JPH05291348A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
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- JPH05291348A JPH05291348A JP11821492A JP11821492A JPH05291348A JP H05291348 A JPH05291348 A JP H05291348A JP 11821492 A JP11821492 A JP 11821492A JP 11821492 A JP11821492 A JP 11821492A JP H05291348 A JPH05291348 A JP H05291348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- film carrier
- film
- leads
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特殊な両面パターン構造のフィルムキャリヤ
を用いることなく、一般的な片面パターン構造のフィル
ムキャリヤを用いて複数個の半導体チップを収納するこ
とができるようにする。 【構成】 フィルムキャリヤ単体10の各インナーリー
ド14、15に半導体チップ1、2が接合される。この
フィルムキャリヤ単体10上に、多数の接続リード3
2、33、34を有するフィルムキャリヤ単体30が積
層される。接続リード32を介してインナーリード14
aと15aとが接続され、接続リード33を介してイン
ナーリード14bとアウターリード17aとが接続さ
れ、接続リード34を介してインナーリード15bとア
ウターリード16aとが接続される。一方のフィルムキ
ャリヤ単体10において接続不可能であった半導体チッ
プ1、2間を接続する配線等が、両面パターン構造のフ
ィルムキャリヤを用いることなく容易に可能となる。
を用いることなく、一般的な片面パターン構造のフィル
ムキャリヤを用いて複数個の半導体チップを収納するこ
とができるようにする。 【構成】 フィルムキャリヤ単体10の各インナーリー
ド14、15に半導体チップ1、2が接合される。この
フィルムキャリヤ単体10上に、多数の接続リード3
2、33、34を有するフィルムキャリヤ単体30が積
層される。接続リード32を介してインナーリード14
aと15aとが接続され、接続リード33を介してイン
ナーリード14bとアウターリード17aとが接続さ
れ、接続リード34を介してインナーリード15bとア
ウターリード16aとが接続される。一方のフィルムキ
ャリヤ単体10において接続不可能であった半導体チッ
プ1、2間を接続する配線等が、両面パターン構造のフ
ィルムキャリヤを用いることなく容易に可能となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数個の半導体チップ
を1つのパッケージ内に収納するようにした半導体パッ
ケージに係り、特にTAB方式によるマルチチップパッ
ケージとして最適な半導体パッケージに関する。
を1つのパッケージ内に収納するようにした半導体パッ
ケージに係り、特にTAB方式によるマルチチップパッ
ケージとして最適な半導体パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の実装化技術のなかで、特に
多リード化・小形高密度化の顕著なものとして、TAB
(Tape Automated Bonding)方式が知られている。この
TAB方式は、多数の導電性リードを絶縁性フィルム基
材上にパターン形成してなるフィルムキャリヤを用い、
それら各リードの一端部(インナーリード)を半導体チ
ップの多数の電極に接合し、各リードの他端部(アウタ
ーリード)を外部回路基板等に接続するようにしたもの
である。
多リード化・小形高密度化の顕著なものとして、TAB
(Tape Automated Bonding)方式が知られている。この
TAB方式は、多数の導電性リードを絶縁性フィルム基
材上にパターン形成してなるフィルムキャリヤを用い、
それら各リードの一端部(インナーリード)を半導体チ
ップの多数の電極に接合し、各リードの他端部(アウタ
ーリード)を外部回路基板等に接続するようにしたもの
である。
【0003】このようなTAB方式を用いて、複数個の
半導体チップを1枚のフィルムキャリヤに実装するよう
にしたマルチチップパッケージがある。このマルチチッ
プパッケージは、複数個の半導体チップを1つのパッケ
ージ内に収納することによって、パッケージ全体の小形
化が可能になるだけでなく、複数個の半導体チップ間を
相互に接続することによって、半導体装置の多機能化を
図ることができる。
半導体チップを1枚のフィルムキャリヤに実装するよう
にしたマルチチップパッケージがある。このマルチチッ
プパッケージは、複数個の半導体チップを1つのパッケ
ージ内に収納することによって、パッケージ全体の小形
化が可能になるだけでなく、複数個の半導体チップ間を
相互に接続することによって、半導体装置の多機能化を
図ることができる。
【0004】このため、マルチチップパッケージ用のフ
ィルムキャリヤにおいては、個々の半導体チップの電極
に接合されて外部接続用となるリードパターンだけでな
く、複数個の半導体チップの所定の電極どうしを相互に
接続するためのリードパターンを、フィルム基材上に形
成する必要がある。ところが、半導体チップの端子数が
増加するに伴い、複数個の半導体チップ間を接続するた
めには、複雑なクロス配線等が多くなってしまうので、
これらの配線のパターン設計及びパターン形成は非常に
難しくなっている。
ィルムキャリヤにおいては、個々の半導体チップの電極
に接合されて外部接続用となるリードパターンだけでな
く、複数個の半導体チップの所定の電極どうしを相互に
接続するためのリードパターンを、フィルム基材上に形
成する必要がある。ところが、半導体チップの端子数が
増加するに伴い、複数個の半導体チップ間を接続するた
めには、複雑なクロス配線等が多くなってしまうので、
これらの配線のパターン設計及びパターン形成は非常に
難しくなっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、フィルムキャ
リヤを構成するフィルム基材の片面だけでは接続するこ
とができないリードパターンを、フィルム基材の表裏両
面にリードパターンを形成して接続するようにした両面
パターン構造のフィルムキャリヤがある。しかしなが
ら、このような特殊な両面パターン構造のフィルムキャ
リヤは、フィルム基材の両面に微細なリードパターンを
多数形成する必要があるので、製造歩留りが極めて悪
く、コストが非常に高くなり、量産がほとんど不可能で
あった。このため、フィルムキャリヤを用いたマルチチ
ップパッケージの製造は、技術的並びにコスト的な障害
が極めて多いという問題があった。
リヤを構成するフィルム基材の片面だけでは接続するこ
とができないリードパターンを、フィルム基材の表裏両
面にリードパターンを形成して接続するようにした両面
パターン構造のフィルムキャリヤがある。しかしなが
ら、このような特殊な両面パターン構造のフィルムキャ
リヤは、フィルム基材の両面に微細なリードパターンを
多数形成する必要があるので、製造歩留りが極めて悪
く、コストが非常に高くなり、量産がほとんど不可能で
あった。このため、フィルムキャリヤを用いたマルチチ
ップパッケージの製造は、技術的並びにコスト的な障害
が極めて多いという問題があった。
【0006】そこで本発明は、特殊な両面パターン構造
のフィルムキャリヤを用いることなく、一般的な片面パ
ターン構造のフィルムキャリヤを用いて複数個の半導体
チップを収納することができるようにした半導体パッケ
ージを提供することを目的とする。
のフィルムキャリヤを用いることなく、一般的な片面パ
ターン構造のフィルムキャリヤを用いて複数個の半導体
チップを収納することができるようにした半導体パッケ
ージを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体パッケージは、多数の導電性リ
ードを絶縁性フィルム基材上にパターン形成してなる複
数枚のフィルムキャリヤ単体と、複数個の半導体チップ
とからなり、前記複数個の半導体チップを前記複数枚の
フィルムキャリヤ単体に選択的に実装すると共に、これ
ら複数枚のフィルムキャリヤ単体を相互に積層し、この
積層によって前記複数枚のフィルムキャリヤ単体の所定
のリードどうしを相互に接合してなるものである。
に、本発明による半導体パッケージは、多数の導電性リ
ードを絶縁性フィルム基材上にパターン形成してなる複
数枚のフィルムキャリヤ単体と、複数個の半導体チップ
とからなり、前記複数個の半導体チップを前記複数枚の
フィルムキャリヤ単体に選択的に実装すると共に、これ
ら複数枚のフィルムキャリヤ単体を相互に積層し、この
積層によって前記複数枚のフィルムキャリヤ単体の所定
のリードどうしを相互に接合してなるものである。
【0008】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、複数
個の半導体チップが選択的に実装される複数枚のフィル
ムキャリヤ単体を相互に積層することによって、1枚の
フィルムキャリヤ単体の所定のリードと他のフィルムキ
ャリヤ単体の所定のリードとが相互に接合される。これ
により、1枚のフィルムキャリヤでは接続不可能な配
線、例えば複数個の半導体チップ間を接続する配線等
が、特殊な両面パターン構造のフィルムキャリヤを用い
ることなく容易に可能となる。
個の半導体チップが選択的に実装される複数枚のフィル
ムキャリヤ単体を相互に積層することによって、1枚の
フィルムキャリヤ単体の所定のリードと他のフィルムキ
ャリヤ単体の所定のリードとが相互に接合される。これ
により、1枚のフィルムキャリヤでは接続不可能な配
線、例えば複数個の半導体チップ間を接続する配線等
が、特殊な両面パターン構造のフィルムキャリヤを用い
ることなく容易に可能となる。
【0009】
【実施例】以下、本発明による半導体パッケージの実施
例を図面を参照して説明する。
例を図面を参照して説明する。
【0010】図1及び図2は第1実施例を示すものであ
り、一方のフィルムキャリヤ単体10に2個の半導体チ
ップ1、2が実装され、そのフィルムキャリヤ単体10
上に他方のフィルムキャリヤ単体30が積層されるもの
である。
り、一方のフィルムキャリヤ単体10に2個の半導体チ
ップ1、2が実装され、そのフィルムキャリヤ単体10
上に他方のフィルムキャリヤ単体30が積層されるもの
である。
【0011】まず、一方のフィルムキャリヤ単体10
は、長尺テープ状のフィルム基材11と、このフィルム
基材11上にパターン形成された多数のリード12、1
3とによって構成されている。フィルム基材11にはデ
バイス孔25、26とアウターリード孔27とスプロケ
ット孔28とが形成され、デバイス孔25、26とアウ
ターリード孔27との間にはサポート部29が残存され
ている。そして、各リード12、13の一端はデバイス
孔25、26内に突出されたインナーリード14、15
となっており、他端はアウターリード孔27に架橋され
たアウターリード16、17となっている。なお、フィ
ルム基材11にはポリイミド樹脂等の可撓性かつ絶縁性
を有するフィルム材が用いられ、そのフィルム基材11
に上記各孔25〜28等をパンチングした後、Cu箔等
の導電性金属材料をラミネートして所定パターンとなる
ようにフォトエッチングすることによって、各リード1
2、13が一括して形成される。
は、長尺テープ状のフィルム基材11と、このフィルム
基材11上にパターン形成された多数のリード12、1
3とによって構成されている。フィルム基材11にはデ
バイス孔25、26とアウターリード孔27とスプロケ
ット孔28とが形成され、デバイス孔25、26とアウ
ターリード孔27との間にはサポート部29が残存され
ている。そして、各リード12、13の一端はデバイス
孔25、26内に突出されたインナーリード14、15
となっており、他端はアウターリード孔27に架橋され
たアウターリード16、17となっている。なお、フィ
ルム基材11にはポリイミド樹脂等の可撓性かつ絶縁性
を有するフィルム材が用いられ、そのフィルム基材11
に上記各孔25〜28等をパンチングした後、Cu箔等
の導電性金属材料をラミネートして所定パターンとなる
ようにフォトエッチングすることによって、各リード1
2、13が一括して形成される。
【0012】ところで、一部のインナーリード14、1
5はサポート部29上において接続リード18によって
相互に接続されており、一部のインナーリード14a、
14b、15a、15b等はサポート部29上において
所定長さで途切れている。また、一部のアウターリード
16a、17a等もサポート部29上において所定長さ
で途切れている。即ち、本来、インナーリード14aは
インナーリード15aに接続され、インナーリード14
bはアウターリード17aに接続され、インナーリード
15bはアウターリード16aに接続されるべきもので
ある。しかしながら、これらを接続するリードは、他の
多数のリードに対してクロス配線になってしまうので、
途中で分断されている。
5はサポート部29上において接続リード18によって
相互に接続されており、一部のインナーリード14a、
14b、15a、15b等はサポート部29上において
所定長さで途切れている。また、一部のアウターリード
16a、17a等もサポート部29上において所定長さ
で途切れている。即ち、本来、インナーリード14aは
インナーリード15aに接続され、インナーリード14
bはアウターリード17aに接続され、インナーリード
15bはアウターリード16aに接続されるべきもので
ある。しかしながら、これらを接続するリードは、他の
多数のリードに対してクロス配線になってしまうので、
途中で分断されている。
【0013】次に、他方のフィルムキャリヤ単体30
は、前記フィルムキャリヤ単体10と同様に、長尺テー
プ状のフィルム基材31と、このフィルム基材31上に
パターン形成された多数の接続リード32、33、34
とによって構成されている。フィルム基材31には、前
記各孔25〜28に対応して、デバイス孔35、36と
アウターリード孔37とスプロケット孔38とが形成さ
れ、デバイス孔35、36とアウターリード孔37との
間にはサポート部39が残存されている。そして、接続
リード32の両端32a、32bはデバイス孔35、3
6内に突出され、接続リード33の両端33a、33b
はデバイス孔35、アウターリード孔37内に突出さ
れ、接続リード34の両端34a、34bはデバイス孔
36、アウターリード孔37内に突出されている。
は、前記フィルムキャリヤ単体10と同様に、長尺テー
プ状のフィルム基材31と、このフィルム基材31上に
パターン形成された多数の接続リード32、33、34
とによって構成されている。フィルム基材31には、前
記各孔25〜28に対応して、デバイス孔35、36と
アウターリード孔37とスプロケット孔38とが形成さ
れ、デバイス孔35、36とアウターリード孔37との
間にはサポート部39が残存されている。そして、接続
リード32の両端32a、32bはデバイス孔35、3
6内に突出され、接続リード33の両端33a、33b
はデバイス孔35、アウターリード孔37内に突出さ
れ、接続リード34の両端34a、34bはデバイス孔
36、アウターリード孔37内に突出されている。
【0014】上述のように構成された2枚のフィルムキ
ャリヤ単体10、30によれば、まず、半導体チップ
1、2の上面に形成された多数の電極1a、2aにフィ
ルムキャリヤ単体10の各インナーリード14、15が
一括ボンディングされ、それら半導体チップ1、2が各
インナーリード14、15に電気的に接続されかつ機械
的に保持される。なお、その接合は、各電極1a、2a
に設けられたバンプ或いは各インナーリード14、15
に設けられた転写バンプを介して行われる。
ャリヤ単体10、30によれば、まず、半導体チップ
1、2の上面に形成された多数の電極1a、2aにフィ
ルムキャリヤ単体10の各インナーリード14、15が
一括ボンディングされ、それら半導体チップ1、2が各
インナーリード14、15に電気的に接続されかつ機械
的に保持される。なお、その接合は、各電極1a、2a
に設けられたバンプ或いは各インナーリード14、15
に設けられた転写バンプを介して行われる。
【0015】そして、フィルムキャリヤ単体10上にフ
ィルムキャリヤ単体30が積層される。これによって、
接続リード32を介してインナーリード14aとインナ
ーリード15aとが接続される。また、接続リード33
を介してインナーリード14bとアウターリード17a
とが接続される。さらに、接続リード34を介してイン
ナーリード15bとアウターリード16aとが接続され
る。即ち、デバイス孔25、26内においてインナーリ
ード14a、15a上に接続リード32の両端32a、
32bが接合される。また、デバイス孔25、アウター
リード孔27内においてインナーリード14b、アウタ
ーリード17a上に接続リード33の両端33a、33
bが接合される。さらに、デバイス孔26、アウターリ
ード孔27内においてインナーリード15b、アウター
リード16a上に接続リード34の両端34a、34b
が接合される。
ィルムキャリヤ単体30が積層される。これによって、
接続リード32を介してインナーリード14aとインナ
ーリード15aとが接続される。また、接続リード33
を介してインナーリード14bとアウターリード17a
とが接続される。さらに、接続リード34を介してイン
ナーリード15bとアウターリード16aとが接続され
る。即ち、デバイス孔25、26内においてインナーリ
ード14a、15a上に接続リード32の両端32a、
32bが接合される。また、デバイス孔25、アウター
リード孔27内においてインナーリード14b、アウタ
ーリード17a上に接続リード33の両端33a、33
bが接合される。さらに、デバイス孔26、アウターリ
ード孔27内においてインナーリード15b、アウター
リード16a上に接続リード34の両端34a、34b
が接合される。
【0016】このように、2枚のフィルムキャリヤ単体
10、30を積層することによって、一方のフィルムキ
ャリヤ単体10において接続不可能であった、2個の半
導体チップ1、2間を接続する接続リード32の配線、
一方の半導体チップ1側のインナーリード14bを他方
の半導体チップ2側のアウターリード17aに接続する
接続リード33の配線、他方の半導体チップ2側のイン
ナーリード15bを一方の半導体チップ1側のアウター
リード16aに接続する接続リード34の配線等が、特
殊な両面パターン構造のフィルムキャリヤを用いること
なく容易に可能となる。
10、30を積層することによって、一方のフィルムキ
ャリヤ単体10において接続不可能であった、2個の半
導体チップ1、2間を接続する接続リード32の配線、
一方の半導体チップ1側のインナーリード14bを他方
の半導体チップ2側のアウターリード17aに接続する
接続リード33の配線、他方の半導体チップ2側のイン
ナーリード15bを一方の半導体チップ1側のアウター
リード16aに接続する接続リード34の配線等が、特
殊な両面パターン構造のフィルムキャリヤを用いること
なく容易に可能となる。
【0017】そして、2枚のフィルムキャリヤ単体1
0、30はそれぞれ片面パターン構造であるから、両フ
ィルムキャリヤ単体10、30は従来の技術によって容
易に製造することができる。また、2枚のフィルムキャ
リヤ単体10、30の各リードを接合する際の位置決め
も、両フィルムキャリヤ単体10、30のスプロケット
孔28、38を利用する従来の技術によって容易に行う
ことができる。なお、本実施例のように、2枚のフィル
ムキャリヤ単体10、30を同一形状にすると、各リー
ドのパターンのみを変更すればよいので、フィルム基材
11、31の共通化を図ることができる。また、本実施
例のように、各リードの接合をデバイス孔25、26内
及びアウターリード孔27内において行うようにする
と、インナーリード14a、14b、15a、15b、
アウターリード16a、17a等を接合部として利用す
ることができるので、各リードに特別な接合部を設ける
必要がない。
0、30はそれぞれ片面パターン構造であるから、両フ
ィルムキャリヤ単体10、30は従来の技術によって容
易に製造することができる。また、2枚のフィルムキャ
リヤ単体10、30の各リードを接合する際の位置決め
も、両フィルムキャリヤ単体10、30のスプロケット
孔28、38を利用する従来の技術によって容易に行う
ことができる。なお、本実施例のように、2枚のフィル
ムキャリヤ単体10、30を同一形状にすると、各リー
ドのパターンのみを変更すればよいので、フィルム基材
11、31の共通化を図ることができる。また、本実施
例のように、各リードの接合をデバイス孔25、26内
及びアウターリード孔27内において行うようにする
と、インナーリード14a、14b、15a、15b、
アウターリード16a、17a等を接合部として利用す
ることができるので、各リードに特別な接合部を設ける
必要がない。
【0018】ところで、2枚のフィルムキャリヤ単体1
0、30は各リードの接合によって部分的に固定される
が、図1に示すように、フィルムキャリヤ単体30のア
ウターリード孔37のコーナー部等に複数のダミーのア
ウターリード40を形成し、両フィルムキャリヤ単体1
0、30の積層時に、各アウターリード40をフィルム
キャリヤ単体10の各アウターリード16、17上に接
合するように構成してもよい。なお、この場合の各アウ
ターリード40は、サポート部39の支持用としても機
能する。また、2枚のフィルムキャリヤ単体10、30
を接着剤によって相互に接着してもよい。なお、フィル
ムキャリヤ単体10に半導体チップ1、2をボンディン
グするのは、2枚のフィルムキャリヤ10、30を積層
する前または後のいずれでもよく、さらに積層と同時で
もよい。
0、30は各リードの接合によって部分的に固定される
が、図1に示すように、フィルムキャリヤ単体30のア
ウターリード孔37のコーナー部等に複数のダミーのア
ウターリード40を形成し、両フィルムキャリヤ単体1
0、30の積層時に、各アウターリード40をフィルム
キャリヤ単体10の各アウターリード16、17上に接
合するように構成してもよい。なお、この場合の各アウ
ターリード40は、サポート部39の支持用としても機
能する。また、2枚のフィルムキャリヤ単体10、30
を接着剤によって相互に接着してもよい。なお、フィル
ムキャリヤ単体10に半導体チップ1、2をボンディン
グするのは、2枚のフィルムキャリヤ10、30を積層
する前または後のいずれでもよく、さらに積層と同時で
もよい。
【0019】以上のように、2枚のフィルムキャリヤ単
体10、30が積層され、かつ2個の半導体チップ1、
2が実装されることによって、図2に示すように、マル
チチップタイプの半導体パッケージ50が完成する。そ
して、完成した半導体パッケージ50は、各アウターリ
ード16、17の外端がカットされてフィルム基材1
1、31の外周部から切り離される。なお、必要に応じ
て、各アウターリード16、17が露出するように半導
体チップ1、2が樹脂モールド51によって樹脂封止さ
れ、各アウターリード16、17がガルウイング状に成
形される。
体10、30が積層され、かつ2個の半導体チップ1、
2が実装されることによって、図2に示すように、マル
チチップタイプの半導体パッケージ50が完成する。そ
して、完成した半導体パッケージ50は、各アウターリ
ード16、17の外端がカットされてフィルム基材1
1、31の外周部から切り離される。なお、必要に応じ
て、各アウターリード16、17が露出するように半導
体チップ1、2が樹脂モールド51によって樹脂封止さ
れ、各アウターリード16、17がガルウイング状に成
形される。
【0020】次に、図3は第2実施例を示すものであ
り、一方のフィルムキャリヤ単体60に半導体チップ1
が実装され、他方のフィルムキャリヤ単体70に半導体
チップ2が実装されて、一方のフィルムキャリヤ単体6
0上に他方のフィルムキャリヤ単体70が積層されるも
のである。
り、一方のフィルムキャリヤ単体60に半導体チップ1
が実装され、他方のフィルムキャリヤ単体70に半導体
チップ2が実装されて、一方のフィルムキャリヤ単体6
0上に他方のフィルムキャリヤ単体70が積層されるも
のである。
【0021】半導体チップ1は、フィルム基材61に形
成されたデバイス孔62内においてインナーリード63
a、63bに接合され、半導体チップ2は、フィルム基
材71に形成されたデバイス孔72内においてインナー
リード73a、73bに接合されている。なお、フィル
ム基材61にはデバイス孔64が形成され、このデバイ
ス孔64がフィルム基材71のデバイス孔72に重合さ
れている。そして、フィルムキャリヤ単体60上にフィ
ルムキャリヤ単体70が積層され、フィルムキャリヤ単
体60のインナーリード63a、63b、アウターリー
ド65上に、それぞれフィルムキャリヤ単体70の接続
リード74、インナーリード73a、73bが接合され
ている。なお、フィルム基材71には接合用の開孔部7
5が形成され、この開孔部75内のリード接合部76に
よって、インナーリード73aがインナーリード63b
に接合されている。これにより、半導体パッケージ50
が完成し、必要に応じて、前述と同様に樹脂モールド5
1が成形される。
成されたデバイス孔62内においてインナーリード63
a、63bに接合され、半導体チップ2は、フィルム基
材71に形成されたデバイス孔72内においてインナー
リード73a、73bに接合されている。なお、フィル
ム基材61にはデバイス孔64が形成され、このデバイ
ス孔64がフィルム基材71のデバイス孔72に重合さ
れている。そして、フィルムキャリヤ単体60上にフィ
ルムキャリヤ単体70が積層され、フィルムキャリヤ単
体60のインナーリード63a、63b、アウターリー
ド65上に、それぞれフィルムキャリヤ単体70の接続
リード74、インナーリード73a、73bが接合され
ている。なお、フィルム基材71には接合用の開孔部7
5が形成され、この開孔部75内のリード接合部76に
よって、インナーリード73aがインナーリード63b
に接合されている。これにより、半導体パッケージ50
が完成し、必要に応じて、前述と同様に樹脂モールド5
1が成形される。
【0022】この第2実施例の半導体パッケージ50に
よれば、インナーリード63b及び73aを介して一方
の半導体チップ1と他方の半導体チップ2との間が接続
される。また、インナーリード73bを介して他方の半
導体チップ2が一方のアウターリード65に接続され
る。さらに、インナーリード63a及び接続リード74
を介して一方の半導体チップ1が他方の半導体チップ2
或いは一方のアウターリードに接続される。そして、こ
の例によれば、2枚のフィルムキャリヤ単体60、70
にそれぞれ1個の半導体チップ1、2が実装されるの
で、各々のフィルムキャリヤ単体60、70における各
リードのパターンの設計自由度を大きくとることができ
る。また、半導体チップ2が配置されるデバイス孔6
4、72を重合させることによって、半導体パッケージ
50全体の薄型化を図ることができる。
よれば、インナーリード63b及び73aを介して一方
の半導体チップ1と他方の半導体チップ2との間が接続
される。また、インナーリード73bを介して他方の半
導体チップ2が一方のアウターリード65に接続され
る。さらに、インナーリード63a及び接続リード74
を介して一方の半導体チップ1が他方の半導体チップ2
或いは一方のアウターリードに接続される。そして、こ
の例によれば、2枚のフィルムキャリヤ単体60、70
にそれぞれ1個の半導体チップ1、2が実装されるの
で、各々のフィルムキャリヤ単体60、70における各
リードのパターンの設計自由度を大きくとることができ
る。また、半導体チップ2が配置されるデバイス孔6
4、72を重合させることによって、半導体パッケージ
50全体の薄型化を図ることができる。
【0023】次に、図4は第3実施例を示すものであ
り、一方のフィルムキャリヤ単体80上に他方のフィル
ムキャリヤ単体90が積層され、このフィルムキャリヤ
単体90に2個の半導体チップ1、2が実装されるもの
である。
り、一方のフィルムキャリヤ単体80上に他方のフィル
ムキャリヤ単体90が積層され、このフィルムキャリヤ
単体90に2個の半導体チップ1、2が実装されるもの
である。
【0024】一方のフィルムキャリヤ単体80は、ほぼ
正方形状(例えば20mm角)をなすフィルム基材81上
に、多数のアウターリード82a、82bと多数の接続
リード83a、83b等が形成されている。なお、この
フィルム基材81は特に開孔部がない平板状のものであ
る。他方のフィルムキャリヤ単体90は、フィルム基材
91上に多数のインナーリード92a、92b、93
a、93b等が形成されている。そして、フィルムキャ
リヤ単体80上にフィルムキャリヤ単体90が積層さ
れ、フィルムキャリヤ単体80のアウターリード82
a、82b、接続リード83a上に、フィルムキャリヤ
単体90のインナーリード92a、93b、92b及び
93aが接合されている。なお、95及び97は、フィ
ルム基材91に形成された開孔部94及び96内のリー
ド接合部である。これにより、半導体パッケージ50が
完成し、必要に応じて、前述と同様に樹脂モールド51
が成形される。
正方形状(例えば20mm角)をなすフィルム基材81上
に、多数のアウターリード82a、82bと多数の接続
リード83a、83b等が形成されている。なお、この
フィルム基材81は特に開孔部がない平板状のものであ
る。他方のフィルムキャリヤ単体90は、フィルム基材
91上に多数のインナーリード92a、92b、93
a、93b等が形成されている。そして、フィルムキャ
リヤ単体80上にフィルムキャリヤ単体90が積層さ
れ、フィルムキャリヤ単体80のアウターリード82
a、82b、接続リード83a上に、フィルムキャリヤ
単体90のインナーリード92a、93b、92b及び
93aが接合されている。なお、95及び97は、フィ
ルム基材91に形成された開孔部94及び96内のリー
ド接合部である。これにより、半導体パッケージ50が
完成し、必要に応じて、前述と同様に樹脂モールド51
が成形される。
【0025】この第3実施例の半導体パッケージ50に
よれば、接続リード83aを介してインナーリード92
bと93aとが接続されて半導体チップ1、2の間が接
続される。また、インナーリード92a、93bを介し
て半導体1、2がアウターリード82a、82bに接続
される。そして、この例によれば、半導体チップ1、2
が実装されるフィルムキャリヤ単体90の各リードのパ
ターンを、半導体チップ1、2の仕様にかかわらず一定
としておき、これら半導体チップ1、2の仕様に応じ
て、フィルムキャリヤ単体80の各リードのパターンを
変更すればよいので、フィルムキャリヤ単体90の共通
化を図ることができる。
よれば、接続リード83aを介してインナーリード92
bと93aとが接続されて半導体チップ1、2の間が接
続される。また、インナーリード92a、93bを介し
て半導体1、2がアウターリード82a、82bに接続
される。そして、この例によれば、半導体チップ1、2
が実装されるフィルムキャリヤ単体90の各リードのパ
ターンを、半導体チップ1、2の仕様にかかわらず一定
としておき、これら半導体チップ1、2の仕様に応じ
て、フィルムキャリヤ単体80の各リードのパターンを
変更すればよいので、フィルムキャリヤ単体90の共通
化を図ることができる。
【0026】以上、本発明の実施例に付き説明したが、
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。例えば、実施例では2枚のフィルムキャリヤ単
体を積層する構成を示したが、3枚以上のフィルムキャ
リヤ単体を積層することも可能である。また、フィルム
キャリヤ単体に他のフィルムキャリヤ単体を部分的に積
層してもよい。さらに、1枚のフィルムキャリヤ単体に
何個の半導体チップを実装してもよく、全体の半導体チ
ップの個数はいくつでもよい。
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。例えば、実施例では2枚のフィルムキャリヤ単
体を積層する構成を示したが、3枚以上のフィルムキャ
リヤ単体を積層することも可能である。また、フィルム
キャリヤ単体に他のフィルムキャリヤ単体を部分的に積
層してもよい。さらに、1枚のフィルムキャリヤ単体に
何個の半導体チップを実装してもよく、全体の半導体チ
ップの個数はいくつでもよい。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数個の半導体チップが選択的に実装される複数枚のフ
ィルムキャリヤ単体を相互に積層して、1枚のフィルム
キャリヤ単体の所定のリードと他のフィルムキャリヤ単
体の所定のリードとを相互に接合することによって、1
枚のフィルムキャリヤでは複雑なクロス配線等となって
接続不可能であった配線、例えば複数個の半導体チップ
間を接続する配線等が、特殊な両面パターン構造のフィ
ルムキャリヤを用いることなく容易に可能となる。従っ
て、技術的並びにコスト的に問題のある両面パターン構
造のフィルムキャリヤを用いることなく、従来の技術に
より得られる片面パターン構造のフィルムキャリヤによ
って、複数個の半導体チップを1つのパッケージ内に収
納するマルチチップパッケージを容易かつ安価に製造す
ることができる。
複数個の半導体チップが選択的に実装される複数枚のフ
ィルムキャリヤ単体を相互に積層して、1枚のフィルム
キャリヤ単体の所定のリードと他のフィルムキャリヤ単
体の所定のリードとを相互に接合することによって、1
枚のフィルムキャリヤでは複雑なクロス配線等となって
接続不可能であった配線、例えば複数個の半導体チップ
間を接続する配線等が、特殊な両面パターン構造のフィ
ルムキャリヤを用いることなく容易に可能となる。従っ
て、技術的並びにコスト的に問題のある両面パターン構
造のフィルムキャリヤを用いることなく、従来の技術に
より得られる片面パターン構造のフィルムキャリヤによ
って、複数個の半導体チップを1つのパッケージ内に収
納するマルチチップパッケージを容易かつ安価に製造す
ることができる。
【図1】本発明による半導体パッケージの第1実施例に
おける分解斜視図である。
おける分解斜視図である。
【図2】上記第1実施例における要部の断面図である。
【図3】本発明による半導体パッケージの第2実施例に
おける要部の断面図である。
おける要部の断面図である。
【図4】本発明による半導体パッケージの第3実施例に
おける要部の断面図である。
おける要部の断面図である。
1、2 半導体チップ 10、30 フィルムキャリヤ単体 11、31 フィルム基材 12、13 リード 14、14a、14b、15、15a、15b インナ
ーリード 16、16a、17、17a アウターリード 25、26、35、36 デバイス孔 27、37 アウターリード孔 29、39 サポート部 32、33、34 接続リード 50 半導体パッケージ 60、70 フィルムキャリヤ単体 61、71 フィルム基材 62、64、72 デバイス孔 63a、63b、73a、73b インナーリード 65 アウターリード 74 接続リード 76 リード接合部 80、90 フィルムキャリヤ単体 81、91 フィルム基材 82a、82b アウターリード 83a、83b 接続リード 92a、92b、93a、93b インナーリード 95、97 リード接合部
ーリード 16、16a、17、17a アウターリード 25、26、35、36 デバイス孔 27、37 アウターリード孔 29、39 サポート部 32、33、34 接続リード 50 半導体パッケージ 60、70 フィルムキャリヤ単体 61、71 フィルム基材 62、64、72 デバイス孔 63a、63b、73a、73b インナーリード 65 アウターリード 74 接続リード 76 リード接合部 80、90 フィルムキャリヤ単体 81、91 フィルム基材 82a、82b アウターリード 83a、83b 接続リード 92a、92b、93a、93b インナーリード 95、97 リード接合部
Claims (8)
- 【請求項1】 多数の導電性リードを絶縁性フィルム基
材上にパターン形成してなる複数枚のフィルムキャリヤ
単体と、複数個の半導体チップとからなり、前記複数個
の半導体チップを前記複数枚のフィルムキャリヤ単体に
選択的に実装すると共に、これら複数枚のフィルムキャ
リヤ単体を相互に積層し、この積層によって前記複数枚
のフィルムキャリヤ単体の所定のリードどうしを相互に
接合してなる半導体パッケージ。 - 【請求項2】 前記所定のリードどうしの接合によっ
て、1枚のフィルムキャリヤ単体において分断されてい
るリードを他のフィルムキャリヤ単体のリードを介して
接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体パッケ
ージ。 - 【請求項3】 前記所定のリードどうしの接合によっ
て、1枚のフィルムキャリヤ単体のリードを他のフィル
ムキャリヤ単体のリードに接続したことを特徴とする請
求項1記載の半導体パッケージ。 - 【請求項4】 前記接続されたリードが、複数個の半導
体チップの間を接続するためのリードであることを特徴
とする請求項2または3記載の半導体パッケージ。 - 【請求項5】 前記接続されたリードが、半導体チップ
と外部接続用リードとの間を接続するためのリードであ
ることを特徴とする請求項2または3記載の半導体パッ
ケージ。 - 【請求項6】 半導体チップを配置するために前記フィ
ルム基材に形成されたデバイス孔内において、前記所定
のリードどうしを接合したことを特徴とする請求項4ま
たは5記載の半導体パッケージ。 - 【請求項7】 外部接続用リードを設けるために前記フ
ィルム基材に形成されたリード孔内において、前記所定
のリードどうしを接合したことを特徴とする請求項5記
載の半導体パッケージ。 - 【請求項8】 半導体チップを配置するためのデバイス
孔を、それぞれ前記複数枚のフィルムキャリヤ単体のフ
ィルム基材に重合するように形成したことを特徴とする
請求項1記載の半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11821492A JPH05291348A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11821492A JPH05291348A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291348A true JPH05291348A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14731042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11821492A Withdrawn JPH05291348A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291348A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998038680A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | T.I.F. Co., Ltd. | Memory module |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP11821492A patent/JPH05291348A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998038680A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | T.I.F. Co., Ltd. | Memory module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |