JPH0528478A - 磁気記録媒体の製造方法及び装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法及び装置Info
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- JPH0528478A JPH0528478A JP18725791A JP18725791A JPH0528478A JP H0528478 A JPH0528478 A JP H0528478A JP 18725791 A JP18725791 A JP 18725791A JP 18725791 A JP18725791 A JP 18725791A JP H0528478 A JPH0528478 A JP H0528478A
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- JP
- Japan
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- magnetic recording
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気記録媒体の保護膜に作用し、潤滑剤付着量
を高めるとともに耐食性を向上させる、磁気記録媒体の
製造方法及び装置である。 【構成】基材上に少なくとも磁性膜、保護膜、潤滑膜が
順次形成されてなる磁気記録媒体において、該保護膜を
形成後その表面を紫外線（以下ＵＶと称す。）照射処
理、ＵＶ＋オゾン照射処理、ＵＶ＋湿潤オゾン照射処理
のいずれかを施した後、潤滑膜を形成する磁気記録媒体
の製造方法において、該処理に先立って基材表面を５０
℃以上に加熱する磁気記録媒体の製造方法。 【効果】磁気記録媒体の保護膜に作用し、潤滑剤付着量
を高めるとともに耐食性を向上させる。
を高めるとともに耐食性を向上させる、磁気記録媒体の
製造方法及び装置である。 【構成】基材上に少なくとも磁性膜、保護膜、潤滑膜が
順次形成されてなる磁気記録媒体において、該保護膜を
形成後その表面を紫外線（以下ＵＶと称す。）照射処
理、ＵＶ＋オゾン照射処理、ＵＶ＋湿潤オゾン照射処理
のいずれかを施した後、潤滑膜を形成する磁気記録媒体
の製造方法において、該処理に先立って基材表面を５０
℃以上に加熱する磁気記録媒体の製造方法。 【効果】磁気記録媒体の保護膜に作用し、潤滑剤付着量
を高めるとともに耐食性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器等の情報記録
に用いる磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
に用いる磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク、磁気テープにおいては、
基材上に磁性体を塗布して記録を可能としている。記録
された情報を外部からの衝撃等から守るためには、磁性
体上に保護膜を設ける必要がある。しかし、記録・再生
時に停止、摺動を繰り返し行なうため、磁気ヘッドと保
護膜との間で摩擦が生じ、保護膜が摩耗してしまう問題
があった。これを防止するために、保護膜上に潤滑剤を
塗布することが行なわれているが、保護膜と潤滑剤との
付着力が弱いために、繰り返しの動作で潤滑剤が剥がれ
たり、はじいたりするという新たな問題が生じた。その
解決法として保護膜に表面処理を施すことにより、表面
を極性化することが行なわれている。例えば、特開昭６
２−１５０５２６では、カーボン保護膜にプラズマ処理
を施しており、又、特開昭６３−２１１７では、蒸着層
表面にプラズマ処理、グロー処理、コロナ放電処理のい
ずれかを施している。
基材上に磁性体を塗布して記録を可能としている。記録
された情報を外部からの衝撃等から守るためには、磁性
体上に保護膜を設ける必要がある。しかし、記録・再生
時に停止、摺動を繰り返し行なうため、磁気ヘッドと保
護膜との間で摩擦が生じ、保護膜が摩耗してしまう問題
があった。これを防止するために、保護膜上に潤滑剤を
塗布することが行なわれているが、保護膜と潤滑剤との
付着力が弱いために、繰り返しの動作で潤滑剤が剥がれ
たり、はじいたりするという新たな問題が生じた。その
解決法として保護膜に表面処理を施すことにより、表面
を極性化することが行なわれている。例えば、特開昭６
２−１５０５２６では、カーボン保護膜にプラズマ処理
を施しており、又、特開昭６３−２１１７では、蒸着層
表面にプラズマ処理、グロー処理、コロナ放電処理のい
ずれかを施している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の方法は、
真空装置あるいは高電圧を使うため設備が大きく作業が
複雑となり、しかも作業時間が長くなる。又、潤滑剤の
付着力も不十分であるという問題があった。
真空装置あるいは高電圧を使うため設備が大きく作業が
複雑となり、しかも作業時間が長くなる。又、潤滑剤の
付着力も不十分であるという問題があった。
【０００４】これらの方法に代わる前処理方法として、
常圧で取り扱えるという性質を有する紫外線照射処理が
提案されている。
常圧で取り扱えるという性質を有する紫外線照射処理が
提案されている。
【０００５】すなわち、磁性体を有する基材上に、炭素
系、炭化水素系あるいは、金属の炭化物、窒化物および
酸化物を主成分とする保護膜を形成し、その保護膜表面
をＵＶ、ＵＶ＋オゾン、ＵＶ＋湿潤オゾンのいずれかで
処理することにより、表面を極性化し、フッ素系の潤滑
剤との付着性を向上させる方法である。
系、炭化水素系あるいは、金属の炭化物、窒化物および
酸化物を主成分とする保護膜を形成し、その保護膜表面
をＵＶ、ＵＶ＋オゾン、ＵＶ＋湿潤オゾンのいずれかで
処理することにより、表面を極性化し、フッ素系の潤滑
剤との付着性を向上させる方法である。
【０００６】ここでＵＶ処理とは、波長１５０nm〜４０
０nmのＵＶ光を照射することであり、光源には低圧水銀
ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用い、
照度は３０mW／cm2以上、好ましくは１００mW／cm2以上
とする。又、ＵＶ＋オゾン処理とは、上記の処理と同時
に、オゾンを吹き付ける方法である。オゾンは、オゾナ
イザーにより発生させ、流量は１〜１０ｌ／min、濃度
は１０g／ｍ3以上、好ましくは１００g／ｍ3以上とす
る。ＵＶ＋湿潤オゾン処理とは、ＵＶ＋オゾン処理に加
えて水蒸気を吹き付けることである。水蒸気は、例え
ば、オゾンガスを水の入ったバブラーを経由させ、オゾ
ンと共に吹き付ける方法や、直接吹き付ける方法があ
る。処理効果は、ＵＶ処理において従来のプラズマ処理
に比して著しく能率良く発揮される。ＵＶ処理よりも能
率良く処理するためには、ＵＶ＋オゾン処理が良く、さ
らに一層能率良く処理するためには、ＵＶ＋湿潤オゾン
処理が有効である。上記の処理は、片面を行なう方法の
他、磁気ディスク等では基板の両面に同時に行なうこと
もできる。
０nmのＵＶ光を照射することであり、光源には低圧水銀
ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用い、
照度は３０mW／cm2以上、好ましくは１００mW／cm2以上
とする。又、ＵＶ＋オゾン処理とは、上記の処理と同時
に、オゾンを吹き付ける方法である。オゾンは、オゾナ
イザーにより発生させ、流量は１〜１０ｌ／min、濃度
は１０g／ｍ3以上、好ましくは１００g／ｍ3以上とす
る。ＵＶ＋湿潤オゾン処理とは、ＵＶ＋オゾン処理に加
えて水蒸気を吹き付けることである。水蒸気は、例え
ば、オゾンガスを水の入ったバブラーを経由させ、オゾ
ンと共に吹き付ける方法や、直接吹き付ける方法があ
る。処理効果は、ＵＶ処理において従来のプラズマ処理
に比して著しく能率良く発揮される。ＵＶ処理よりも能
率良く処理するためには、ＵＶ＋オゾン処理が良く、さ
らに一層能率良く処理するためには、ＵＶ＋湿潤オゾン
処理が有効である。上記の処理は、片面を行なう方法の
他、磁気ディスク等では基板の両面に同時に行なうこと
もできる。
【０００７】しかしながら、上記の方法のみでは、処理
時間が３分以上かかり、且つ、表面のダメージ又はコン
タミにより、耐食性が劣ってしまう。従って、生産性を
考慮した場合、処理時間を１分以内にし、且つ、表面ダ
メージ又はコンタミを少なくする処理が必要となる。
時間が３分以上かかり、且つ、表面のダメージ又はコン
タミにより、耐食性が劣ってしまう。従って、生産性を
考慮した場合、処理時間を１分以内にし、且つ、表面ダ
メージ又はコンタミを少なくする処理が必要となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、この方法を基
本として、さらに処理速度の早い前処理方法及びそれを
実現する装置を提供することを目的としている。一つ
は、前記処理を効率的に行うためにあらかじめ基板表面
温度が、５０℃以上に加熱されていることが好ましい。
これは、紫外線のエネルギーだけでは短時間に昇温する
ことが困難であり、処理速度が十分とれない点を改善し
たもので、赤外線ヒーター等による加熱を前記処理の前
に行うことで、上記処理時間を短縮し、かつ、より効果
をあげることができる。
本として、さらに処理速度の早い前処理方法及びそれを
実現する装置を提供することを目的としている。一つ
は、前記処理を効率的に行うためにあらかじめ基板表面
温度が、５０℃以上に加熱されていることが好ましい。
これは、紫外線のエネルギーだけでは短時間に昇温する
ことが困難であり、処理速度が十分とれない点を改善し
たもので、赤外線ヒーター等による加熱を前記処理の前
に行うことで、上記処理時間を短縮し、かつ、より効果
をあげることができる。
【０００９】もう一つは、表面汚染を上記処理の前後い
ずれかで実施することにより記録媒体の耐食性を向上さ
せる効果が得られる。これは、基板面をＵＶ＋窒素、ま
たはＵＶ＋不活性ガスの処理を行うことで解決でき、し
かも処理が連続的に実施できる特徴を持っている。
ずれかで実施することにより記録媒体の耐食性を向上さ
せる効果が得られる。これは、基板面をＵＶ＋窒素、ま
たはＵＶ＋不活性ガスの処理を行うことで解決でき、し
かも処理が連続的に実施できる特徴を持っている。
【００１０】本発明において、基材にはポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリイミド等の高分子フィルムや、ＡｌおよびＡ
ｌ合金、マイラ、セラミックス、ガラス等のハード材を
使用し、これらの上部に、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｆ
ｅ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｒｅ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｒｕ、
Ｃｏ−Ｍｏ等を成分とする磁性体を塗布し磁性膜を形成
する。
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリイミド等の高分子フィルムや、ＡｌおよびＡ
ｌ合金、マイラ、セラミックス、ガラス等のハード材を
使用し、これらの上部に、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｆ
ｅ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｒｅ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｒｕ、
Ｃｏ−Ｍｏ等を成分とする磁性体を塗布し磁性膜を形成
する。
【００１１】さらに、磁性膜上に保護膜をスパッタ法、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等によ
り形成する。保護膜には、炭素系、炭化水素系、金属の
炭化物、窒化物および酸化物があり、炭素系にはグラフ
ァイト状Ｃ、ダイヤモンド状Ｃ、炭化水素系には水素含
有アモルファスＣ、金属の炭化物にはＢ4Ｃ、ＷＣ、Ｗ
ＮｉＣ、金属の窒化物には（ＴｉＶ）Ｎ、（ＴｉＮｂ）
Ｎ、（ＴｉＴａ）Ｎ、（ＺｒＶ）Ｎ、（ＺｒＴａ）Ｎ、
（ＺｒＷ）Ｎ、（ＷＮｂ）Ｎ、（ＷＣｒ）Ｎ、（ＮｂＣ
ｒ）Ｎ、ＮｂＮ、金属の酸化物にはＡｌ2Ｏ3、（ＺｒＡ
ｌ）Ｏ、（ＺｒＮｂ）Ｏ、ＺｒＹ−ＡｌＯ等がある。
真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等によ
り形成する。保護膜には、炭素系、炭化水素系、金属の
炭化物、窒化物および酸化物があり、炭素系にはグラフ
ァイト状Ｃ、ダイヤモンド状Ｃ、炭化水素系には水素含
有アモルファスＣ、金属の炭化物にはＢ4Ｃ、ＷＣ、Ｗ
ＮｉＣ、金属の窒化物には（ＴｉＶ）Ｎ、（ＴｉＮｂ）
Ｎ、（ＴｉＴａ）Ｎ、（ＺｒＶ）Ｎ、（ＺｒＴａ）Ｎ、
（ＺｒＷ）Ｎ、（ＷＮｂ）Ｎ、（ＷＣｒ）Ｎ、（ＮｂＣ
ｒ）Ｎ、ＮｂＮ、金属の酸化物にはＡｌ2Ｏ3、（ＺｒＡ
ｌ）Ｏ、（ＺｒＮｂ）Ｏ、ＺｒＹ−ＡｌＯ等がある。
【００１２】上述の処理を施した保護膜上に、濃度０．
１〜１％のフッ素系の潤滑剤をディップ、スピンコー
ト、スプレーコート等により塗布する。フッ素系の潤滑
剤としては分子骨格中にフルオロカーボン骨格を有する
化合物を用いることができる。例えば、パーフルオロカ
ルボン酸エステル、パーフルオロチオールカルボン酸エ
ステル、パーフルオロジカルボン酸エステル、パーフル
オロカルボン酸パーフルオロアルキルエステル、パーフ
ルオロ安息香酸エステル、カルボン酸パーフルオロアル
キルエステル、ジカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テル、カルボン酸パーフルオロアルコキシアルキルエス
テル、パーフルオロカルボン酸アミード、パーフルオロ
ポリエーテル、パーフロオロポリエリエーテルカルボン
酸、パーフルオロポリエーテルアルコール、パーフルオ
ロポリエーテルエステル等がある。
１〜１％のフッ素系の潤滑剤をディップ、スピンコー
ト、スプレーコート等により塗布する。フッ素系の潤滑
剤としては分子骨格中にフルオロカーボン骨格を有する
化合物を用いることができる。例えば、パーフルオロカ
ルボン酸エステル、パーフルオロチオールカルボン酸エ
ステル、パーフルオロジカルボン酸エステル、パーフル
オロカルボン酸パーフルオロアルキルエステル、パーフ
ルオロ安息香酸エステル、カルボン酸パーフルオロアル
キルエステル、ジカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テル、カルボン酸パーフルオロアルコキシアルキルエス
テル、パーフルオロカルボン酸アミード、パーフルオロ
ポリエーテル、パーフロオロポリエリエーテルカルボン
酸、パーフルオロポリエーテルアルコール、パーフルオ
ロポリエーテルエステル等がある。
【００１３】
【作用】上記の処理を行なうことにより、保護膜表面に
ケトン基（＝Ｃ＝Ｏ）、水酸基（−ＯＨ）、酸（−ＣＯ
ＯＨ）、過酸化物（≡ＣＯＯＨ）等の極性基が効率良く
形成される。これによって、潤滑剤の極性基が保護膜表
面の極性基と会合又は化学結合することが可能となり、
保護膜上への潤滑剤の付着性が向上する。
ケトン基（＝Ｃ＝Ｏ）、水酸基（−ＯＨ）、酸（−ＣＯ
ＯＨ）、過酸化物（≡ＣＯＯＨ）等の極性基が効率良く
形成される。これによって、潤滑剤の極性基が保護膜表
面の極性基と会合又は化学結合することが可能となり、
保護膜上への潤滑剤の付着性が向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１５】図１は保護膜表面を紫外線照射処理する装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【００１６】本処理装置は、ディスクマガジン５がコン
ベア１２で搬送され、ロボット６により、ディスクがト
レー７に乗せられ、赤外線ヒーター８で加熱され、オゾ
ン吹出口１０よりオゾンを導入しながらＵＶランプ９
で、照射され、さらに窒素吹出口１１より窒素ガスを導
入しながらＵＶランプ９で照射され、再びロボット６に
よりマガジン５に乗せかえられる処理を行なうという構
成である。
ベア１２で搬送され、ロボット６により、ディスクがト
レー７に乗せられ、赤外線ヒーター８で加熱され、オゾ
ン吹出口１０よりオゾンを導入しながらＵＶランプ９
で、照射され、さらに窒素吹出口１１より窒素ガスを導
入しながらＵＶランプ９で照射され、再びロボット６に
よりマガジン５に乗せかえられる処理を行なうという構
成である。
【００１７】以下、本発明の具体的な実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１８】実施例１
φ１３０mmのＡｌ基板上に、Ｎｉ−Ｐ、Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｚｒを順次１０μｍ、４２０ｎｍ、５０ｎｍ形成し
真空槽内に設置した。真空槽内を１０~6Ｔｏｒｒ以上の
真空度にした後、アルゴンガス（ガス圧：１０ｍＴｏｒ
ｒ）を導入し、ターゲットにはグラファイトを用いてス
パッタ法により、４５ｎｍの炭素系の保護膜を形成し
た。
ｉ−Ｚｒを順次１０μｍ、４２０ｎｍ、５０ｎｍ形成し
真空槽内に設置した。真空槽内を１０~6Ｔｏｒｒ以上の
真空度にした後、アルゴンガス（ガス圧：１０ｍＴｏｒ
ｒ）を導入し、ターゲットにはグラファイトを用いてス
パッタ法により、４５ｎｍの炭素系の保護膜を形成し
た。
【００１９】次に、赤外線ヒーターにより基板表面温度
を１５０℃まで昇温し、保護膜を極性化する処理として
波長１８５ｎｍおよび２５４ｎｍ、照度１００mW／cm2
以上であるＵＶ光を所定時間照射した（ＵＶ処理）。
又、上記の処理と同時に、基板上部より、流量３ｌ／mi
n、濃度１００g／ｍ3以上であるオゾンを吹き付け同様
の処理を行なった（ＵＶ＋オゾン処理）。オゾンはオゾ
ナイザー（原料：酸素ガス、電圧：１５０、Ｖ電流：５
Ａ）により発生させた。ＵＶ＋オゾン処理において、オ
ゾナイザーでオゾンを発生後、ガラス容器内に入れた純
水中を通したものを、保護膜表面に吹き付ける処理も行
なった（ＵＶ＋湿潤オゾン処理）。
を１５０℃まで昇温し、保護膜を極性化する処理として
波長１８５ｎｍおよび２５４ｎｍ、照度１００mW／cm2
以上であるＵＶ光を所定時間照射した（ＵＶ処理）。
又、上記の処理と同時に、基板上部より、流量３ｌ／mi
n、濃度１００g／ｍ3以上であるオゾンを吹き付け同様
の処理を行なった（ＵＶ＋オゾン処理）。オゾンはオゾ
ナイザー（原料：酸素ガス、電圧：１５０、Ｖ電流：５
Ａ）により発生させた。ＵＶ＋オゾン処理において、オ
ゾナイザーでオゾンを発生後、ガラス容器内に入れた純
水中を通したものを、保護膜表面に吹き付ける処理も行
なった（ＵＶ＋湿潤オゾン処理）。
【００２０】その後、９９．９９％の窒素ガスを、基板
上部より１０ｌ／minの流量で吹き付け、同様のＵＶ処
理を行なった。（ＵＶ＋窒素処理） 処理後１時間たった後、濃度０．３％の潤滑剤中に浸し
た。１分間浸した後フロン１１３中に３分間浸し余分な
潤滑剤を取り除いた。潤滑剤には、
上部より１０ｌ／minの流量で吹き付け、同様のＵＶ処
理を行なった。（ＵＶ＋窒素処理） 処理後１時間たった後、濃度０．３％の潤滑剤中に浸し
た。１分間浸した後フロン１１３中に３分間浸し余分な
潤滑剤を取り除いた。潤滑剤には、
【００２１】
【化１】
を用いた。潤滑剤を塗布した基板について、ＦＴ−ＩＲ
により潤滑剤の膜厚を測定すると図２に示したようにな
り、従来のプラズマ処理方法では１．５〜２nmであった
潤滑剤の膜厚を、本発明のＵＶ処理、ＵＶ＋オゾン処
理、ＵＶ＋湿潤オゾン処理を施すことによって３〜８nm
にすることができる。
により潤滑剤の膜厚を測定すると図２に示したようにな
り、従来のプラズマ処理方法では１．５〜２nmであった
潤滑剤の膜厚を、本発明のＵＶ処理、ＵＶ＋オゾン処
理、ＵＶ＋湿潤オゾン処理を施すことによって３〜８nm
にすることができる。
【００２２】さらに、１５０℃に加熱をしてやることに
より、２５℃におけるＵＶ＋オゾン処理だと３分かかっ
ていた処理時間が、１５秒に短縮できる。
より、２５℃におけるＵＶ＋オゾン処理だと３分かかっ
ていた処理時間が、１５秒に短縮できる。
【００２３】また、図３に示すように、ＵＶ＋窒素処理
を行なうことにより、ＵＶ＋オゾン処理のみを行なった
ものに比べ、３０℃、９０％の恒温恒湿槽における、耐
食性が向上する。
を行なうことにより、ＵＶ＋オゾン処理のみを行なった
ものに比べ、３０℃、９０％の恒温恒湿槽における、耐
食性が向上する。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、磁気記録媒体の保護膜
を加熱した後、ＵＶ処理、ＵＶ＋オゾン処理、ＵＶ＋オ
ゾン＋水処理のいずれかを施し、さらにＵＶ＋窒素、Ｕ
Ｖ＋不活性ガス処理のいずれかを施すことにより、真空
系を使用しない簡易な設備で、保護膜表面と潤滑剤との
付着性を著しく向上することができる。これにより、磁
気記録媒体実働時に、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの潤
滑が円滑になり、磁気記録媒体の信頼性向上、長寿命化
を達成できる。
を加熱した後、ＵＶ処理、ＵＶ＋オゾン処理、ＵＶ＋オ
ゾン＋水処理のいずれかを施し、さらにＵＶ＋窒素、Ｕ
Ｖ＋不活性ガス処理のいずれかを施すことにより、真空
系を使用しない簡易な設備で、保護膜表面と潤滑剤との
付着性を著しく向上することができる。これにより、磁
気記録媒体実働時に、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの潤
滑が円滑になり、磁気記録媒体の信頼性向上、長寿命化
を達成できる。
【図１】本処理を連続して行なう装置の平面図である。
【図２】各処理方法についての処理時間と潤滑剤の膜厚
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図３】各処理方法について、耐食試験経時時間と、腐
食数の関係を示す図である。
食数の関係を示す図である。
１…プラズマ処理、
２…ＵＶ＋オゾン処理（２５℃）、
３…ＵＶ＋オゾン処理（１５０℃）、
４…ＵＶ＋オゾン処理（１５０℃）＋ＵＶ＋窒素処理、
５…ディスク搬送マガジン、
６…ロード、アンロードロボット、
７…ディスク搬送パレット、
８…赤外線ヒーター、
９…ＵＶランプ、
１０…オゾン吹き出し口、
１１…窒素吹き出し口、
１２…マガジン・パレット搬送コンベア。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 益田 賢三
神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社
日立製作所小田原工場内
(72)発明者 松本 浩之
神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社
日立製作所小田原工場内
(72)発明者 新谷 順子
神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社
日立製作所小田原工場内
(72)発明者 須藤 亮一
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式
会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】基材上に少なくとも磁性膜、保護膜、潤滑
膜が順次形成されてなる磁気記録媒体において、該保護
膜を形成後その表面を紫外線（以下ＵＶと称す。）照射
処理、ＵＶ＋オゾン照射処理、ＵＶ＋湿潤オゾン照射処
理のいずれかを施した後、潤滑膜を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、該処理に先立って基材表面を５
０℃以上に加熱することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２】基材上に少なくとも磁性膜、保護膜、潤滑
膜が順次形成されてなる磁気記録媒体において、該保護
膜を形成後その表面を紫外線（以下ＵＶと称す。）照射
処理、ＵＶ＋オゾン照射処理、ＵＶ＋湿潤オゾン照射処
理のいずれかを施した後、潤滑膜を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、該処理に先立ってＵＶ＋窒素照
射処理、ＵＶ＋不活性ガス照射処理のいずれかを施すこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】基材上に少なくとも磁性膜、保護膜、潤滑
膜が順次形成されてなる磁気記録媒体において、該保護
膜を形成後その表面を紫外線（以下ＵＶと称す。）照射
処理、ＵＶ＋オゾン照射処理、ＵＶ＋湿潤オゾン照射処
理のいずれかを施した後、潤滑膜を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、該処理に引き続いてＵＶ＋窒素
照射処理、ＵＶ＋不活性ガス照射処理のいずれかを施す
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】請求項１〜３に記述された処理が連続して
行えるようにしたことを特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18725791A JPH0528478A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 磁気記録媒体の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18725791A JPH0528478A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 磁気記録媒体の製造方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528478A true JPH0528478A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16202811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18725791A Pending JPH0528478A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 磁気記録媒体の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528478A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6838678B1 (en) * | 2002-04-10 | 2005-01-04 | Seagate Technology Llc | Apparatus for inline continuous and uniform ultraviolet irradiation of recording media |
| US6861653B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-03-01 | Seagate Technology Llc | Equipment and method for inline infrared and ultraviolet irradiation of recording media |
| JP2013041644A (ja) * | 2011-08-16 | 2013-02-28 | Fuji Electric Co Ltd | 複数の磁気記録媒体をｕｖ処理する方法 |
| US9312141B2 (en) | 2013-11-21 | 2016-04-12 | HGST Netherlands B.V. | Vapor phase chemical mechanical polishing of magnetic recording disks |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18725791A patent/JPH0528478A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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