し、対磁気記憶装置書き込み・読み出し制
御部３１に対して要求データが記憶されているかどうか
判断し、記憶されていなければ対磁気記憶装置データ書
き込み・読み出し制御部３１、対大容量記憶装置データ
書き込み・読み出し制御部３２により大容量記憶装置２
から磁気記憶装置１へ該当するデータを転送する。

【００１９】また制御装置３のアクセス頻度監視部３４
は、磁気記憶装置１内のデータのアクセス頻度を監視
し、一定時間以上アクセスされなくなったデータを磁気
記憶装置１から大容量記憶装置２に更新記憶させる。そ
して、磁気記憶装置１において、大容量記憶装置２に再
転送された後のデータ領域は、対磁気記憶装置データ書
き込み・読み出し制御部３１により未使用領域とされ
る。

【００２０】この制御装置３により、この外部記憶装置
に対するデータの読み出し、書き込み動作は次のように
制御される。

【００２１】＜＜読み出し動作＞＞ １）入出力回路４を介して接続されている計算機が大容
量記憶装置２に記憶されているデータを読み出そうとす
る。

【００２２】２）大容量記憶装置２はデータを読み出す
のが遅いために同じデータを複数回読み出す場合に時間
がかかるので、１回目の読み出し時に制御装置３が磁気
記憶装置１にデータを転送する。

【００２３】３）この磁気記憶装置１へのデータの転送
と同時に、制御装置３は入出力回路４からデータを外部
に出力する。

【００２４】４）２回目以降のデータの読み出しは、磁
気記憶装置１から入出力回路４を通して出力する。

【００２５】＜＜書き込み動作＞＞ １ａ）大容量記憶装置２に記憶されているデータを変更
する場合には、制御装置３はいったん磁気記憶装置１に
データを転送する。

【００２６】１ｂ）すでに磁気記憶装置１に転送されて
いるデータを変更する場合には、磁気記憶装置１に記憶
されているデータをそのまま変更する。（読み出し動作
後に、変更する場合） ２）１ａ）または１ｂ）の動作の後、データが一定時間
以上アクセスされなくなれば、制御装置３は磁気記憶装
置１に記憶されているデータを大容量記憶装置２に記憶
させる。

【００２７】こうして、光磁気記憶装置のような大容量
記憶装置において、比較的高速の磁気記憶装置を内蔵さ
せ、アクセスのあったデータを一時的にこの磁気記憶装
置に転送して保持させ、このデータに対して書き込み、
読み出しすることにより、低速の大容量記憶装置に対す
るデータアクセス速度を高速化する。

【００２８】なお、大容量記憶装置として光磁気ディス
ク装置が用いられる場合、オートチェンジャを取り付け
ることによって大規模記憶システムを構成するような場
合には、これらの光磁気ディスク装置とオートチェンジ
ャを含めて大容量記憶装置とし、磁気記憶装置をこれに
付加することによりこの発明の外部記憶装置を構成する
ことができるようになる。

【００２９】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、大規模
なデータを扱うことができるが低速の大容量記憶装置を
高速にアクセスすることができるようになり、通常の磁
気記憶装置を使用する場合と変わらない比較的高速で大
容量の外部記憶装置を構成することができる。しかも、
大容量のデータを一時的に保持する半導体メモリを用い
る場合に比べて安価に大きなデータを扱うことができる
ようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例のブロック図。

【図２】上記実施例における制御装置の詳しい内部構成
を示すブロック図。

【符号の説明】

１ 磁気記憶装置 ２ 大容量記憶装置 ３ 制御装置 ４ 入出力回路 ５ 制御信号線 ６ データ信号線 ３１ 対磁気記憶装置データ書き込み・読み出し制御部 ３２ 対大容量記憶装置データ書き込み・読み出し制御
部 ３３ 入出力回路制御部 ３４ アクセス頻度監視部 ３５ 全体制御部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ランダムアクセス可能な大容量記憶装置
   と、前記大容量記憶装置に対して比較的小容量、かつ比
   較的高速のアクセスが可能な磁気記憶装置と、外部から
   前記大容量記憶装置にアクセスする場合に、該当する記
   憶データを前記磁気記憶装置にいったんストアし、当該
   磁気記憶装置から外部に出力し、かつ外部からの書き込
   みデータを前記磁気記憶装置にいったん書き込み、その
   後前記大容量記憶装置に書き込むように制御する記憶部
   制御装置とを１つの装置として内蔵して成る外部記憶装
   置。