JPH0529302A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0529302A JPH0529302A JP18595991A JP18595991A JPH0529302A JP H0529302 A JPH0529302 A JP H0529302A JP 18595991 A JP18595991 A JP 18595991A JP 18595991 A JP18595991 A JP 18595991A JP H0529302 A JPH0529302 A JP H0529302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- interval
- tray
- distance
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】常圧ＣＶＤ装置において、ヘッド間隔の変動か
ら発生する形成膜の膜厚のばらつきを低減する。 【構成】半導体基板１を搬送するトレイ６と反応ガスを
放出するヘッド３の間隔Ｗを、間隔を測定するセンサー
８と、その信号によりヘッド間隔を制御するコントロー
ラー５およびヘッド間隔調整部とを備えている。 【効果】ヘッド間隔変動から発生する形成膜のばらつき
を低減でき、かつ間隔調整等人の手による設定がへり、
人為的ミスを低減できる。
ら発生する形成膜の膜厚のばらつきを低減する。 【構成】半導体基板１を搬送するトレイ６と反応ガスを
放出するヘッド３の間隔Ｗを、間隔を測定するセンサー
８と、その信号によりヘッド間隔を制御するコントロー
ラー５およびヘッド間隔調整部とを備えている。 【効果】ヘッド間隔変動から発生する形成膜のばらつき
を低減でき、かつ間隔調整等人の手による設定がへり、
人為的ミスを低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に関し、特に酸化膜等を堆積させる常圧ＣＶＤ装置に関
する。
に関し、特に酸化膜等を堆積させる常圧ＣＶＤ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の常圧ＣＶＤ装置は、搬送用トレイ
にローディングされた半導体基板を移動させ、反応ガス
を放出するディスパージョンヘッド（以下ヘッドと称す
る）の下を通過させる事により、酸化膜等を堆積させる
機能を有している。
にローディングされた半導体基板を移動させ、反応ガス
を放出するディスパージョンヘッド（以下ヘッドと称す
る）の下を通過させる事により、酸化膜等を堆積させる
機能を有している。
【０００３】そして形成する膜の膜厚の制御は反応ガス
を放出するヘッドと半導体基板を搬送するトレイの間隔
（以下ヘッド間隔と称する）を一定に保つ方法が講じら
れていた。
を放出するヘッドと半導体基板を搬送するトレイの間隔
（以下ヘッド間隔と称する）を一定に保つ方法が講じら
れていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の常圧ＣＶＤ
装置では複数トレイの平行度と特定トレイとのヘッド間
隔を保つことにより膜厚を制御する構造になっている
為、トレイの変形等によりヘッド間隔が変化し、そのト
レイにローディングされた半導体基板の膜厚がばらつく
という問題点がある。
装置では複数トレイの平行度と特定トレイとのヘッド間
隔を保つことにより膜厚を制御する構造になっている
為、トレイの変形等によりヘッド間隔が変化し、そのト
レイにローディングされた半導体基板の膜厚がばらつく
という問題点がある。
【０００５】またトレイの搬送系の摩耗・ヘッドのガタ
つき等によってもヘッド間隔がばらつき、その結果、膜
厚がばらつくという問題点もある。
つき等によってもヘッド間隔がばらつき、その結果、膜
厚がばらつくという問題点もある。
【０００６】本発明の目的は、トレイの変形，トレイの
搬送系の摩耗・ヘッドのガタつき等によるヘッド間隔の
ばらつきを除去し、反応ガスを放出するヘッドと半導体
基板を搬送するトレイの間隔を常に一定に保ち膜厚ばら
つきを低減できる半導体装置の製造装置を提供すること
にある。
搬送系の摩耗・ヘッドのガタつき等によるヘッド間隔の
ばらつきを除去し、反応ガスを放出するヘッドと半導体
基板を搬送するトレイの間隔を常に一定に保ち膜厚ばら
つきを低減できる半導体装置の製造装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置である常圧ＣＶＤ装置は、ヘッドとトレイの間隔
を測定するセンサー部と、その信号によりヘッド間隔を
制御するコントローラー部及びヘッド間隔調整部とを備
えている。
造装置である常圧ＣＶＤ装置は、ヘッドとトレイの間隔
を測定するセンサー部と、その信号によりヘッド間隔を
制御するコントローラー部及びヘッド間隔調整部とを備
えている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の半導体装置の製造装置で
ある常圧ＣＶＤ装置の断面図である。
る。図１は本発明の一実施例の半導体装置の製造装置で
ある常圧ＣＶＤ装置の断面図である。
【０００９】フレキシブルガス配管４ａから送られてく
る反応ガスがヘッド３を通りトレイ６にローディングさ
れた半導体基板１に酸化膜等を成長する。この際ヘッド
ガイド７，トレイ６に入っている同極性の電磁石２がそ
れぞれ対向しあうところで反発しあい、離れている距離
をセンサー８が測定する。その測定した結果からコント
ローラー５がヘッドガイド７についている電磁石２の磁
力を制御しヘッドガイド７を動かす事でヘッド３，トレ
イ６の間隔（ヘッド間隔）を一定に保ち均一な膜厚にす
る。
る反応ガスがヘッド３を通りトレイ６にローディングさ
れた半導体基板１に酸化膜等を成長する。この際ヘッド
ガイド７，トレイ６に入っている同極性の電磁石２がそ
れぞれ対向しあうところで反発しあい、離れている距離
をセンサー８が測定する。その測定した結果からコント
ローラー５がヘッドガイド７についている電磁石２の磁
力を制御しヘッドガイド７を動かす事でヘッド３，トレ
イ６の間隔（ヘッド間隔）を一定に保ち均一な膜厚にす
る。
【００１０】図２は本発明の他の実施例の断面図であ
る。ヘッド３，トレイ６の間隔（ヘッド間隔）をセンサ
ー８が測定する。
る。ヘッド３，トレイ６の間隔（ヘッド間隔）をセンサ
ー８が測定する。
【００１１】その測定した結果からコントローラー５が
モーター２ｂを制御しトレイ６を動かす事でヘッド間隔
を一定に保つ。
モーター２ｂを制御しトレイ６を動かす事でヘッド間隔
を一定に保つ。
【００１２】上述した実施例１，２の違いは、反応ガス
を放出するヘッド３側を制御するか半導体基板１を搬送
するトレイ６を制御するかという点である。
を放出するヘッド３側を制御するか半導体基板１を搬送
するトレイ６を制御するかという点である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、常圧ＣＶ
Ｄ装置の反応ガスを放出するヘッドと、半導体基板を搬
送するトレイの間隔を測定するセンサーと、制御するコ
ントローラーで一定に保つことにより、 （１）ヘッド間隔変動から発生する酸化膜等の膜厚ばら
つき低減 （２）間隔調整等人の手による設定が減ることによる人
為的ミス低減 ができるという効果がある。
Ｄ装置の反応ガスを放出するヘッドと、半導体基板を搬
送するトレイの間隔を測定するセンサーと、制御するコ
ントローラーで一定に保つことにより、 （１）ヘッド間隔変動から発生する酸化膜等の膜厚ばら
つき低減 （２）間隔調整等人の手による設定が減ることによる人
為的ミス低減 ができるという効果がある。
【００１４】理論的には上述した不具合の発生は０％に
できる。
できる。
【図１】本発明の一実施例の常圧ＣＶＤ装置の構成を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の常圧ＣＶＤ装置の構成を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
１ 半導体基板 ２ａ 電磁石 ２ｂ モーター ３ ヘッド ４ａ フレキシブルガス配管 ４ｂ ガス配管 ５ コントローラー ６ トレイ ７ ヘッドガイド ８ センサー Ｗ ヘッド間隔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板上に酸化膜・ＰＳＧ膜・ＢＰ
ＳＧ膜等を堆積させる常圧ＣＶＤ装置において、反応ガ
スを放出するディスパージョンヘッドと半導体基板を搬
送するトレイの間隔の自動調整機能を備える事を特徴と
する半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18595991A JPH0529302A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18595991A JPH0529302A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529302A true JPH0529302A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16179874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18595991A Pending JPH0529302A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003249491A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Nec Kansai Ltd | Ｃｖｄ装置及び方法 |
| DE102006018515A1 (de) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18595991A patent/JPH0529302A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003249491A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Nec Kansai Ltd | Ｃｖｄ装置及び方法 |
| DE102006018515A1 (de) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke |
| US8157915B2 (en) | 2006-04-21 | 2012-04-17 | Aixtron Inc. | CVD reactor having a process-chamber ceiling which can be lowered |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4506184A (en) | Deformable chuck driven by piezoelectric means | |
| US7953512B2 (en) | Substrate processing system, control method for substrate processing apparatus and program stored on medium | |
| EP0510791B1 (en) | Flow verification for process gas in a wafer processing system, apparatus and method | |
| US6410094B2 (en) | Extrusion coating head and coating method for flexible support | |
| JP4764615B2 (ja) | 塗布装置、塗布方法及び塗布膜付きウエブの製造方法 | |
| JP2008253866A (ja) | 塗布装置 | |
| CN116137240A (zh) | 基板处理装置 | |
| JPH0529302A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2747603B2 (ja) | 真空処理機器を通気するための方法と装置 | |
| CN109963718B (zh) | 卷对卷印刷装置 | |
| EP0556132A1 (en) | Method and apparatus for variably controlling the speed of a slave drive roller | |
| JP4068727B2 (ja) | 塗布装置および塗布方法 | |
| CN113573999A (zh) | 用于卷对卷加工的流体流卷材张紧装置 | |
| KR102604545B1 (ko) | 슬릿 노즐 및 기판 처리 장치 | |
| JP5145815B2 (ja) | 基板搬送装置および基板搬送装置のコロ配置の決定方法 | |
| JP3482024B2 (ja) | 鋼板の形状制御及び制振装置 | |
| JPH0716635A (ja) | 圧延材の冷却制御装置 | |
| JP2976510B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP2001300393A (ja) | 金属板ダイコーティング装置 | |
| JPH0585593A (ja) | 方向規制装置 | |
| JPS6218721A (ja) | 連続処理装置 | |
| JP2969738B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2001070855A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH0369114A (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH0515915A (ja) | タンデム圧延機の張力制御方法 |