JPH05299819A - フレキシブル回路基板 - Google Patents
フレキシブル回路基板Info
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- JPH05299819A JPH05299819A JP34752091A JP34752091A JPH05299819A JP H05299819 A JPH05299819 A JP H05299819A JP 34752091 A JP34752091 A JP 34752091A JP 34752091 A JP34752091 A JP 34752091A JP H05299819 A JPH05299819 A JP H05299819A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリイミドフィルムの片面または両面上に金
属薄膜層を有し、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との
間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板に関す
る。 【構成】 ポリイミドフィルムと、このポリイミドフィ
ルムの片面もしくは両面上に形成した第一の金属薄膜
と、この第一の金属薄膜上に形成した第二の金属薄膜と
を有するフレキシブル回路基板。
属薄膜層を有し、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との
間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板に関す
る。 【構成】 ポリイミドフィルムと、このポリイミドフィ
ルムの片面もしくは両面上に形成した第一の金属薄膜
と、この第一の金属薄膜上に形成した第二の金属薄膜と
を有するフレキシブル回路基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミドフィルムの片
面または両面に金属薄膜層を有するフレキシブル回路基
板に関し、特に、該金属薄膜層と該ポリイミドフィルム
との間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板に関
する。
面または両面に金属薄膜層を有するフレキシブル回路基
板に関し、特に、該金属薄膜層と該ポリイミドフィルム
との間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁性のポリマーフィルム上に金属層を
形成したフレキシブル回路基板として従来、金属薄膜と
ポリマーフィルムとを接着剤で接合したものがある。し
かしこれらのフレキシブル回路基板では、接着剤の熱的
性能がポリマーフィルムの性能に劣ること、および金属
薄膜の膜厚が１０μｍ以上と厚いために幅数１０μｍの
微細加工が困難であることなどの理由から、半導体産業
における高密度配線に対応することができない、寸法安
定性が悪い、製品がそりあがるなどの問題があった。
形成したフレキシブル回路基板として従来、金属薄膜と
ポリマーフィルムとを接着剤で接合したものがある。し
かしこれらのフレキシブル回路基板では、接着剤の熱的
性能がポリマーフィルムの性能に劣ること、および金属
薄膜の膜厚が１０μｍ以上と厚いために幅数１０μｍの
微細加工が困難であることなどの理由から、半導体産業
における高密度配線に対応することができない、寸法安
定性が悪い、製品がそりあがるなどの問題があった。
【０００３】上記の問題を解決するために、接着剤なし
でポリマーフィルム上に金属薄膜を形成する技術が検討
されてきた。その例として、真空蒸着、スパッタリング
などによる薄膜形成法がある。ここで得られる金属薄膜
は膜厚が１μｍ以下と薄いために、幅数１０μｍの微細
加工による回路パターンの形成も容易である。形成され
た回路パターン上に電解メッキなどによりさらに金属を
堆積、成長させることにより、微細加工された導電層を
形成することができる。
でポリマーフィルム上に金属薄膜を形成する技術が検討
されてきた。その例として、真空蒸着、スパッタリング
などによる薄膜形成法がある。ここで得られる金属薄膜
は膜厚が１μｍ以下と薄いために、幅数１０μｍの微細
加工による回路パターンの形成も容易である。形成され
た回路パターン上に電解メッキなどによりさらに金属を
堆積、成長させることにより、微細加工された導電層を
形成することができる。
【０００４】しかし、このような技術で得られるフレキ
シブル回路基板では、リソグラフィー技術を用いる回路
パターン形成工程、および形成された回路パターン上に
通電抵抗の低下および機械的強度の向上のために金属を
積層する電解メッキ工程などにおいて、金属層がポリマ
ーフイルムから剥離する問題が生じ、金属層とポリマー
フイルムとの間の接着力の低下が問題となっていた。
シブル回路基板では、リソグラフィー技術を用いる回路
パターン形成工程、および形成された回路パターン上に
通電抵抗の低下および機械的強度の向上のために金属を
積層する電解メッキ工程などにおいて、金属層がポリマ
ーフイルムから剥離する問題が生じ、金属層とポリマー
フイルムとの間の接着力の低下が問題となっていた。
【０００５】金属層とポリマーフイルムとの間の接着力
を改善することを目的とした、種々の先行技術が知られ
ている。すなわち、特開平０２−９８９９４号公報には
０．０１〜５μｍのクロム層をスパッタリングで形成す
ること、特開昭６２−１８１４８８号公報には５０〜１
００００オングストロームのニッケルまたはニッケル−
クロム層を蒸着で形成すること、特開昭６２−６２５５
１号公報にはクロム層を蒸着で形成すること、特開昭６
２−４７９０８号公報にはニッケル層を蒸着で形成する
こと、特開昭６１−１２８５９３号公報には金属層を蒸
着で形成すること、特公昭５７−１８３５７号公報には
ニッケル、コバルト、ジルコニウムまたはパラジウム層
をイオンプレーティング法で形成すること、特公昭５７
−１８３５６号公報にはニッケルおよびニッケル合金層
をイオンプレーティング法で形成することがすでに開示
されている。
を改善することを目的とした、種々の先行技術が知られ
ている。すなわち、特開平０２−９８９９４号公報には
０．０１〜５μｍのクロム層をスパッタリングで形成す
ること、特開昭６２−１８１４８８号公報には５０〜１
００００オングストロームのニッケルまたはニッケル−
クロム層を蒸着で形成すること、特開昭６２−６２５５
１号公報にはクロム層を蒸着で形成すること、特開昭６
２−４７９０８号公報にはニッケル層を蒸着で形成する
こと、特開昭６１−１２８５９３号公報には金属層を蒸
着で形成すること、特公昭５７−１８３５７号公報には
ニッケル、コバルト、ジルコニウムまたはパラジウム層
をイオンプレーティング法で形成すること、特公昭５７
−１８３５６号公報にはニッケルおよびニッケル合金層
をイオンプレーティング法で形成することがすでに開示
されている。
【０００６】しかしながら、これら公知の技術のいずれ
を用いても、半導体産業における高密度配線を可能にす
る上で充分に満足できる材料を提供することは困難であ
った。
を用いても、半導体産業における高密度配線を可能にす
る上で充分に満足できる材料を提供することは困難であ
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題点を解決するものであり、その目的とするところは、
半導体産業における高密度配線を可能にするために接着
剤なしでポリイミドフィルム上に金属層を形成したフレ
キシブル回路基板を提供することであり、特に、回路パ
ターン形成および電解メッキなどの後工程において、金
属層がポリイミドフイルムから剥離する問題を克服した
フレキシブル回路基板を提供することである。
題点を解決するものであり、その目的とするところは、
半導体産業における高密度配線を可能にするために接着
剤なしでポリイミドフィルム上に金属層を形成したフレ
キシブル回路基板を提供することであり、特に、回路パ
ターン形成および電解メッキなどの後工程において、金
属層がポリイミドフイルムから剥離する問題を克服した
フレキシブル回路基板を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者らは、銅層／ポリ
イミドフィルムからなるフレキシブル回路基板の製作に
おいて、該ポリイミドフィルム上にニッケル−銅合金の
極薄膜を形成した後に、該極薄膜上に電気伝導性の良好
な銅薄膜を形成することにより、回路パターン形成およ
び電解メッキなどの後工程において、該銅層の該ポリイ
ミドフィルムからの剥離防止に極めて効果があることを
発見して、本発明を完成するに至ったものである。
イミドフィルムからなるフレキシブル回路基板の製作に
おいて、該ポリイミドフィルム上にニッケル−銅合金の
極薄膜を形成した後に、該極薄膜上に電気伝導性の良好
な銅薄膜を形成することにより、回路パターン形成およ
び電解メッキなどの後工程において、該銅層の該ポリイ
ミドフィルムからの剥離防止に極めて効果があることを
発見して、本発明を完成するに至ったものである。
【０００９】すなわち、本発明の一つの態様は、ポリイ
ミドフィルムの片面上に第一の金属薄膜、第二の金属薄
膜の順に積層して形成した銅層／ポリイミドフィルムか
らなるフレキシブル回路基板である。また、本発明のも
う一つの態様は、ポリイミドフィルムの両面上にそれぞ
れ第一の金属薄膜、第二の金属薄膜の順に積層して形成
した銅層／ポリイミドフィルム／銅層からなるフレキシ
ブル回路基板である。ここで、銅層とは第一の金属薄
膜、第二の金属薄膜の順に積層して形成した金属薄膜層
を総称するものである。
ミドフィルムの片面上に第一の金属薄膜、第二の金属薄
膜の順に積層して形成した銅層／ポリイミドフィルムか
らなるフレキシブル回路基板である。また、本発明のも
う一つの態様は、ポリイミドフィルムの両面上にそれぞ
れ第一の金属薄膜、第二の金属薄膜の順に積層して形成
した銅層／ポリイミドフィルム／銅層からなるフレキシ
ブル回路基板である。ここで、銅層とは第一の金属薄
膜、第二の金属薄膜の順に積層して形成した金属薄膜層
を総称するものである。
【００１０】該第一の金属薄膜は銅ニッケル合金であ
り、好ましくはニッケル４０〜８０重量％、銅２０〜６
０重量％を含有する銅ニッケル合金をターゲットとする
スパッタリングにより、膜厚が５０〜５００オングスト
ロームとなるように形成したものである。モネルメタル
と呼ばれる銅ニッケル合金は該ターゲットとして特に有
効である。
り、好ましくはニッケル４０〜８０重量％、銅２０〜６
０重量％を含有する銅ニッケル合金をターゲットとする
スパッタリングにより、膜厚が５０〜５００オングスト
ロームとなるように形成したものである。モネルメタル
と呼ばれる銅ニッケル合金は該ターゲットとして特に有
効である。
【００１１】該第二の金属薄膜は、電気良伝導性の銅を
ターゲットとするスパッタリングにより、膜厚が１００
０〜４２０００オングストロームとなるように形成した
ものである。
ターゲットとするスパッタリングにより、膜厚が１００
０〜４２０００オングストロームとなるように形成した
ものである。
【００１２】スパッタリング方法は特に限定されるもの
ではない。それぞれ該第一の金属薄膜および該第二の金
属薄膜に相当するターゲットを用いて、ＤＣマグネトロ
ンスパッタリング、高周波マグネトロンスパッタリン
グ、イオンビームスパッタリングなどの薄膜形成技術が
有効に用いられる。
ではない。それぞれ該第一の金属薄膜および該第二の金
属薄膜に相当するターゲットを用いて、ＤＣマグネトロ
ンスパッタリング、高周波マグネトロンスパッタリン
グ、イオンビームスパッタリングなどの薄膜形成技術が
有効に用いられる。
【００１３】該ポリイミドフィルムの膜厚は典型的には
１０〜５００μｍであり、特に２５〜１２５μｍが好ま
しく、カプトン、ユーピレックス、アピカルなど、市場
で入手できるポリイミドフィルムが有効に用いられる。
１０〜５００μｍであり、特に２５〜１２５μｍが好ま
しく、カプトン、ユーピレックス、アピカルなど、市場
で入手できるポリイミドフィルムが有効に用いられる。
【００１４】
【実施例】実施例１ ポリイミドフィルムとして膜厚が５０．８μｍのカプト
ン−Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲット材料とするスパッタリングによっ
て、平均膜厚が約７０オングストロームの第一の金属薄
膜を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、該
第一の金属薄膜上に、銅をターゲット材料とするスパッ
タリングによって、平均膜厚が約２５００オングストロ
ームの第二の金属薄膜を積層した。ポリイミドフィルム
の片面に上記のような金属層を有するこのフレキシブル
回路基板が本発明の一つの実施例である。
ン−Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲット材料とするスパッタリングによっ
て、平均膜厚が約７０オングストロームの第一の金属薄
膜を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、該
第一の金属薄膜上に、銅をターゲット材料とするスパッ
タリングによって、平均膜厚が約２５００オングストロ
ームの第二の金属薄膜を積層した。ポリイミドフィルム
の片面に上記のような金属層を有するこのフレキシブル
回路基板が本発明の一つの実施例である。
【００１５】該金属層上にフォトリソグラフィーによっ
て８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、該フレキシブル回路基板に、剥
離、サイドエッチングなど、従来の技術において発生し
ていた問題は発生しなかった。
て８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、該フレキシブル回路基板に、剥
離、サイドエッチングなど、従来の技術において発生し
ていた問題は発生しなかった。
【００１６】実施例２ ポリイミドフィルムとして膜厚が２５．４μｍのカプト
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲット材料とするスパッタリングによっ
て、平均膜厚が約５０オングストロームの第一の金属薄
膜を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、該
第一の金属薄膜上に、銅をターゲット材料とするスパッ
タリングによって、平均膜厚が約６０００オングストロ
ームの第二の金属薄膜を積層した。ポリイミドフィルム
の片面に上記のような金属層を有するこのフレキシブル
回路基板が本発明の一つの実施例である。
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲット材料とするスパッタリングによっ
て、平均膜厚が約５０オングストロームの第一の金属薄
膜を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、該
第一の金属薄膜上に、銅をターゲット材料とするスパッ
タリングによって、平均膜厚が約６０００オングストロ
ームの第二の金属薄膜を積層した。ポリイミドフィルム
の片面に上記のような金属層を有するこのフレキシブル
回路基板が本発明の一つの実施例である。
【００１７】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。ここでも、剥離、サイドエッチング
など、従来の技術において発生していた問題は発生しな
かった。
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。ここでも、剥離、サイドエッチング
など、従来の技術において発生していた問題は発生しな
かった。
【００１８】実施例３ ポリイミドフィルムとして膜厚が７６．２μｍのカプト
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲット材料とするスパッタリングによっ
て、平均膜厚が約５００オングストロームの第一の金属
薄膜を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、
該第一の金属薄膜上に、銅をターゲット材料とするスパ
ッタリングによって、平均膜厚が約２５００オングスト
ロームの第二の金属薄膜を積層した。該ポリイミドフィ
ルムのもう一方の面に、同様の条件により、平均膜厚が
約５００オングストロームの第一の金属薄膜、および平
均膜厚が約２５００オングストロームの第二の金属薄膜
を積層した。ポリイミドフィルムの両面に上記のような
金属層を有するこのフレキシブル回路基板が本発明の一
つの実施例である。
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲット材料とするスパッタリングによっ
て、平均膜厚が約５００オングストロームの第一の金属
薄膜を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、
該第一の金属薄膜上に、銅をターゲット材料とするスパ
ッタリングによって、平均膜厚が約２５００オングスト
ロームの第二の金属薄膜を積層した。該ポリイミドフィ
ルムのもう一方の面に、同様の条件により、平均膜厚が
約５００オングストロームの第一の金属薄膜、および平
均膜厚が約２５００オングストロームの第二の金属薄膜
を積層した。ポリイミドフィルムの両面に上記のような
金属層を有するこのフレキシブル回路基板が本発明の一
つの実施例である。
【００１９】ポリイミドフィルムの両面の該金属層上に
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。ここでも、剥離、サイドエッチングなど、従来の技
術において発生していた問題は発生しなかった。
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。ここでも、剥離、サイドエッチングなど、従来の技
術において発生していた問題は発生しなかった。
【００２０】比較例１ ポリイミドフィルムとして膜厚が５０．８μｍのカプト
ン−Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ニッケ
ルをターゲット材料とするスパッタリングによって、平
均膜厚が約７０オングストロームのニッケル層を形成し
た後、真空状態を破ること無く連続的に、該ニッケル薄
膜上に、スパッタリングによって、平均膜厚が約２５０
０オングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフ
ィルムの片面に上記のような金属層を有するこのフレキ
シブル回路基板が本発明の一つの比較例である。
ン−Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ニッケ
ルをターゲット材料とするスパッタリングによって、平
均膜厚が約７０オングストロームのニッケル層を形成し
た後、真空状態を破ること無く連続的に、該ニッケル薄
膜上に、スパッタリングによって、平均膜厚が約２５０
０オングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフ
ィルムの片面に上記のような金属層を有するこのフレキ
シブル回路基板が本発明の一つの比較例である。
【００２１】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの
銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解メッ
キ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従来の
技術において発生していた問題が発生して、該フレキシ
ブル回路基板に微細な回路を形成することができなかっ
た。
８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの
銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解メッ
キ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従来の
技術において発生していた問題が発生して、該フレキシ
ブル回路基板に微細な回路を形成することができなかっ
た。
【００２２】比較例２ ポリイミドフィルムとして膜厚が２５．４μｍのカプト
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、スパッ
タリングにより平均膜厚が約６０００オングストローム
の銅薄膜を積層した。ポリイミドフィルムの片面に銅薄
膜を有するこのフレキシブル回路基板が本発明の一つの
比較例である。
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、スパッ
タリングにより平均膜厚が約６０００オングストローム
の銅薄膜を積層した。ポリイミドフィルムの片面に銅薄
膜を有するこのフレキシブル回路基板が本発明の一つの
比較例である。
【００２３】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従
来の技術において発生していた問題が発生して、該フレ
キシブル回路基板に微細な回路を形成することができな
かった。
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従
来の技術において発生していた問題が発生して、該フレ
キシブル回路基板に微細な回路を形成することができな
かった。
【００２４】比較例３ ポリイミドフィルムとして膜厚が７６．２μｍのカプト
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ニッケ
ルをターゲット材料とするスパッタリングによって、平
均膜厚が約５００オングストロームのニッケル層を形成
した後、真空状態を破ること無く連続的に、該ニッケル
薄膜上に、スパッタリングによって、平均膜厚が約２５
００オングストロームの銅薄膜を積層した。該ポリイミ
ドフィルムのもう一方の面に、同様の条件により、平均
膜厚が約５００オングストロームのニッケル層、および
平均膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層
した。ポリイミドフィルムの両面に上記のような金属層
を有するこのフレキシブル回路基板が本発明の一つの比
較例である。
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ニッケ
ルをターゲット材料とするスパッタリングによって、平
均膜厚が約５００オングストロームのニッケル層を形成
した後、真空状態を破ること無く連続的に、該ニッケル
薄膜上に、スパッタリングによって、平均膜厚が約２５
００オングストロームの銅薄膜を積層した。該ポリイミ
ドフィルムのもう一方の面に、同様の条件により、平均
膜厚が約５００オングストロームのニッケル層、および
平均膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層
した。ポリイミドフィルムの両面に上記のような金属層
を有するこのフレキシブル回路基板が本発明の一つの比
較例である。
【００２５】ポリイミドフィルムの両面の該金属層上に
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程にお
いて、剥離、サイドエッチングなど、従来の技術におい
て発生していた問題が依然として発生して、微細な回路
を形成することができなかった。
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程にお
いて、剥離、サイドエッチングなど、従来の技術におい
て発生していた問題が依然として発生して、微細な回路
を形成することができなかった。
【００２６】
【発明の効果】以上の実施例ならびに比較例から明らか
なように、本発明は、半導体産業における高密度配線に
必要な回路の微細化を可能にするフレキシブル回路基板
を提供できるものであり、半導体産業にとってきわめて
有用な発明である。
なように、本発明は、半導体産業における高密度配線に
必要な回路の微細化を可能にするフレキシブル回路基板
を提供できるものであり、半導体産業にとってきわめて
有用な発明である。
Claims (19)
- 【請求項１】 ポリイミドフィルムと、該ポリイミドフ
ィルムの片面上に形成した第一の金属薄膜と、該第一の
金属薄膜上に形成した第二の金属薄膜とを有するフレキ
シブル回路基板。 - 【請求項２】 前記第一の金属薄膜は銅ニッケル合金で
ある請求項１に記載のフレキシブル回路基板。 - 【請求項３】 前記第一の金属薄膜は少なくともニッケ
ル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する銅
ニッケル合金をターゲットとしてスパッタリングにより
形成した薄膜である請求項２に記載のフレキシブル回路
基板。 - 【請求項４】 前記銅ニッケル合金はモネルメタルであ
る請求項２に記載のフレキシブル回路基板。 - 【請求項５】 前記第二の金属薄膜は銅である請求項１
に記載のフレキシブル回路基板。 - 【請求項６】 前記第一の金属薄膜の膜厚は５０〜５０
０オングストロームである請求項１に記載のフレキシブ
ル回路基板。 - 【請求項７】 前記第二の金属薄膜の膜厚は１０００〜
４２０００オングストロームである請求項１に記載のフ
レキシブル回路基板。 - 【請求項８】 前記ポリイミドフィルムの膜厚は２５〜
１２５μｍである請求項１に記載のフレキシブル回路基
板。 - 【請求項９】 ポリイミドフィルムと、該ポリイミドフ
ィルムの両面上に形成した第一の金属薄膜と、該第一の
金属薄膜の両面上に形成した第二の金属薄膜とを有する
フレキシブル回路基板。 - 【請求項１０】 前記第一の金属薄膜は銅ニッケル合金
である請求項９に記載のフレキシブル回路基板。 - 【請求項１１】 前記第一の金属薄膜は少なくともニッ
ケル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する
銅ニッケル合金をターゲットとしてスパッタリングによ
り形成した薄膜である請求項１０に記載のフレキシブル
回路基板。 - 【請求項１２】 前記銅ニッケル合金はモネルメタルで
ある請求項１０に記載のフレキシブル回路基板。 - 【請求項１３】 前記第二の金属薄膜は銅である請求項
９に記載のフレキシブル回路基板。 - 【請求項１４】 前記第一の金属薄膜の膜厚は５０〜５
００オングストロームである請求項９に記載のフレキシ
ブル回路基板。 - 【請求項１５】 前記第二の金属薄膜の膜厚は１０００
〜４２０００オングストロームである請求項９に記載の
フレキシブル回路基板。 - 【請求項１６】 前記ポリイミドフィルムの膜厚は２５
〜１２５μｍである請求項９に記載のフレキシブル回路
基板。 - 【請求項１７】 前記ポリイミドフィルムはカプトン
（登録商標）、ユーピレックス（登録商標）またはアピ
カル（登録商標）である請求項１〜１６に記載のフレキ
シブル回路基板。 - 【請求項１８】 膜厚が２５〜１２５μｍのポリイミド
フィルムの片面に接して、モネルメタルをターゲットに
して、スパッタリングにより膜厚が５０〜５００オング
ストロームの第一の金属薄膜を形成し、該第一の金属薄
膜に接して、銅をターゲットにして、スパッタリングに
より膜厚が１０００〜４２０００オングストロームの第
二の金属薄膜を形成した、フレキシブル回路基板。 - 【請求項１９】 膜厚が２５〜１２５μｍのポリイミド
フィルムの両面に接して、モネルメタルをターゲットに
して、スパッタリングにより膜厚が５０〜５００オング
ストロームの第一の金属薄膜を形成し、該第一の金属薄
膜の両面に接して、銅をターゲットにして、スパッタリ
ングにより膜厚が１０００〜４２０００オングストロー
ムの第二の金属薄膜を形成した、フレキシブル回路基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34752091A JPH05299819A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | フレキシブル回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34752091A JPH05299819A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | フレキシブル回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299819A true JPH05299819A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=18390783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34752091A Withdrawn JPH05299819A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | フレキシブル回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299819A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697616A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル回路基板用材料 |
| JP2006159634A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Furukawa Circuit Foil Kk | 銅メタライズド樹脂及びその製造方法 |
| JP5497911B2 (ja) * | 2010-11-12 | 2014-05-21 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | フレキシブルラミネート基板への回路形成方法 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34752091A patent/JPH05299819A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697616A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル回路基板用材料 |
| JP2006159634A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Furukawa Circuit Foil Kk | 銅メタライズド樹脂及びその製造方法 |
| JP5497911B2 (ja) * | 2010-11-12 | 2014-05-21 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | フレキシブルラミネート基板への回路形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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