JPH0530323B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0530323B2 JPH0530323B2 JP58043482A JP4348283A JPH0530323B2 JP H0530323 B2 JPH0530323 B2 JP H0530323B2 JP 58043482 A JP58043482 A JP 58043482A JP 4348283 A JP4348283 A JP 4348283A JP H0530323 B2 JPH0530323 B2 JP H0530323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- capacitors
- sintered body
- inductor
- laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors incorporating printed resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4688—Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コンデンサ、抵抗及び導体配線を含
む複合積層セラミツク基板を有する広帯域圧電発
振器に関する。
む複合積層セラミツク基板を有する広帯域圧電発
振器に関する。
従来、水晶発振器等における水晶振動子、コン
デンサ、抵抗等の受動部品およびトランジスタ、
ダイオード等の能動部品は、セラミツク等の基板
にプリント配線層を設け半田付けして回路を作
り、それをユニツトとして用いることが行なわれ
ていた。
デンサ、抵抗等の受動部品およびトランジスタ、
ダイオード等の能動部品は、セラミツク等の基板
にプリント配線層を設け半田付けして回路を作
り、それをユニツトとして用いることが行なわれ
ていた。
この場合、円板形またはチツプ型のコンデンサ
やチツプ抵抗等を１個づつ取付けねばならなかつ
た。
やチツプ抵抗等を１個づつ取付けねばならなかつ
た。
一方、従来、水晶振動子等の圧電素子を用いた
発振器の発振周波数においてその基本波および３
次、５次等の高次の周波数を得ようとした場合、
電気回路およびそれを構成するコンデンサ、抵抗
等の部品を変更する必要があつた。具体的に図に
よつて説明すると第１図は、ある固有振動数をも
つた水晶発振器により構成された基本波を発生す
るための回路図である。回路は水晶振動子２１、
増幅用トランジスタ２２、およびコンデンサ１〜
６、抵抗１１〜１５より構成されている。この水
晶振動子２１の３次、５次等の高次の周波数を得
るためには第２図に示すように、新たにインダク
ター２３を必要とするほかにコンデンサ３１〜３
６および抵抗４１〜４５のうち一部を適当なもの
に変更することも必要になつてくるというよう
に、新たな回路を形成しなければならなかつた。
発振器の発振周波数においてその基本波および３
次、５次等の高次の周波数を得ようとした場合、
電気回路およびそれを構成するコンデンサ、抵抗
等の部品を変更する必要があつた。具体的に図に
よつて説明すると第１図は、ある固有振動数をも
つた水晶発振器により構成された基本波を発生す
るための回路図である。回路は水晶振動子２１、
増幅用トランジスタ２２、およびコンデンサ１〜
６、抵抗１１〜１５より構成されている。この水
晶振動子２１の３次、５次等の高次の周波数を得
るためには第２図に示すように、新たにインダク
ター２３を必要とするほかにコンデンサ３１〜３
６および抵抗４１〜４５のうち一部を適当なもの
に変更することも必要になつてくるというよう
に、新たな回路を形成しなければならなかつた。
また、異なつた特性をもつた水晶振動子を用い
て所望の発振周波数を得ようとした場合もコンデ
ンサ、抵抗等の部品を変更しなければならなかつ
た。
て所望の発振周波数を得ようとした場合もコンデ
ンサ、抵抗等の部品を変更しなければならなかつ
た。
このように従来においては所望する周波数に対
してその都度回路を形成するか又は変更するため
コスト的にも時間的にもまた形状的にも不利であ
つた。
してその都度回路を形成するか又は変更するため
コスト的にも時間的にもまた形状的にも不利であ
つた。
本発明の目的は、上述の欠点を除去せしめ小
型、高精度でかつ経済的にすぐれた広帯域圧電発
振器を実現するものである。
型、高精度でかつ経済的にすぐれた広帯域圧電発
振器を実現するものである。
すなわち本発明は、積層焼結体の内部に値の異
なる複数のコンデンサと値の異なる複数の抵抗素
子と配線用導体とを形成し、積層焼結体の表面に
トランジスタとインダクターと特性の異なる複数
の圧電振動子とを備えた積層型広帯域圧電発振器
であつて、 前記複数の圧電振動子のうちから任意の１つを
選択して接続するスイツチと、 前記選択された圧電振動子の特性に合わせて、
前記複数のコンデンサのうちから１つを選択して
シヨートバーにより接続する第１の接続端子部
と、 前記選択された圧電振動子の特性に合わせて、
前記複数の抵抗素子のうちから１つを選択してシ
ヨートバーにより接続する第２の接続端子部と
を、積層焼結体の表面に設け、 少なくとも、前記トランジスタと前記選択され
た圧電振動子と前記選択されたコンデンサと前記
選択された抵抗素子とを含んで発振回路を構成す
ることを特徴とする積層型広帯域圧電発振器であ
る。
なる複数のコンデンサと値の異なる複数の抵抗素
子と配線用導体とを形成し、積層焼結体の表面に
トランジスタとインダクターと特性の異なる複数
の圧電振動子とを備えた積層型広帯域圧電発振器
であつて、 前記複数の圧電振動子のうちから任意の１つを
選択して接続するスイツチと、 前記選択された圧電振動子の特性に合わせて、
前記複数のコンデンサのうちから１つを選択して
シヨートバーにより接続する第１の接続端子部
と、 前記選択された圧電振動子の特性に合わせて、
前記複数の抵抗素子のうちから１つを選択してシ
ヨートバーにより接続する第２の接続端子部と
を、積層焼結体の表面に設け、 少なくとも、前記トランジスタと前記選択され
た圧電振動子と前記選択されたコンデンサと前記
選択された抵抗素子とを含んで発振回路を構成す
ることを特徴とする積層型広帯域圧電発振器であ
る。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第３図に本発明による実施回路例を示す。ここ
で２１−１〜２１−３は異なる特性をもつ水晶振
動子であり、１−１〜１−３および３−１〜３−
３は所望の水晶振動子を選んだ場合の適合コンデ
ンサであり、また１１−１〜１１−３は同じく適
合抵抗であり、２３は３次、５次等の高次の周波
数を得るために必要なインダクターである。この
回路は複数個の水晶振動子２１−１〜２１−３の
中から希望の特性をもつ水晶振動子を選んだ場
合、この回路から発振周波数を基本波としたいな
らばインダクター２３を接続せず、またコンデン
サ１−１〜１−３および３−１〜３−３、抵抗１
１−１〜１１−３を水晶振動子の特性に合わせて
選択することにより得られる。また３次・５次等
の高次の周波数としたいならばインダクター２３
を接続し、コンデンサ１−１〜１−３、３−１〜
３−３および抵抗１１−１〜１１−３を選定する
ことによつて得ることができる。
で２１−１〜２１−３は異なる特性をもつ水晶振
動子であり、１−１〜１−３および３−１〜３−
３は所望の水晶振動子を選んだ場合の適合コンデ
ンサであり、また１１−１〜１１−３は同じく適
合抵抗であり、２３は３次、５次等の高次の周波
数を得るために必要なインダクターである。この
回路は複数個の水晶振動子２１−１〜２１−３の
中から希望の特性をもつ水晶振動子を選んだ場
合、この回路から発振周波数を基本波としたいな
らばインダクター２３を接続せず、またコンデン
サ１−１〜１−３および３−１〜３−３、抵抗１
１−１〜１１−３を水晶振動子の特性に合わせて
選択することにより得られる。また３次・５次等
の高次の周波数としたいならばインダクター２３
を接続し、コンデンサ１−１〜１−３、３−１〜
３−３および抵抗１１−１〜１１−３を選定する
ことによつて得ることができる。
次にこの実施例の発振器の構造の断面図を模式
的に第４図に示す。ここで第３図に示す水晶振動
子、トランジスターおよびインダクター以外のコ
ンデンサ１−１〜１−３，２，３−１〜３−３，
４−６、および抵抗１１−１〜１１−３，１２〜
１５は、積層基板内部に形成されている。また特
定の特性をもつ水晶振動子に適合した回路を形成
するための接続端子部、３次・５次等の高次の周
波数を発振させるのに適合した回路を形成するた
めの接続端子部、および複数個の水晶振動子のう
ちから希望の周波数である１個の水晶振動子を選
定するためのスイツチは積層基板の表面に形成さ
れている。一方、図において５１は絶縁体シー
ト、５２は誘電体シート、５３はスルーホール
部、５４は印刷法又はグリーンシート法により形
成された抵抗体層、５５は導体層、５６はコンデ
ンサ形成用内部電極層、６１は抵抗形成部分、６
２はコンデンサ形成部分、６３は接続端子部、６
４は切換えスイツチ、７１は水晶振動子、７２は
トランジスタ、７３はインダクターである。
的に第４図に示す。ここで第３図に示す水晶振動
子、トランジスターおよびインダクター以外のコ
ンデンサ１−１〜１−３，２，３−１〜３−３，
４−６、および抵抗１１−１〜１１−３，１２〜
１５は、積層基板内部に形成されている。また特
定の特性をもつ水晶振動子に適合した回路を形成
するための接続端子部、３次・５次等の高次の周
波数を発振させるのに適合した回路を形成するた
めの接続端子部、および複数個の水晶振動子のう
ちから希望の周波数である１個の水晶振動子を選
定するためのスイツチは積層基板の表面に形成さ
れている。一方、図において５１は絶縁体シー
ト、５２は誘電体シート、５３はスルーホール
部、５４は印刷法又はグリーンシート法により形
成された抵抗体層、５５は導体層、５６はコンデ
ンサ形成用内部電極層、６１は抵抗形成部分、６
２はコンデンサ形成部分、６３は接続端子部、６
４は切換えスイツチ、７１は水晶振動子、７２は
トランジスタ、７３はインダクターである。
前記調整用コンデンサ１−１〜１−３，３−１
〜３−３および抵抗１１−１〜１１−３は基板表
面に形成した接続端子部をシヨートバーにより接
続すれば選定できる。
〜３−３および抵抗１１−１〜１１−３は基板表
面に形成した接続端子部をシヨートバーにより接
続すれば選定できる。
第５図〜第８図に前記調整用コンデンサを作製
する実施例及び第９図〜第１１図に調整用抵抗を
作製する実施例を示す。第５図ａ，ｂは絶縁体シ
ート５１上に接続端子部６３が形成されたもの。
第６図ａ，ｂは抵抗体層５４が形成され、スルー
ホール中には導体が形成された絶縁体シート、第
７図ａ，ｂは３種類の形状のコンデンサ形成用内
部電極層が形成された誘電体シート５２、第８図
ａ，ｂは同じくコンデンサ形成用内部電極層が形
成された絶縁体シートである。第５図のシートを
最外層として配置し、次に第６〜８図のシートの
順で積層し、焼成する。第９図ａ，ｂも第５図と
同様に絶縁体シート５１上に接続端子部６３が形
成されたもの。第１０図ａ，ｂは絶縁体シート上
に配線用導体が形成されたもので、さらに第１１
図ａ，ｂは３種類の形状の異なる抵抗体シートが
形成された絶縁体シートであり、この順に積層、
焼成して調整用抵抗を作製する。ここで各図のａ
はシートの平面図、ｂは断面図である。
する実施例及び第９図〜第１１図に調整用抵抗を
作製する実施例を示す。第５図ａ，ｂは絶縁体シ
ート５１上に接続端子部６３が形成されたもの。
第６図ａ，ｂは抵抗体層５４が形成され、スルー
ホール中には導体が形成された絶縁体シート、第
７図ａ，ｂは３種類の形状のコンデンサ形成用内
部電極層が形成された誘電体シート５２、第８図
ａ，ｂは同じくコンデンサ形成用内部電極層が形
成された絶縁体シートである。第５図のシートを
最外層として配置し、次に第６〜８図のシートの
順で積層し、焼成する。第９図ａ，ｂも第５図と
同様に絶縁体シート５１上に接続端子部６３が形
成されたもの。第１０図ａ，ｂは絶縁体シート上
に配線用導体が形成されたもので、さらに第１１
図ａ，ｂは３種類の形状の異なる抵抗体シートが
形成された絶縁体シートであり、この順に積層、
焼成して調整用抵抗を作製する。ここで各図のａ
はシートの平面図、ｂは断面図である。
ここで用いる絶縁体生シートは酸化アルミニウ
ム40〜60重量％、ホウケイ酸鉛系結晶化ガラス40
〜60重量％の組成範囲で総量100％となるように
選んだ混合粉末を有機バインダー、有機溶媒、可
塑剤と共に泥漿状にしドクターブレード法等のス
リツプキヤステング製膜により20〜300μmの生シ
ートをポリエステルフイルム上に成形し剥離した
のち所望の寸法にパンチングしてシートを得る。
ここで用いた結晶化ガラス粉末の組成は酸化物換
算表記に従つたとき酸化鉛、酸化ホウ素、二酸化
ケイ酸、族元素酸化物、族元素（但し、炭
素、ケイ素、鉛は除く）酸化物をそれぞれ重量比
３〜65％、２〜50％、４〜65％、0.1〜50％、
0.02〜20％の組成範囲で総量100％となるように
選んだ組成物で構成されている。
ム40〜60重量％、ホウケイ酸鉛系結晶化ガラス40
〜60重量％の組成範囲で総量100％となるように
選んだ混合粉末を有機バインダー、有機溶媒、可
塑剤と共に泥漿状にしドクターブレード法等のス
リツプキヤステング製膜により20〜300μmの生シ
ートをポリエステルフイルム上に成形し剥離した
のち所望の寸法にパンチングしてシートを得る。
ここで用いた結晶化ガラス粉末の組成は酸化物換
算表記に従つたとき酸化鉛、酸化ホウ素、二酸化
ケイ酸、族元素酸化物、族元素（但し、炭
素、ケイ素、鉛は除く）酸化物をそれぞれ重量比
３〜65％、２〜50％、４〜65％、0.1〜50％、
0.02〜20％の組成範囲で総量100％となるように
選んだ組成物で構成されている。
誘電体生シートはFe2O3，PbO，Nb2O5，WO3
の粉末を所定量秤量し、ボールミル混合してろ過
乾燥後700〜800℃で予焼を行なつたのちボールミ
ル粉砕した粉末を有機バインダー、有機溶媒、可
塑剤と共に混合し泥漿状にして絶縁体生シートの
作成と同様にドクターブレード法等のスリツプキ
ヤステイング製膜により10μm〜200μmのシート
を得た。ここで用いた誘電体材料はPb（Fe1/2・
Nb1/2）0.33（Fe2/3・Ｗ1/3）0.67O3の複合ペロブス
カイト化合物である。
の粉末を所定量秤量し、ボールミル混合してろ過
乾燥後700〜800℃で予焼を行なつたのちボールミ
ル粉砕した粉末を有機バインダー、有機溶媒、可
塑剤と共に混合し泥漿状にして絶縁体生シートの
作成と同様にドクターブレード法等のスリツプキ
ヤステイング製膜により10μm〜200μmのシート
を得た。ここで用いた誘電体材料はPb（Fe1/2・
Nb1/2）0.33（Fe2/3・Ｗ1/3）0.67O3の複合ペロブス
カイト化合物である。
また抵抗体としてはスクリーン印刷法により、
抵抗体ペーストを絶縁体生シート上又は誘電体生
シート上に形成する方法および抵抗体グリーンシ
ート片を用いて形成する方法がある。ここで抵抗
体ペーストは抵抗材料粉末と有機ビヒクルを三本
ロール等により混練することにより得られる。一
方抵抗体グリーンシートは二酸化ルテニウム粉末
と絶縁体生シートに用いたアルミナ・結晶化ガラ
ス粉末とをそれぞれ重量比10：90〜50：50の範囲
で所望の抵抗値が得られるように混合し、エチル
セルソルブ、ブチルカルビトールの有機溶媒、ブ
チルフタリル酸ブチルの有機可塑剤および有機バ
インダーとしてポリビニルブチラール等を加えて
泥漿化し、上述同様に製膜し20μm〜200μmのシ
ートを得た。
抵抗体ペーストを絶縁体生シート上又は誘電体生
シート上に形成する方法および抵抗体グリーンシ
ート片を用いて形成する方法がある。ここで抵抗
体ペーストは抵抗材料粉末と有機ビヒクルを三本
ロール等により混練することにより得られる。一
方抵抗体グリーンシートは二酸化ルテニウム粉末
と絶縁体生シートに用いたアルミナ・結晶化ガラ
ス粉末とをそれぞれ重量比10：90〜50：50の範囲
で所望の抵抗値が得られるように混合し、エチル
セルソルブ、ブチルカルビトールの有機溶媒、ブ
チルフタリル酸ブチルの有機可塑剤および有機バ
インダーとしてポリビニルブチラール等を加えて
泥漿化し、上述同様に製膜し20μm〜200μmのシ
ートを得た。
電極層および信号線に用いる導体はAu，Ag，
Pd，Pt等の金属の単体もしくは１以上含んだ合
金粉末を有機ビヒクルとともに混練しペースト状
にしたものを使用した。
Pd，Pt等の金属の単体もしくは１以上含んだ合
金粉末を有機ビヒクルとともに混練しペースト状
にしたものを使用した。
以上のように作製した各種シートとペーストを
所定の配列で積層、切断し、900℃で焼成した。
次にこの積層焼結体の表面に半導体素子、複数の
圧電振動子、及び圧電振動子選択スイツチを形成
した。
所定の配列で積層、切断し、900℃で焼成した。
次にこの積層焼結体の表面に半導体素子、複数の
圧電振動子、及び圧電振動子選択スイツチを形成
した。
以上のような本発明構成法による積層型広帯域
水晶発振器を実現した結果、従来の形状の1/5〜
１／１０に体積を縮小した広帯域圧電発振器が実現で
き、さらに小型形状にもかかわらず希望の圧電振
動子および圧電振動子特性に適合した回路形成機
構を有しているため多機能でしかも高精能であり
かつ汎用性のある構造であるため経済的である。
なお、当然実施例で用いた水晶振動子でなく、他
の圧電物質を用いた振動子も使用可能である。
水晶発振器を実現した結果、従来の形状の1/5〜
１／１０に体積を縮小した広帯域圧電発振器が実現で
き、さらに小型形状にもかかわらず希望の圧電振
動子および圧電振動子特性に適合した回路形成機
構を有しているため多機能でしかも高精能であり
かつ汎用性のある構造であるため経済的である。
なお、当然実施例で用いた水晶振動子でなく、他
の圧電物質を用いた振動子も使用可能である。
第１図、第２図は従来用いられている基本波お
よび高次周波数用の水晶発振器の一例を示す回路
図、第３図は本発明の実施例を示す回路図、第４
図は本発明の実施例を示す積層型広帯域水晶発振
器の模式的構成断面図である。第５図〜第１１図
は本発明の発振器の製造方法を示す図である。 図において、１〜６はコンデンサ、１１〜１５
は抵抗、２１は水晶振動子、２２はトランジス
タ、２３はインダクター、３１〜３６はコンデン
サ、４１〜４５は抵抗、５１は絶縁体シート、５
２は誘電体シート、５３はスルーホール部、５４
は抵抗体層、５５は導体層、５６はコンデンサ形
成用内部電極層、６１は抵抗形成部分、６２はコ
ンデンサ形成部分、６３は接続端子部、６４は切
換えスイツチ、７１は水晶振動子、７２はトラン
ジスタ、７３はインダクター、９１はシヨートバ
ーである。
よび高次周波数用の水晶発振器の一例を示す回路
図、第３図は本発明の実施例を示す回路図、第４
図は本発明の実施例を示す積層型広帯域水晶発振
器の模式的構成断面図である。第５図〜第１１図
は本発明の発振器の製造方法を示す図である。 図において、１〜６はコンデンサ、１１〜１５
は抵抗、２１は水晶振動子、２２はトランジス
タ、２３はインダクター、３１〜３６はコンデン
サ、４１〜４５は抵抗、５１は絶縁体シート、５
２は誘電体シート、５３はスルーホール部、５４
は抵抗体層、５５は導体層、５６はコンデンサ形
成用内部電極層、６１は抵抗形成部分、６２はコ
ンデンサ形成部分、６３は接続端子部、６４は切
換えスイツチ、７１は水晶振動子、７２はトラン
ジスタ、７３はインダクター、９１はシヨートバ
ーである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 積層焼結体の内部に値の異なる複数のコンデ
ンサと値の異なる複数の抵抗素子と配線用導体と
を形成し、積層焼結体の表面にトランジスタとイ
ンダクターと特性の異なる複数の圧電振動子とを
備えた積層型広帯域圧電発振器であつて、 前記複数の圧電振動子のうちから任意の１つを
選択して接続するスイツチと、 前記選択された圧電振動子の特性に合わせて、
前記複数のコンデンサのうちから１つを選択して
シヨートバーにより接続する第１の接続端子部
と、 前記選択された圧電振動子の特性に合わせて、
前記複数の抵抗素子のうちから１つを選択してシ
ヨートバーにより接続する第２の接続端子部と
を、積層焼結体の表面に設け、 少なくとも、前記トランジスタと前記選択され
た圧電振動子と前記選択されたコンデンサと前記
選択された抵抗素子とを含んで発振回路を構成す
ることを特徴とする積層型広帯域圧電発振器。 ２ 前記選択された圧電振動子の発振周波数を基
本波とする場合には、前記発振回路は前記インダ
クターを含まず、発振周波数を高次の周波数とす
る場合には、前記発振回路は前記インダクターを
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の積層型広帯域圧電発振器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58043482A JPS59169210A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 積層型広帯域圧電発振器 |
| EP83112593A EP0111890B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-12-14 | Monolithic multicomponents ceramic substrate with at least one dielectric layer of a composition having a perovskite structure |
| DE8383112593T DE3382208D1 (de) | 1982-12-15 | 1983-12-14 | Monolithisches vielschichtkeramiksubstrat mit mindestens einer dielektrischen schicht aus einem material mit perovskit-struktur. |
| US06/561,506 US4574255A (en) | 1982-12-15 | 1983-12-15 | MMC Substrate including capacitors having perovskite structure dielectric and electrical devices including MMC substrate |
| AU22427/83A AU563467B2 (en) | 1982-12-15 | 1983-12-15 | Ceramic substrate for piezoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58043482A JPS59169210A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 積層型広帯域圧電発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169210A JPS59169210A (ja) | 1984-09-25 |
| JPH0530323B2 true JPH0530323B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=12664939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58043482A Granted JPS59169210A (ja) | 1982-12-15 | 1983-03-16 | 積層型広帯域圧電発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169210A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0159322U (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5479468A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-25 | Fujitsu Ltd | Method of producing ceramic multiicircuit layer board |
| JPS5793702A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | Quartz oscillating circuit |
| JPS5816595A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-01-31 | ティーディーケイ株式会社 | 混成集積回路 |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58043482A patent/JPS59169210A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59169210A (ja) | 1984-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3680765B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| US4574255A (en) | MMC Substrate including capacitors having perovskite structure dielectric and electrical devices including MMC substrate | |
| JP2767014B2 (ja) | ノイズフィルタ | |
| WO1992014275A1 (fr) | Filtre dielectrique | |
| KR100546471B1 (ko) | 금속 다층 회로 기판상의 두꺼운 세라믹 | |
| JPH0897070A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPS5917232A (ja) | 複合積層セラミツク部品およびその製造方法 | |
| JPH06140250A (ja) | 基板内層型コイル | |
| JPH0530323B2 (ja) | ||
| JPH0468803B2 (ja) | ||
| JP3317246B2 (ja) | 複合セラミック及び複合セラミック素子 | |
| JP2000082605A (ja) | 温度補償回路 | |
| JPS5917233A (ja) | 複合積層セラミツク部品の製造方法 | |
| JPS59144206A (ja) | 積層セラミツク化水晶発振器 | |
| JPS6221260B2 (ja) | ||
| JPH0468804B2 (ja) | ||
| JPH053161B2 (ja) | ||
| JPH053162B2 (ja) | ||
| JPS6092697A (ja) | 複合積層セラミツク部品 | |
| JPH0216004B2 (ja) | ||
| JPS6088420A (ja) | 複合積層セラミツク部品 | |
| JPS59110208A (ja) | 複合積層化多周波水晶発振器 | |
| JP2000058382A (ja) | チップ型ｃｒ部品 | |
| JPH07245242A (ja) | チップ型ｌｃ複合部品 | |
| JPH06152240A (ja) | 電圧制御型発振器 |