JPH0530295B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の背景） ［発明の属する技術分野］ 本発明は微細デバイスの製造、特に、Ｘ線リソ
グラフイー技術を用いた微細デバイスの製造に関
する。

［従来技術の説明］ Ｘ線リソグラフイーはサブミクロンサイズの
VLSI回路素子の様な微細デバイスの製造に用い
られる技術である。この技術において、レジスト
が被覆された基材には、Ｘ線光源と基材との間に
挿入されたマスクを通してＸ線が照射される。

マスクはＸ線技術の鍵となる構成部分であり、
従つて広範囲な開発の主題となる。このようなマ
スクは、その上にＸ線を遮蔽するデバイスパター
ンを持つＸ線透過膜（又は層）から成る。これに
よつて製造するデバイスのパターンに従つて、Ｘ
線を遮へいする部分と、Ｘ線を透過するその他の
部分とを有するマスクが形成される。

この様な膜は、高度な寸法上の安定性を示すこ
とが重要である。更に、マスク−基材間のアライ
ンメントを容易にするために、膜は光学的に透明
であることが望ましい。

膜を作る様々な材料がこれまでに考えられた。
１つの有望として、材料はケイ素や炭化ケイ素の
ような物質に比べると抜きんでたＸ線透過性を示
すアモルフアス水素化チツ化ホウ素
（amorphoushydrogenated boron nitride）があ
る。張力下にあるチツ化ホウ素によつて、高いＸ
線及び光透過性、低い欠陥密度、そして抜きんで
た機械的特性を持つ大きな膜を製造することがで
きる。例えば、米国特許（U.S.Patent）第
4522842号において、Ｘ線リソグラフイーに利用
できるこのような水素化チツ化ホウ素膜の一例が
述べられている。

最近、研究者らは、長期のＸ線照射、高い線量
のＸ線照射あるいはこの両方に起因する放射線損
傷（radiation damage）の水素化チツ化ホウ素
への効果を研究してきた。これらの研究の結果
は、“Ｘ線照射を受けたチツ化ホウ素マスク膜に
おける放射線損傷効果”と（ダブリユー・エー・
ジヨンソン（W.A.Johnson）ら、ジヤーナル・
バキユーム・サイエンス・テクノロジー
（Journal Vacuum Science Technolgy）Ｂ，５
巻、第１号、１月−２月、1987年、257−261頁）
に報告されている。

この論文に報告されている様に、Ｘ線照射は、
アモルフアス水素化チツ化ホウ素製の膜の光学
的、機械的特性を退化させ、従つて有効寿命を短
くする。特に酸素を含む雰囲気下で照射する場
合、チツ化ホウ素の被照射面上に好ましくない成
長が起こり、Ｘ線照射された膜の光透過性は吸収
線量が累積するに従つて低下することが論文に報
告されている。そして最も重要なことには、水素
化チツ化ホウ素の膜の張力が照射下において減少
し、従つてその上のデバイスパターンに歪みを引
き起こすことである。

実際、Ｘ線リソグラフイー技術は、Ｘ線光源の
高出力化や、動作のステツプ−リピアンドトモー
ド化に向けて進歩しつつある。この進歩に従い、
Ｘ線膜は非常に大きい放射線量に耐えねばならな
い。しかし前述したように、Ｘ線照射の累積が引
き起こす変化は、水素化チツ化ホウ素製の膜の深
刻かつ基本的な疲労の要因であると思われる。こ
の疲労のメカニズムが存在することで、Ｘ線リソ
グラフイー用のマスクの材料として他の点では魅
力的である。この材料が使用をされなくなるおそ
れがある。

したがつて本技術に携わる研究者は、前述した
Ｘ線照射が引き起こす現象を理解すること、及
び、上記の問題が生じないＸ線リソグラフイーマ
スク用の膜を考案することにかなりの努力を傾け
ている。

（発明の概要） このようなＸ線リソグラフイーマスク用の膜
は、本発明によると、水素を含まずホウ素を含む
化合物、特にチツ化ホウ素によつて製造すること
ができる。好適なこの材料はホウ素−チツ素の原
子比が１：１であり、以下BNと示す。しかしな
がらBN膜は本質的に好ましくない圧縮応力状態
を示す。これゆえ更に出願人の発明によつて、水
素を含まないBN膜は適当な張力の状態におかれ
る。これを行なう１つの特別な方法は、BN膜
に、水素を含まないB₃Ｎのような本質的に張力
のある材料の層を結合することである。BN膜の
厚さを適当に調節することによつて、BN膜が適
当な緊張状態となつた混成層構造が得られる。

（実施例の説明） 以前に、Ｘ線リソグラフイー用マスク膜の形成
に用いられていた水素を含む（又は水素化）チツ
化ホウ素は、実際には異なる構成であつた。実際
に堆積する水素化チツ化合物のある形態は、その
材料を堆積させるために選択された特別なプロセ
スパラメータ（すなわち、温度、圧力、B₂H₆／
NH₃比、B₂H₆分圧等）の関数である。

既知の水素化チツ化ホウ素のある形態は、B₃
NHで示される。これは前述したジヨンソンらの
論文で報告されたアモルフアスチツ化ホウ素の形
態である。

前述したように、B₃NHのような既知材料のＸ
線マスク膜におけるＸ線照射によつて誘起される
効果が３つあり、膜の表面および内部の双方の特
性に悪影響を与えるものである。第１に、前述し
た膜表面の成長は、過剰な遊離ホウ素によるもの
と考えられる。照射下では、ホウ素の表面ダング
リング結合（dangling bonds）が生成する。更
に、これらの結合は周囲の酸素と反応可能である
ために、酸化ホウ素の結晶が成長し、これらの結
晶成長によつて光アラインメント信号が低下す
る。第２に膜表面内部のダングリングホウ素結合
は膜の光透過性を減少させるミツドバンド ギヤ
ツプ トラツプ（又は色中心（color centers））
を生成する。そして第３に、B₃NH膜が十分に高
い線量、および線量率で照射されると、その中の
水素の結合形態は、多くの水素がよりゆるく結合
するように変化入する。このように、ゆるい結合
となることで、膜に張力が低くなり、ゆるい状態
となる。このような様々な張力の変化は、マスク
のデバイスパターンに大きく様々な歪みを生じさ
せる。これらの種々の変化は、複数のマスクを用
いる製造プロセスにおいて正確なアラインメント
を達成しようとすれば、見過ごすことはできな
い。

本発明の原理によれば、Ｘ線リソグラフイーの
為の膜は、水素を含まずホウ素を含む膜から成る
材料で作られる。

材料の中に水素が存在しないようにすれば、そ
の応力の変化の主要因が除かれる。更に、本発明
の具体例によれば、水素を含まない膜はBNでけ
形成するのが有利である。

重要なことは、この様な材料の中に過剰な遊離
ホウ素が存在しないことである。したがつて、前
述した、結晶成長や光透過性の低下などの照射に
起因する問題も除去される。

前述のBN材料は本質的に圧縮応力を示し、こ
の圧縮応力によつて、一般に、BN膜はＸ線リソ
グラフイー用の膜としての使用に適さない。従つ
て、本発明によれば、BN膜に特定の範囲の張力
−すなわちBN膜を適当な張力条件におき、維持
する為に十分な範囲の張力を様々なアプローチが
なされる。

図面は本発明の１つの具体例に従つたＸ線リソ
グラフイーシステムの特定の部分を示す。図のシ
ステムにおいて、Ｘ線源１０はＸ線をダツシユ線
１２に示されるように放射する。放射されたＸ線
は、矢印で示されるようにマスク１４に向かう。
マスク１４から離れて基材１６（すなわち半導体
ウエーハ）が設けられ、基材１６には標準的なＸ
線感光レジスト（Ｘ−ray−sensitive resist）か
ら成る層１８が含まれている。実例では、基材１
６は約10センチメートル（cm）の直径ｄを持つ円
柱状のデイスク又はウエーハから成る。

マスク１４は寸法上安定な、例えばガラス製の
リング２０を含む。ケイ素で作られたリング２２
は、エポキシ接合剤の層２１のような適当な方法
で、リング２０に取り付けられる。更に層２４，
２６，２８そして３０から成る多層構造がリング
２２によつて支えられる。

マスク１４はまた、要素３２から成るＸ線遮蔽
パターンを含む。これらの要素は基材１６上のレ
ジスト層１８に転写されるべきパターンを決定す
るものである。

層２８は前述のBN製の本質的に圧縮性を有す
る膜より成る。本発明の特徴に従つて、層２８
は、張力状態にある層と結合することによつて、
特定の範囲の張力を持つ状態を達成するように調
整される。層２６がこの張力を持つ層である。

一例として、層２６はB₃Ｎのような水素を含
まないチツ化ホウ素から成る。この材料は本質的
に高い張力を持ち、そして水素を含まないがため
に、たとえＸ線で強く長時間照射されても、その
状態は安定である。

実例では、B₃Ｎ製の層２６は１平方センチメ
ートル当たり約１×10⁹ダインの張力を示す。こ
の応力状態は高度な安定性を持ち、そして本質的
に層２６の厚さに依存しない。一例として、層２
６を約３マイクロメータ（μm）の厚さで形成す
ることが好都合であつた。

本質的に縮んだBN層２８と本質的に張力のあ
るB₃Ｎ層２６とから成る２層構造の総合の混成
張力は、層２６上に堆積する層２８の厚さによつ
て決定する。層２８の厚さが増すほど、構造の混
成張力は弱くなる。実際には、厚さ3μmのB₃Ｎ
層と厚さ約0.5μmのBN層とから成る混成構造は、
総合で約0.2×10⁹ダイン／cm²の張力を示す。これ
は、このような構造に普通望まれる張力範囲であ
る0.1×10⁹ダイン／cm²の領域内である。

以下に述べる理由から、過剰の遊離のホウ素が
B₃Ｎ層からリング２２を形成するケイ素ウエー
ハへ拡散するのを防ぐ障壁を設けることが好まし
い。例えば、BN（又はS_iO₂のような他の障壁物
質）から作製された厚さ30ナノメーターの層２４
は、このような障壁の役割を効果的に果たす。更
に、層２４は層２６の上面を不活性化し、それに
よつて結晶成長を防ぐのに効果的である。

実例では、BN層２８の底面上に形成されるパ
ターン要素３２は、金のような適当なＸ線遮蔽材
料で形成される。好ましくは、これらの要素は、
ベリリウム又は標準的なモノマー又は高分子プラ
スチツク材料のようなＸ線透過物質で形成された
層３０によつて覆われるのがよい。層３０は、取
扱い中、要素３２を損傷から守るが、Ｘ線リソグ
ラフイーシステムでマスクとして実際に使用され
ている間は、取り除かれてもよい。

B₃Ｎで形成された層２６は、一般に、アニー
ル（後述する）の後では、マスク及び基材上に設
けられた相応するマーク（図示されていない）同
士の光学的アラインメントが行える程に十分光学
的に透明ではない。図示されたマスクの上方に位
置する光学顕微鏡（図示されていない）によるこ
のアラインメントを容易にするために、層２６内
に複数のいわゆるビユーイングポートを形成する
のが好ましい。例として、それぞれ直径約２ミリ
メートルの、ポート３４，３６を、図示する。以
下に述べるマスク製造工程より明らかなように、
これらのポートは、BN層２４を通して延びてい
る。

マスク１４製造工程の一例を述べる。先ず、層
２４が、例えば、直径約10cm、厚さ約500μmのケ
イ素ウエーハの主平面上に形成される。（図示さ
れているリング２２は、このケイ素ウエーハをエ
ツチングすることによつて形成される）実際に
は、層２４はジボラン（B₂H₆）とアンモニア
（NH₃）を成分気体として用いた低圧化学気相成
長（LPCVD）プロセスにおいて形成される。温
度範囲450から500（℃）、約30から130パスカルの
圧力範囲で十分な成長が行われる。ある特定のプ
ロセスにおいて、475℃及び30パスカルを選択し、
NH₃の流速を約3000標準立方センチメートル／
分（sccm）、B₂H₆（実際はチツ素中15パーセント
のB₂H₆）の流速を約40sccmとした。結果とし
て、ケイ素ウエーハの表面上に毎分約0.5から
1.0nmの速度で30nmの厚さの水素を含むBN層２
４が成長した。

上記の代わりに、層２４は成分気体としてホウ
素トリエチルアミン錯体（C₂H₅）₃Ｎ・BH₃と
NH₃、又はホウ素ジエチルアミン錯体（C₂H₅）₂
NH・BH₃ＮとNH₃を用いても形成できる。この
場合のLPCVDプロセスのパラメータは、375か
ら850℃（例えば800℃）、30から130パスカル（実
例は65Pa）、NH₃の流速約250sccm、約120℃に
加熱したバブラーによつて先に明記した錯体のい
ずれかを通してバブルしたチツ素の流速は約
500sccmである。このプロセスでは、約1.0から
2.0nm／分の成長速度が得られるこのような成長
をやく800℃で行つた結果、成長したBN層には
一般に水素が含まれなかつた。

続いて、層２６を層２４の表面にLPCVDプロ
セスで成長させる。実際には、これは約375℃、
30パスカルで行ない、B₂H₆の流速約50sccm、そ
してNH₃の流速約50sccmで行なつた。これによ
つて、水素を含む厚さμmのB₃Ｎ層が約1.0から
2.0nm／分の速度で成長する。

上記した手順で、水素を含むB₃Ｎでできた起
伏のない層２６が得られる。このような起伏のな
い層２６が得れることによつて、例えばＸ線照射
によつて歪みを生じ得るポリイミドなどで作られ
た平面化のための層を設ける必要がある。

水素を含むB₃Ｎ層２６はまた前述したホウ素
−トリエチルアミン錯体とNH₃又はホウ素−ジ
エチルアミン錯体とNH₃を用いても成長させる
ことができる。実際には、これは約800℃、65パ
スカルで行なわれ、NH₃の流れを、所望の化学
量論比で成長するように止めたり調整したりす
る。

次に、層２８が層２６の表面上に層２４を形成
するための上記プロセス工程のどちらかにしたが
つて形成される。これによつて、500nmの厚さの
層２８が形成される。層２４，２６そして２８が
各々前述したホウ素錯体とNH₃を構成成分とし
て形成されるのは好都合である。実際、このよう
な一般的な化学作用を利用することで、これらの
層を容易に成長させることができる。

この時点で、前述した３つの層２４，２６，２
８が形成されたケイ素ウエーハを比較的高温でア
ニールし、全ての水素を除去する。一例におい
て、これは1075℃以上の温度（例えば1100℃）で
約１時間、真空中又はアルゴンやチツ素ののよう
な不活性な雰囲気内で行なう。

水素を除去するための前述の層の高温アニール
は他の方法でも実行できる。例えば、高速熱アニ
ール（rapid−thermal−annealing，RTA）、レ
ーザアニール（laser annealing）または荷電粒
子線アニール（charged particle−beam
annealing）技術が層２４，２６、そして２８か
ら水素を除去するために利用できる。

次に、Ｘ線遮蔽材料の層を層２８の表面に成長
させる。次に標準的なエツチング技術を用いて、
前述のケイ素ウエーハの内側部分を全て除去し、
それによつて、図に示されるケイ素リング２２の
みを残こす。そして、ガラスリング２０をケイ素
リング２２に接着する。

前述のリング２２を形成するためのケイ素ウエ
ーハのエツチングは、もし、1100℃で水素を除去
する段階でB₃Ｎ層２６からウエーハにホウ素が
拡散していたなら、もつと困難だつたであろう。
このような高温拡散を防ぎ、従つてエツチングを
容易にするために、前述のように層２４をホウ素
の拡散障壁として、層２６とウエーハの間に挿入
したのである。

次に、ビユーイングポート（viewing ports）
３４と３６を、層２４と２６中にドライ又はウエ
ツトエツチング技術によつて形成する。次にＸ線
遮蔽材料をパターン化して要素３２を形成し、最
後のベリリウムのような透明な保護層３０を形成
する。

上記の高温アニール段階で、初めは光透過性だ
つたB₃Ｎ層２６は不透明になる。この不透明化
は、アニールされたB₃Ｎ構造の、ホウ素の多い
相とチツ化ホウ素相への相分離によると考えられ
る。この約1.5eVのバンドギヤツプによつてホウ
素の多い相は光を吸収し、アニールした層２６を
不透明化する。

前述の相分離はBNで形成された上又は下の層
に関して層２６を選択的にエツチングするための
論拠を提供する。実際はこのエツチングは熱硝酸
を用いて行なわれる。このような選択的ウエツト
エツチングは、例えば上記のビユーイングポート
３４と３６を形成する標準的なリソグラフイー技
術と共に用いることができる。

本発明の原理にによれば、上述した又は図示し
た実例以外の技術でも、BN層２８の本質的な圧
縮応力を適当な範囲の張力を持つ状態にするよう
調整することができる。例えば、ケイ素のように
張力を誘起する成分を選択的にBN層２８に加え
ることで、その張力を特定の値に調整できる。こ
の場合、層２８は直接ケイ素リング２２上にあ
り、図の層２４，２６は不要である。

更に、層２４と２６を持たないBN層２８を利
用したＸ線リソグラフイーマスク用の膜は他の方
法で適当な張力を示すように調整できる。例えば
層２８を機械的に伸ばすことで張力を与えること
ができる。実際には、これは、リング２０と２２
で決定され空洞内に加重リングを置くことによつ
て行なう。このような、層２８の上表面の周辺部
分に接している加重リングは、層２８の内部を張
力状態に置くために効果的である。

更にBN層２８を用いた層２４と２６を持たな
い膜の張力は他の方法でも調整できる。例えば支
持リング２２は、そこに直接付着している層２８
の材料より低い直線的な膨脹係数を持つ石英のよ
うな材料で形成することができる。このような構
造が製造工程において冷却されると、それによつ
て所望の張力がBN層２８に与えられる。

水素を含まないチツ化ホウ素膜が照射下におい
て高度に安定した応力状態を示すという出願人の
発見は、更に他のＸ線リソグラフイーマスクに適
した膜を構成するための基礎を提供する。このよ
うな膜として機能する例としては、例えば、BN
で形成された薄い拡散障壁をB₃Ｎ層と支持のケ
イ素リング２２との間に有する水素を含まない
B₃Ｎ層がある。（前述したように、B₃Ｎそれ自身
は約１×10⁹ダイン／cm²の張力を持つ）。このよう
な膜の光学的アラインメントを容易にするため
に、ビユーイングポートをB₃ＮとBN層に設ける
ける事が望ましく、そして、これらのポートによ
つて決定される空間をそれぞれつなぐために、
B₃Ｎ層の底面にアラインメントマークを形成す
る。これらのマークはビユーイングポートを通し
て見ることができ、そして組合せる基材上に設け
られた相応するマークと各々一致させる。

レーザ又は荷電粒子線（charged−particle−
beam）技術によつて、張力のある水素を含むB₃
Ｎ層のある部分のみをアニールすることも可能で
ある。この方法では、層のＸ線に当たる部分のみ
をアニールすれば、その部分から水素を除去する
ことができる。従つて、この部分のみが不透明に
なる。そのほかのアニールしていない部分は光透
過性を保ち、これゆえ、ポートを形成することな
く、光学的アラインメントが可能である。

なお、上述した構造や加工技術は本発明の原理
の１つの実施例にすぎない。これらの原理に従つ
て、多数の応力や他の例が当業者によつて、本発
明の要旨を離れずに考案され得る。例えば、出願
人は水素を含まずホウ素を含む外の物質も、Ｘ線
リソグラフイー用のマスクに用いる安定な膜を形
成するために適していることを確信する。水素を
含まない炭化ホウ素はその様な他の物質の実例の
１つである。更に、水素を含まないホウ素は膜と
しての使用には適切である； 実質上純粋なホウ素はＸ線透過性を高く、本質
的に張力があり、そして極めて強い。

（B₃Ｎのそれより10倍高いヤング率を示す。） 更には、水素を含まないホウ素膜から成るマス
クにおいて、ホウ素膜の１つの主表面上に拡散障
壁層を含み、他の主表面上に不活性化層を含むこ
とは好ましい。

例えば、BNは障壁及び不活性化層の双方の形
成に適切な物質である。

また水素を含まないホウ素から成るこのような
膜において、光学的アラインメントを容易にする
ために上述したようなビユーイングポートを含む
ことも好ましいことである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の具体例に従つた、特定のＸ線
リソグラフイーシステムの断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ Ｘ線を遮蔽するデバイスパターン３２を有す
   るマスクとがデバイス基材１６とを整合させて、
   Ｘ線を照射するＸ線リソグラフイーによるデバイ
   ス製造方法において、 前記マスクが水素を含まずホウ素を含む膜２８
   から成ることを特徴とするデバイス製造方法。 ２ 前記マスクは、水素を含まないBN膜２８
   と、膜を張力を持つ状態に維持する為の手段２６
   とから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載のデバイス製造方法。 ３ 前記維持手段が前記BN膜２８上に位置する
   水素をを含まないB₃Ｎ（チツ化三ホウ素）層２６
   から成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項
   に記載のデバイス製造方法。 ４ ホウ素の拡散に対する障壁層が前記B₃Ｎ層
   上に位置することを特徴とする特許請求の範囲第
   ３項に記載のデバイス製造方法。 ５ 前記マスクと基材とに設けられた対応するア
   ラインメントマークを見通すために、前記拡散障
   壁層と前記B₃Ｎ層内にポートが形成されること
   を特徴とする特許請求の範囲第４項に記載のデバ
   イス製造方法。 ６ 前記維持手段は、前記BN膜の材料に付加さ
   れた、応力を引き起こす構成材料から成ることを
   特徴とする特許請求の範囲第２項に記載のデバイ
   ス製造方法。 ７ 前記構成材料はケイ素を含むことを特徴とす
   る特許請求の範囲第６項に記載のデバイス製造方
   法。 ８ 前記維持手段は、膜に張力を与えるために前
   記BN膜の周辺部分に接合したリング部材から成
   ることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載
   のデバイス製造方法。 ９ 前記マスクは更に水素を含まないB₃Ｎ膜を
   含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載のデバイス製造方法。 １０ ホウ素の拡散に対する障壁層が前記B₃Ｎ
   膜上に位置することを特徴とする特許請求の範囲
   第９項に記載のデバイス製造方法。 １１ 前記マスクと前記基材に設けられた対応す
   るアラインメントマークを見通すために前記拡散
   障壁層と前記B₃Ｎ膜内にポートが設けられてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記
   載のデバイス製造方法。 １２ 前記膜は水素を含まないホウ素膜から成る
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
   デバイス製造方法。 １３ Ｘ線リソグラフイーによるデバイス製造に
   用いるためのマスク構造において、 Ｘ線透過膜２８と前記膜上に設けられたＸ線遮
   蔽デバイスパターン３２とを含み、 前記膜２８が張力を持つ状態にある水素を含ま
   ない層から成ることを特徴とするマスク構造。 １４ 前記膜２８が張力を持つ状態にある水素を
   含まないチツ化ホウ素層から成ることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１３項に記載のマスク構造。 １５ Ｘ線リソグラフイーによつてデバイスの構
   成を定めるためのシステムにおいて、 上部にＸ線を遮蔽するデバイス構成パターン３
   ２を有し、ホウ素を含む膜２８からなる、Ｘ線透
   過マスクと、前記マスクと整合するデバイス基材
   １６と、前記デバイス構成パターンを前記基材に
   定着するために前記マスクをＸ線で照射する手段
   とを有し、前記膜２８が水素を含まず、張力を持
   つ状態にあることを特徴とするデバイス製造シス
   テム。 １６ 前記膜が、張力を持つ状態にある、水素を
   含まないチツ化ホウ素から成ることを特徴とする
   特許請求の範囲第１５項に記載のシステム。 １７ 張力のある状態にあるホウ素と水素を含む
   膜上のＸ線を照射する部分に、Ｘ線遮蔽デバイス
   パターンを形成するステツプと、 前記膜と整合したデバイス基材上に前記パター
   ンを投影するために、前記部分にＸ線を照射する
   ステツプと、 前記部分をＸ線照射するステツプに先立つて、
   前記膜の前記部分のみをアニールして水素を除去
   するステツプと、を有することを特徴とするデバ
   イス製造方法。 １８ 前記基材は、前記膜のアニールされていな
   い部分の光透過性を利用して、前記膜と整合する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１７項に記載
   のデバイス製造方法。