JPH0529140U - 基板装置 - Google Patents
基板装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板のみ、又は、基板の必要部分のみを効率
的に輻射熱で加熱できる基板装置を提供する。 【構成】 真空中で輻射熱を用いて加熱する半導体もし
くは絶縁体の基板の、加熱したい表面の丁度その部分の
裏面に、輻射熱吸収体薄膜層を主体とする多層膜を被膜
したものである。
的に輻射熱で加熱できる基板装置を提供する。 【構成】 真空中で輻射熱を用いて加熱する半導体もし
くは絶縁体の基板の、加熱したい表面の丁度その部分の
裏面に、輻射熱吸収体薄膜層を主体とする多層膜を被膜
したものである。
Description
【０００１】
本考案は、例えば、分子線エピタキシー処理で必要となる技術であって、半導 体もしくは絶縁体の基板において基板表面の一部又は全面を真空中で加熱する場 合に効果を発揮する基板装置に関する。
【０００２】 イオン注入後の半導体基板では、注入不純物を電気的に活性化するために、フ ラッシュアニールという基板加熱方法がとられているが、この基板を面内均一に 昇温する際にも本考案の基板装置は極めて有効性を発揮する。
【０００３】
従来、分子線エピタキシー成長処理等の工程で、輻射熱で半導体もしくは絶縁 体の基板を３００℃〜１２００℃等に加熱する場合、この半導体または絶縁体の 基板を熱伝導度のよい部材の上に置き、この部材を輻射熱で加熱しこの部材から の熱伝導で間接的に基板を加熱していた。加熱を間接的にする理由は、Ｓｉ、Ｇ ａＡｓなどの半導体、もしくは透明な絶縁体は、赤外波長領域では透過率が高く 、輻射熱をほとんど透過してしまい、基板の温度を上昇させることに困難がある ためである。この間接的な方法で基板を加熱する場合には、裏面に設置した部材 をも加熱することになり、基板単体の場合に比べて熱容量が大きくなるため、加 熱電力が増大する。それと同時に、部材周辺部も加熱されるので、これが真空へ のガス放出の原因となり、基板表面が汚染されるなどの欠点があった。またこの 加熱部材からゴミが遊離して基板表面に付着する現象も見られ、これらはデバイ ス製造プロセス上大きい問題となっていた。
【０００４】 本考案は、上記問題を解決し、基板のみ、もしくは、基板の必要部分のみを効 率よく輻射熱で加熱できる基板装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】 本考案は、真空中で輻射熱を用いて加熱する半導体もしくは絶縁体の基板の、 加熱したい表面の丁度その部分の裏面に、蒸着又は放電反応処理で輻射熱吸収体 薄膜層を主体とする多層膜を被覆したものである。
【０００６】
以下、図に基づいて、本考案の実施例を説明する。
【０００７】 図１の実施例において、１は加熱される基板、２は輻射熱吸収体薄膜層を含む 多層膜、３は発熱体である。輻射熱吸収体薄膜としては、モリブデン、タングス テンなどの高融点金属又はカーボンが用いられる。
【０００８】 図２では、４が輻射熱吸収体薄膜層を含む多層膜の生成室、５は基板加熱室で ある。生成室４内で基板の裏面に真空蒸着又は放電反応処理などの成膜技術をも ちいて輻射熱吸収体薄膜層等を被覆する。基板が充分に薄いときには、加熱した い表面部のすぐ裏面に被覆が行なわれる。次いで、ゲート７を開いて被覆された 基板を基板加熱室５へ送り出し、この加熱室５で所定の表面加工が行なわれる。
【０００９】 図３は、輻射熱吸収体薄膜を多層に被覆した本考案の実施例である。多層膜は 、その組成薄膜層が熱線の波長に対し、互に異なる吸収・反射の選択性を持つ場 合に、それを互に補完できる効果があるが、殊に基板と輻射熱吸収体薄膜が反応 する場合には、その反応の防止策として効果が著るしい。このときは基板と輻射 熱吸収体薄膜の間に基板と反応しない薄膜を挿入するもので、例えば、基板がＳ ｉのときに、先づＳｉＯ2 の薄膜を被覆したのち、その上にモリブデン薄膜を被 覆するとか、基板がＧａＡｓのときに、先づＳｉ3 Ｎ4 の薄膜を置いてその上に モリブデン薄膜を被覆するとかである。
【００１０】 なお、実施に当って、本考案の輻射熱吸収体を含む多層薄膜又はその一部の薄 膜層の生成は、これを完全に別工程で、バッチ処理で行なうことも可能である。 また、基板表面に加熱したい部分が局在するときは、輻射熱吸収体薄膜生成時に マスクを用いることもできる。
【００１１】 なおまた、裏面に被覆する膜の熱膨張率は、基板の熱膨張率に近接させること が望ましい。
【００１２】 次に、もし表面処理後、裏面に電極を設けたいなどで、裏面の薄膜を除去した いときは、有機物のレジストを表面に塗布して裏面の薄膜を酸で除くとか、裏面 の薄膜を機械的に除去するとかの方法が採られる。
【００１３】
本考案の装置によれば、基板表面又はその加熱したい部分のみを効率よくしか も迅速に、かつ精度よく、すぐれた応答性をもって、輻射熱で加熱出来る基板が 提供される。
【００１４】 また、本考案の副次的効果として次のものがある。即ちイオン注入を絶縁体ま たは半絶縁半導体基板に対して行なう場合、イオン衝突によって多量の２次電子 が放出され、この２次電子で基板全体がチャージアップし、所定の場所にイオン を注入することが不可能となる現象があるが、このチャージアップを防止する上 で、裏面に高融点金属を被覆した本考案の基板は著効をもっている。
【図１】本考案の実施例の基板装置の加熱状況を示す図
である。
である。
【図２】本考案の実施例の基板装置の薄膜生成、加熱処
理装置を略示する図である。
理装置を略示する図である。
【図３】本考案の多層膜を被覆した基板装置の実施例の
図である。
図である。
１ 基板 ２ 輻射熱吸収体薄膜層を含む多層膜 ３ 発熱体 ４ 輻射熱吸収体薄膜層を含む多層膜の生成室 ５ 基板加熱室 ６ 輻射熱吸収体薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 三戸 英夫 東京都府中市四谷５丁目８番１号 日電ア ネルバ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 真空中で輻射熱を用いて、表面の一部又
は全面に加熱を行なう半導体もしくは絶縁体の基板にお
いて、該加熱したい表面の裏面に、輻射熱吸収体薄膜層
を含む多層膜を被膜したことを特徴とする基板装置。 - 【請求項２】 前記輻射熱吸収体薄膜が、高融点金属又
はカーボンであることを特徴とする請求項１記載の基板
装置。 - 【請求項３】 前記多層膜のうち該基板に接する膜が、
該基板と化学的に反応しない物質で構成されていること
を特徴とする請求項１又は２記載の基板装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992064030U JPH0717148Y2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992064030U JPH0717148Y2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529140U true JPH0529140U (ja) | 1993-04-16 |
| JPH0717148Y2 JPH0717148Y2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=13246329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992064030U Expired - Lifetime JPH0717148Y2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717148Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8703626B2 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-22 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Method, tool, and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216971A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-08 | Hitachi Ltd | Base plate heat treatment method and wafer for semiconductor |
| JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP1992064030U patent/JPH0717148Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216971A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-08 | Hitachi Ltd | Base plate heat treatment method and wafer for semiconductor |
| JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8703626B2 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-22 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Method, tool, and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0717148Y2 (ja) | 1995-04-19 |
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