JPH05295540A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
- Publication number
- JPH05295540A JPH05295540A JP4101414A JP10141492A JPH05295540A JP H05295540 A JPH05295540 A JP H05295540A JP 4101414 A JP4101414 A JP 4101414A JP 10141492 A JP10141492 A JP 10141492A JP H05295540 A JPH05295540 A JP H05295540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- vacuum film
- film forming
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空成膜装置において、蒸発源から直線的に
進んできた粒子に対して、基板において光学的に影にな
る部分を無くし、微細なパターンが形成されてステップ
部分を有する基板に対して、均一な厚さの付着膜を形成
させステップカバレージを良好とする。 【構成】 真空成膜装置において、基板１０を電極ある
いは蒸発源１１等に対向させて配置し保持する基板ホル
ダ１と、前記基板ホルダ１と回動可能に連結される回転
軸６と、前記基板ホルダ１に接触して設けられ前記回転
軸６の回転運動に伴って駆動する付勢手段４とからな
り、前記基板ホルダ１を前記回転軸６との連結部分２を
支点として上下に揺動運動させる。
進んできた粒子に対して、基板において光学的に影にな
る部分を無くし、微細なパターンが形成されてステップ
部分を有する基板に対して、均一な厚さの付着膜を形成
させステップカバレージを良好とする。 【構成】 真空成膜装置において、基板１０を電極ある
いは蒸発源１１等に対向させて配置し保持する基板ホル
ダ１と、前記基板ホルダ１と回動可能に連結される回転
軸６と、前記基板ホルダ１に接触して設けられ前記回転
軸６の回転運動に伴って駆動する付勢手段４とからな
り、前記基板ホルダ１を前記回転軸６との連結部分２を
支点として上下に揺動運動させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置におい
て基板上に薄膜を形成する真空成膜装置に関するもので
ある。
て基板上に薄膜を形成する真空成膜装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の真空成膜装置においては、蒸発源
に対して基板を対向して配置し蒸発源からの粒子を基板
上に付着させている。このとき基板を自転あるいは公転
させることによって、基板の蒸発源に対する相対的位置
を変更させ成膜の厚さが均一になるようにしている。
に対して基板を対向して配置し蒸発源からの粒子を基板
上に付着させている。このとき基板を自転あるいは公転
させることによって、基板の蒸発源に対する相対的位置
を変更させ成膜の厚さが均一になるようにしている。
【０００３】図３は従来の真空成膜装置の基板の自転の
機構図である。図において、基板１０は基板ホルダ１に
設置されている。そして、該基板ホルダ１は回転軸６に
よって回転し、それと共に基板１０を自転させる。基板
１０は蒸発源１１に対向しており、回転軸６に回転に伴
い蒸発源１１に対して位置が変化する。また、図４は従
来の真空成膜装置の基板の自転及び公転の機構図であ
る。図において、基板１０は基板ホルダ１に設置されて
回転軸６によって自転している。この機構は図３の基板
の自転の機構と同様である。さらに、回転軸６には遊星
歯車８が取り付けられ太陽歯車９と噛み合っている。太
陽歯車９は真空成膜装置に対してボルトなどによって固
定されている。一方遊星歯車８は回転軸６と共に回転軸
７によって真空成膜装置に対して回転運動する。この構
成によって、基板１０は蒸発源１１に対して自転運動と
共に公転運動を行う。
機構図である。図において、基板１０は基板ホルダ１に
設置されている。そして、該基板ホルダ１は回転軸６に
よって回転し、それと共に基板１０を自転させる。基板
１０は蒸発源１１に対向しており、回転軸６に回転に伴
い蒸発源１１に対して位置が変化する。また、図４は従
来の真空成膜装置の基板の自転及び公転の機構図であ
る。図において、基板１０は基板ホルダ１に設置されて
回転軸６によって自転している。この機構は図３の基板
の自転の機構と同様である。さらに、回転軸６には遊星
歯車８が取り付けられ太陽歯車９と噛み合っている。太
陽歯車９は真空成膜装置に対してボルトなどによって固
定されている。一方遊星歯車８は回転軸６と共に回転軸
７によって真空成膜装置に対して回転運動する。この構
成によって、基板１０は蒸発源１１に対して自転運動と
共に公転運動を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の成膜装置においては、基板１０は蒸発源１１に対
して自転運動あるいは公転運動を行うが、基板１０と蒸
発源１１の間隔は常に一定に保持されており、以下のよ
うな問題点がある。 （１）基板上に微細なパターンがきられ、該微細パター
ンにより基板上にステップが形成されている場合があ
る。このような場合には、基板上の前記ステップ部分に
おいて付着が不十分となることがある。これは、蒸発源
１１から直線的に進んできた粒子は基板に対して光学的
に影になる部分があり、該部分に対して粒子の付着は十
分に行われずステップカバレージが不良となる。
従来の成膜装置においては、基板１０は蒸発源１１に対
して自転運動あるいは公転運動を行うが、基板１０と蒸
発源１１の間隔は常に一定に保持されており、以下のよ
うな問題点がある。 （１）基板上に微細なパターンがきられ、該微細パター
ンにより基板上にステップが形成されている場合があ
る。このような場合には、基板上の前記ステップ部分に
おいて付着が不十分となることがある。これは、蒸発源
１１から直線的に進んできた粒子は基板に対して光学的
に影になる部分があり、該部分に対して粒子の付着は十
分に行われずステップカバレージが不良となる。
【０００５】この点を図５の（ａ）の基板と付着粒子と
の関係図によって説明する。図において、基板１０に対
して付着粒子が直線的に進み付着膜１２を形成する。直
線的に進んでくる粒子に対して直交する面上には厚さｂ
の付着膜１２が形成されるが、他方微細なパターンによ
るステップ部分においては、付着膜１２の厚さａは前記
付着膜の厚さｂに対して薄くなり、基板１０に対して均
一な付着膜を形成できない。付着膜１２の厚さａと厚さ
ｂとの比は例えば１：２となる。
の関係図によって説明する。図において、基板１０に対
して付着粒子が直線的に進み付着膜１２を形成する。直
線的に進んでくる粒子に対して直交する面上には厚さｂ
の付着膜１２が形成されるが、他方微細なパターンによ
るステップ部分においては、付着膜１２の厚さａは前記
付着膜の厚さｂに対して薄くなり、基板１０に対して均
一な付着膜を形成できない。付着膜１２の厚さａと厚さ
ｂとの比は例えば１：２となる。
【０００６】本発明は以上の問題点を除去し、微細なパ
ターンが形成されてステップ部分を有する基板に対し
て、均一な厚さの付着膜を形成させステップカバレージ
を良好とする真空成膜装置を提供することを目的とす
る。
ターンが形成されてステップ部分を有する基板に対し
て、均一な厚さの付着膜を形成させステップカバレージ
を良好とする真空成膜装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の欠点を
克服するために、真空成膜装置において、基板を電極あ
るいは蒸発源等に対向させて配置し保持する基板ホルダ
と、前記基板ホルダと回動可能に連結される回転軸と、
前記基板ホルダに接触して設けられ前記回転軸の回転運
動に伴って駆動する付勢手段とからなり、前記基板ホル
ダを前記回転軸との連結部分を支点として上下に揺動運
動させる揺動機構を持たせたものである。
克服するために、真空成膜装置において、基板を電極あ
るいは蒸発源等に対向させて配置し保持する基板ホルダ
と、前記基板ホルダと回動可能に連結される回転軸と、
前記基板ホルダに接触して設けられ前記回転軸の回転運
動に伴って駆動する付勢手段とからなり、前記基板ホル
ダを前記回転軸との連結部分を支点として上下に揺動運
動させる揺動機構を持たせたものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、基板ホルダを支持する回転軸
を回転することによって、該回転に伴って駆動する付勢
手段が基板ホルダを傾斜させ、基板ホルダにおける回転
軸との連結部分を支点として上下に揺動運動させる。そ
して、以上のような構成によって、蒸発源から直線的に
進んできた粒子に対して、基板において光学的に影にな
る部分を無くし、微細なパターンが形成されてステップ
部分を有する基板に対して、均一な厚さの付着膜を形成
させステップカバレージを良好とすることができる。
を回転することによって、該回転に伴って駆動する付勢
手段が基板ホルダを傾斜させ、基板ホルダにおける回転
軸との連結部分を支点として上下に揺動運動させる。そ
して、以上のような構成によって、蒸発源から直線的に
進んできた粒子に対して、基板において光学的に影にな
る部分を無くし、微細なパターンが形成されてステップ
部分を有する基板に対して、均一な厚さの付着膜を形成
させステップカバレージを良好とすることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図５の（ｂ）は、基板と付着粒子
との関係図である。図において、従来の基板に対して直
交して進んでくる粒子（図５の（ａ）参照）の他に、基
板に対して相対的に角度を有して進んでくる粒子によっ
て基板のステップ部分に対しても平面部分と同様に均一
に付着膜が形成される。本発明は揺動機構によって基板
あるいは蒸発源を、蒸発源あるいは基板に対して相対的
に上下運動させ基板に対する付着粒子の入射角度を変更
させて光学的に影になる部分を無くすものであり、これ
によって、微細なパターンによるステップ部分に対して
も、蒸発源からの粒子を平均して付着させ均一な厚さの
付着膜を形成させる。
がら詳細に説明する。図５の（ｂ）は、基板と付着粒子
との関係図である。図において、従来の基板に対して直
交して進んでくる粒子（図５の（ａ）参照）の他に、基
板に対して相対的に角度を有して進んでくる粒子によっ
て基板のステップ部分に対しても平面部分と同様に均一
に付着膜が形成される。本発明は揺動機構によって基板
あるいは蒸発源を、蒸発源あるいは基板に対して相対的
に上下運動させ基板に対する付着粒子の入射角度を変更
させて光学的に影になる部分を無くすものであり、これ
によって、微細なパターンによるステップ部分に対して
も、蒸発源からの粒子を平均して付着させ均一な厚さの
付着膜を形成させる。
【００１０】図５の（ｃ）は、揺動する基板面と付着粒
子との関係図である。図において、基板面１２を揺動さ
せると、電極あるいは蒸発源から直進してくる粒子の基
板面１２に対する入射角度はその揺動に応じて変更し、
光学的に影になる部分が無くなる。以下に基板を揺動さ
せる場合を例としてその揺動機構について説明する。
子との関係図である。図において、基板面１２を揺動さ
せると、電極あるいは蒸発源から直進してくる粒子の基
板面１２に対する入射角度はその揺動に応じて変更し、
光学的に影になる部分が無くなる。以下に基板を揺動さ
せる場合を例としてその揺動機構について説明する。
【００１１】図１は本発明の真空成膜装置の揺動機構の
第１の実施例の断面図である。第１の実施例は、基板１
０を自転運動をさせながら揺動運動させるものである。
揺動機構の構成を以下に説明する。基板１０は基板ホル
ダ１に設置され、該基板ホルダ１はピン２によって揺動
可能に回転軸６に取り付けられると共に電極あるいは蒸
発源１１に対向している。一方、装置側には回転軸６の
軸方向に高さが変化しているカム３が設けられる。この
カム３と前記基板ホルダ１の基板１０と反対側との間に
はロッド５が設けられ、該ロッド５のカム３側の端部と
回転軸６から横方向に延びた支持部１４との間にスプリ
ング４が挟持される。スプリング４の伸張力はカム３の
面と前記基板ホルダ１の基板１０と反対側の面を押圧し
ている。スプリング４の押圧によってロッド５はカム３
の面の形状に従って上下動する。また、基板ホルダ１の
背面部はロッド５の先端部と接しているので、基板ホル
ダ１及び基板１０の傾斜は、ロッド５の上下位置に応じ
て決定される。基板１０の揺動運動である傾斜角度及び
該傾斜角度と回転軸６の回転角度との関係は、カム３の
面の形状によって設定することができる。
第１の実施例の断面図である。第１の実施例は、基板１
０を自転運動をさせながら揺動運動させるものである。
揺動機構の構成を以下に説明する。基板１０は基板ホル
ダ１に設置され、該基板ホルダ１はピン２によって揺動
可能に回転軸６に取り付けられると共に電極あるいは蒸
発源１１に対向している。一方、装置側には回転軸６の
軸方向に高さが変化しているカム３が設けられる。この
カム３と前記基板ホルダ１の基板１０と反対側との間に
はロッド５が設けられ、該ロッド５のカム３側の端部と
回転軸６から横方向に延びた支持部１４との間にスプリ
ング４が挟持される。スプリング４の伸張力はカム３の
面と前記基板ホルダ１の基板１０と反対側の面を押圧し
ている。スプリング４の押圧によってロッド５はカム３
の面の形状に従って上下動する。また、基板ホルダ１の
背面部はロッド５の先端部と接しているので、基板ホル
ダ１及び基板１０の傾斜は、ロッド５の上下位置に応じ
て決定される。基板１０の揺動運動である傾斜角度及び
該傾斜角度と回転軸６の回転角度との関係は、カム３の
面の形状によって設定することができる。
【００１２】次に、第１の実施例の揺動機構の動きにつ
いて説明する。上記の構成において、回転軸６が回転す
ると、基板ホルダ１はその背面をロッド５の先端と接触
しながら回転する。ロッド５のスプリング４は支持部１
４とロッド５のカム側の先端部との間にあり、ロッド５
をカム３の形状に応じて上下動させる。したがって、ロ
ッド５の上下動に追従して基板ホルダ１の傾斜角度も変
化し上下運動し揺動する。
いて説明する。上記の構成において、回転軸６が回転す
ると、基板ホルダ１はその背面をロッド５の先端と接触
しながら回転する。ロッド５のスプリング４は支持部１
４とロッド５のカム側の先端部との間にあり、ロッド５
をカム３の形状に応じて上下動させる。したがって、ロ
ッド５の上下動に追従して基板ホルダ１の傾斜角度も変
化し上下運動し揺動する。
【００１３】基板１０が揺動しながら回転すると、基板
１０の面の蒸発源１１に対する角度及び位置はその回転
に応じて変化し、微細なパターンが形成されてステップ
部分を有する基板に対して、均一な厚さの付着膜を形成
させステップカバレージを良好とすることができる。図
５の（ａ）において、上記の実施例によって付着膜１２
の厚さａと厚さｂとの比は例えば１：１．５とすること
ができ、従来の装置と比較して基板１０に対して均一な
付着膜を形成することができる。
１０の面の蒸発源１１に対する角度及び位置はその回転
に応じて変化し、微細なパターンが形成されてステップ
部分を有する基板に対して、均一な厚さの付着膜を形成
させステップカバレージを良好とすることができる。図
５の（ａ）において、上記の実施例によって付着膜１２
の厚さａと厚さｂとの比は例えば１：１．５とすること
ができ、従来の装置と比較して基板１０に対して均一な
付着膜を形成することができる。
【００１４】図２は本発明の真空成膜装置の揺動機構の
第２の実施例の断面図である。第２の実施例は、基板１
０を自転運動及び公転運動をさせながら揺動運動させる
ものである。図において、基板ホルダ１、ピン２、カム
３、スプリング４、ロッド５、回転軸６、及び基板１０
よりなる基板１０を自転運動させる構成は、図１の第１
の実施例と同様であり、この自転運動の機構は装置に対
して回転する回転軸７の先端の横方向に延びる支持部１
５によって支持されている。
第２の実施例の断面図である。第２の実施例は、基板１
０を自転運動及び公転運動をさせながら揺動運動させる
ものである。図において、基板ホルダ１、ピン２、カム
３、スプリング４、ロッド５、回転軸６、及び基板１０
よりなる基板１０を自転運動させる構成は、図１の第１
の実施例と同様であり、この自転運動の機構は装置に対
して回転する回転軸７の先端の横方向に延びる支持部１
５によって支持されている。
【００１５】前記自転運動の機構の回転軸６の先端には
遊星歯車８が設けられ、太陽歯車９と噛み合っている。
太陽歯車９は装置に対してボルトなどの固定部品によっ
て固定されている。前記自転運動の機構は前記支持部１
５に対してその円周方向に間隔を開けて複数個設置する
ことができる。次に、第２の実施例の揺動機構の動きに
ついて説明する。
遊星歯車８が設けられ、太陽歯車９と噛み合っている。
太陽歯車９は装置に対してボルトなどの固定部品によっ
て固定されている。前記自転運動の機構は前記支持部１
５に対してその円周方向に間隔を開けて複数個設置する
ことができる。次に、第２の実施例の揺動機構の動きに
ついて説明する。
【００１６】上記の構成において、回転軸７が回転する
と支持部１５が装置に対して回転し基板ホルダ１及び基
板１０を回転軸７の回りで公転運動を行う。この公転運
動と共に回転軸６も回転軸７の回りで公転運動を行う。
回転軸６はこの公転運動によって、該回転軸６に取り付
けられた遊星歯車８が固定している太陽歯車９に噛み合
っているため回転運動させられる。したがって、回転軸
７の回転によって、基板１０は回転軸７を回転軸として
公転運動を行うと共に、回転軸６を回転軸として自転運
動を行い、さらに上下方向に揺動運動を行う。
と支持部１５が装置に対して回転し基板ホルダ１及び基
板１０を回転軸７の回りで公転運動を行う。この公転運
動と共に回転軸６も回転軸７の回りで公転運動を行う。
回転軸６はこの公転運動によって、該回転軸６に取り付
けられた遊星歯車８が固定している太陽歯車９に噛み合
っているため回転運動させられる。したがって、回転軸
７の回転によって、基板１０は回転軸７を回転軸として
公転運動を行うと共に、回転軸６を回転軸として自転運
動を行い、さらに上下方向に揺動運動を行う。
【００１７】この公転運動、自転運動及び揺動運動を組
み合わせることによって、基板１０は対向して配置され
ている蒸発源１１に対して相対位置と角度を変更するこ
とができる。図６は本発明の真空成膜装置の揺動機構の
第３の実施例である。図においては、基板１０を自転運
動をさせながら揺動運動させるものによって説明してい
るが、基板１０を公転運動をさせながら揺動運動させる
ものにも容易に適用することができる。
み合わせることによって、基板１０は対向して配置され
ている蒸発源１１に対して相対位置と角度を変更するこ
とができる。図６は本発明の真空成膜装置の揺動機構の
第３の実施例である。図においては、基板１０を自転運
動をさせながら揺動運動させるものによって説明してい
るが、基板１０を公転運動をさせながら揺動運動させる
ものにも容易に適用することができる。
【００１８】以下に、第３の実施例の揺動機構の構成を
説明する。基板１０は基板ホルダ１に設置され、該基板
ホルダ１はピン２によって揺動可能に回転軸６に取り付
けられている。一方、装置側には回転軸６の軸方向に高
さが変化しているガイド３１が設けられる。ガイド３１
には、ガイド溝３２が形成され、このガイド３１のガイ
ド溝３２と前記基板ホルダ１の基板１０と反対側との間
にはロッド５１が設けられる。ロッド５１の一端は、ガ
イド３１のガイド溝３２に沿ってスライド可能に取り付
けられている。一方、ロッド５１と基板ホルダ１とはリ
ンク機構によって連結されている。基板ホルダ１は、回
転軸６とロッド５１とで支持され、その傾斜角度はロッ
ド５１のガイド３１に対する上下位置によって決定す
る。
説明する。基板１０は基板ホルダ１に設置され、該基板
ホルダ１はピン２によって揺動可能に回転軸６に取り付
けられている。一方、装置側には回転軸６の軸方向に高
さが変化しているガイド３１が設けられる。ガイド３１
には、ガイド溝３２が形成され、このガイド３１のガイ
ド溝３２と前記基板ホルダ１の基板１０と反対側との間
にはロッド５１が設けられる。ロッド５１の一端は、ガ
イド３１のガイド溝３２に沿ってスライド可能に取り付
けられている。一方、ロッド５１と基板ホルダ１とはリ
ンク機構によって連結されている。基板ホルダ１は、回
転軸６とロッド５１とで支持され、その傾斜角度はロッ
ド５１のガイド３１に対する上下位置によって決定す
る。
【００１９】基板１０の揺動運動である傾斜角度、及び
該傾斜角度と回転軸６の回転角度との関係は、ガイド３
１のガイド溝３２の形状の曲線によって設定することが
できる。次に、第３の実施例の揺動機構の動きについて
説明する。上記の構成において、基板ホルダ１はロッド
５１のリンク機構とピン２との高さ方向の位置関係に応
じた傾斜にある。この状態で回転軸６が回転すると、回
転に応じてロッド５１の上端がガイド３１のガイド溝３
２の曲線に沿って移動するので、前記ロッド５１のリン
ク機構とピン２との高さ方向の位置関係が順次変更され
ていき、基板ホルダ１が上下動して揺動運動する。
該傾斜角度と回転軸６の回転角度との関係は、ガイド３
１のガイド溝３２の形状の曲線によって設定することが
できる。次に、第３の実施例の揺動機構の動きについて
説明する。上記の構成において、基板ホルダ１はロッド
５１のリンク機構とピン２との高さ方向の位置関係に応
じた傾斜にある。この状態で回転軸６が回転すると、回
転に応じてロッド５１の上端がガイド３１のガイド溝３
２の曲線に沿って移動するので、前記ロッド５１のリン
ク機構とピン２との高さ方向の位置関係が順次変更され
ていき、基板ホルダ１が上下動して揺動運動する。
【００２０】基板１０が揺動しながら回転すると、基板
１０の面の蒸発源１１に対する角度及び位置はその回転
に応じて変化する。図７は本発明の真空成膜装置の揺動
機構の第４の実施例である。図においては、基板１０を
自転運動をさせながら揺動運動させるものによって説明
しているが、基板１０を公転運動をさせながら揺動運動
させるものにも容易に適用することができる。
１０の面の蒸発源１１に対する角度及び位置はその回転
に応じて変化する。図７は本発明の真空成膜装置の揺動
機構の第４の実施例である。図においては、基板１０を
自転運動をさせながら揺動運動させるものによって説明
しているが、基板１０を公転運動をさせながら揺動運動
させるものにも容易に適用することができる。
【００２１】以下に、第４の実施例の揺動機構の構成を
説明する。基板１０は基板ホルダ１に設置され、該基板
ホルダ１はピン２によって揺動可能に回転軸６に取り付
けられている。また、基板ホルダ１の背面と装置との間
にはロッド５２が設置されている。ロッド５２は装置側
には固定され、基板ホルダ１の背面とはその先端部をガ
イド溝３３に挿入し、該ガイド溝３３に沿ってスライド
可能となる様に取り付けられている。基板ホルダ１の傾
斜角度はロッド５２の長さによって決定される。
説明する。基板１０は基板ホルダ１に設置され、該基板
ホルダ１はピン２によって揺動可能に回転軸６に取り付
けられている。また、基板ホルダ１の背面と装置との間
にはロッド５２が設置されている。ロッド５２は装置側
には固定され、基板ホルダ１の背面とはその先端部をガ
イド溝３３に挿入し、該ガイド溝３３に沿ってスライド
可能となる様に取り付けられている。基板ホルダ１の傾
斜角度はロッド５２の長さによって決定される。
【００２２】基板１０は、ロッド５２の長さによって決
定される一定の傾斜角度を有しながら回転運動を行う。
次に、第４の実施例の揺動機構の動きについて説明す
る。上記の構成において、回転軸６が回転すると該回転
に応じてロッド５２の先端部はガイド溝３３に沿ってス
ライドする。回転に従ってロッド５２の先端部と基板ホ
ルダ１との位置関係が移動するので、基板ホルダ１はそ
の傾斜方向を変えながら回転運動を行う。
定される一定の傾斜角度を有しながら回転運動を行う。
次に、第４の実施例の揺動機構の動きについて説明す
る。上記の構成において、回転軸６が回転すると該回転
に応じてロッド５２の先端部はガイド溝３３に沿ってス
ライドする。回転に従ってロッド５２の先端部と基板ホ
ルダ１との位置関係が移動するので、基板ホルダ１はそ
の傾斜方向を変えながら回転運動を行う。
【００２３】基板１０が回転すると、基板１０の面の蒸
発源１１に対する角度及び位置はその回転に応じて変化
する。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、
それらを本発明の範囲から排除するものではない。
発源１１に対する角度及び位置はその回転に応じて変化
する。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、
それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 （１）蒸発源１１から直線的に進んできた粒子に対し
て、基板において光学的に影になる部分を無くすことが
できる。 （２）微細なパターンが形成されてステップ部分を有す
る基板に対して、均一な厚さの付着膜を形成させステッ
プカバレージを良好とすることができる。
て、基板において光学的に影になる部分を無くすことが
できる。 （２）微細なパターンが形成されてステップ部分を有す
る基板に対して、均一な厚さの付着膜を形成させステッ
プカバレージを良好とすることができる。
【図１】本発明の真空成膜装置の揺動機構の第１の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【図２】本発明の真空成膜装置の揺動機構の第２の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【図３】従来の真空成膜装置の基板の自転の機構図であ
る。
る。
【図４】従来の真空成膜装置の基板の自転及び公転の機
構図である。
構図である。
【図５】基板面と付着粒子との関係図である。
【図６】本発明の真空成膜装置の揺動機構の第３の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【図７】本発明の真空成膜装置の揺動機構の第４の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
１…基板ホルダ、２…ピン、３…カム、４…スプリン
グ、５，５１，５２…ロッド、６，７…回転軸、８…遊
星歯車、９…太陽歯車、１０…基板、１１…蒸発源、１
２…付着膜、１３…基板面、１４，１５…支持部、３１
…ガイド、３２，３３…ガイド溝
グ、５，５１，５２…ロッド、６，７…回転軸、８…遊
星歯車、９…太陽歯車、１０…基板、１１…蒸発源、１
２…付着膜、１３…基板面、１４，１５…支持部、３１
…ガイド、３２，３３…ガイド溝
Claims (1)
- 【請求項１】 真空成膜装置において、（ａ）基板を電
極あるいは蒸発源等に対向させて配置し保持する基板ホ
ルダと、（ｂ）前記基板ホルダと回動可能に連結される
回転軸と、（ｃ）前記基板ホルダに接触して設けられ、
前記回転軸の回転運動に伴って駆動する付勢手段とから
なり、（ｄ）前記基板ホルダを前記回転軸との連結部分
を支点として上下に揺動運動させることを特徴とする真
空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4101414A JPH05295540A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4101414A JPH05295540A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 真空成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05295540A true JPH05295540A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=14300054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4101414A Pending JPH05295540A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05295540A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111097A1 (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 基材保持装置 |
| JP2016084496A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社日本製鋼所 | ２個のターゲットによるスパッタリング方法およびスパッタリング装置 |
| CN113802097A (zh) * | 2021-09-17 | 2021-12-17 | 北京航空航天大学 | 一种用于制备叶片热障涂层的工装 |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP4101414A patent/JPH05295540A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111097A1 (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 基材保持装置 |
| JP2007262445A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 基材保持装置 |
| JP2016084496A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社日本製鋼所 | ２個のターゲットによるスパッタリング方法およびスパッタリング装置 |
| CN113802097A (zh) * | 2021-09-17 | 2021-12-17 | 北京航空航天大学 | 一种用于制备叶片热障涂层的工装 |
| CN113802097B (zh) * | 2021-09-17 | 2022-05-20 | 北京航空航天大学 | 一种用于制备叶片热障涂层的工装 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0767663B2 (ja) | 光ファイバ端面研磨装置 | |
| JPH031378B2 (ja) | ||
| JPH0355550B2 (ja) | ||
| JP3623292B2 (ja) | 真空蒸着用基板傾斜自公転装置 | |
| WO1994009944A1 (fr) | Machine de polissage de surfaces terminales | |
| US20040043706A1 (en) | Method and apparatus for polishing and planarization | |
| JPH09155858A (ja) | ワイヤソーのワーク切断装置 | |
| JP2006111952A (ja) | 成膜装置 | |
| JP3074376B2 (ja) | 端面研磨装置 | |
| JP2001207262A (ja) | 光学基板上に、コーティング被覆を塗布するための真空被覆装置 | |
| JPH08168946A (ja) | ウェーハ外周部の研磨装置 | |
| JPH0248425Y2 (ja) | ||
| JP3069000B2 (ja) | 研磨装置 | |
| JP3022872B1 (ja) | 液晶素子のラビング装置及びラビング方法 | |
| JPS62149870A (ja) | 蒸着装置 | |
| CN119029085B (zh) | 一种tbc电池制备方法及其硅片激光开槽装置 | |
| JP2716142B2 (ja) | 半導体基板イオン注入装置 | |
| US12404586B2 (en) | Substrate rotating apparatus, processing system, and processing method | |
| EP0040137A1 (fr) | Machine de rectification de matériaux durs, notamment de quartz | |
| JPH073633Y2 (ja) | ダイシングテープカット装置 | |
| JPH02908Y2 (ja) | ||
| JP2000263405A (ja) | 半導体ウェハのノッチ面取り面研磨方法および研磨装置 | |
| JPH0630863B2 (ja) | 吸着ノズルの回り留め装置 | |
| KR200315878Y1 (ko) | 진공 증착 장비 | |
| JPH02219213A (ja) | レジスト塗布装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011120 |