JPH05297428A - 波長変換方法 - Google Patents
波長変換方法Info
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- JPH05297428A JPH05297428A JP3062799A JP6279991A JPH05297428A JP H05297428 A JPH05297428 A JP H05297428A JP 3062799 A JP3062799 A JP 3062799A JP 6279991 A JP6279991 A JP 6279991A JP H05297428 A JPH05297428 A JP H05297428A
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- Japan
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- optical waveguide
- wavelength
- wavelength conversion
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 非線形光学効果をもつLiNbO3からなる基板１
に光導波路２を形成する。光導波路２の幅と厚さは基本
波P1と高調波P2の実効屈折率が等しくなるように選んで
おり、幅が3μm,1.2μmである。 【効果】 基本波P1(波長1.56μm)は光導波路２を伝搬
し、波長の半分の高調波P2(波長0.78μm)に変換され
る。基本波P1に対する0次モート゛の実効屈折率n1と、高調波
P2の2次モート゛の実効屈折率n2が等しくなるよう光導波路
２の幅と厚さを選んでいるために、高調波P2は導波路２
内を伝搬し効率の良い波長変換が行われる。また高調波
P2は出射部１１を中心として発散する光となるため単純
な凸レンズで簡単に平行光にできる。
に光導波路２を形成する。光導波路２の幅と厚さは基本
波P1と高調波P2の実効屈折率が等しくなるように選んで
おり、幅が3μm,1.2μmである。 【効果】 基本波P1(波長1.56μm)は光導波路２を伝搬
し、波長の半分の高調波P2(波長0.78μm)に変換され
る。基本波P1に対する0次モート゛の実効屈折率n1と、高調波
P2の2次モート゛の実効屈折率n2が等しくなるよう光導波路
２の幅と厚さを選んでいるために、高調波P2は導波路２
内を伝搬し効率の良い波長変換が行われる。また高調波
P2は出射部１１を中心として発散する光となるため単純
な凸レンズで簡単に平行光にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コヒ−レント光を利用
する光情報処理分野、光応用計測分野、光通信分野に使
用する波長変換方法に関するものである。
する光情報処理分野、光応用計測分野、光通信分野に使
用する波長変換方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報処理分野、光応用計測分野、光通
信分野ではファイバーロスの少ない波長１．５μｍ帯で
高精度に波長が安定した標準レーザ光源が必要とされて
いる。この標準レーザ光源を実現するために波長変換を
用いたシステムが用いられている。
信分野ではファイバーロスの少ない波長１．５μｍ帯で
高精度に波長が安定した標準レーザ光源が必要とされて
いる。この標準レーザ光源を実現するために波長変換を
用いたシステムが用いられている。
【０００３】１．５μｍ帯用波長変換方法としては図９
に示すような光波長変換素子が用いられてきた。以下
従来の波長変換素子について述べる。ＬｉＮｂＯ3から
なる基板１に作製された光導波路２の入射部１０に基本
波Ｐ１を入射する。高調波を効率よく発生させるには基
本波と高調波の速度を等しくする必要がある。一般的に
誘電体では光の波長が短くなるに従って屈折率が大きく
なり結果として基本波と高調波の速度のズレが生じる。
このため従来では光導波路２の厚さを制御して、光導波
路２から基板１内に高調波Ｐ２を斜めに放射させ実効的
に速度を合わせていた。
に示すような光波長変換素子が用いられてきた。以下
従来の波長変換素子について述べる。ＬｉＮｂＯ3から
なる基板１に作製された光導波路２の入射部１０に基本
波Ｐ１を入射する。高調波を効率よく発生させるには基
本波と高調波の速度を等しくする必要がある。一般的に
誘電体では光の波長が短くなるに従って屈折率が大きく
なり結果として基本波と高調波の速度のズレが生じる。
このため従来では光導波路２の厚さを制御して、光導波
路２から基板１内に高調波Ｐ２を斜めに放射させ実効的
に速度を合わせていた。
【０００４】図１０は従来の波長変換素子で光導波路を
伝搬する基本波を同一の光導波路を伝搬する高調波に変
換するものである。１はＬｉＮｂＯ3基板、２はチタン
を拡散することにより形成した光導波路である。入射部
１０より入射した基本波Ｐ１（波長１．０５μｍ）は光
導波路２の非線形光学効果で光導波路２を伝搬する高調
波Ｐ２に変換され出射部１１より出射する。
伝搬する基本波を同一の光導波路を伝搬する高調波に変
換するものである。１はＬｉＮｂＯ3基板、２はチタン
を拡散することにより形成した光導波路である。入射部
１０より入射した基本波Ｐ１（波長１．０５μｍ）は光
導波路２の非線形光学効果で光導波路２を伝搬する高調
波Ｐ２に変換され出射部１１より出射する。
【０００５】この波長変換素子は基本波Ｐ１と高調波Ｐ
２の偏光方向を互いに垂直にすることにより基板の複屈
折利用して速度の整合をとっている。本素子においては
高調波Ｐ２が光導波路を伝搬するために高効率な変換が
可能でる。また出射部１１から点光源として外部へ出射
するため凸レンズにより簡単に平行光に変換できる。
２の偏光方向を互いに垂直にすることにより基板の複屈
折利用して速度の整合をとっている。本素子においては
高調波Ｐ２が光導波路を伝搬するために高効率な変換が
可能でる。また出射部１１から点光源として外部へ出射
するため凸レンズにより簡単に平行光に変換できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら標準レー
ザ光源にＳＨＧを適用する場合十分な特性を得るために
はＰ２の出力として１μＷ以上が必要であるが図９ で
示す従来の波長変換方法はこの波長領域では不十分であ
り、高出力化が課題であった。また高調波は実用上平行
光線に変換する必要がありるが、従来の波長変換素子に
よって変換された高調波は複雑な光学レンズが必要であ
り、単純なレンズによる平行光線化も課題であった。
ザ光源にＳＨＧを適用する場合十分な特性を得るために
はＰ２の出力として１μＷ以上が必要であるが図９ で
示す従来の波長変換方法はこの波長領域では不十分であ
り、高出力化が課題であった。また高調波は実用上平行
光線に変換する必要がありるが、従来の波長変換素子に
よって変換された高調波は複雑な光学レンズが必要であ
り、単純なレンズによる平行光線化も課題であった。
【０００７】図１０で示す波長変換素子を用いた波長変
換素子では上記課題は存在しないが、波長分散のため波
長１．５μｍから１．６μｍの基本波の波長変換はでき
なかった。
換素子では上記課題は存在しないが、波長分散のため波
長１．５μｍから１．６μｍの基本波の波長変換はでき
なかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】波長１．５μｍ以上１．
６μｍ以下の基本波を高調波に変換する波長変換素子を
ＬｉＮｂＯ3結晶のＺ面表面に形成された非線形光学効
果を有するプロトン交換光導波路で作製する。この時プ
ロトン交換光導波路の厚さ及び幅が基本波の伝搬定数と
高調波の伝搬定数が等しくなるように選択する。
６μｍ以下の基本波を高調波に変換する波長変換素子を
ＬｉＮｂＯ3結晶のＺ面表面に形成された非線形光学効
果を有するプロトン交換光導波路で作製する。この時プ
ロトン交換光導波路の厚さ及び幅が基本波の伝搬定数と
高調波の伝搬定数が等しくなるように選択する。
【０００９】
【作用】基本波の伝搬定数と高調波の伝搬定数が等しい
ため光導波路内で基本波から高調波への変換が効率良く
行われる。また高調波は光導波路内部を伝搬するため平
行光線に変換しやすい形で取り出すことができる。
ため光導波路内で基本波から高調波への変換が効率良く
行われる。また高調波は光導波路内部を伝搬するため平
行光線に変換しやすい形で取り出すことができる。
【００１０】
【実施例】図１は第一の発明の実施例１の波長変換装置
の斜視図である。以下この図面をもとに本発明の波長変
換装置について説明する。
の斜視図である。以下この図面をもとに本発明の波長変
換装置について説明する。
【００１１】１はＬｉＮｂＯ3からなる基板でＺ軸に垂
直な平面（Ｚ面）を表面として持つものである。２は基
板１にピロリン酸によるプロトン交換層からなる光導波
路である。プロトン交換層の非線形光学効果は基板に比
べ小さいが内部を伝搬する光は同時に基板にも存在する
ため結果として光導波路は非線形光学効果を持つことと
なる。なお光導波路２の端部には入射部１０、出射部１
１が設けられている。
直な平面（Ｚ面）を表面として持つものである。２は基
板１にピロリン酸によるプロトン交換層からなる光導波
路である。プロトン交換層の非線形光学効果は基板に比
べ小さいが内部を伝搬する光は同時に基板にも存在する
ため結果として光導波路は非線形光学効果を持つことと
なる。なお光導波路２の端部には入射部１０、出射部１
１が設けられている。
【００１２】以下第一の実施例の波長変換方法について
説明する。基本波Ｐ１（波長１．５６μｍ）は入射部１
０から光導波路２を伝搬する。光導波路２を伝搬する基
本波Ｐ１は光導波路２の非線形光学効果により波長の半
分の高調波Ｐ２（波長０．７８μｍ）に変換される。従
来の波長変換装置では光導波路２における基本波Ｐ１の
実効屈折率と高調波Ｐ２の実効屈折率が異なるため高調
波Ｐ２は光導波路２から基板１に斜めに放射していた。
ところが、本発明では基本波Ｐ１と高調波Ｐ２の実効屈
折率を等しくなるように光導波路の幅および厚さを決定
している。
説明する。基本波Ｐ１（波長１．５６μｍ）は入射部１
０から光導波路２を伝搬する。光導波路２を伝搬する基
本波Ｐ１は光導波路２の非線形光学効果により波長の半
分の高調波Ｐ２（波長０．７８μｍ）に変換される。従
来の波長変換装置では光導波路２における基本波Ｐ１の
実効屈折率と高調波Ｐ２の実効屈折率が異なるため高調
波Ｐ２は光導波路２から基板１に斜めに放射していた。
ところが、本発明では基本波Ｐ１と高調波Ｐ２の実効屈
折率を等しくなるように光導波路の幅および厚さを決定
している。
【００１３】図２はＬｉＮｂＯ3およびプロトン交換層
の波長分散を表している。ｎs wは基板の基本波の屈折率
をｎf wはプロトン交換層の基本波の屈折率を表してい
る。ｎ s 2wは基板の高調波の屈折率をｎf 2wはプロトン交
換層の高調波の屈折率を表している。一般に光導波路２
を伝搬する光の実効屈折率は光導波路の厚さに対応して
基板１の屈折率と光導波路２の屈折率の間で変化する。
したがって図より目的とする波長１．５μｍから１．６
μｍの範囲では基本波と高調波の屈折率が等しくなりう
ることがわかる。このため光導波路２の厚さを最適化す
ることによりこれを実現する。
の波長分散を表している。ｎs wは基板の基本波の屈折率
をｎf wはプロトン交換層の基本波の屈折率を表してい
る。ｎ s 2wは基板の高調波の屈折率をｎf 2wはプロトン交
換層の高調波の屈折率を表している。一般に光導波路２
を伝搬する光の実効屈折率は光導波路の厚さに対応して
基板１の屈折率と光導波路２の屈折率の間で変化する。
したがって図より目的とする波長１．５μｍから１．６
μｍの範囲では基本波と高調波の屈折率が等しくなりう
ることがわかる。このため光導波路２の厚さを最適化す
ることによりこれを実現する。
【００１４】図３は基本波Ｐ１の波長が１．５６μｍの
光導波路の厚さと実効屈折率の関係を表す図である。ｎ
１が基本波Ｐ１に対する０次モードの実効屈折率を、ｎ
２が高調波Ｐ２の二次モードの実効屈折率である。図３
より厚さ１．３μｍで基本波Ｐ１と高調波Ｐ２の実効屈
折率が等しくなる。
光導波路の厚さと実効屈折率の関係を表す図である。ｎ
１が基本波Ｐ１に対する０次モードの実効屈折率を、ｎ
２が高調波Ｐ２の二次モードの実効屈折率である。図３
より厚さ１．３μｍで基本波Ｐ１と高調波Ｐ２の実効屈
折率が等しくなる。
【００１５】このようにして基本波Ｐ１と高調波Ｐ２の
実効屈折率が等しくした場合、高調波Ｐ２は導波路２内
に留まりＰ１と同速度で伝搬し効率の良い波長変換が行
われる。光導波路２内に留まり伝搬する高調波Ｐ２は出
射部１１から波長変換素子外へ出射する。なおここでＰ
２の０次および１次モードを使用しなかったのは、これ
らの実効屈折率が基本波Ｐ１の０次モードに等しくなる
点が存在しなかったためである。
実効屈折率が等しくした場合、高調波Ｐ２は導波路２内
に留まりＰ１と同速度で伝搬し効率の良い波長変換が行
われる。光導波路２内に留まり伝搬する高調波Ｐ２は出
射部１１から波長変換素子外へ出射する。なおここでＰ
２の０次および１次モードを使用しなかったのは、これ
らの実効屈折率が基本波Ｐ１の０次モードに等しくなる
点が存在しなかったためである。
【００１６】光導波路２の出射部１１から出射した高調
波Ｐ２は出射部１１を中心として発散する光となる。こ
のような一点から発散する光は単純な凸レンズで簡単に
平行光にできる。
波Ｐ２は出射部１１を中心として発散する光となる。こ
のような一点から発散する光は単純な凸レンズで簡単に
平行光にできる。
【００１７】次にこの光波長変換素子の製造方法につい
て図４を使って説明する。まずＬｉＮｂＯ3基板１に光
導波路２を作製するためのマスク２０を作製する（図４
（ａ））。マスク２０はＴａの薄膜（３００Ａ）からな
り光導波路を形成する部分にはストライプ窓（幅１μ
ｍ）が形成されている。作製にはスパッタによるＴａ膜
作製とフォトプロセス、ドライエッチングプロセスを用
いる。
て図４を使って説明する。まずＬｉＮｂＯ3基板１に光
導波路２を作製するためのマスク２０を作製する（図４
（ａ））。マスク２０はＴａの薄膜（３００Ａ）からな
り光導波路を形成する部分にはストライプ窓（幅１μ
ｍ）が形成されている。作製にはスパッタによるＴａ膜
作製とフォトプロセス、ドライエッチングプロセスを用
いる。
【００１８】このマスクを作製後これをピロ隣酸中で２
３０℃、５０分間熱処理する。このとき基板１のストラ
イプ窓部分がプロトン交換され、幅３μｍ厚さ１．３μ
ｍの光導波路２が形成される（図４（ｂ））。
３０℃、５０分間熱処理する。このとき基板１のストラ
イプ窓部分がプロトン交換され、幅３μｍ厚さ１．３μ
ｍの光導波路２が形成される（図４（ｂ））。
【００１９】最後にマスク２０を除去（図４（ｃ））し
た後基板を端面研磨し入射部１０および出射部１１を形
成する（図４（ｄ））。
た後基板を端面研磨し入射部１０および出射部１１を形
成する（図４（ｄ））。
【００２０】このようにして図１に示される光波長変換
素子が製造できる。この素子の長さは６ｍｍである。図
１で基本波Ｐ１として半導体レーザ光（波長１．５６μ
ｍ）を入射部３より導波させたところ、波長０．７８μ
ｍの高調波Ｐ２が出射部１１より取り出された。基本波
１０ｍＷの入力で２．４μＷの高調波を得た。高調波の
近視野像は図５に示すような２次モードのであり点光源
であることを示している。この高調波は凸レンズにより
簡単に平行光に変換することができた。
素子が製造できる。この素子の長さは６ｍｍである。図
１で基本波Ｐ１として半導体レーザ光（波長１．５６μ
ｍ）を入射部３より導波させたところ、波長０．７８μ
ｍの高調波Ｐ２が出射部１１より取り出された。基本波
１０ｍＷの入力で２．４μＷの高調波を得た。高調波の
近視野像は図５に示すような２次モードのであり点光源
であることを示している。この高調波は凸レンズにより
簡単に平行光に変換することができた。
【００２１】基本波の波長が１．５μｍから１．６μｍ
の範囲の任意の波長変換素子を実現するためには光導波
路の厚さを最適化する必要がある。 図６は基本波Ｐ１
の波長に対する最適光導波路厚さを示すものである。波
長１．５μｍから波長１．６μｍの範囲を変換するため
には光導波路の深さが１．２μｍから１．４μｍの範囲
でなけれはならない。
の範囲の任意の波長変換素子を実現するためには光導波
路の厚さを最適化する必要がある。 図６は基本波Ｐ１
の波長に対する最適光導波路厚さを示すものである。波
長１．５μｍから波長１．６μｍの範囲を変換するため
には光導波路の深さが１．２μｍから１．４μｍの範囲
でなけれはならない。
【００２２】高調波Ｐ２の出力は光導波路の幅に依存し
所望の出力を得るためには光導波路の幅が重要となる。
図７は光導波路幅と高調波Ｐ２の関係を示すもので、光
導波路の厚さは図６の最適値の１．３μｍ、基本波Ｐ１
の波長が１．５６μｍの場合のものである。基本波Ｐ１
が１０ｍＷのとき１μＷ以上の高調波Ｐ２を得るために
は光導波路幅が２μｍ以上７μｍ以下の範囲である必要
がある。
所望の出力を得るためには光導波路の幅が重要となる。
図７は光導波路幅と高調波Ｐ２の関係を示すもので、光
導波路の厚さは図６の最適値の１．３μｍ、基本波Ｐ１
の波長が１．５６μｍの場合のものである。基本波Ｐ１
が１０ｍＷのとき１μＷ以上の高調波Ｐ２を得るために
は光導波路幅が２μｍ以上７μｍ以下の範囲である必要
がある。
【００２３】次に、本波長変換方法の第２の実施例につ
いて図８を用いて説明する。２１は温度調整用ク−ラ−
内蔵の半導体レ−ザ、２２、２３、２４はレンズ、２５
は第一実施例で用いたＳＨＧ素子、２６はルビジウム原
子もしくはセシウム原子蒸気を封入したセル、２７はＳ
ｉからなる光検出器、２８はＬＤ制御回路、２９は同期
検波器、３０は参照信号発振器である。半導体レ−ザ２
１の発振波長は摂氏２５度において１．５６μｍであ
る。半導体レ−ザ２１の注入電流は微小変調をＬＤ制御
回路１３によって印加され、半導体レ−ザ２１の発振波
長を僅かに変化させる。その際、半導体レ−ザ２１は
０．１度の温度精度で制御されている。
いて図８を用いて説明する。２１は温度調整用ク−ラ−
内蔵の半導体レ−ザ、２２、２３、２４はレンズ、２５
は第一実施例で用いたＳＨＧ素子、２６はルビジウム原
子もしくはセシウム原子蒸気を封入したセル、２７はＳ
ｉからなる光検出器、２８はＬＤ制御回路、２９は同期
検波器、３０は参照信号発振器である。半導体レ−ザ２
１の発振波長は摂氏２５度において１．５６μｍであ
る。半導体レ−ザ２１の注入電流は微小変調をＬＤ制御
回路１３によって印加され、半導体レ−ザ２１の発振波
長を僅かに変化させる。その際、半導体レ−ザ２１は
０．１度の温度精度で制御されている。
【００２４】この半導体レーザ１からの基本光Ｐ１をレ
ンズ２２、２３によりＳＨＧ素子２５に入射させる。こ
のとき基本光Ｐ１はＳＨＧ素子２５により波長変換され
波長７８０ｎｍの高調波Ｐ２へと変換される。この変換
された高調波はレンズ２４により平行光線に変換され、
セル２６を透過し光検出器により検出される。
ンズ２２、２３によりＳＨＧ素子２５に入射させる。こ
のとき基本光Ｐ１はＳＨＧ素子２５により波長変換され
波長７８０ｎｍの高調波Ｐ２へと変換される。この変換
された高調波はレンズ２４により平行光線に変換され、
セル２６を透過し光検出器により検出される。
【００２５】セル２６を透過し光検出器２７で受光され
た信号を同期検波器２９で検出し微分処理する。その微
分成分がゼロとなるときが透過光強度が最小となる。そ
の前後で符号が変わるのでこれを制御信号として、吸収
線の中心に高調波Ｐ２の波長を安定化させることが可能
となる。高調波Ｐ２の波長はＳＨＧ素子２５により基本
波Ｐ１の波長を半分の波長に変換したものであるため、
高調波Ｐ２が安定化されることは基本波Ｐ１が安定化さ
れることと等価である。以上により本発明を用いること
により波長１.５６μｍの安定化した光源が実現でき
る。
た信号を同期検波器２９で検出し微分処理する。その微
分成分がゼロとなるときが透過光強度が最小となる。そ
の前後で符号が変わるのでこれを制御信号として、吸収
線の中心に高調波Ｐ２の波長を安定化させることが可能
となる。高調波Ｐ２の波長はＳＨＧ素子２５により基本
波Ｐ１の波長を半分の波長に変換したものであるため、
高調波Ｐ２が安定化されることは基本波Ｐ１が安定化さ
れることと等価である。以上により本発明を用いること
により波長１.５６μｍの安定化した光源が実現でき
る。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によると変換効率の
良い、かつ高調波の平行光線化の容易な波長変換方法を
実現でき、波長基準レーザ等の応用に有効である。
良い、かつ高調波の平行光線化の容易な波長変換方法を
実現でき、波長基準レーザ等の応用に有効である。
【図１】第１の実施例の波長変換素子の斜視図である。
【図２】ＬｉＮｂＯ3およびプロトン交換層の波長分散
を表す図である。
を表す図である。
【図３】光導波路の厚さと実効屈折率の関係を表す図で
ある。
ある。
【図４】波長変換素子の製造方法を表す図である
【図５】高調波の近視野像を表わす図である。
【図６】基本波Ｐ１の波長に対する最適光導波路厚さを
表す図である
表す図である
【図７】図７は光導波路幅と高調波Ｐ２の関係を表す図
である。
である。
【図８】本発明の第２の実施例を表わす波長安定化光源
の構成図である。
の構成図である。
【図９】従来の波長変換方法を表す図である。
【図１０】従来の導波路−導波路型波長変換素子の斜視
図である。
図である。
１ ＬｉＮｂＯ3基板 ２ 光導波路 １０ 入射部 １１ 出射部 ２０ マスク Ｐ１ 基本波 Ｐ２ 高調波 ２１ 温度調整用ク−ラ−内蔵の半導体レ−ザ ２２ レンズ ２３ レンズ ２４ レンズ ２５ ＳＨＧ素子 ２６ セル ２７ 光検出器 ２８ ＬＤ制御回路 ２９ 同期検波器 ３０ 参照信号発振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷内 哲夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 波長１．５μｍ以上１．６μｍ以下の基
本波を波長変換素子を用いて第二次高調波に変換する波
長変換方法で、前期波長変換素子がＺ軸に垂直な面を持
つＬｉＮｂＯ3結晶と、前記ＬｉＮｂＯ3結晶の前期Ｚ軸
に垂直な面に形成されたプロトン交換光導波路を有し、
前記プロトン交換光導波路の厚さ及び幅が前記基本波の
伝搬定数と前記第二次高調波の伝搬定数が等しくなるよ
うに選択されることを特徴とする波長変換方法。 - 【請求項２】 基本波が波長１．５μｍ以上１．６μｍ
以下であり、前記プロトン交換光導波路の厚さが１．２
μｍ以上１．４μｍ以下、幅が２μｍ以上７μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１記載の波長変換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3062799A JPH05297428A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 波長変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3062799A JPH05297428A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 波長変換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05297428A true JPH05297428A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=13210758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3062799A Pending JPH05297428A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 波長変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05297428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305185C (zh) * | 1995-06-02 | 2007-03-14 | 松下电器产业株式会社 | 激光光源 |
| US7769061B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-08-03 | Seiko Epson Corporation | Laser light source device, illumination apparatus, monitor, and projector |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3062799A patent/JPH05297428A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305185C (zh) * | 1995-06-02 | 2007-03-14 | 松下电器产业株式会社 | 激光光源 |
| US7769061B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-08-03 | Seiko Epson Corporation | Laser light source device, illumination apparatus, monitor, and projector |
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