JPH05291384A - 静電吸着方法 - Google Patents
静電吸着方法Info
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- JPH05291384A JPH05291384A JP9134792A JP9134792A JPH05291384A JP H05291384 A JPH05291384 A JP H05291384A JP 9134792 A JP9134792 A JP 9134792A JP 9134792 A JP9134792 A JP 9134792A JP H05291384 A JPH05291384 A JP H05291384A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 主として半導体製造装置に用いられる静電吸
着方法に関し、プラズマ中においてもウエーハ全面にわ
たつて一様に強い吸着力が得られてウエーハ温度の均一
化が図れ、且つプラズマ処理前後の固着も完全になさ
れ、更にウエーハの取外しが容易な静電吸着方法の提供
を目的とする。 【構成】 平板状の絶縁物中に埋め込まれ分離されてい
る対の電極に正電圧と負電圧をそれぞれ印加して該絶縁
物上に被処理基板を吸着させる静電吸着装置をプラズマ
処理に用いるに際して、プラズマ処理中（t3〜t8）は前
記負電圧を正電圧に切り換えて総ての電極に正電圧を印
加し、プラズマ処理が終了する直前（t6〜t7）に該対の
電極に正電圧と負電圧がそれぞれ印加される元の状態に
復帰せしめるように構成する。
着方法に関し、プラズマ中においてもウエーハ全面にわ
たつて一様に強い吸着力が得られてウエーハ温度の均一
化が図れ、且つプラズマ処理前後の固着も完全になさ
れ、更にウエーハの取外しが容易な静電吸着方法の提供
を目的とする。 【構成】 平板状の絶縁物中に埋め込まれ分離されてい
る対の電極に正電圧と負電圧をそれぞれ印加して該絶縁
物上に被処理基板を吸着させる静電吸着装置をプラズマ
処理に用いるに際して、プラズマ処理中（t3〜t8）は前
記負電圧を正電圧に切り換えて総ての電極に正電圧を印
加し、プラズマ処理が終了する直前（t6〜t7）に該対の
電極に正電圧と負電圧がそれぞれ印加される元の状態に
復帰せしめるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として半導体製造装置
に用いられる静電吸着方法に関する。半導体装置の製造
に用いられるドライエッチング装置等のプラズマプロセ
ス装置においては、被処理基板（以下ウエーハと呼ぶ）
の固定に静電吸着装置（以下静電チャックと呼ぶ）が多
く使用されるが、この静電チャックにはプラズマ中にお
いても全面にわたって均一な密着性が得られてウエーハ
温度の均一性が保て、且つプラズマ処理終了後のウエー
ハの取外しが容易なことが望まれる。
に用いられる静電吸着方法に関する。半導体装置の製造
に用いられるドライエッチング装置等のプラズマプロセ
ス装置においては、被処理基板（以下ウエーハと呼ぶ）
の固定に静電吸着装置（以下静電チャックと呼ぶ）が多
く使用されるが、この静電チャックにはプラズマ中にお
いても全面にわたって均一な密着性が得られてウエーハ
温度の均一性が保て、且つプラズマ処理終了後のウエー
ハの取外しが容易なことが望まれる。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチング装置等のプラズマプロ
セス装置のステージに用いる従来の静電チャックは、平
板状の絶縁物内に埋め込まれた電極に正の電圧を印加し
てウエーハ吸着させる１極式のものと、電極が１対にな
っていてそれぞれの電極に正と負の異なる電圧を印加し
てウエーハを吸着させる２極式のものとがある。
セス装置のステージに用いる従来の静電チャックは、平
板状の絶縁物内に埋め込まれた電極に正の電圧を印加し
てウエーハ吸着させる１極式のものと、電極が１対にな
っていてそれぞれの電極に正と負の異なる電圧を印加し
てウエーハを吸着させる２極式のものとがある。
【０００３】図８は１極式静電チャックによる従来の静
電吸着方法を示す図で、(a) はウエーハを設置（プラズ
マなし）する場合、(b) プラズマ中での場合をそれぞれ
表し、図中の符号における、１は半導体ウエーハ、２は
チャック電極、３はチャック誘電体（絶縁物）、４はＤ
Ｃ電源、５はプラズマ、G1及びG2は接地、CUはプラズマ
からの荷電粒子によりチャージアップされた負電荷を示
している。
電吸着方法を示す図で、(a) はウエーハを設置（プラズ
マなし）する場合、(b) プラズマ中での場合をそれぞれ
表し、図中の符号における、１は半導体ウエーハ、２は
チャック電極、３はチャック誘電体（絶縁物）、４はＤ
Ｃ電源、５はプラズマ、G1及びG2は接地、CUはプラズマ
からの荷電粒子によりチャージアップされた負電荷を示
している。
【０００４】この１極式の静電チャックにおいては、図
(a) に符号G1で示すように被吸着物である半導体ウエー
ハ１を接地しないと吸着されない。プラズマエッチング
装置等に用いる場合には、ウエーハを浮遊電位にしなけ
れば処理ができないので、実際にウエーハ１を接地G1す
ることはできず、そのためこの状態での吸着力は得られ
ない。しかし、エッチング中では図(b) に示すように、
プラズマからの荷電粒子により符号UCで示すようにウエ
ーハ１が負にバイアスされるため、ウエーハを接地しな
くても吸着力が得られる。
(a) に符号G1で示すように被吸着物である半導体ウエー
ハ１を接地しないと吸着されない。プラズマエッチング
装置等に用いる場合には、ウエーハを浮遊電位にしなけ
れば処理ができないので、実際にウエーハ１を接地G1す
ることはできず、そのためこの状態での吸着力は得られ
ない。しかし、エッチング中では図(b) に示すように、
プラズマからの荷電粒子により符号UCで示すようにウエ
ーハ１が負にバイアスされるため、ウエーハを接地しな
くても吸着力が得られる。
【０００５】図９は２極式の静電チャックによる従来の
静電吸着方法を示す図で、図中の符号における、2A、2B
は１対のチャック電極、PC1 及びPC2 は分極された電荷
を示し、その他の符号は図８と同一対象物を示してい
る。
静電吸着方法を示す図で、図中の符号における、2A、2B
は１対のチャック電極、PC1 及びPC2 は分極された電荷
を示し、その他の符号は図８と同一対象物を示してい
る。
【０００６】この２極式の静電チャックにおいては、１
対のチャック電極2Aと2Bに極性の異なる正電圧と負電圧
をそれぞれ印加してウエーハ１を吸着させる。そのため
に図示のようにウエーハ１がウエーハ１が浮遊電位の状
態で吸着力が得られる特徴がある。
対のチャック電極2Aと2Bに極性の異なる正電圧と負電圧
をそれぞれ印加してウエーハ１を吸着させる。そのため
に図示のようにウエーハ１がウエーハ１が浮遊電位の状
態で吸着力が得られる特徴がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記のように１極式の
静電チャックは、プラズマ中でないと吸着力が働かな
い。よってプラズマが発生していないウエーハ処理の前
後でチャック上でのウエーハの位置ずれが生じ易く、ウ
エーハの搬送等に支障を来す。また、プラズマ中で過剰
の電子がウエーハに蓄積されるため、チャックをオフ(O
FF) しても残留吸着力が強く、ウエーハを無理に引き剥
がそうとすると、ウエーハが破損したり、またウエーハ
が飛び跳ねて位置ずれを生ずる等の問題があった。
静電チャックは、プラズマ中でないと吸着力が働かな
い。よってプラズマが発生していないウエーハ処理の前
後でチャック上でのウエーハの位置ずれが生じ易く、ウ
エーハの搬送等に支障を来す。また、プラズマ中で過剰
の電子がウエーハに蓄積されるため、チャックをオフ(O
FF) しても残留吸着力が強く、ウエーハを無理に引き剥
がそうとすると、ウエーハが破損したり、またウエーハ
が飛び跳ねて位置ずれを生ずる等の問題があった。
【０００８】また前記のような２極式の静電チャック
は、これをプラズマ装置に用いると、図８及び図９と同
符号を用いた図10に示すように、プラズマ５処理中にウ
エーハに印加される負（−）のバイアス電圧(CU)のため
に、チャックの負電極2A上ではウエーハ１に斥力(F1 )
が働いてしまう。そのため、負電極2A上ではウエーハ１
が浮き上がる状態になってウエーハ１とチャック間の熱
伝導が負電極2A上と正電極2B上で異なり、ウエーハ１上
で大きな温度分布を生ずるという問題があった。 （F2は吸引力）そこで本発明は、プラズマ中においても
ウエーハ全面にわたつて一様に強い吸着力が得られてウ
エーハ温度の均一化が図れ、且つプラズマ処理前後の固
着も完全になされ、更にウエーハの取外しが容易な静電
吸着方法を提供することを目的とする。
は、これをプラズマ装置に用いると、図８及び図９と同
符号を用いた図10に示すように、プラズマ５処理中にウ
エーハに印加される負（−）のバイアス電圧(CU)のため
に、チャックの負電極2A上ではウエーハ１に斥力(F1 )
が働いてしまう。そのため、負電極2A上ではウエーハ１
が浮き上がる状態になってウエーハ１とチャック間の熱
伝導が負電極2A上と正電極2B上で異なり、ウエーハ１上
で大きな温度分布を生ずるという問題があった。 （F2は吸引力）そこで本発明は、プラズマ中においても
ウエーハ全面にわたつて一様に強い吸着力が得られてウ
エーハ温度の均一化が図れ、且つプラズマ処理前後の固
着も完全になされ、更にウエーハの取外しが容易な静電
吸着方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、平板
状の絶縁物中に埋め込まれ分離されている対の電極に正
電圧と負電圧をそれぞれ印加して該絶縁物上に被処理基
板を吸着させる静電吸着装置をプラズマ処理に用いるに
際して、プラズマ処理中は前記負電圧を正電圧に切り換
えて総ての電極に正電圧を印加する本発明による静電吸
着方法、若しくは、前記プラズマ処理が終了する直前
に、該対の電極に正電圧と負電圧がそれぞれ印加される
元の状態に復帰せしめる工程を含む本発明による静電吸
着方法によって達成される。
状の絶縁物中に埋め込まれ分離されている対の電極に正
電圧と負電圧をそれぞれ印加して該絶縁物上に被処理基
板を吸着させる静電吸着装置をプラズマ処理に用いるに
際して、プラズマ処理中は前記負電圧を正電圧に切り換
えて総ての電極に正電圧を印加する本発明による静電吸
着方法、若しくは、前記プラズマ処理が終了する直前
に、該対の電極に正電圧と負電圧がそれぞれ印加される
元の状態に復帰せしめる工程を含む本発明による静電吸
着方法によって達成される。
【００１０】
【作用】図１は本発明の原理説明図で、チャック電圧印
加方法のタイムチャート図である。図中の、t1はウエー
ハ搭載時、t2はＡ電極及びＢ電極への吸着電圧印加時、
t3はプラズマ処理開始時、t4はＢ電極の電圧反転開始
時、t5はＢ電極の電圧反転完了時、t6はＢ電極の電圧復
旧開始時、t7はＢ電極の電圧復旧完了時、t8はプラズマ
処理終了時、t9はＡ電極及びＢ電極への電圧印加停止
時、t10 はウエーハ離脱時、τ1 は電圧立ち上がり時
間、τ2 は電圧立ち下がり時間、Ｔはプラズマ処理時間
を示す。
加方法のタイムチャート図である。図中の、t1はウエー
ハ搭載時、t2はＡ電極及びＢ電極への吸着電圧印加時、
t3はプラズマ処理開始時、t4はＢ電極の電圧反転開始
時、t5はＢ電極の電圧反転完了時、t6はＢ電極の電圧復
旧開始時、t7はＢ電極の電圧復旧完了時、t8はプラズマ
処理終了時、t9はＡ電極及びＢ電極への電圧印加停止
時、t10 はウエーハ離脱時、τ1 は電圧立ち上がり時
間、τ2 は電圧立ち下がり時間、Ｔはプラズマ処理時間
を示す。
【００１１】本発明においては従来同様の構造を有する
２極式静電チャックを用いる。そして本発明によれば、
静電チャック上にウエーハを搭載し(t1)、最初は対の電
極の例えばＡ電極に正（＋）の電圧をＢ電極に負（−）
の電圧をそれぞれ印加して前記ウエーハを強固に吸着固
定させる(t2)。次いでウエーハにプラズマを印加してプ
ラズマ処理が行われている間(t3 〜t8) 即ちＴは、Ａ，
Ｂの２電極に共に正（＋）電圧を印加する。これにより
プラズマ中より負（−）電荷が供給され負（−）電位に
帯電するウエーハは２電極から同様に吸着力を受け、ウ
エーハの全面が均一な吸着力を受けて静電チャック上に
固着される。従ってウエーハ全面からの静電チャックに
向かう熱伝導が均一化されるので、プラズマ処理中にお
けるウエーハ面内の温度分布が均一化される。
２極式静電チャックを用いる。そして本発明によれば、
静電チャック上にウエーハを搭載し(t1)、最初は対の電
極の例えばＡ電極に正（＋）の電圧をＢ電極に負（−）
の電圧をそれぞれ印加して前記ウエーハを強固に吸着固
定させる(t2)。次いでウエーハにプラズマを印加してプ
ラズマ処理が行われている間(t3 〜t8) 即ちＴは、Ａ，
Ｂの２電極に共に正（＋）電圧を印加する。これにより
プラズマ中より負（−）電荷が供給され負（−）電位に
帯電するウエーハは２電極から同様に吸着力を受け、ウ
エーハの全面が均一な吸着力を受けて静電チャック上に
固着される。従ってウエーハ全面からの静電チャックに
向かう熱伝導が均一化されるので、プラズマ処理中にお
けるウエーハ面内の温度分布が均一化される。
【００１２】また、プラズマ処理終了時(t8)直前(t7)に
おいて再び２電極に正（＋）と負（−）の異なる極性の
電圧を印加する元の状態に復帰させることで、ウエーハ
内に過剰に蓄積していた負（−）電荷をプラズマ中に逃
がすことができるため、ウエーハ離脱時t10 の残留吸着
力を小さくすることができてウエーハの取外しが容易に
なり、且つプラズマ処理中(t3 〜t8) 以外は２電極に正
（＋）と負（−）の電圧が印加されているため、プラズ
マ中でなくても静電チャックが吸着力を失わす、位置ず
れを生ずることがない。
おいて再び２電極に正（＋）と負（−）の異なる極性の
電圧を印加する元の状態に復帰させることで、ウエーハ
内に過剰に蓄積していた負（−）電荷をプラズマ中に逃
がすことができるため、ウエーハ離脱時t10 の残留吸着
力を小さくすることができてウエーハの取外しが容易に
なり、且つプラズマ処理中(t3 〜t8) 以外は２電極に正
（＋）と負（−）の電圧が印加されているため、プラズ
マ中でなくても静電チャックが吸着力を失わす、位置ず
れを生ずることがない。
【００１３】なお、電極電圧の極性の切替え時には、急
峻な変化を与えるとウエーハ上に形成されているデバイ
スの電位が瞬間的に変化してデバイス内に電流が流れて
ダメージを与えてしまう。そこで本発明においては、極
性の切替え時に所定の傾斜を有する電圧の立ち上がり時
間τ1 及び立ち下がり時間τ2 を設けてウエーハ上のデ
バイスに及ぼされるダメージを防止することが更に望ま
しい。
峻な変化を与えるとウエーハ上に形成されているデバイ
スの電位が瞬間的に変化してデバイス内に電流が流れて
ダメージを与えてしまう。そこで本発明においては、極
性の切替え時に所定の傾斜を有する電圧の立ち上がり時
間τ1 及び立ち下がり時間τ2 を設けてウエーハ上のデ
バイスに及ぼされるダメージを防止することが更に望ま
しい。
【００１４】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図２は本発明の一実施例に用いたリアクティブ
イオンエッチング(RIE) 装置の模式図、図３は同実施例
における基板ステージ部の模式図、図４は同実施例にお
ける静電チャックの模式図、図５は同実施例におけるチ
ャック電圧印加方法のタイムチャート図、図６は同実施
例における被処理ウエーハの面内温度分布図、図７は従
来の方法における被処理ウエーハの面内温度分布図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
明する。図２は本発明の一実施例に用いたリアクティブ
イオンエッチング(RIE) 装置の模式図、図３は同実施例
における基板ステージ部の模式図、図４は同実施例にお
ける静電チャックの模式図、図５は同実施例におけるチ
ャック電圧印加方法のタイムチャート図、図６は同実施
例における被処理ウエーハの面内温度分布図、図７は従
来の方法における被処理ウエーハの面内温度分布図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
【００１５】本発明の一実施例に用いたRIE 装置は、図
２に示すように、静電チャック６にSiウエーハ１を吸着
させて保持し、マスフローコントローラ７を通してガス
導入口８から一定量の例えばアルゴン(Ar)ガスを処理室
９内に導入し、高周波(rf)電源10によりrf電極11にrf電
力を供給し、処理室９内にArプラズマ５を発生させ、そ
の時の温度を赤外線透過窓12を通し赤外線カメラａと本
体ｂからなる赤外線温度計13により測定するように構成
され、更に、静電チャック６にはＤＣ電源４を具備せし
め、このＤＣ電源４と静電チャック６の電極2A、2Bとの
間には極性切り換え手段14を介在させて構成される。
２に示すように、静電チャック６にSiウエーハ１を吸着
させて保持し、マスフローコントローラ７を通してガス
導入口８から一定量の例えばアルゴン(Ar)ガスを処理室
９内に導入し、高周波(rf)電源10によりrf電極11にrf電
力を供給し、処理室９内にArプラズマ５を発生させ、そ
の時の温度を赤外線透過窓12を通し赤外線カメラａと本
体ｂからなる赤外線温度計13により測定するように構成
され、更に、静電チャック６にはＤＣ電源４を具備せし
め、このＤＣ電源４と静電チャック６の電極2A、2Bとの
間には極性切り換え手段14を介在させて構成される。
【００１６】また、図３は上記RIE 装置における静電チ
ャック配設部即ち基板ステージ部の模式断面図で、(a)
はウエーハ吸着時、(b) はウエーハ離脱時をそれぞれ表
しており、図中の、１はSiウエーハ、６は静電チャッ
ク、11はrf電極、15はイジエクトピン突出口、16はイジ
エクトピン、17は絶縁物を示し、静電チャック６内のイ
ジエクトピン突出口15からイジエクトピン16が突出する
ことにより静電チャック６からウエーハ１が離脱せしめ
られるようになっている。
ャック配設部即ち基板ステージ部の模式断面図で、(a)
はウエーハ吸着時、(b) はウエーハ離脱時をそれぞれ表
しており、図中の、１はSiウエーハ、６は静電チャッ
ク、11はrf電極、15はイジエクトピン突出口、16はイジ
エクトピン、17は絶縁物を示し、静電チャック６内のイ
ジエクトピン突出口15からイジエクトピン16が突出する
ことにより静電チャック６からウエーハ１が離脱せしめ
られるようになっている。
【００１７】また、図４は同実施例に用いた静電チャッ
クの模式図で、(a) は平面図、(b)は断面図を表してお
り、図中の、2A、2BはCu製のチャック電極、３はチャッ
ク誘電体、15はイジェクトピン突出口、18はAl製台座を
示す。
クの模式図で、(a) は平面図、(b)は断面図を表してお
り、図中の、2A、2BはCu製のチャック電極、３はチャッ
ク誘電体、15はイジェクトピン突出口、18はAl製台座を
示す。
【００１８】この静電チャック６のチャック誘電体３は
アルミナセラミックス製で厚さ 0.5mmである。極性の異
なる対のＡ電極2AとＢ電極2Bは、同心円状に交互に配置
されている。
アルミナセラミックス製で厚さ 0.5mmである。極性の異
なる対のＡ電極2AとＢ電極2Bは、同心円状に交互に配置
されている。
【００１９】このような構成のもとで、本実施例におい
ては、図５に示すタイムチャートに従って静電チャック
６にチャック電圧を印加しながらSiウエーハ１面のプラ
ズマ処理を行った。
ては、図５に示すタイムチャートに従って静電チャック
６にチャック電圧を印加しながらSiウエーハ１面のプラ
ズマ処理を行った。
【００２０】即ち、静電チャック６上にt1においてウエ
ーハ１を搭載し、最初にt2において例えばＡ電極2Aに＋
500V、Ｂ電極2Bに−500Vの直流電圧を印加してウエーハ
１を吸着する。次いでt3においてrf電極11に、13.56MH
z、300Wの高周波電力を印加させプラズマ５を発生させ
た後、t4〜t5において例えばＢ電極2Bの電圧を＋500Vに
変化させる。この状態でSiウエーハ１はプラズマ５によ
って与えられる負（−）のバイアス電圧により全ての電
極に＋500Vが印加されている静電チャック６上に均一に
吸着されている。そして、プラズマ処理終了直前のt6〜
t7においてＢ電極2Bの電圧を−500Vに戻した後、t8にお
いてrfパワーを切断しプラズマ処理を終了する。その
後、t9〜t10 においてＡ電極2A及びＢ電極2Bを０Ｖに
し、ウエーハ１をチャック６上から離脱させる。
ーハ１を搭載し、最初にt2において例えばＡ電極2Aに＋
500V、Ｂ電極2Bに−500Vの直流電圧を印加してウエーハ
１を吸着する。次いでt3においてrf電極11に、13.56MH
z、300Wの高周波電力を印加させプラズマ５を発生させ
た後、t4〜t5において例えばＢ電極2Bの電圧を＋500Vに
変化させる。この状態でSiウエーハ１はプラズマ５によ
って与えられる負（−）のバイアス電圧により全ての電
極に＋500Vが印加されている静電チャック６上に均一に
吸着されている。そして、プラズマ処理終了直前のt6〜
t7においてＢ電極2Bの電圧を−500Vに戻した後、t8にお
いてrfパワーを切断しプラズマ処理を終了する。その
後、t9〜t10 においてＡ電極2A及びＢ電極2Bを０Ｖに
し、ウエーハ１をチャック６上から離脱させる。
【００２１】上記実施例において、Arプラズマ５中での
ウエーハ１の直径上の各点の温度を示したのが図６であ
る。この図からわかるように本実施例におけるウエーハ
上での最大の温度差は16℃程度であった。
ウエーハ１の直径上の各点の温度を示したのが図６であ
る。この図からわかるように本実施例におけるウエーハ
上での最大の温度差は16℃程度であった。
【００２２】上記結果は、プラズマ処理中、終始ＡとＢ
の電極に＋500Vと−500V電圧を印加して静電チャック上
にウエーハを吸着させる従来の方法において、上記実施
例と同様のrfパワーで発生させたArプラズマに２分曝し
た後のウエーハ上での温度差が、図７の温度分布図に示
されるように26℃程度あったのに比べて、大幅に改善さ
れた値である。
の電極に＋500Vと−500V電圧を印加して静電チャック上
にウエーハを吸着させる従来の方法において、上記実施
例と同様のrfパワーで発生させたArプラズマに２分曝し
た後のウエーハ上での温度差が、図７の温度分布図に示
されるように26℃程度あったのに比べて、大幅に改善さ
れた値である。
【００２３】また、上記実施例においては、プラズマ処
理終了直前に再びＡ電極とＢ電極に極性の異なる同じ高
さの電圧即ち＋500Vと−500Vが印加されるので、ウエー
ハ１内に過剰に蓄積されている負（−）電荷をプラズマ
中に逃がすことができ、残留吸着力がなくなってウエー
ハの離脱が極めて容易になり、従来の方法のように脱離
時にウエーハが割れたり、跳ねて位置ずれを生じたりす
ることがなかった。
理終了直前に再びＡ電極とＢ電極に極性の異なる同じ高
さの電圧即ち＋500Vと−500Vが印加されるので、ウエー
ハ１内に過剰に蓄積されている負（−）電荷をプラズマ
中に逃がすことができ、残留吸着力がなくなってウエー
ハの離脱が極めて容易になり、従来の方法のように脱離
時にウエーハが割れたり、跳ねて位置ずれを生じたりす
ることがなかった。
【００２４】更にまた、プラズマ処理の行われない状態
の時は総てＡとＢの電極に＋500Vと−500V電圧がそれぞ
れ印加されるので、従来の１極式の静電チャックのよう
にプラズマ処理の前後でウエーハの位置ずれを生ずるこ
とがない。
の時は総てＡとＢの電極に＋500Vと−500V電圧がそれぞ
れ印加されるので、従来の１極式の静電チャックのよう
にプラズマ処理の前後でウエーハの位置ずれを生ずるこ
とがない。
【００２５】更に本発明の方法においては、Siウエーハ
１内に形成されている半導体素子にダメージを与えない
ためには、チャック電圧の極性の切り換えを急峻に行わ
ないことが望ましく、上記実施例においては、図５に示
されるτ1 の電圧の立ち上がり時間及びτ2 の電圧の立
ち下がり時間を１秒に設定した。なお、このτ1 及びτ
2 は１秒以上あれば十分である。
１内に形成されている半導体素子にダメージを与えない
ためには、チャック電圧の極性の切り換えを急峻に行わ
ないことが望ましく、上記実施例においては、図５に示
されるτ1 の電圧の立ち上がり時間及びτ2 の電圧の立
ち下がり時間を１秒に設定した。なお、このτ1 及びτ
2 は１秒以上あれば十分である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明のように本発明の静電吸着方法
によれば、プラズマ中においてもウエーハ全面にわたつ
て一様に強い吸着力が得られてウエーハ温度の均一化が
図れ、且つプラズマ処理前後のウエーハの固着も完全に
なされ、更にウエーハの取外しが容易でウエーハ破損や
位置ずれを生じない。
によれば、プラズマ中においてもウエーハ全面にわたつ
て一様に強い吸着力が得られてウエーハ温度の均一化が
図れ、且つプラズマ処理前後のウエーハの固着も完全に
なされ、更にウエーハの取外しが容易でウエーハ破損や
位置ずれを生じない。
【００２７】従って本発明は、プラズマ処理の品質及び
歩留りの向上に極めて有効である。
歩留りの向上に極めて有効である。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例に用いたRIE 装置の模式図
【図３】 同実施例における基板ステージ部の模式断面
図
図
【図４】 同実施例における静電チャックの模式図
【図５】 同実施例におけるチャック電圧印加方法のタ
イムチャート図
イムチャート図
【図６】 同実施例における被処理ウエーハの面内温度
分布図
分布図
【図７】 従来の方法における被処理ウエーハの面内温
度分布図
度分布図
【図８】 １極式静電チャックによる従来の静電吸着方
法を示す図
法を示す図
【図９】 ２極式静電チャックによる従来の静電吸着方
法を示す図
法を示す図
【図10】 ２極式静電チャックにおける従来方法の問題
点を示す図
点を示す図
t1 ウエーハ搭載時 t2 Ａ電極及びＢ電極への吸着電圧印加時 t3 プラズマ処理開始時 t4 Ｂ電極の電圧反転開始時 t5 Ｂ電極の電圧反転完了時 t6 Ｂ電極の電圧復旧開始時 t7 Ｂ電極の電圧復旧完了時 t8 プラズマ処理終了時 t9 Ａ電極及びＢ電極への電圧印加停止時 t10 ウエーハ離脱時 τ1 電圧立ち上がり時間、 τ2 電圧立ち下がり時間、Ｔはプラズマ処理時間 １ Siウエーハ 2A 静電チャックのＡ電極 2B 静電チャックのＢ電極 ３ チャック誘電体 ４ ＤＣ電源 ５ Arプラズマ ６ 静電チャック ７ マスフローコントローラ ８ ガス導入口 ９ 処理室 10 ｒｆ電源 11 ｒｆ電極 12 赤外線透過窓 13 赤外線温度計 14 極性切り換え装置
Claims (3)
- 【請求項１】 平板状の絶縁物中に埋め込まれ分離され
ている対の電極に正電圧と負電圧をそれぞれ印加して該
絶縁物上に被処理基板を吸着させる静電吸着装置をプラ
ズマ処理に用いるに際して、 プラズマ処理中は前記負電圧を正電圧に切り換えて総て
の電極に正電圧を印加することを特徴とする静電吸着方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理が終了する
直前に、該対の電極に正電圧と負電圧がそれぞれ印加さ
れる元の状態に復帰せしめることを特徴とする静電吸着
方法。 - 【請求項３】 前記負電圧と正電圧の切り換えを瞬時に
行わず、該切り換えに際しての電圧の立ち上がりまたは
立ち上がりと立ち下がりの時間を所定の長さに制御する
ことを特徴とする請求項１または２記載の静電吸着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134792A JPH05291384A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 静電吸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134792A JPH05291384A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 静電吸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291384A true JPH05291384A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14023886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9134792A Withdrawn JPH05291384A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 静電吸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291384A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177081A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH08316297A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-29 | Sony Corp | 静電チャック及びその制御方法 |
| JPH11106916A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2000058514A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2002526923A (ja) * | 1998-09-30 | 2002-08-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 |
| JP2003059910A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2019186563A (ja) * | 2019-07-02 | 2019-10-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| WO2025041312A1 (ja) * | 2023-08-23 | 2025-02-27 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
-
1992
- 1992-04-13 JP JP9134792A patent/JPH05291384A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177081A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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| WO2025041312A1 (ja) * | 2023-08-23 | 2025-02-27 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
| JPWO2025041312A1 (ja) * | 2023-08-23 | 2025-02-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |