JPH0529311B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0529311B2
JPH0529311B2 JP63163314A JP16331488A JPH0529311B2 JP H0529311 B2 JPH0529311 B2 JP H0529311B2 JP 63163314 A JP63163314 A JP 63163314A JP 16331488 A JP16331488 A JP 16331488A JP H0529311 B2 JPH0529311 B2 JP H0529311B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
cdte
carbon paste
fired
cds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP63163314A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0212973A (ja
Inventor
Noryuki Ueno
Yoshiaki Nishama
Kunyoshi Omura
Mikio Murozono
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63163314A priority Critical patent/JPH0212973A/ja
Publication of JPH0212973A publication Critical patent/JPH0212973A/ja
Publication of JPH0529311B2 publication Critical patent/JPH0529311B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543Solar cells from Group II-VI materials

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電源用もしくは、民生用の太陽電池
などに使用可能なCdS/CdTe系の光起電力素子
の製造方法に関するものである。
従来の技術 セラミツク基板、またはガラス基板上に形成し
たCdS/CdTe印刷方式光起電力素子においては、
CdTe膜をp形化するためとCdTe膜の電極の働
きをするために、CdTe焼成膜上に微量のCuOを
添加したカーボンペーストを印刷、乾燥し不活性
ガス雰囲気中でベルト式マツフル炉によつて焼成
していた。
発明が解決しようとする課題 しかしこの方法では光起電力素子の性能の向上
を簡単に図ることはできなかつた。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、
光起電力素子の性能を上昇安定させ、量産性にす
ぐれた再現性のあるカーボン膜を備えた光起電力
素子の製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段 本発明は、上記課題を解決するため、カーボン
ペースト中にCdTe焼成膜をp形化するCuOとTe
とを微量添加し、CdTe膜とカーボンペースト膜
との接触抵抗も同時に低下するようにしたもので
ある。
作 用 本発明による光起電力素子の製造方法によれ
ば、カーボンペースト中に、CuOとTeが入つた
ことによりCdTe膜をp形化し、またCdTe膜と
カーボンペースト膜との接触抵抗を小さくし、太
陽電池の特性を向上させて、特性バラツキを少な
くし、かつ特性を安定させることができる。
実施例 以下、本発明の実施例について図面をもとに説
明する。CdS粉末に融剤としてCdCl2を10重量%、
プロピレングリコールを20〜30重量%加えてCdS
ペーストを作り、これを第1図に示すガラス基板
1上に印刷、乾燥した後焼成し、CdS焼成膜2を
形成する。次にCdTe粉末にCdCl2を1重量%、
プロピレングリコールを20〜30重量%加えて
CdTeペーストを作り、これを上記CdS焼成膜上
にスクリーン印刷する。印刷膜の乾燥後不活性ガ
ス雰囲気中で焼成し、CdTe焼成膜3を得た。こ
のようにして得られたCdTe焼成膜上にカーボン
ペーストの印刷スクリーンを通過する粒径である
平均粒径50μm以下のTe粉末0.3〜1.0wt%と、50
〜200ppmのCuOを含んだ高純度カーボンペース
トをスクリーン印刷し、乾燥後、不活性雰囲気中
でTeの融点近傍の450℃で焼成を行なう。
この焼成でCdTe膜をp形化するとともに、
CdTe膜とオーミツク接合を作るカーボンペース
ト膜4が形成できる。最後にCdS膜2とカーボン
ペースト膜4上にAgInペーストをスクリーン印
刷して、AgIn電極5を形成する。このようにし
て太陽電池素子を完成した。
この様にして得られた光起電力素子の特性を、
第2図に示している。カーボンペースト中にTe
を加えていくことにより、従来に比べて接触抵抗
が低くなり、F.F.が特に改善して光起電力素子の
特性も改善している。ただし、Teを5重量%以
上加えていくと、特性が低下する傾向があるので
避けるべきであり、好ましいTe添加量は0.3〜
1.0wt%である。
発明の効果 このように本発明は、カーボンペースト中に、
CuOとTeを同時に添加し、かつ塗布したカーボ
ンペーストをTeの融点近傍温度で焼成すること
により、CdTe膜をp形化すると同時に、CdTe
膜とカーボンペースト膜との接触抵抗を低下さ
せ、光起電力素子の特性を向上、安定させる効果
が得られた。
【図面の簡単な説明】
第1図はCdS/CdTe系光起電力素子の断面図、
第2図はカーボンペースト中にTeとCuOの両方
を添加した際の特性結果を示す図である。 1……ガラス基板、2……CdS膜、3……
CdTe膜、4……カーボンペースト膜、5……
AgIn膜。
【特許請求の範囲】
1(a) 内側に存在する円筒状カソード37と、管
体4の端部に挿入されかつ円筒状孔10,12
を備えた端壁6,8とを有する円筒状管体4、 (b) 端壁の円筒状孔10,12に挿入されかつ端
壁6,8内に密封保持された、ガラスから成る
キヤピラリ管14,16、 (c) 端壁の一方に密封固定されたポンプ接続管
片、 (d) 軸線平行の孔23を貫通して端壁8の一方に
案内された、円筒状カソード37のための接続
JP63163314A 1988-06-30 1988-06-30 光起電力素子の製造方法 Granted JPH0212973A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63163314A JPH0212973A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 光起電力素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63163314A JPH0212973A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 光起電力素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0212973A JPH0212973A (ja) 1990-01-17
JPH0529311B2 true JPH0529311B2 (ja) 1993-04-30

Family

ID=15771480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63163314A Granted JPH0212973A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 光起電力素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0212973A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0212973A (ja) 1990-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Okamura et al. Slow current-drift mechanism in n-channel inversion type InP-MISFET
US11316054B2 (en) Passivated emitter and rear contact solar cell
EP0374244B1 (en) An improved method of fabricating contacts for solar cells
EP0024170A1 (en) Process for preparation of semiconductors and semiconductor photoelectrodes and cells containing them
US5557146A (en) Ohmic contact using binder paste with semiconductor material dispersed therein
KR101322149B1 (ko) 규소 웨이퍼의 전면 상에 그리드 전극을 형성하는 방법
GB1558746A (en) Semiconductor liquid junction photocell
JPH0529311B2 (ja)
US20120160314A1 (en) Process for the formation of a silver back anode of a silicon solar cell
JP2006319170A (ja) 太陽電池及びその製造方法
JP2002198547A (ja) 太陽電池の製造方法
JPS55117287A (en) Photovoltaic element and fabricating the same
GB1026766A (en) Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices
JPS6311791B2 (ja)
JP2692217B2 (ja) 光起電力素子の製造方法
Sharma et al. Si and GaAs SIS heterostructure solar cells using spray-deposited ITO
JPH02177575A (ja) 光起電力素子
JPH09246571A (ja) ダイオードの製造方法
JPS54160191A (en) Manufacture of back irradiation type cds solar battery
Sasaki et al. On the Excitation Mechanism of the Thin Film Electroluminescence of ZnS; Cu, Mn, Cl
JP2523734B2 (ja) 光起電力装置の製造法
JPS629233B2 (ja)
JPS5580386A (en) Manufacture of semiconductor light emitting device
JPS6257269B2 (ja)
JPS5536976A (en) Production of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees