JPH0529590A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0529590A JPH0529590A JP3177942A JP17794291A JPH0529590A JP H0529590 A JPH0529590 A JP H0529590A JP 3177942 A JP3177942 A JP 3177942A JP 17794291 A JP17794291 A JP 17794291A JP H0529590 A JPH0529590 A JP H0529590A
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- JP
- Japan
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- resist
- light
- image sensor
- shape
- microlens
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】本発明は、製造プロセスが長くならずにフォト
ダイオードの開口部の形状に合わせたマイクロレンズを
形成しようとするものである。 【構成】パターン化工程において撮像素子基板上に熱変
形樹脂から成るレジストが塗布され露光処理により撮像
素子の形状に応じたパターンが形成され、次の透光化工
程においてレジストに光線が照射されてこのレジストを
透光性レジスト２２とし、次の硬化工程において透光性
レジスト２２に対して撮像素子の形状に応じた孔の形成
されたマスク２１を通して所定の光が照射されて硬化さ
れ、次の加熱工程において透光性レジストが加熱されて
硬化部分以外が湾曲化される。又、透光化工程の次に変
形工程に移り、この工程において透光性レジスト２２に
対して紫外線ハートーニング処理して透光性レジストを
変形する。
ダイオードの開口部の形状に合わせたマイクロレンズを
形成しようとするものである。 【構成】パターン化工程において撮像素子基板上に熱変
形樹脂から成るレジストが塗布され露光処理により撮像
素子の形状に応じたパターンが形成され、次の透光化工
程においてレジストに光線が照射されてこのレジストを
透光性レジスト２２とし、次の硬化工程において透光性
レジスト２２に対して撮像素子の形状に応じた孔の形成
されたマスク２１を通して所定の光が照射されて硬化さ
れ、次の加熱工程において透光性レジストが加熱されて
硬化部分以外が湾曲化される。又、透光化工程の次に変
形工程に移り、この工程において透光性レジスト２２に
対して紫外線ハートーニング処理して透光性レジストを
変形する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロレンズの製造を
行う固体撮像素子の製造方法に関する。
行う固体撮像素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】かかるマイクロレンズの製造方法には例
えば第１技術として特開平２−８９６８７号公報、第２
技術として特開昭６４−１０６６６号公報に示すものが
ある。第１技術の製造工程図を図６に示す。半導体基板
１には同図(a) に示すようにフォトダイオード２が複数
配列して形成されるとともにこれらフォトダイオード２
の間に転送路３が形成され、この転送路３にしゃへい膜
４を形成してその上部に色フィルタ層５が形成されてい
る。まず、同図(b) に示すように色フィルタ層５の表面
上にポジ型レジスト７が塗布されて各フォトダイオード
２の配置位置に応じてパターニングされる。次に同図
(c) に示すようにポジ型レジスト７は所定の光の照射に
より透明化されたレジスト８となり、次にこのレジスト
８に対して加熱が行われてマイクロレンズ９となる。
えば第１技術として特開平２−８９６８７号公報、第２
技術として特開昭６４−１０６６６号公報に示すものが
ある。第１技術の製造工程図を図６に示す。半導体基板
１には同図(a) に示すようにフォトダイオード２が複数
配列して形成されるとともにこれらフォトダイオード２
の間に転送路３が形成され、この転送路３にしゃへい膜
４を形成してその上部に色フィルタ層５が形成されてい
る。まず、同図(b) に示すように色フィルタ層５の表面
上にポジ型レジスト７が塗布されて各フォトダイオード
２の配置位置に応じてパターニングされる。次に同図
(c) に示すようにポジ型レジスト７は所定の光の照射に
より透明化されたレジスト８となり、次にこのレジスト
８に対して加熱が行われてマイクロレンズ９となる。
【０００３】図７は第２技術の製造工程図である。同図
(b) に示すように色フィルタ層５の表面上には透明レジ
スト１０が塗布され、次に同図(c)に示すようにその上
部にポジ型レジスト７が塗布されて各フォトダイオード
２の配置位置に応じてパターニングされる。次に同図
(d) に示すようにポジ型レジスト７は加熱が行われてレ
ンズ状のレジスト１１に変形され、次に反応性スパッタ
エッチング（ＲＩＥ）の処理によりパターン転写が行わ
れて同図(e) に示すマイクロレンズ１２が形成される。
しかして、これらマイクロレンズ９、１２により各フォ
トダイオード２に光が集光され、撮像素子の高感度化に
つながる。又、他の技術として図８に示すようにマイク
ロレンズを２層１３、１４に形成することが行なわれて
いる。
(b) に示すように色フィルタ層５の表面上には透明レジ
スト１０が塗布され、次に同図(c)に示すようにその上
部にポジ型レジスト７が塗布されて各フォトダイオード
２の配置位置に応じてパターニングされる。次に同図
(d) に示すようにポジ型レジスト７は加熱が行われてレ
ンズ状のレジスト１１に変形され、次に反応性スパッタ
エッチング（ＲＩＥ）の処理によりパターン転写が行わ
れて同図(e) に示すマイクロレンズ１２が形成される。
しかして、これらマイクロレンズ９、１２により各フォ
トダイオード２に光が集光され、撮像素子の高感度化に
つながる。又、他の技術として図８に示すようにマイク
ロレンズを２層１３、１４に形成することが行なわれて
いる。
【０００４】ところで、フォトダイオード２は図９に示
すように転送路３が形成されているために、これら転送
路３に沿って縦長の形状となる。そして、上記第１及び
第２技術で製造されるマイクロレンズはその断面形状が
ポジ型レジスト７の膜厚及び幅により決まる。又、これ
らマイクロレンズのレンズパターンは図６及び図７に示
すようにＹ方向（以下、縦方向と称する）のフォトダイ
オード２に対してＸ方向（以下、横方向と称する）に形
成される。
すように転送路３が形成されているために、これら転送
路３に沿って縦長の形状となる。そして、上記第１及び
第２技術で製造されるマイクロレンズはその断面形状が
ポジ型レジスト７の膜厚及び幅により決まる。又、これ
らマイクロレンズのレンズパターンは図６及び図７に示
すようにＹ方向（以下、縦方向と称する）のフォトダイ
オード２に対してＸ方向（以下、横方向と称する）に形
成される。
【０００５】従って、マイクロレンズのレンズパターン
はフォトダイオード２の開口部の一辺の長さに合わせて
形成され、かつこの開口部の形状に応じてレジスト７の
膜厚及び幅が決まる。例えば、マイクロレンズ９、１２
のレンズパターンを図１０に示す横方向から見たフォト
ダイオード２の一辺の長さに合わせると、縦方向では図
１１に示すようにマイクロレンズ９、１２の曲率が大き
くなり集光した光がフォトダイオード２から外れる。
又、逆にレンズパターンを図１２に示す縦方向から見た
フォトダイオード２の一辺の長さに合わせると、横方向
では図１３に示すように光の集光性が悪い。従って、フ
ォトダイオード２の開口部の形状に合わせてマイクロレ
ンズ９、１２のレンズパターンを形成することは困難と
なる。
はフォトダイオード２の開口部の一辺の長さに合わせて
形成され、かつこの開口部の形状に応じてレジスト７の
膜厚及び幅が決まる。例えば、マイクロレンズ９、１２
のレンズパターンを図１０に示す横方向から見たフォト
ダイオード２の一辺の長さに合わせると、縦方向では図
１１に示すようにマイクロレンズ９、１２の曲率が大き
くなり集光した光がフォトダイオード２から外れる。
又、逆にレンズパターンを図１２に示す縦方向から見た
フォトダイオード２の一辺の長さに合わせると、横方向
では図１３に示すように光の集光性が悪い。従って、フ
ォトダイオード２の開口部の形状に合わせてマイクロレ
ンズ９、１２のレンズパターンを形成することは困難と
なる。
【０００６】又、図８に示す２層のマイクロレンズ１
３、１４ではフォトダイオード２に対する光の集光性は
よいが、マイクロレンズを２回形成しなければならず、
製造プロセスが長くなる。
３、１４ではフォトダイオード２に対する光の集光性は
よいが、マイクロレンズを２回形成しなければならず、
製造プロセスが長くなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにフォトダ
イオードの開口部の形状に合わせたマイクロレンズを形
成することが困難であり、又そのレンズを形成できても
製造プロセスが長い。
イオードの開口部の形状に合わせたマイクロレンズを形
成することが困難であり、又そのレンズを形成できても
製造プロセスが長い。
【０００８】そこで本発明は、製造プロセスが長くなら
ずにフォトダイオードの開口部の形状に合わせたマイク
ロレンズを形成できる固体撮像素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。
ずにフォトダイオードの開口部の形状に合わせたマイク
ロレンズを形成できる固体撮像素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、撮像素子を形
成しその上部にフィルタ層を形成した基板上の撮像素子
と対応する部分にマイクロレンズを形成する固体撮像素
子の製造方法において、基板上に熱変形樹脂から成るレ
ジストを塗布しこの熱変形樹脂を露光処理により撮像素
子の形状に応じてパターン化するパターン化工程と、レ
ジストに光線を照射してこのレジストを透光性レジスト
とする透光化工程と、透光性レジストに対して撮像素子
の形状に応じた孔の形成されたマスクを通して所定の光
を透光性レジストに照射してこの光照射部分を硬化する
硬化工程と、透光性レジストを加熱して硬化部分以外を
湾曲化する加熱工程とから上記目的を達成しようとする
固体撮像素子の製造方法である。
成しその上部にフィルタ層を形成した基板上の撮像素子
と対応する部分にマイクロレンズを形成する固体撮像素
子の製造方法において、基板上に熱変形樹脂から成るレ
ジストを塗布しこの熱変形樹脂を露光処理により撮像素
子の形状に応じてパターン化するパターン化工程と、レ
ジストに光線を照射してこのレジストを透光性レジスト
とする透光化工程と、透光性レジストに対して撮像素子
の形状に応じた孔の形成されたマスクを通して所定の光
を透光性レジストに照射してこの光照射部分を硬化する
硬化工程と、透光性レジストを加熱して硬化部分以外を
湾曲化する加熱工程とから上記目的を達成しようとする
固体撮像素子の製造方法である。
【００１０】又本発明は、撮像素子を形成しその上部に
フィルタ層を形成した基板上の撮像素子と対応する部分
にマイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方法に
おいて、基板上に熱変形樹脂から成るレジストを塗布し
この熱変形樹脂を露光処理により撮像素子の形状に応じ
てパターン化するパターン化工程と、レジストに光線を
照射してこのレジストを透光性レジストとする透光化工
程と、透光性レジストに対して紫外線ハードニング処理
して透光性レジストを変形する変形工程とから上記目的
を達成しようとする固体撮像素子の製造方法である。
フィルタ層を形成した基板上の撮像素子と対応する部分
にマイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方法に
おいて、基板上に熱変形樹脂から成るレジストを塗布し
この熱変形樹脂を露光処理により撮像素子の形状に応じ
てパターン化するパターン化工程と、レジストに光線を
照射してこのレジストを透光性レジストとする透光化工
程と、透光性レジストに対して紫外線ハードニング処理
して透光性レジストを変形する変形工程とから上記目的
を達成しようとする固体撮像素子の製造方法である。
【００１１】
【作用】このような手段を備えたことにより、パターン
化工程において撮像素子基板上に熱変形樹脂から成るレ
ジストが塗布され露光処理により撮像素子の形状に応じ
たパターンが形成され、次の透光化工程においてレジス
トに光線が照射されてこのレジストを透光性レジストと
し、次の硬化工程において透光性レジストに対して撮像
素子の形状に応じた孔の形成されたマスクを通して所定
の光が照射されて硬化され、次の加熱工程において透光
性レジストが加熱されて硬化部分以外が湾曲化される。
化工程において撮像素子基板上に熱変形樹脂から成るレ
ジストが塗布され露光処理により撮像素子の形状に応じ
たパターンが形成され、次の透光化工程においてレジス
トに光線が照射されてこのレジストを透光性レジストと
し、次の硬化工程において透光性レジストに対して撮像
素子の形状に応じた孔の形成されたマスクを通して所定
の光が照射されて硬化され、次の加熱工程において透光
性レジストが加熱されて硬化部分以外が湾曲化される。
【００１２】又、上記手段を備えたことにより、パター
ン化工程において撮像素子基板上に熱変形樹脂から成る
レジストが塗布され露光処理により撮像素子の形状に応
じたパターンが形成され、次の透光化工程においてレジ
ストに光線が照射されてこのレジストを透光性レジスト
とし、次の変形工程において透光性レジストに対して紫
外線ハードニング処理により透光性レジストは変形す
る。
ン化工程において撮像素子基板上に熱変形樹脂から成る
レジストが塗布され露光処理により撮像素子の形状に応
じたパターンが形成され、次の透光化工程においてレジ
ストに光線が照射されてこのレジストを透光性レジスト
とし、次の変形工程において透光性レジストに対して紫
外線ハードニング処理により透光性レジストは変形す
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の第１実施例について図面を参
照しながら説明する。なお、図６及び図７と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
照しながら説明する。なお、図６及び図７と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００１４】図１及び図２はマイクロレンズ製造方法の
製造工程図であって、図１はマイクロレンズを横方向か
ら見た製造工程図、図２は同レンズを縦方向から見た製
造工程図である。同図では色フィルタ層５の下層にあた
る半導体基板１等は省略してある。
製造工程図であって、図１はマイクロレンズを横方向か
ら見た製造工程図、図２は同レンズを縦方向から見た製
造工程図である。同図では色フィルタ層５の下層にあた
る半導体基板１等は省略してある。
【００１５】先ず、図１及び図２の各(a) に示すように
パターン化工程において色フィルタ層５の表面上に熱変
形樹脂から成るポジ型レジスト２０が塗布される。この
ポジ型レジスト２０はスチレン系、ノボラック系から成
るもので、加熱により変形するものである。次にフォト
ダイオード２の形状に応じたマスク２１が配置される。
このマスク２１は各フォトダイオード２の配置間隔に応
じたピッチで配置されている。次にこのマスク２１を通
して露光処理が行なわれ、この処理によって同図(b) に
示すようにフォトダイオード２の形状に応じたパターン
にポジ型レジスト２０が形成される。
パターン化工程において色フィルタ層５の表面上に熱変
形樹脂から成るポジ型レジスト２０が塗布される。この
ポジ型レジスト２０はスチレン系、ノボラック系から成
るもので、加熱により変形するものである。次にフォト
ダイオード２の形状に応じたマスク２１が配置される。
このマスク２１は各フォトダイオード２の配置間隔に応
じたピッチで配置されている。次にこのマスク２１を通
して露光処理が行なわれ、この処理によって同図(b) に
示すようにフォトダイオード２の形状に応じたパターン
にポジ型レジスト２０が形成される。
【００１６】次に透光化工程においてポジ型レジスト２
０に対してＵＶ光が照射される。これにより、ポジ型レ
ジスト２０の感光性の成分が分解され、ポジ型レジスト
２０は無色透明な透光性レジスト２２となる。
０に対してＵＶ光が照射される。これにより、ポジ型レ
ジスト２０の感光性の成分が分解され、ポジ型レジスト
２０は無色透明な透光性レジスト２２となる。
【００１７】次の硬化工程において同図(c) に示すよう
に透光性レジスト２２に対してマスク２３が配置され
る。このマスク２３は図３に示すように孔２４が形成さ
れている。この孔２４の横方向の寸法はフォトダイオー
ド２の横幅よりも短い 1.0〜2.0 μｍ程度に形成され、
又横方向の寸法はできるだけ狭く形成されている。次に
このマスク２３を通してＵＶ光が照射される。このＵＶ
光の波長は短波長側の 300ｎｍ以下が最適である。この
ＵＶ光の照射により、ＵＶ光の照射された透光性レジス
ト２２の表面部分Ａは硬化される。そして、マスク２３
が別の位置に移動される。
に透光性レジスト２２に対してマスク２３が配置され
る。このマスク２３は図３に示すように孔２４が形成さ
れている。この孔２４の横方向の寸法はフォトダイオー
ド２の横幅よりも短い 1.0〜2.0 μｍ程度に形成され、
又横方向の寸法はできるだけ狭く形成されている。次に
このマスク２３を通してＵＶ光が照射される。このＵＶ
光の波長は短波長側の 300ｎｍ以下が最適である。この
ＵＶ光の照射により、ＵＶ光の照射された透光性レジス
ト２２の表面部分Ａは硬化される。そして、マスク２３
が別の位置に移動される。
【００１８】次の加熱工程において透光性レジスト２２
が温度 150〜160 ℃に加熱され、この加熱により硬化部
分Ａ以外は変形して湾曲化する。かくして、マイクロレ
ンズ２５が形成される。
が温度 150〜160 ℃に加熱され、この加熱により硬化部
分Ａ以外は変形して湾曲化する。かくして、マイクロレ
ンズ２５が形成される。
【００１９】図４はかかるマイクロレンズ２５を横方向
から見た断面形状であり、図５はマイクロレンズ２５を
縦方向から見た断面形状である。同図から分かるように
光はフォトダイオード２の横方向に対して一様で、かつ
縦方向に対しては１点に集中するように集光される。
から見た断面形状であり、図５はマイクロレンズ２５を
縦方向から見た断面形状である。同図から分かるように
光はフォトダイオード２の横方向に対して一様で、かつ
縦方向に対しては１点に集中するように集光される。
【００２０】このように上記第１実施例おいては、レジ
スト２０を塗布して露光処理によりフォトダイオード２
の形状に応じたパターンを形成し、次にレジスト２０に
光線を照射して透光性レジスト２２とし、次に透光性レ
ジスト２２に対してフォトダイオード２の形状に応じた
孔２４を形成したマスク２３を通してＵＶ光を照射して
硬化し、次に透光性レジスト２２を加熱して硬化部分Ａ
以外を変形するので、フォトダイオード２の開口部の形
状に合った断面形状のマイクロレンズ２５を形成するこ
とができ、横方向及び縦方向に対する集光性をよくでき
る。又、マスク２３の孔２４のパターン寸法を変えるこ
とによって任意の形状つまり任意の曲率をもったマイク
ロレンズ２５の形成できる。さらに、少ない工程で集光
性のよいマイクロレンズ２５を形成できる。次に本発明
の第２実施例について説明する。
スト２０を塗布して露光処理によりフォトダイオード２
の形状に応じたパターンを形成し、次にレジスト２０に
光線を照射して透光性レジスト２２とし、次に透光性レ
ジスト２２に対してフォトダイオード２の形状に応じた
孔２４を形成したマスク２３を通してＵＶ光を照射して
硬化し、次に透光性レジスト２２を加熱して硬化部分Ａ
以外を変形するので、フォトダイオード２の開口部の形
状に合った断面形状のマイクロレンズ２５を形成するこ
とができ、横方向及び縦方向に対する集光性をよくでき
る。又、マスク２３の孔２４のパターン寸法を変えるこ
とによって任意の形状つまり任意の曲率をもったマイク
ロレンズ２５の形成できる。さらに、少ない工程で集光
性のよいマイクロレンズ２５を形成できる。次に本発明
の第２実施例について説明する。
【００２１】この実施例は上記一実施例における硬化工
程及び加熱工程を変形工程に代えたものである。この変
形工程は透光性レジスト２２の全面に対してＵＶ光を照
射する紫外線ハードニング処理を行って透光性レジスト
２２を変形するもので、ＵＶ光の照射量によってマイク
ロレンズ２５の形状を制御することができる。すなわ
ち、ＵＶ光の照射量を小さくすればマイクロレンズ２５
の形状は球面状に形成され、照射量を大きくすればマイ
クロレンズ２５の形状は角形状等の非球面状に形成され
る。
程及び加熱工程を変形工程に代えたものである。この変
形工程は透光性レジスト２２の全面に対してＵＶ光を照
射する紫外線ハードニング処理を行って透光性レジスト
２２を変形するもので、ＵＶ光の照射量によってマイク
ロレンズ２５の形状を制御することができる。すなわ
ち、ＵＶ光の照射量を小さくすればマイクロレンズ２５
の形状は球面状に形成され、照射量を大きくすればマイ
クロレンズ２５の形状は角形状等の非球面状に形成され
る。
【００２２】このような変形工程とすることにより、任
意の曲率をもった球面のマイクロレンズを形成でき、さ
らに球面に限らずや角形状等の非球面状のマイクロレン
ズを形成できる。
意の曲率をもった球面のマイクロレンズを形成でき、さ
らに球面に限らずや角形状等の非球面状のマイクロレン
ズを形成できる。
【００２３】なお、本発明は上記一実施例に限定される
ものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してもよ
い。例えば、ＵＶ光の波長領域ついては限定するもので
ない。又、マイクロレンズは無色透明でなく透光性で色
が付いていてもよい。
ものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してもよ
い。例えば、ＵＶ光の波長領域ついては限定するもので
ない。又、マイクロレンズは無色透明でなく透光性で色
が付いていてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、製
造プロセスが長くならずにフォトダイオードの開口部の
形状に合わせたマイクロレンズを形成できるマイクロレ
ンズ製造方法を提供できる。
造プロセスが長くならずにフォトダイオードの開口部の
形状に合わせたマイクロレンズを形成できるマイクロレ
ンズ製造方法を提供できる。
【図１】本発明に係るマイクロレンズ製造方法の一実施
例を横方向から見たときの製造工程図。
例を横方向から見たときの製造工程図。
【図２】同方法の一実施例を縦方向から見たときの製造
工程図。
工程図。
【図３】同方法に用いるマスクの構成図。
【図４】同方法により形成されたマイクロレンズの集光
状態を示す図。
状態を示す図。
【図５】同方法により形成されたマイクロレンズの集光
状態を示す図。
状態を示す図。
【図６】従来におけるマイクロレンズ製造方法の製造工
程図。
程図。
【図７】従来におけるマイクロレンズ製造方法の製造工
程図。
程図。
【図８】従来における２層のマイクロレンズの構成図。
【図９】フォトダイオードの配置状態を示す図。
【図１０】従来のマイクロレンズの集光状態を示す図。
【図１１】従来のマイクロレンズの集光状態を示す図。
【図１２】従来のマイクロレンズの集光状態を示す図。
【図１３】従来のマイクロレンズの集光状態を示す図。
１…半導体基板、２…フォトダイオード、３…転送路、
４…しゃへい層、５…色フィルタ層、２０…ポジ型レジ
スト、２１…マスク、２２…透光性レジスト、２３…マ
スク、２４…孔、２５…マイクロレンズ。
４…しゃへい層、５…色フィルタ層、２０…ポジ型レジ
スト、２１…マスク、２２…透光性レジスト、２３…マ
スク、２４…孔、２５…マイクロレンズ。
Claims (2)
- 【請求項１】 撮像素子を形成しその上部に少なくとも
フィルタ層を形成した基板上の前記撮像素子と対応する
部分にマイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方
法において、前記基板上に熱変形樹脂から成るレジスト
を塗布しこの熱変形樹脂を露光処理により前記撮像素子
の形状に応じてパターン化するパターン化工程と、前記
レジストに光線を照射してこのレジストを透光性レジス
トとする透光化工程と、前記透光性レジストに対して前
記撮像素子の形状に応じた孔の形成されたマスクを通し
て所定の光を前記透光性レジストに照射してこの光照射
部分を硬化する硬化工程と、前記透光性レジストを加熱
して前記硬化部分以外を湾曲化する加熱工程とから成る
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項２】 撮像素子を形成しその上部に少なくとも
フィルタ層を形成した基板上の前記撮像素子と対応する
部分にマイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方
法において、前記基板上に熱変形樹脂から成るレジスト
を塗布しこの熱変形樹脂を露光処理により前記撮像素子
の形状に応じてパターン化するパターン化工程と、前記
レジストに光線を照射してこのレジストを透光性レジス
トとする透光化工程と、前記透光性レジストに対して紫
外線ハードニング処理して前記透光性レジストを変形す
る変形工程とから成ることを特徴とする固体撮像素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3177942A JPH0529590A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3177942A JPH0529590A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529590A true JPH0529590A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16039770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3177942A Pending JPH0529590A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529590A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6979588B2 (en) | 2003-01-29 | 2005-12-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor having microlens therein with high photosensitivity |
| JP2012242588A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レンズ部品および画像表示装置 |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP3177942A patent/JPH0529590A/ja active Pending
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