JPS6244332A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
- Publication number
- JPS6244332A JPS6244332A JP18396185A JP18396185A JPS6244332A JP S6244332 A JPS6244332 A JP S6244332A JP 18396185 A JP18396185 A JP 18396185A JP 18396185 A JP18396185 A JP 18396185A JP S6244332 A JPS6244332 A JP S6244332A
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- resistor
- sample
- coil
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の属する分野１
本発明は、半導体製造装置において半導体ウェハ等の試
料を静電力により吸着する静電吸着装置に関し、特に試
料の取り外しが円滑かつ容易な静電吸着装置に関する。
料を静電力により吸着する静電吸着装置に関し、特に試
料の取り外しが円滑かつ容易な静電吸着装置に関する。
［従来の技術］
近年、半導体製造プロセスはドライ化が急速に進み、エ
ツチング装置、アッシング装置、イオン注入装置、プラ
ズマＣＶＤ装置、電子ビームリソグラフィー、Ｘ線リソ
グラフィー等では試料を１０ｔｏｒｒ以下の真空中で処
理する事が増加している。
ツチング装置、アッシング装置、イオン注入装置、プラ
ズマＣＶＤ装置、電子ビームリソグラフィー、Ｘ線リソ
グラフィー等では試料を１０ｔｏｒｒ以下の真空中で処
理する事が増加している。
従来、試料の保持は機械的方法によるメカニカルチャッ
クや真空チャック等が多く用いられてきたが、メカニカ
ルチャックは試料全体をホルダに一様に保持することが
できず、また試料に損傷を与えるおそれがあるという欠
点があった。また、真空チャックは大気との圧力差を利
用するため上記ドライプロセス装置の真空チャンバー内
で使用することは不可能である。
クや真空チャック等が多く用いられてきたが、メカニカ
ルチャックは試料全体をホルダに一様に保持することが
できず、また試料に損傷を与えるおそれがあるという欠
点があった。また、真空チャックは大気との圧力差を利
用するため上記ドライプロセス装置の真空チャンバー内
で使用することは不可能である。
さらに、イオンビームエツチング装置、マグネトロン反
応性イオンエツチング装置、イオン注入装置では、試料
は高速イオンにさらされるため温度が上昇し、レジスト
等に熱損傷を与える。また、ＣＶＤ装置では試料が温度
によって生成膜の生成速度や、性質に強い影響を受ける
等、試料の温度調整をする必要があることが多い。
応性イオンエツチング装置、イオン注入装置では、試料
は高速イオンにさらされるため温度が上昇し、レジスト
等に熱損傷を与える。また、ＣＶＤ装置では試料が温度
によって生成膜の生成速度や、性質に強い影響を受ける
等、試料の温度調整をする必要があることが多い。
従って真空中で試料とホルダとの一様な熱的コンタクト
をとることができる静電力を利用した静電吸着は非常に
有利である。
をとることができる静電力を利用した静電吸着は非常に
有利である。
従来、この種の静電吸着装置として第４図に示す構成の
ものが知られている。同゛図において、１は試料、２は
絶縁体、３．４は電極、５はホルダである。６はスイッ
チで、電極３，４を電源７側あるいは電荷除去回路であ
る抵抗８に接続するための切換えを行なう。
ものが知られている。同゛図において、１は試料、２は
絶縁体、３．４は電極、５はホルダである。６はスイッ
チで、電極３，４を電源７側あるいは電荷除去回路であ
る抵抗８に接続するための切換えを行なう。
次にこの静電吸着装置の作用を説明する。先ずスイッチ
６を抵抗８側に接続した状態で、電極３゜４上に絶縁体
２を介して導電性の試料１を載置する。次に、スイッチ
６を電源７側に接続して、電極３と４の間に電圧を印加
すると、試料１と電極３．４に静電的な引力が発生する
。すなわち、試料１はホルダ５に吸着保持される。一方
、試料１をホルダ５から取り去る場合はスイッチ６を抵
抗８側に接続し、抵抗８によって電極３．４に帯電した
電荷を逃がし静電力をなくする。しかし、この方法では
吸着面上に残留電荷が生じ、静電力が完全になくならな
いので該試料をはずしにくいという欠点があった。また
、連続的に繰り返し吸着を行なうと吸着力の低下が起こ
るという問題もあった。
６を抵抗８側に接続した状態で、電極３゜４上に絶縁体
２を介して導電性の試料１を載置する。次に、スイッチ
６を電源７側に接続して、電極３と４の間に電圧を印加
すると、試料１と電極３．４に静電的な引力が発生する
。すなわち、試料１はホルダ５に吸着保持される。一方
、試料１をホルダ５から取り去る場合はスイッチ６を抵
抗８側に接続し、抵抗８によって電極３．４に帯電した
電荷を逃がし静電力をなくする。しかし、この方法では
吸着面上に残留電荷が生じ、静電力が完全になくならな
いので該試料をはずしにくいという欠点があった。また
、連続的に繰り返し吸着を行なうと吸着力の低下が起こ
るという問題もあった。
［発明の目的］
本発明は、上述従来例の欠点に鑑みてなされたもので、
試料の取り外しが円滑かつ容易で、連続的に繰り返し吸
着を行なっても吸着力の低下が起こらない静電吸着装置
を提供することを目的とする。
試料の取り外しが円滑かつ容易で、連続的に繰り返し吸
着を行なっても吸着力の低下が起こらない静電吸着装置
を提供することを目的とする。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る静電吸着装置の要部回
路を示す図である。同図の回路は、第４図に示す従来の
電荷除去回路の抵抗８にコイル９を直列に挿入したもの
で、他の部材は従来例と同じである。
路を示す図である。同図の回路は、第４図に示す従来の
電荷除去回路の抵抗８にコイル９を直列に挿入したもの
で、他の部材は従来例と同じである。
次に同図の回路を使用した静電吸着装置の作用を説明す
る。試料１の吸着は従来例の場合と同じで、スイッチ６
を電源７側に接続して、電極３゜４に電圧を印加し、該
電極３，４と試料１との間に発生する静電力により該試
料１をホルダ５に吸着する。また、試料１をはずす場合
は、スイッチ６をコイル９および抵抗８の直列回路側に
接続し、電極３，４の電荷を放電除去する。この時、電
極３．４、コイル９および抵抗８の閉回路はＬＣ直列共
振回路を構成する。そのため電極３，４間に加わる電圧
Ｖｃは式 ％式％） Ｒ：抵抗８の抵抗値 Ｌ 二コイル９のインダクタンス Ｃ；試料１が載置されているときの 電極３．４間の静電容量 ＶＯ：電源７の電圧 で与えられる第２図に示す波形となる。つまり、電圧Ｖ
ｃは、周波数 ｆ＝１／（２π −Ｒ’ ／４Ｌ２）で振動し
時定数Ｒ／２Ｌで減衰する。従って電極３．４間には正
負の電位が交互に加わり、かつ振゛幅は時間と共に減少
し、やがてＯに収束するので、残留電荷が減少する。減
衰の時間と１辰幅の周期は挿着の時間間隔等を考慮に入
れ実験的に決定する。
る。試料１の吸着は従来例の場合と同じで、スイッチ６
を電源７側に接続して、電極３゜４に電圧を印加し、該
電極３，４と試料１との間に発生する静電力により該試
料１をホルダ５に吸着する。また、試料１をはずす場合
は、スイッチ６をコイル９および抵抗８の直列回路側に
接続し、電極３，４の電荷を放電除去する。この時、電
極３．４、コイル９および抵抗８の閉回路はＬＣ直列共
振回路を構成する。そのため電極３，４間に加わる電圧
Ｖｃは式 ％式％） Ｒ：抵抗８の抵抗値 Ｌ 二コイル９のインダクタンス Ｃ；試料１が載置されているときの 電極３．４間の静電容量 ＶＯ：電源７の電圧 で与えられる第２図に示す波形となる。つまり、電圧Ｖ
ｃは、周波数 ｆ＝１／（２π −Ｒ’ ／４Ｌ２）で振動し
時定数Ｒ／２Ｌで減衰する。従って電極３．４間には正
負の電位が交互に加わり、かつ振゛幅は時間と共に減少
し、やがてＯに収束するので、残留電荷が減少する。減
衰の時間と１辰幅の周期は挿着の時間間隔等を考慮に入
れ実験的に決定する。
なお上述例では電極の形状および数には言及しなかった
が、２枚電極のみならず複数＠極にしても当然実施可能
である。
が、２枚電極のみならず複数＠極にしても当然実施可能
である。
第３図は本発明の他の実施例に係る静電吸着装置の要部
回路を示す図で、第１図に示す回路においてさらに電極
３，４と並列に静電容量ＣＯのコンデンサ９を接続した
ものである。基本作用は前述の実施例の場合と同じであ
るが、電極３，４間の静電容量は見かけ上Ｃ十ＣＯとな
り振幅の周期を適当な値にする自由度が増す。
回路を示す図で、第１図に示す回路においてさらに電極
３，４と並列に静電容量ＣＯのコンデンサ９を接続した
ものである。基本作用は前述の実施例の場合と同じであ
るが、電極３，４間の静電容量は見かけ上Ｃ十ＣＯとな
り振幅の周期を適当な値にする自由度が増す。
このように従来例の電伺除去回路の抵抗と直列にコイル
を接続し、あるいは、さらに吸着面の電極と並列にコン
デンサを接続することにより試料解放時の残留電荷を効
率よく減少させるため残留する静電力も減少し、その結
果、連続的に吸着を繰返しても吸着力の低下を防ぐ効果
がある。
を接続し、あるいは、さらに吸着面の電極と並列にコン
デンサを接続することにより試料解放時の残留電荷を効
率よく減少させるため残留する静電力も減少し、その結
果、連続的に吸着を繰返しても吸着力の低下を防ぐ効果
がある。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、試料の取り外しが
円滑かつ容易で、連続的に吸着を繰返しても吸着力の低
下の起こらない静電吸着装置を得ることができる。
円滑かつ容易で、連続的に吸着を繰返しても吸着力の低
下の起こらない静電吸着装置を得ることができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る静電吸着装置の要部
回路図、 第２図は、第１図に示す回路を備えた静電吸着装置の試
料脱着時に電極に加わる電圧波形図、第３図は、本発明
の伯の実施例に係る静電吸着装置の要部回路図、 第４図は、従来の静電吸着装置べのｉｌｌ略図である。 １：試料、２：絶縁体、３．４：電ＩＩ、５：ホルダ、
６：スイッチ、７：電源、８：抵抗、９：］コイル１０
：コンデンサ。
回路図、 第２図は、第１図に示す回路を備えた静電吸着装置の試
料脱着時に電極に加わる電圧波形図、第３図は、本発明
の伯の実施例に係る静電吸着装置の要部回路図、 第４図は、従来の静電吸着装置べのｉｌｌ略図である。 １：試料、２：絶縁体、３．４：電ＩＩ、５：ホルダ、
６：スイッチ、７：電源、８：抵抗、９：］コイル１０
：コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一対または２以上の対からなる電極上に絶縁体を介
して導電性の物体を載置し、該電極にに電圧を印加する
ことにより該物体を静電的に吸着する静電吸着装置にお
いて、 該物体解放時、上記対をなす電極間に印加電圧が時間の
経緯に伴つて減衰交番電圧を印加する電荷除去回路を設
けたことを特徴とする静電吸着装置。 ２、前記電荷除去回路が、前記対をなす電極と並列に接
続されたコイルと抵抗の直列回路を有する特許請求の範
囲第１項記載の静電吸着装置。 ３、前記対をなす電極と並列にコンデンサが接続されて
いる特許請求の範囲第１項または第２項記載の静電吸着
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18396185A JPS6244332A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18396185A JPS6244332A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 静電吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244332A true JPS6244332A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16144846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18396185A Pending JPS6244332A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244332A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63115223U (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-25 | ||
| JPS6418236A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Tokyo Electron Ltd | Removal of static electricity |
| JPH0279197U (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-18 | ||
| JPH08250579A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置 |
| JPH11106916A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| EP0822590A3 (en) * | 1996-07-31 | 1999-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
| JP2001007191A (ja) * | 1999-04-19 | 2001-01-12 | Applied Materials Inc | ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック |
| KR20020028290A (ko) * | 2000-10-09 | 2002-04-17 | 이계안 | 정전기 방전장치가 내장된 자동차용 키 |
| EP1096561A3 (en) * | 1999-10-08 | 2002-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method for rapid dechucking of a semiconductor wafer from an electrostatic chuck |
| WO2010038487A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 三菱重工業株式会社 | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 |
| US10896843B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-01-19 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Wafer holding device and wafer chucking and dechucking method |
| WO2021176815A1 (ja) | 2020-03-02 | 2021-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 静電チャック装置用電源、静電チャック装置、及びデチャック制御方法 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18396185A patent/JPS6244332A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63115223U (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-25 | ||
| JPS6418236A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Tokyo Electron Ltd | Removal of static electricity |
| JPH0279197U (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-18 | ||
| JPH08250579A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置 |
| EP0822590A3 (en) * | 1996-07-31 | 1999-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
| JPH11106916A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2001007191A (ja) * | 1999-04-19 | 2001-01-12 | Applied Materials Inc | ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック |
| EP1096561A3 (en) * | 1999-10-08 | 2002-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method for rapid dechucking of a semiconductor wafer from an electrostatic chuck |
| KR20020028290A (ko) * | 2000-10-09 | 2002-04-17 | 이계안 | 정전기 방전장치가 내장된 자동차용 키 |
| WO2010038487A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 三菱重工業株式会社 | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 |
| CN102159356A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-08-17 | 三菱重工业株式会社 | 晶片接合装置和晶片接合方法 |
| US9130000B2 (en) | 2008-09-30 | 2015-09-08 | Mitsubishi Heavy Industries | Wafer bonding device and wafer bonding method |
| US10896843B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-01-19 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Wafer holding device and wafer chucking and dechucking method |
| WO2021176815A1 (ja) | 2020-03-02 | 2021-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 静電チャック装置用電源、静電チャック装置、及びデチャック制御方法 |
| US12347715B2 (en) | 2020-03-02 | 2025-07-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electrostatic chuck device power supply, electrostatic chuck device, and dechuck control method |
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