JPH05299327A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPH05299327A JPH05299327A JP4100871A JP10087192A JPH05299327A JP H05299327 A JPH05299327 A JP H05299327A JP 4100871 A JP4100871 A JP 4100871A JP 10087192 A JP10087192 A JP 10087192A JP H05299327 A JPH05299327 A JP H05299327A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子線描画装置におけるビ−ムドリフトによ
りフィ−ルド間に跨る幅の小さいクロスパタ−ンに生じ
る段差を減少してフィ−ルド接続精度を向上する。 【構成】 クロスパタ−ンを検索し、その幅が予め定め
た基準幅より小さい場合にフィ−ルドの描画順序を再設
定してクロスパタ−ンが跨るフィ−ルドを優先的に描画
する。このため、フィ−ルド内サブフィ−ルド番地表に
上記優先するフィ−ルドを表す前段部デ−タと後段部デ
−タを付加し、クロスパタ−ン幅の細さを優先順位とし
て描画する。
りフィ−ルド間に跨る幅の小さいクロスパタ−ンに生じ
る段差を減少してフィ−ルド接続精度を向上する。 【構成】 クロスパタ−ンを検索し、その幅が予め定め
た基準幅より小さい場合にフィ−ルドの描画順序を再設
定してクロスパタ−ンが跨るフィ−ルドを優先的に描画
する。このため、フィ−ルド内サブフィ−ルド番地表に
上記優先するフィ−ルドを表す前段部デ−タと後段部デ
−タを付加し、クロスパタ−ン幅の細さを優先順位とし
て描画する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子線描画装置に係り、
とくにＩＣ，ＬＳＩ等の精緻なパタ−ン図形の描画精度
を向上した電子線描画装置に関する。
とくにＩＣ，ＬＳＩ等の精緻なパタ−ン図形の描画精度
を向上した電子線描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子線描画装置においては、半導
体ウエハ面を図２に示すように区分して各区分内を順次
描画していくようにしていた。すなわち、ウエハ面をま
ず同図（ａ）のように電子線描画装置の電磁偏向器で偏
向可能な範囲であるフィ−ルド〔１、１〕〜〔３、３〕
等に区分し、さらに、各フィ−ルド内を電子光学系の静
電偏向器の最大偏向範囲に対応する複数のサブフィ−ル
ド（１，１）〜（５，５）等に区分し、一つのフィ−ル
ド内のサブフィ−ルドを順次描画してから次ぎのフィ−
ルドの描画に移るようにしていた。各サブフィ−ルド内
は静電偏向器により描画され、サブフィ−ルド間の移動
には電磁偏向器が用いられ、フィ−ルド間の移動にはス
テ−ジが用いられる。
体ウエハ面を図２に示すように区分して各区分内を順次
描画していくようにしていた。すなわち、ウエハ面をま
ず同図（ａ）のように電子線描画装置の電磁偏向器で偏
向可能な範囲であるフィ−ルド〔１、１〕〜〔３、３〕
等に区分し、さらに、各フィ−ルド内を電子光学系の静
電偏向器の最大偏向範囲に対応する複数のサブフィ−ル
ド（１，１）〜（５，５）等に区分し、一つのフィ−ル
ド内のサブフィ−ルドを順次描画してから次ぎのフィ−
ルドの描画に移るようにしていた。各サブフィ−ルド内
は静電偏向器により描画され、サブフィ−ルド間の移動
には電磁偏向器が用いられ、フィ−ルド間の移動にはス
テ−ジが用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
描画順序では一つのフィ−ルドから隣接するフィ−ルド
に移るまでに時間がかかるので、その間にビ−ムドリフ
トが発生し、フィ−ルド間に跨るパタ−ンに段差が発生
するという問題があった。
描画順序では一つのフィ−ルドから隣接するフィ−ルド
に移るまでに時間がかかるので、その間にビ−ムドリフ
トが発生し、フィ−ルド間に跨るパタ−ンに段差が発生
するという問題があった。
【０００４】上記ビ−ムドリフトは例えば図３のように
時間変化し、描画開始時点６から時間８が経過するとビ
−ムドリフトは９の大きさに達する。そこで、従来の電
子線描画装置ではビ−ムドリフト量を予測して定期的あ
るいはフィ−ルド移行時に補正するようにしていたが、
必ずしも十分に補償できないという問題があった。とく
にフィ−ルド間に跨る幅の小さいパタ−ンではわずかな
ドリフト補償誤差によりパタ−ンの段差が顕在化し、最
悪の場合にはパタ−ンが切れることがあった。
時間変化し、描画開始時点６から時間８が経過するとビ
−ムドリフトは９の大きさに達する。そこで、従来の電
子線描画装置ではビ−ムドリフト量を予測して定期的あ
るいはフィ−ルド移行時に補正するようにしていたが、
必ずしも十分に補償できないという問題があった。とく
にフィ−ルド間に跨る幅の小さいパタ−ンではわずかな
ドリフト補償誤差によりパタ−ンの段差が顕在化し、最
悪の場合にはパタ−ンが切れることがあった。
【０００５】図４は上記ドリフトの影響を示すパタ−ン
図である。図４では、フィ−ルド〔２，１〕内のサブフ
ィ−ルド（５，５）とフィ−ルド〔３，１〕内のサブフ
ィ−ルド（１，５）間には太いパタ−ン１４と細いパタ
−ン１５が存在するが、上記ドリフト補償誤差によりパ
タ−ンの段差ｅが発生している。太いパタ−ン１４では
パタ−ン幅に対する段差ｅの比率が小さいので問題は少
ないが、細いパタ−ン１５の場合には段差ｅの比率が大
きく、このためこの段差部でパタ−ンがやせ、場合によ
っては断線が生じることになる。本発明の目的は、上記
フィ−ルド間に跨る幅の小さいパタ−ンに生じる段差を
減少して、ビ−ムドリフトの影響を受けることのない電
子線描画装置を提供することにある。
図である。図４では、フィ−ルド〔２，１〕内のサブフ
ィ−ルド（５，５）とフィ−ルド〔３，１〕内のサブフ
ィ−ルド（１，５）間には太いパタ−ン１４と細いパタ
−ン１５が存在するが、上記ドリフト補償誤差によりパ
タ−ンの段差ｅが発生している。太いパタ−ン１４では
パタ−ン幅に対する段差ｅの比率が小さいので問題は少
ないが、細いパタ−ン１５の場合には段差ｅの比率が大
きく、このためこの段差部でパタ−ンがやせ、場合によ
っては断線が生じることになる。本発明の目的は、上記
フィ−ルド間に跨る幅の小さいパタ−ンに生じる段差を
減少して、ビ−ムドリフトの影響を受けることのない電
子線描画装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、フィ−ルド間に跨って存在するクロスパタ−ンを検
索してフィ−ルドの描画順序を再設定するようにする。
さらに、上記クロスパタ−ンの幅を予め定めた基準幅と
比較してその大小関係に基づき、少なくともクロスパタ
−ン幅が上記基準幅より小さい場合に上記フィ−ルドの
描画順序を再設定するようにする。
に、フィ−ルド間に跨って存在するクロスパタ−ンを検
索してフィ−ルドの描画順序を再設定するようにする。
さらに、上記クロスパタ−ンの幅を予め定めた基準幅と
比較してその大小関係に基づき、少なくともクロスパタ
−ン幅が上記基準幅より小さい場合に上記フィ−ルドの
描画順序を再設定するようにする。
【０００７】さらに具体的には、上記クロスパタ−ンが
当該フィ−ルドの前に描画されるフィ−ルドに跨る場合
にはフィ−ルド内サブフィ−ルドの描画順序を規定する
サブフィ−ルド番地表に前段部デ−タを付加し、上記ク
ロスパタ−ンが当該フィ−ルドの後に描画されるフィ−
ルドに跨る場合には上記サブフィ−ルド番地表に後段部
デ−タを付加した新サブフィ−ルド番地表を作成し、こ
れに基づいて上記フィ−ルドの描画順序を再設定するよ
うにする。さらに、上記前段部デ−タと後段部デ−タ
に、上記クロスパタ−ンが跨るフィ−ルドの境界部のサ
ブフィ−ルド番号列を用いるようにする。また、上記ク
ロスパタ−ンの幅の細いものを優先して描画するように
する。
当該フィ−ルドの前に描画されるフィ−ルドに跨る場合
にはフィ−ルド内サブフィ−ルドの描画順序を規定する
サブフィ−ルド番地表に前段部デ−タを付加し、上記ク
ロスパタ−ンが当該フィ−ルドの後に描画されるフィ−
ルドに跨る場合には上記サブフィ−ルド番地表に後段部
デ−タを付加した新サブフィ−ルド番地表を作成し、こ
れに基づいて上記フィ−ルドの描画順序を再設定するよ
うにする。さらに、上記前段部デ−タと後段部デ−タ
に、上記クロスパタ−ンが跨るフィ−ルドの境界部のサ
ブフィ−ルド番号列を用いるようにする。また、上記ク
ロスパタ−ンの幅の細いものを優先して描画するように
する。
【０００８】
【作用】上記フィ−ルドの描画順序の再設定により、ク
ロスパタ−ンが跨るフィ−ルド間の描画順序が繰り上げ
られる。とくに、クロスパタ−ンの幅が基準幅より小さ
い場合に上記描画順序の繰り上げが優先的に行なわれ
る。また、上記繰り上げるべきフィ−ルドは上記新サブ
フィ−ルド番地表内の前段部デ−タと後段部デ−タによ
り指定される。
ロスパタ−ンが跨るフィ−ルド間の描画順序が繰り上げ
られる。とくに、クロスパタ−ンの幅が基準幅より小さ
い場合に上記描画順序の繰り上げが優先的に行なわれ
る。また、上記繰り上げるべきフィ−ルドは上記新サブ
フィ−ルド番地表内の前段部デ−タと後段部デ−タによ
り指定される。
【０００９】
【実施例】図２（ａ）において各フィ−ルドの描画順序
が例えば、 〔１，１〕→〔１，２〕→〔１，３〕→ 〔２，３〕→〔２，２〕→〔２，１〕→ 〔３，１〕→〔３，２〕→〔３，３〕 （１） のように決められていたとすると、図４に示したパタ−
ン１４、１５を従来装置により描画する場合には、ま
ず、フィ−ルド〔２，１〕内のパタ−ン１４、１５の部
分を描画してからフィ−ルド〔２，２〕、〔２，３〕、
〔３，３〕、〔３，２〕の描画を経由後にフィ−ルド
〔３，１〕内のパタ−ン１４、１５の残りの部分を描画
することになり、この間のドリフトによる段差ｅが発生
するという問題があった。なお、各フィ−ルド内はサブ
フィ−ルドの描画順序にしたがって描画される。
が例えば、 〔１，１〕→〔１，２〕→〔１，３〕→ 〔２，３〕→〔２，２〕→〔２，１〕→ 〔３，１〕→〔３，２〕→〔３，３〕 （１） のように決められていたとすると、図４に示したパタ−
ン１４、１５を従来装置により描画する場合には、ま
ず、フィ−ルド〔２，１〕内のパタ−ン１４、１５の部
分を描画してからフィ−ルド〔２，２〕、〔２，３〕、
〔３，３〕、〔３，２〕の描画を経由後にフィ−ルド
〔３，１〕内のパタ−ン１４、１５の残りの部分を描画
することになり、この間のドリフトによる段差ｅが発生
するという問題があった。なお、各フィ−ルド内はサブ
フィ−ルドの描画順序にしたがって描画される。
【００１０】上記段差ｅを抑えるためには、フィ−ルド
間に跨る細いパタ−ンはできるだけ時間をおかずに描画
する必要がある。そこで本発明においては、（１）フィ
−ルド間に跨る細いパタ−ンの存在を予め検索して登録
し、（２）上記細いパタ−ンの存在する両フィ−ルド内
のサブフィ−ルドの描画順序を変更して、この細いパタ
−ンをできるだけ時間をおかずに描画するようにする。
以下、上記（１）と（２）の詳細について逐次説明す
る。
間に跨る細いパタ−ンはできるだけ時間をおかずに描画
する必要がある。そこで本発明においては、（１）フィ
−ルド間に跨る細いパタ−ンの存在を予め検索して登録
し、（２）上記細いパタ−ンの存在する両フィ−ルド内
のサブフィ−ルドの描画順序を変更して、この細いパタ
−ンをできるだけ時間をおかずに描画するようにする。
以下、上記（１）と（２）の詳細について逐次説明す
る。
【００１１】図５はフィ−ルド内の描画パタ−ンデ−タ
の一例である。先頭にそのフィ−ルドの番地を格納し、
次いでそのフィ−ルド内のサブフィ−ルド番地表、サブ
フィ−ルド単位の描画パタ−ンデ−タが描画順に格納さ
れる。サブフィ−ルドの描画順序はサブフィ−ルド番地
表順に従い、サブフィ−ルド内の描画順序は上記描画パ
タ−ンデ−タの順序に従う。
の一例である。先頭にそのフィ−ルドの番地を格納し、
次いでそのフィ−ルド内のサブフィ−ルド番地表、サブ
フィ−ルド単位の描画パタ−ンデ−タが描画順に格納さ
れる。サブフィ−ルドの描画順序はサブフィ−ルド番地
表順に従い、サブフィ−ルド内の描画順序は上記描画パ
タ−ンデ−タの順序に従う。
【００１２】図６は上記各サブフィ−ルド内の描画パタ
−ンデ−タの構造を示す図である。上記描画パタ−ンデ
−タ構造には、描画パタ−ンの図種と、その座標値（Ｘ
0，Ｙ0）と、幅Ｗ、高さＨと、照射量テ−ブル番号等を
格納する。また、電子線の照射量は照射量テ−ブル番号
を用いて照射量テ−ブルを索引して決定する。
−ンデ−タの構造を示す図である。上記描画パタ−ンデ
−タ構造には、描画パタ−ンの図種と、その座標値（Ｘ
0，Ｙ0）と、幅Ｗ、高さＨと、照射量テ−ブル番号等を
格納する。また、電子線の照射量は照射量テ−ブル番号
を用いて照射量テ−ブルを索引して決定する。
【００１３】また、上記図種欄には図種の他に、図４の
１４、１５に示したように隣接フィ−ルドの境界を越え
て当該サブフィ−ルド内にはみ出しているパタ−ンの幅
ｗｉを分類するインデックスｉｄを設定する。パタ−ン
幅ｗｉを予め定めた基準幅ｗとを比較し、ｗｉがｗより
小さい場合にはインデックスｉｄを１に設定し、大きい
場合には０に設定する。 ｗｉ＞ｗ → ｉｄ＝１ ｗｉ≦ｗ → ｉｄ＝０ （２）
１４、１５に示したように隣接フィ−ルドの境界を越え
て当該サブフィ−ルド内にはみ出しているパタ−ンの幅
ｗｉを分類するインデックスｉｄを設定する。パタ−ン
幅ｗｉを予め定めた基準幅ｗとを比較し、ｗｉがｗより
小さい場合にはインデックスｉｄを１に設定し、大きい
場合には０に設定する。 ｗｉ＞ｗ → ｉｄ＝１ ｗｉ≦ｗ → ｉｄ＝０ （２）
【００１４】ｉｄ＝１の場合にはパタ−ン幅ｗｉがドリ
フトによってやせたり断線したりする危険があるので、
描画順序を変更して二つの当該サブフィ−ルドの描画間
隔を短縮するようにする。また、ｉｄ＝０の場合には描
画順序の変更は行なわない。図１は上記処理のアルゴリ
ズムを説明するフロ−チャ−トである。
フトによってやせたり断線したりする危険があるので、
描画順序を変更して二つの当該サブフィ−ルドの描画間
隔を短縮するようにする。また、ｉｄ＝０の場合には描
画順序の変更は行なわない。図１は上記処理のアルゴリ
ズムを説明するフロ−チャ−トである。
【００１５】図１において、処理１では変換済みの描画
パタ−ンデ−タを磁気ディスク等のメモリから呼出して
フィ−ルド境界に接する全サブフィ−ルドを抽出し、そ
の個数（ｋ）をカウントする。次いで上記個数（ｋ）の
カウンタの値ｉに１をセットし、処理２にてｉ＝１番目
のサブフィ−ルド内の全描画パタ−ンを抽出する。次い
で処理３にて、処理２にて抽出した各描画パタ−ンがフ
ィ−ルド境界線で切断されるか否かを判別し、切断され
る場合にはそのはみ出したパタ−ンの幅ｗｉをセットす
る。
パタ−ンデ−タを磁気ディスク等のメモリから呼出して
フィ−ルド境界に接する全サブフィ−ルドを抽出し、そ
の個数（ｋ）をカウントする。次いで上記個数（ｋ）の
カウンタの値ｉに１をセットし、処理２にてｉ＝１番目
のサブフィ−ルド内の全描画パタ−ンを抽出する。次い
で処理３にて、処理２にて抽出した各描画パタ−ンがフ
ィ−ルド境界線で切断されるか否かを判別し、切断され
る場合にはそのはみ出したパタ−ンの幅ｗｉをセットす
る。
【００１６】処理４では上記各パタ−ン幅ｗｉと基準幅
ｗとを比較し、その比較結果により図７のインデックス
ｉｄを式（２）のようにして設定する。上記処理３と同
４をサブフィ−ルドｉ内の全描画パタ−ンについて実施
する。次いでサブフィ−ルド番号ｉが全サブフィ−ルド
数ｋより小さければｉ＝ｉ＋１にして処理２に戻り、同
様の処理を繰り返す。上記ｉがｋに達したならば、処理
５にて得られた結果にもとづいてフィ−ルド内サブフィ
−ルドの並べ替えを行う。
ｗとを比較し、その比較結果により図７のインデックス
ｉｄを式（２）のようにして設定する。上記処理３と同
４をサブフィ−ルドｉ内の全描画パタ−ンについて実施
する。次いでサブフィ−ルド番号ｉが全サブフィ−ルド
数ｋより小さければｉ＝ｉ＋１にして処理２に戻り、同
様の処理を繰り返す。上記ｉがｋに達したならば、処理
５にて得られた結果にもとづいてフィ−ルド内サブフィ
−ルドの並べ替えを行う。
【００１７】図７は上記サブフィ−ルドの並べ替え処理
のアルゴリズムである。まず、処理５．１にてフィ−ル
ド内のサブフィ−ルド番地表を取り出し、図１の処理１
にて求めておいたフィ−ルド境界に接する全サブフィ−
ルドの番地を検索する。次いで処理５．２にて、上記フ
ィ−ルド境界に接する全サブフィ−ルド内の描画パタ−
ンの中でｉｄ＝１のものを描画パタ−ンデ−タの中から
外して別途、登録する。このとき当該サブフィ−ルド番
地も同時に別途、登録しておく。
のアルゴリズムである。まず、処理５．１にてフィ−ル
ド内のサブフィ−ルド番地表を取り出し、図１の処理１
にて求めておいたフィ−ルド境界に接する全サブフィ−
ルドの番地を検索する。次いで処理５．２にて、上記フ
ィ−ルド境界に接する全サブフィ−ルド内の描画パタ−
ンの中でｉｄ＝１のものを描画パタ−ンデ−タの中から
外して別途、登録する。このとき当該サブフィ−ルド番
地も同時に別途、登録しておく。
【００１８】次いで処理５．３にて、元のサブフィ−ル
ド番地表に前述の別途登録したサブフィ−ルド番地を付
加して新たなサブフィ−ルド番地表を作成する。次いで
処理５．４にて、上記新たに作成したサブフィ−ルド番
地表に対応する描画パタ−ンを格納する。上記処理５．
３と処理５．４により新しいサブフィ−ルド番地表がえ
られる。
ド番地表に前述の別途登録したサブフィ−ルド番地を付
加して新たなサブフィ−ルド番地表を作成する。次いで
処理５．４にて、上記新たに作成したサブフィ−ルド番
地表に対応する描画パタ−ンを格納する。上記処理５．
３と処理５．４により新しいサブフィ−ルド番地表がえ
られる。
【００１９】上記新しいサブフィ−ルド番地表では、予
め定められ各フィ−ルド内のサブフィ−ルドを予め定め
られた順序で描画することにし、そのフィ−ルドと隣接
フィ−ルド間に跨ってｉｄ＝１の細いパタ−ンが存在す
る場合には上記サブフィ−ルド番地表の前段または後段
に当該隣接フィ−ルドの存在を示す前段部または後段部
を付加する。また、上記隣接フィ−ルドがそのフィ−ル
ドの前に描画される場合には上記前段部を付加し、後に
描画される場合には上記後段部を付加する。
め定められ各フィ−ルド内のサブフィ−ルドを予め定め
られた順序で描画することにし、そのフィ−ルドと隣接
フィ−ルド間に跨ってｉｄ＝１の細いパタ−ンが存在す
る場合には上記サブフィ−ルド番地表の前段または後段
に当該隣接フィ−ルドの存在を示す前段部または後段部
を付加する。また、上記隣接フィ−ルドがそのフィ−ル
ドの前に描画される場合には上記前段部を付加し、後に
描画される場合には上記後段部を付加する。
【００２０】上記前段部と後段部の内容は当該隣接フィ
−ルドが上下左右の何れの側に存在するかを識別できる
ものであればよいから、例えば隣接フィ−ルドの隣接サ
ブフィ−ルド列を記入したり、あるいはそのフィ−ルド
の隣接フィ−ルド側のサブフィ−ルド列を記入するよう
にする。一例として上記フィ−ルド内の予め定められた
サブフィ−ルド描画順序を下記のように定める（図２参
照）。 （１，１）→（１，２）→（１，３）→（１，４）→（１，５）→ （２，５）→（２，４）→（２，３）→（２，２）→（２，１）→ （３，１）→（３，２）→（３，３）→（３，４）→（３，５）→ （４，５）→（４，４）→（４，３）→（４，２）→（４，１）→ （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５） （３）
−ルドが上下左右の何れの側に存在するかを識別できる
ものであればよいから、例えば隣接フィ−ルドの隣接サ
ブフィ−ルド列を記入したり、あるいはそのフィ−ルド
の隣接フィ−ルド側のサブフィ−ルド列を記入するよう
にする。一例として上記フィ−ルド内の予め定められた
サブフィ−ルド描画順序を下記のように定める（図２参
照）。 （１，１）→（１，２）→（１，３）→（１，４）→（１，５）→ （２，５）→（２，４）→（２，３）→（２，２）→（２，１）→ （３，１）→（３，２）→（３，３）→（３，４）→（３，５）→ （４，５）→（４，４）→（４，３）→（４，２）→（４，１）→ （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５） （３）
【００２１】図４の場合は、フィ−ルド〔２，１〕と同
〔３，１〕間にｉｄ＝１の細いパタ−ン１５が存在し、
式（１）に示したように、フィ−ルド〔３，１〕は同
〔２．１〕の後に描画されるので、式（３）の後に式
（４）または式（５）のような後段部が付加される。 （１，５）→（１，４）→（１，３）→（１，２）→（１，１） （４） （５，５）→（５，４）→（５，３）→（５，２）→（５，１） （５） 式（４）はフィ−ルド〔２，１〕のフィ−ルド〔３，
１〕側のサブフィ−ルド列である。また、式（５）はフ
ィ−ルド〔３，１〕のフィ−ルド〔２，１〕側のサブフ
ィ−ルド列である。
〔３，１〕間にｉｄ＝１の細いパタ−ン１５が存在し、
式（１）に示したように、フィ−ルド〔３，１〕は同
〔２．１〕の後に描画されるので、式（３）の後に式
（４）または式（５）のような後段部が付加される。 （１，５）→（１，４）→（１，３）→（１，２）→（１，１） （４） （５，５）→（５，４）→（５，３）→（５，２）→（５，１） （５） 式（４）はフィ−ルド〔２，１〕のフィ−ルド〔３，
１〕側のサブフィ−ルド列である。また、式（５）はフ
ィ−ルド〔３，１〕のフィ−ルド〔２，１〕側のサブフ
ィ−ルド列である。
【００２２】また図８のように、フィ−ルド〔２．１〕
とその上部のフィ−ルド〔２，２〕間にもｉｄ＝１の細
いパタ−ン１６が存在する場合には、前段部として式
（６）または式（７）が付加される。 （１，１）→（２，１）→（３，１）→（４，１）→（５，１） （６） （１，５）→（２，５）→（３，５）→（４，５）→（５，５） （７）
とその上部のフィ−ルド〔２，２〕間にもｉｄ＝１の細
いパタ−ン１６が存在する場合には、前段部として式
（６）または式（７）が付加される。 （１，１）→（２，１）→（３，１）→（４，１）→（５，１） （６） （１，５）→（２，５）→（３，５）→（４，５）→（５，５） （７）
【００２３】以上より、図７の処理５．３で生成される
図８のフィ−ルド〔２，１〕に対する新しいサブフィ−
ルド番地表は例えば式（６）と式（５）を用いると式
（８）のようになる。 （１，１）→（２，１）→（３，１）→（４，１）→（５，１） （１，１）→（１，２）→（１，３）→（１，４）→（１，５）→ （２，５）→（２，４）→（２，３）→（２，２）→（２，１）→ （３，１）→（３，２）→（３，３）→（３，４）→（３，５）→ （４，５）→（４，４）→（４，３）→（４，２）→（４，１）→ （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５）→ （５，５）→（５，４）→（５，３）→（５，２）→（５，１） （８）
図８のフィ−ルド〔２，１〕に対する新しいサブフィ−
ルド番地表は例えば式（６）と式（５）を用いると式
（８）のようになる。 （１，１）→（２，１）→（３，１）→（４，１）→（５，１） （１，１）→（１，２）→（１，３）→（１，４）→（１，５）→ （２，５）→（２，４）→（２，３）→（２，２）→（２，１）→ （３，１）→（３，２）→（３，３）→（３，４）→（３，５）→ （４，５）→（４，４）→（４，３）→（４，２）→（４，１）→ （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５）→ （５，５）→（５，４）→（５，３）→（５，２）→（５，１） （８）
【００２４】なお、上記の処理は図９に示すようにサブ
フィ−ルド内をパタ−ンが貫通する場合にも同様に適用
することができる。また、隣接フィ−ルド境界部にｉｄ
＝１に該当する複数のクロスパタ−ンが存在する場合に
は、幅の細いクロスパタ−ンを優先的に描画するように
することもできる。この場合には複数のｉｄを設定して
上記幅の大きさを順序づける必要がある。また、とくに
幅の細いクロスパタ−ンが存在する場合には、そのクロ
スパタ−ンが跨るフィ−ルドをとくに優先して描画する
ようにしてもよい。
フィ−ルド内をパタ−ンが貫通する場合にも同様に適用
することができる。また、隣接フィ−ルド境界部にｉｄ
＝１に該当する複数のクロスパタ−ンが存在する場合に
は、幅の細いクロスパタ−ンを優先的に描画するように
することもできる。この場合には複数のｉｄを設定して
上記幅の大きさを順序づける必要がある。また、とくに
幅の細いクロスパタ−ンが存在する場合には、そのクロ
スパタ−ンが跨るフィ−ルドをとくに優先して描画する
ようにしてもよい。
【００２５】図１０は上記本発明による処理を実行する
電子線描画装置のブロック図である。描画パタ−ンデ−
タ変換システム１は描画パタ−ンデ−タを作成して描画
パタ−ンデ−タファイル２に格納する。制御用計算機４
７はＣＰＵバス４８を介してデ−タファイル２の描画パ
タ−ンデ−タを図形デ−タ用メモリ４９に送り、描画シ
−ケンス命令に従ってステ−ジ制御系５０、ロ−ダ制御
系５１、真空排気系５２等を制御して描画する。同時に
制御用計算機４７は、ステ−ジ制御系５０、ロ−ダ制御
系５１、真空排気系５２、電源制御系５３等にも各描画
シ−ケンスに応じた制御指令を送る。
電子線描画装置のブロック図である。描画パタ−ンデ−
タ変換システム１は描画パタ−ンデ−タを作成して描画
パタ−ンデ−タファイル２に格納する。制御用計算機４
７はＣＰＵバス４８を介してデ−タファイル２の描画パ
タ−ンデ−タを図形デ−タ用メモリ４９に送り、描画シ
−ケンス命令に従ってステ−ジ制御系５０、ロ−ダ制御
系５１、真空排気系５２等を制御して描画する。同時に
制御用計算機４７は、ステ−ジ制御系５０、ロ−ダ制御
系５１、真空排気系５２、電源制御系５３等にも各描画
シ−ケンスに応じた制御指令を送る。
【００２６】描画パタ−ンデ−タファイル２の描画パタ
−ンデ−タはデ−タ制御系／信号処理系３に信号を送ら
れ、上記した本発明の各処理が施されて、各フィ−ルド
毎の上記新サブフィ−ルド番地表が作成される。制御用
計算機４７は上記新サブフィ−ルド番地表に基づいて各
フィ−ルドの描画順序を決定する。
−ンデ−タはデ−タ制御系／信号処理系３に信号を送ら
れ、上記した本発明の各処理が施されて、各フィ−ルド
毎の上記新サブフィ−ルド番地表が作成される。制御用
計算機４７は上記新サブフィ−ルド番地表に基づいて各
フィ−ルドの描画順序を決定する。
【００２７】また、本体５内の反射電子センサ５５によ
りステ−ジ５の位置や半導体デバイス、マスク、レティ
クル等の試料に照射される電子線の状態を検知してデ−
タ制御系／信号処理系３に信号を送り描画補正を行な
う。また、反射電子センサ５５によ９り電子線描画装置
の本体５内の電子光学系やステ−ジ５４の移動方向、移
動量、移動時間等によって発生するビ−ムドリフトが検
出される。
りステ−ジ５の位置や半導体デバイス、マスク、レティ
クル等の試料に照射される電子線の状態を検知してデ−
タ制御系／信号処理系３に信号を送り描画補正を行な
う。また、反射電子センサ５５によ９り電子線描画装置
の本体５内の電子光学系やステ−ジ５４の移動方向、移
動量、移動時間等によって発生するビ−ムドリフトが検
出される。
【００２８】
【発明の効果】本発明によりクロスパタ−ンが跨るフィ
−ルド間の描画順序が繰り上げられ、とくに細い幅のク
ロスパタ−ンの描画順序が優先的に繰り上げられるの
で、ビ−ムドリフトにより上記クロスパタ−ンがフィ−
ルド境界にてやせたり、断線したりすることを防止する
ことができ、フィ−ルド接続精度を向上した電子線描画
装置を提供することができる。
−ルド間の描画順序が繰り上げられ、とくに細い幅のク
ロスパタ−ンの描画順序が優先的に繰り上げられるの
で、ビ−ムドリフトにより上記クロスパタ−ンがフィ−
ルド境界にてやせたり、断線したりすることを防止する
ことができ、フィ−ルド接続精度を向上した電子線描画
装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による描画デ−タ処理のフロ−チャ−ト
である。
である。
【図２】ウエハ上のフィ−ルドとサブフィ−ルドの配列
図である。
図である。
【図３】ビ−ムドリフト量の時間変化例を示す図であ
る。
る。
【図４】フィ−ルド間に跨るクロスパタ−ンの描画例で
ある。
ある。
【図５】本発明によるフィ−ルド内の描画デ−タファイ
ルである。
ルである。
【図６】本発明によるサブフィ−ルド内の描画デ−タフ
ァイルである。
ァイルである。
【図７】本発明による新サブフィ−ルド番地表の作成過
程を示すフロ−チャ−トである。
程を示すフロ−チャ−トである。
【図８】フィ−ルド間に跨るクロスパタ−ンの描画例で
ある。
ある。
【図９】フィ−ルド間に跨るクロスパタ−ンの描画例で
ある。
ある。
【図１０】本発明による電子線描画装置のブロック図で
ある。
ある。
１…描画パタ−ンデ−タ変換システム、２…描画パタ−
ンデ−タファイル、３…描画デ−タ制御系／信号処理
系、４…ビ−ムドリフト補正処理系、５…本体、１４…
太いパタ−ン、１５、１６、１７…細いパタ−ン、４７
…制御用計算機、４８…ＣＰＵバス、４９…図形デ−タ
用メモリ、５０…ステ−ジ制御系、５１…ロ−ダ制御
系、５２…真空排気系、５３…電源制御系、５４…ステ
−ジ、５５…反射電子センサ。
ンデ−タファイル、３…描画デ−タ制御系／信号処理
系、４…ビ−ムドリフト補正処理系、５…本体、１４…
太いパタ−ン、１５、１６、１７…細いパタ−ン、４７
…制御用計算機、４８…ＣＰＵバス、４９…図形デ−タ
用メモリ、５０…ステ−ジ制御系、５１…ロ−ダ制御
系、５２…真空排気系、５３…電源制御系、５４…ステ
−ジ、５５…反射電子センサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 利彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体設計開発センタ内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウエハ等の描画試料面を複数のフ
ィ−ルドに分割し、さらに各フィ−ルド内を複数のサブ
フィ−ルドに分割して、上記フィ−ルドの描画順序に従
って当該フィ−ルド内のサブフィ−ルドを順次描画する
電子線描画装置において、上記フィ−ルド間に跨って存
在する描画パタ−ン（クロスパタ−ン）を検索する手段
と、上記クロスパタ−ンの検索結果に基づいて上記フィ
−ルドの描画順序を再設定する手段を備えたことを特徴
とする電子線描画装置。 - 【請求項２】 請求項１において、上記クロスパタ−ン
の幅を予め定めた基準幅と比較してその大小関係を記憶
する手段を備え、上記大小関係に基づいて上記フィ−ル
ドの描画順序を再設定するようにしたことを特徴とする
電子線描画装置。 - 【請求項３】 請求項２において、フィ−ルド内のサブ
フィ−ルドを順次描画上記クロスパタ−ン幅が予め定め
た基準幅より小さい場合に、上記フィ−ルドの描画順序
を再設定するようにしたことを特徴とする電子線描画装
置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
フィ−ルド内サブフィ−ルドの描画順序を規定するサブ
フィ−ルド番地表を備え、上記クロスパタ−ンが当該フ
ィ−ルドの前に描画されるフィ−ルドに跨る場合には上
記サブフィ−ルド番地表に前段部デ−タを付加し、上記
クロスパタ−ンが当該フィ−ルドの後に描画されるフィ
−ルドに跨る場合には上記サブフィ−ルド番地表に後段
部デ−タを付加する手段を備え、上記前段部デ−タと後
段部デ−タを付加た新サブフィ−ルド番地表に基づいて
上記フィ−ルドの描画順序を再設定するようにしたこと
を特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項５】 請求項４において、上記前段部デ−タと
後段部デ−タを、上記クロスパタ−ンが跨るフィ−ルド
の境界部のサブフィ−ルド番号列としたことを特徴とす
る電子線描画装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
上記クロスパタ−ンの幅の細いものを優先して描画する
ようにしたことを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04100871A JP3133139B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04100871A JP3133139B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299327A true JPH05299327A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3133139B2 JP3133139B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=14285383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04100871A Expired - Fee Related JP3133139B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3133139B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066854A (en) * | 1997-08-22 | 2000-05-23 | Nec Corporation | Method of writing cross pattern in adjacent areas of layer sensitive to charged particle beam for improving stitching accuracy without sacrifice of throughput |
| US11901156B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-02-13 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-charged-particle-beam writing apparatus and multi-charged-particle-beam writing method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016103983B4 (de) | 2016-03-04 | 2019-03-14 | Stefan Konrad | Pinselkappe |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP04100871A patent/JP3133139B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066854A (en) * | 1997-08-22 | 2000-05-23 | Nec Corporation | Method of writing cross pattern in adjacent areas of layer sensitive to charged particle beam for improving stitching accuracy without sacrifice of throughput |
| US11901156B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-02-13 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-charged-particle-beam writing apparatus and multi-charged-particle-beam writing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3133139B2 (ja) | 2001-02-05 |
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