JPH05299326A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPH05299326A JPH05299326A JP10267792A JP10267792A JPH05299326A JP H05299326 A JPH05299326 A JP H05299326A JP 10267792 A JP10267792 A JP 10267792A JP 10267792 A JP10267792 A JP 10267792A JP H05299326 A JPH05299326 A JP H05299326A
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- JP
- Japan
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- stress
- film
- ray
- heated
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- Withdrawn
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線マスクに関し、Ｘ線吸収体である金属薄
膜の材料を複数種類とする簡単な手段を採ることで、熱
処理を加えても応力の変化が殆どないようにしようとす
る。 【構成】 加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化す
る例えばＴａ膜２及び加熱された場合に応力が引っ張り
応力側に変化する例えばＷ膜３を積層してＸ線吸収体と
するか、或いは、ＴａとＷとの合金膜をＸ線吸収体とす
る。
膜の材料を複数種類とする簡単な手段を採ることで、熱
処理を加えても応力の変化が殆どないようにしようとす
る。 【構成】 加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化す
る例えばＴａ膜２及び加熱された場合に応力が引っ張り
応力側に変化する例えばＷ膜３を積層してＸ線吸収体と
するか、或いは、ＴａとＷとの合金膜をＸ線吸収体とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線吸収体をなす金属
薄膜に起因する応力が制御されたマスク基板を有するＸ
線マスクに関する。
薄膜に起因する応力が制御されたマスク基板を有するＸ
線マスクに関する。
【０００２】Ｘ線近接露光法については、半導体装置の
超微細化に対処する次世代のリソグラフィを担う技術と
して多くの開発及び研究がなされているところである
が、それに用いるＸ線マスクに於けるマスク基板は、厚
さが約２〔μｍ〕程度の薄膜であることから、そこに形
成されるＸ線吸収体である金属薄膜で生成される応力に
起因して歪みが発生し易い旨の問題があり、従って、そ
のような問題を解決しないと、Ｘ線近接露光法は実用に
ならない。
超微細化に対処する次世代のリソグラフィを担う技術と
して多くの開発及び研究がなされているところである
が、それに用いるＸ線マスクに於けるマスク基板は、厚
さが約２〔μｍ〕程度の薄膜であることから、そこに形
成されるＸ線吸収体である金属薄膜で生成される応力に
起因して歪みが発生し易い旨の問題があり、従って、そ
のような問題を解決しないと、Ｘ線近接露光法は実用に
ならない。
【０００３】
【従来の技術】一般に、Ｘ線吸収体となる金属薄膜を堆
積する手段としてスパッタリング法などが知られ、それ
を実施する工程に於いて、真空度などの条件を選択する
ことで金属薄膜の応力を制御する手段が数多く知られて
いる。
積する手段としてスパッタリング法などが知られ、それ
を実施する工程に於いて、真空度などの条件を選択する
ことで金属薄膜の応力を制御する手段が数多く知られて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記したように、金属
薄膜を堆積する際、折角、諸条件を適切に選択して応力
を緩和しても、金属は熱処理に依って応力が変化するの
で、スパッタリングした後、マスク基板を支持枠に接着
したり、或いは、金属薄膜をパターニングする為のレジ
ストをベーキングすると応力の変化が起きてしまう。
薄膜を堆積する際、折角、諸条件を適切に選択して応力
を緩和しても、金属は熱処理に依って応力が変化するの
で、スパッタリングした後、マスク基板を支持枠に接着
したり、或いは、金属薄膜をパターニングする為のレジ
ストをベーキングすると応力の変化が起きてしまう。
【０００５】本発明は、Ｘ線吸収体である金属薄膜の材
料を複数種類とする簡単な手段を採ることで、熱処理を
加えても応力の変化が殆どないようにしようとする。
料を複数種類とする簡単な手段を採ることで、熱処理を
加えても応力の変化が殆どないようにしようとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】熱処理に依って金属の応
力がどのように変化するかは金属の種類に依って異な
る。図１はタンタル（Ｔａ）を加熱した場合の応力対熱
処理時間の関係を表す線図であり、縦軸にはストレス
〔１×１０9 ダイン／ｃｍ2 〕を、また、横軸には熱処
理時間〔時間〕をそれぞれ採ってある。
力がどのように変化するかは金属の種類に依って異な
る。図１はタンタル（Ｔａ）を加熱した場合の応力対熱
処理時間の関係を表す線図であり、縦軸にはストレス
〔１×１０9 ダイン／ｃｍ2 〕を、また、横軸には熱処
理時間〔時間〕をそれぞれ採ってある。
【０００７】図から明らかなように、Ｔａは熱処理時間
が長くなるにつれてストレスは圧縮応力側に変化するこ
とが理解されよう。図示のデータを得た実験に依れば、 温度：２００〔℃〕 時間：３０〔分〕 圧縮応力側への応力シフト：１．６４×１０9 〔ダイン
／ｃｍ2 〕 温度：２００〔℃〕 時間：６０〔分〕 圧縮応力側への応力シフト：２．００×１０9 〔ダイン
／ｃｍ2 〕 である。
が長くなるにつれてストレスは圧縮応力側に変化するこ
とが理解されよう。図示のデータを得た実験に依れば、 温度：２００〔℃〕 時間：３０〔分〕 圧縮応力側への応力シフト：１．６４×１０9 〔ダイン
／ｃｍ2 〕 温度：２００〔℃〕 時間：６０〔分〕 圧縮応力側への応力シフト：２．００×１０9 〔ダイン
／ｃｍ2 〕 である。
【０００８】然しながら、タングステン（Ｗ）の場合
は、アニール時間が長くなるにつれてストレスは引っ張
り応力側に変化することが知られている。即ち、 温度：２００〔℃〕 時間：３０〔分〕 引っ張り応力側への応力シフト：０．６５×１０9 〔ダ
イン／ｃｍ2 〕 であり（要すれば、「電子情報通信学会論文誌 Ｃ−２
ｖｏｌ．Ｊ７２−Ｃ−２ Ｎｏ．１１ ｐ．ｐ．９８
１−９８７ １９８９年 １１月」、を参照のこと）、
また、
は、アニール時間が長くなるにつれてストレスは引っ張
り応力側に変化することが知られている。即ち、 温度：２００〔℃〕 時間：３０〔分〕 引っ張り応力側への応力シフト：０．６５×１０9 〔ダ
イン／ｃｍ2 〕 であり（要すれば、「電子情報通信学会論文誌 Ｃ−２
ｖｏｌ．Ｊ７２−Ｃ−２ Ｎｏ．１１ ｐ．ｐ．９８
１−９８７ １９８９年 １１月」、を参照のこと）、
また、
【０００９】 温度：２００〔℃〕 時間：６０〔分〕 引っ張り応力側への応力シフト：０．８０×１０9 〔ダ
イン／ｃｍ2 〕 である（要すれば、「“Ａｎ ｕｌｔｒａ−ｌｏｗ ｓ
ｔｒｅｓｓ ｔｕｎｇｓｔｅｎ ａｂｓｏｒｂｅｒ ｆ
ｏｒ Ｘ−ｒａｙ ｍａｓｋｓ” Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ９（１），Ｊａｎ／Ｆｅｂ １
９９１」、を参照のこと）。
イン／ｃｍ2 〕 である（要すれば、「“Ａｎ ｕｌｔｒａ−ｌｏｗ ｓ
ｔｒｅｓｓ ｔｕｎｇｓｔｅｎ ａｂｓｏｒｂｅｒ ｆ
ｏｒ Ｘ−ｒａｙ ｍａｓｋｓ” Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ９（１），Ｊａｎ／Ｆｅｂ １
９９１」、を参照のこと）。
【００１０】従って、このように受熱に依る応力の変化
が相反する複数の金属を適当な比率で合金化するか、或
いは、積層することで、熱処理しても応力が殆ど変化し
ない吸収体を得ることができる。
が相反する複数の金属を適当な比率で合金化するか、或
いは、積層することで、熱処理しても応力が殆ど変化し
ない吸収体を得ることができる。
【００１１】このようなことから、本発明に依るＸ線マ
スクは、 （１）加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化する金
属膜（例えばＴａ膜２）及び加熱された場合に応力が引
っ張り応力側に変化する金属膜（例えばＷ膜３）を積層
してなるＸ線吸収体を備えてなることを特徴とするか、
或いは、
スクは、 （１）加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化する金
属膜（例えばＴａ膜２）及び加熱された場合に応力が引
っ張り応力側に変化する金属膜（例えばＷ膜３）を積層
してなるＸ線吸収体を備えてなることを特徴とするか、
或いは、
【００１２】（２）加熱された場合に応力が圧縮応力側
に変化する金属（例えばＴａ）及び加熱された場合に応
力が引っ張り応力側に変化する金属（例えばＷ）の合金
膜からなるＸ線吸収体（例えばＸ線吸収体１２：図３参
照）を備えてなることを特徴とするか、或いは、
に変化する金属（例えばＴａ）及び加熱された場合に応
力が引っ張り応力側に変化する金属（例えばＷ）の合金
膜からなるＸ線吸収体（例えばＸ線吸収体１２：図３参
照）を備えてなることを特徴とするか、或いは、
【００１３】（３）前記（１）或いは（２）に於いて、
加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化する金属がＴ
ａであり、且つ、加熱された場合に応力が引っ張り応力
側に変化する金属がＷであることを特徴とする。
加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化する金属がＴ
ａであり、且つ、加熱された場合に応力が引っ張り応力
側に変化する金属がＷであることを特徴とする。
【００１４】
【作用】前記手段を採ることに依り、Ｘ線マスクを加熱
しても、Ｔａの応力は圧縮応力側に変化し、また、Ｗの
応力は引っ張り応力側に変化し、従って、全体として応
力の変化は極めて小さい状態に保つことができ、パター
ンは高精度に維持されるので、Ｘ線近接露光法の利点を
充分に発揮することができる。
しても、Ｔａの応力は圧縮応力側に変化し、また、Ｗの
応力は引っ張り応力側に変化し、従って、全体として応
力の変化は極めて小さい状態に保つことができ、パター
ンは高精度に維持されるので、Ｘ線近接露光法の利点を
充分に発揮することができる。
【００１５】
【実施例】図２は本発明の実施例を解説するためのＸ線
マスクを表す要部切断側面図である。図に於いて、１は
ＳｉＣからなるマスク支持体、２はＷ膜、３はＴａ膜、
ＳWはＷ膜２の厚さ、ＳTaはＴａ膜３の厚さをそれぞれ
示している。尚、Ｔａ膜３及びＷ膜２の積層膜がＸ線吸
収体をなしている。
マスクを表す要部切断側面図である。図に於いて、１は
ＳｉＣからなるマスク支持体、２はＷ膜、３はＴａ膜、
ＳWはＷ膜２の厚さ、ＳTaはＴａ膜３の厚さをそれぞれ
示している。尚、Ｔａ膜３及びＷ膜２の積層膜がＸ線吸
収体をなしている。
【００１６】図示の各部分に於ける主要なデータを例示
すると次の通りである。 マスク支持体１の厚さ：２〔μｍ〕 Ｗ膜２の厚さ：０．５〔μｍ〕 Ｔａ膜３の厚さ：０．２〔μｍ〕
すると次の通りである。 マスク支持体１の厚さ：２〔μｍ〕 Ｗ膜２の厚さ：０．５〔μｍ〕 Ｔａ膜３の厚さ：０．２〔μｍ〕
【００１７】前記のＷ膜２の厚さＳW 及びＴａ膜３の厚
さＳTaの各値は、当初、前記「課題を解決するための手
段」の項で説明したデータを用いて比例配分に依って求
め、その値をもとにして実際にＸ線マスクを作成したと
ころ、加熱工程に於いても、それらＴａ膜３及びＷ膜２
からなるＸ線吸収体に応力シフトは殆どなく、精度が改
善されたことを確認できた。
さＳTaの各値は、当初、前記「課題を解決するための手
段」の項で説明したデータを用いて比例配分に依って求
め、その値をもとにして実際にＸ線マスクを作成したと
ころ、加熱工程に於いても、それらＴａ膜３及びＷ膜２
からなるＸ線吸収体に応力シフトは殆どなく、精度が改
善されたことを確認できた。
【００１８】図３は本発明に於ける他の実施例を解説す
るためのＸ線マスクを表す要部切断側面図である。図に
於いて、１１はＳｉＣからなるマスク支持体、１２はＴ
ａ及びＷの合金膜からなるＸ線吸収体をそれぞれ示して
いる。本実施例も、加熱工程に於ける応力シフトについ
ては、図２について説明した実施例と同効である。
るためのＸ線マスクを表す要部切断側面図である。図に
於いて、１１はＳｉＣからなるマスク支持体、１２はＴ
ａ及びＷの合金膜からなるＸ線吸収体をそれぞれ示して
いる。本実施例も、加熱工程に於ける応力シフトについ
ては、図２について説明した実施例と同効である。
【００１９】
【発明の効果】本発明に依るＸ線マスクに於いては、加
熱された場合に応力が圧縮応力側に変化する金属及び加
熱された場合に応力が引っ張り応力側に変化する金属を
膜として積層してＸ線吸収体とするか、或いは、それら
の金属を合金にして膜にしたものでＸ線吸収体を構成し
てある。
熱された場合に応力が圧縮応力側に変化する金属及び加
熱された場合に応力が引っ張り応力側に変化する金属を
膜として積層してＸ線吸収体とするか、或いは、それら
の金属を合金にして膜にしたものでＸ線吸収体を構成し
てある。
【００２０】前記構成を採ることに依り、Ｘ線マスクを
加熱しても、Ｔａの応力は圧縮応力側に変化し、また、
Ｗの応力は引っ張り応力側に変化し、従って、全体とし
て応力の変化は無いか、或いは、変化が起こったとして
も極めて小さい状態に保つことができ、従って、パター
ンは高精度に維持されるので、Ｘ線近接露光法の利点を
充分に発揮することができる。
加熱しても、Ｔａの応力は圧縮応力側に変化し、また、
Ｗの応力は引っ張り応力側に変化し、従って、全体とし
て応力の変化は無いか、或いは、変化が起こったとして
も極めて小さい状態に保つことができ、従って、パター
ンは高精度に維持されるので、Ｘ線近接露光法の利点を
充分に発揮することができる。
【図１】タンタルを加熱した場合の応力対熱処理時間の
関係を表す線図である。
関係を表す線図である。
【図２】本発明の実施例を解説するためのＸ線マスクを
表す要部切断側面図である。
表す要部切断側面図である。
【図３】本発明に於ける他の実施例を解説するためのＸ
線マスクを表す要部切断側面図である。
線マスクを表す要部切断側面図である。
１ ＳｉＣからなるマスク支持体 ２ Ｗ膜 ３ Ｔａ膜 ＳW Ｗ膜２の厚さ ＳTa Ｔａ膜３の厚さ １１ ＳｉＣからなるマスク支持体 １２ Ｔａ及びＷの合金膜からなるＸ線吸収体
Claims (3)
- 【請求項１】加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化
する金属膜及び加熱された場合に応力が引っ張り応力側
に変化する金属膜を積層してなるＸ線吸収体を備えてな
ることを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項２】加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化
する金属及び加熱された場合に応力が引っ張り応力側に
変化する金属の合金膜からなるＸ線吸収体を備えてなる
ことを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項３】加熱された場合に応力が圧縮応力側に変化
する金属がＴａであり、且つ、加熱された場合に応力が
引っ張り応力側に変化する金属がＷであることを特徴と
する請求項１或いは請求項２記載のＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10267792A JPH05299326A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10267792A JPH05299326A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299326A true JPH05299326A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14333869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10267792A Withdrawn JPH05299326A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299326A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306807A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Canon Inc | Ｘ線露光用マスク構造体の製造方法 |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
| WO2004044967A1 (ja) * | 2002-11-05 | 2004-05-27 | Hoya Corporation | 転写用マスク基板の製造方法、転写用マスク基板、及び転写用マスク |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10267792A patent/JPH05299326A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306807A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Canon Inc | Ｘ線露光用マスク構造体の製造方法 |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
| WO2004044967A1 (ja) * | 2002-11-05 | 2004-05-27 | Hoya Corporation | 転写用マスク基板の製造方法、転写用マスク基板、及び転写用マスク |
| US7465523B2 (en) | 2002-11-05 | 2008-12-16 | Hoya Corporation | Method for manufacturing transfer mask substrate, transfer mask substrate, and transfer mask |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |