JPH0468803B2 - - Google Patents
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- JPH0468803B2 JPH0468803B2 JP58047449A JP4744983A JPH0468803B2 JP H0468803 B2 JPH0468803 B2 JP H0468803B2 JP 58047449 A JP58047449 A JP 58047449A JP 4744983 A JP4744983 A JP 4744983A JP H0468803 B2 JPH0468803 B2 JP H0468803B2
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- voltage
- holding circuit
- circuit
- phase
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
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- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコンデンサ、抵抗および導体配線を含
む複合積層セラミツク基板を有する位相同期圧電
発振器に関する。
む複合積層セラミツク基板を有する位相同期圧電
発振器に関する。
従来水晶発振器等における水晶発振子、コンデ
ンサ、抵抗等の受動部品およびトランジスタ・ダ
イオード等の能動部品はセラミツク等の基板にプ
リント配線層を設け半田付けして回路を作り、そ
れをユニツトとして用いることが行なわれてい
た。
ンサ、抵抗等の受動部品およびトランジスタ・ダ
イオード等の能動部品はセラミツク等の基板にプ
リント配線層を設け半田付けして回路を作り、そ
れをユニツトとして用いることが行なわれてい
た。
この場合円板形またはチツプ型のコンデンサや
チツプ抵抗等を１個づつ取付けねばならなかつ
た。
チツプ抵抗等を１個づつ取付けねばならなかつ
た。
一方従来位相同期水晶発振器は第１図に示すよ
うに電圧制御水晶発振部３の出力信号を分周器４
により周波数を分周し、この分周された信号をサ
ンプリング回路１に帰還し、サンプリング回路に
入る基準入力信号によつてサンプリングし、さら
にその電圧を電圧保持回路２により保持すること
により位相誤差信号をとり出し、それを水晶発振
回路に帰還する方式をとつている。ここで電圧保
持回路は第２図に示したようにコンデンサ１１，
１２、および抵抗２１より構成されている。
うに電圧制御水晶発振部３の出力信号を分周器４
により周波数を分周し、この分周された信号をサ
ンプリング回路１に帰還し、サンプリング回路に
入る基準入力信号によつてサンプリングし、さら
にその電圧を電圧保持回路２により保持すること
により位相誤差信号をとり出し、それを水晶発振
回路に帰還する方式をとつている。ここで電圧保
持回路は第２図に示したようにコンデンサ１１，
１２、および抵抗２１より構成されている。
ここで、電圧制御水晶発振部の水晶発振子の周
波数温度特性のばらつきや、入力サンプリング信
号のレベルのばらつき等によりコンデンサ１１，
１２および抵抗２１を最適なものに変更する必要
がある。すなわち、出力信号に漏れる入力サンプ
リング信号成分の低減や、電圧制御水晶発振部の
同期範囲を拡大するためには、前述の電圧保持回
路のコンデンサおよび抵抗を適正に調整しなけれ
ばならない。
波数温度特性のばらつきや、入力サンプリング信
号のレベルのばらつき等によりコンデンサ１１，
１２および抵抗２１を最適なものに変更する必要
がある。すなわち、出力信号に漏れる入力サンプ
リング信号成分の低減や、電圧制御水晶発振部の
同期範囲を拡大するためには、前述の電圧保持回
路のコンデンサおよび抵抗を適正に調整しなけれ
ばならない。
しかし従来においては、希望する周波数および
水晶発振子、サンプリング信号のレベルのばらつ
き等に対して、その都度回路を形成又は変更しな
ければならいためコスト的にも時間的にもまた形
状的にも不利であつた。
水晶発振子、サンプリング信号のレベルのばらつ
き等に対して、その都度回路を形成又は変更しな
ければならいためコスト的にも時間的にもまた形
状的にも不利であつた。
本発明の目的は上述の欠点を除去せしめ小型、
高精度でかつ経済的にすぐれた位相同期圧電発振
器を提供するものである。
高精度でかつ経済的にすぐれた位相同期圧電発振
器を提供するものである。
すなわち本発明は圧電発振子を含む電圧制御圧
電発振部と該発振器出力を分周する分周器と、該
分周器出力と基準入力信号とを位相比較するサン
プリング回路と、該サンプリング出力を波する
電圧保持回路とを具備し、該電圧保持回路の出力
側が前記電圧制御圧電発振器制御入力に接続され
ている位相同期圧電発振器において、前記電圧保
持回路がセラミツク積層構造体内部に形成されて
いることを特徴とする積層型位相同期圧電発振器
である。
電発振部と該発振器出力を分周する分周器と、該
分周器出力と基準入力信号とを位相比較するサン
プリング回路と、該サンプリング出力を波する
電圧保持回路とを具備し、該電圧保持回路の出力
側が前記電圧制御圧電発振器制御入力に接続され
ている位相同期圧電発振器において、前記電圧保
持回路がセラミツク積層構造体内部に形成されて
いることを特徴とする積層型位相同期圧電発振器
である。
以下本発明について実施例に基づいて詳細に説
明する。第３図は本発明の位相同期圧電発振器を
構成する電圧保持回路の実施例を示す。ここで１
１−１〜１１−３、１２−１〜１２−３は希望の
発振周波数を選んだ場合および圧電発振子、サン
プリング信号レベルのばらつきに対して適切な特
性を有するコンデンサであり、また２１−１〜２
１−３は同じく適合した抵抗である。電圧制御圧
電発振部より発振された出力信号は分周回路を過
てサンプリング回路へ帰還された基準入力信号に
よつてサンプリングされた後、第３図の電圧保持
回路の入力へ通じる。ここでサンプリング出力を
フイルタする際、圧電発振子の特性およびばらつ
き、やダイオード等の特性ばらつきによるサンプ
リング信号レベルのばらつきに従い、コンデンサ
および抵抗を変更するため外部に形成した接続端
子部をシヨートバー９１等により接続することに
より容易に最適回路を構成することができる。
明する。第３図は本発明の位相同期圧電発振器を
構成する電圧保持回路の実施例を示す。ここで１
１−１〜１１−３、１２−１〜１２−３は希望の
発振周波数を選んだ場合および圧電発振子、サン
プリング信号レベルのばらつきに対して適切な特
性を有するコンデンサであり、また２１−１〜２
１−３は同じく適合した抵抗である。電圧制御圧
電発振部より発振された出力信号は分周回路を過
てサンプリング回路へ帰還された基準入力信号に
よつてサンプリングされた後、第３図の電圧保持
回路の入力へ通じる。ここでサンプリング出力を
フイルタする際、圧電発振子の特性およびばらつ
き、やダイオード等の特性ばらつきによるサンプ
リング信号レベルのばらつきに従い、コンデンサ
および抵抗を変更するため外部に形成した接続端
子部をシヨートバー９１等により接続することに
より容易に最適回路を構成することができる。
次に本発明の発振器の分周器および電圧保持回
路部の構造断面図を第４図に示す。ここで第３図
に示すコンデンサ１１−１〜１１−３，１２−１
〜１２−３、および抵抗２１−１〜２１−３は積
層基板内部に形成されている。また特定の特性を
もつ圧電発振子に適合した回路を形成するためお
よび圧電発振子、サンプリング信号レベルのばら
つきに対して適合した回路を形成するための接続
端子部、分周比率を切替えるスイツチは積層基板
の表面に形成されている。一方、図において５１
は絶縁体シート、５２は誘電体シート、５３はス
ルーホール部、５４は印刷法又はグリーンシート
法により形成された低抗体層、５５は導体層、５
６はコンデンサ形成用内部電極層、６３は接続端
子部である。第５図から第１０図に実施例を示
す。第５図ａ，ｂは絶縁体シート５１上に接続端
子部６３が形成されたもの（ただし参考としてシ
ヨートバー９１を示す。）、第６図ａ，ｂは導体層
５５とスルーホール部５３が形成された絶縁体シ
ート５１、第７図ａ，ｂは低抗体層５４とスルー
ホール部５３が形成された絶縁体シート５１、第
８図ａ，ｂはコンデンサ用の導体層５５が形成さ
れた絶縁体シート５１、第９図ａ，ｂはコンデン
サ形成用内部電極層５６とスルーホール部５３が
形成された誘電体シート５２、第１０図ａ，ｂは
コンデンサ形成用内部電極層５６が形成された絶
縁体シート５１である。これらのシートをこの順
で積層、焼成する。ここで各図のａはシートの平
面図、ｂは断面図である。以上の第４図から第１
０までは第３図に示した電圧保持回路に対応した
ものが、煩雑さを避けるた第３図中の１１−１〜
１１−３，１２−１〜１２−３、の２つのコンデ
ンサ群と２１−１〜２２−３の抵抗群のそれぞれ
の間の配線を省略してある。
路部の構造断面図を第４図に示す。ここで第３図
に示すコンデンサ１１−１〜１１−３，１２−１
〜１２−３、および抵抗２１−１〜２１−３は積
層基板内部に形成されている。また特定の特性を
もつ圧電発振子に適合した回路を形成するためお
よび圧電発振子、サンプリング信号レベルのばら
つきに対して適合した回路を形成するための接続
端子部、分周比率を切替えるスイツチは積層基板
の表面に形成されている。一方、図において５１
は絶縁体シート、５２は誘電体シート、５３はス
ルーホール部、５４は印刷法又はグリーンシート
法により形成された低抗体層、５５は導体層、５
６はコンデンサ形成用内部電極層、６３は接続端
子部である。第５図から第１０図に実施例を示
す。第５図ａ，ｂは絶縁体シート５１上に接続端
子部６３が形成されたもの（ただし参考としてシ
ヨートバー９１を示す。）、第６図ａ，ｂは導体層
５５とスルーホール部５３が形成された絶縁体シ
ート５１、第７図ａ，ｂは低抗体層５４とスルー
ホール部５３が形成された絶縁体シート５１、第
８図ａ，ｂはコンデンサ用の導体層５５が形成さ
れた絶縁体シート５１、第９図ａ，ｂはコンデン
サ形成用内部電極層５６とスルーホール部５３が
形成された誘電体シート５２、第１０図ａ，ｂは
コンデンサ形成用内部電極層５６が形成された絶
縁体シート５１である。これらのシートをこの順
で積層、焼成する。ここで各図のａはシートの平
面図、ｂは断面図である。以上の第４図から第１
０までは第３図に示した電圧保持回路に対応した
ものが、煩雑さを避けるた第３図中の１１−１〜
１１−３，１２−１〜１２−３、の２つのコンデ
ンサ群と２１−１〜２２−３の抵抗群のそれぞれ
の間の配線を省略してある。
ここで用いる絶縁体生シートは酸化アルミニウ
ム40〜60重量％、ホウケイ酸鉛系結晶化ガラス40
〜60重量％、の組成範囲で総量100％となるよう
に選んだ混合粉末を有機バインダー、有機溶媒、
可塑剤と共に泥漿状にしドクターブレード法等の
スリツプキヤステイング製膜により20〜300μｍ
の生シートをポリエステルフイルム上に成形し剥
離したのち所望の寸法にパンチングしてシートを
得る。ここで用いた結晶化ガラス粉末の組成は酸
化物換算表記に従つたとき酸化鉛、酸化ホウ素、
二酸化ケイ酸、族元素酸化物、族元素（但し
炭素、ケイ素、鉛は除く）酸化物をそれぞれ重量
比３〜65％、２〜50％、４〜65％、0.1〜50％、
0.02〜20％の組成範囲で総量100％となるように
選んだ組成物で構成されている。
ム40〜60重量％、ホウケイ酸鉛系結晶化ガラス40
〜60重量％、の組成範囲で総量100％となるよう
に選んだ混合粉末を有機バインダー、有機溶媒、
可塑剤と共に泥漿状にしドクターブレード法等の
スリツプキヤステイング製膜により20〜300μｍ
の生シートをポリエステルフイルム上に成形し剥
離したのち所望の寸法にパンチングしてシートを
得る。ここで用いた結晶化ガラス粉末の組成は酸
化物換算表記に従つたとき酸化鉛、酸化ホウ素、
二酸化ケイ酸、族元素酸化物、族元素（但し
炭素、ケイ素、鉛は除く）酸化物をそれぞれ重量
比３〜65％、２〜50％、４〜65％、0.1〜50％、
0.02〜20％の組成範囲で総量100％となるように
選んだ組成物で構成されている。
誘電体生シートはFe2O3、PbO、Nb2O5、WO3
の粉末を所定量秤量し、ボールミル混合してろ過
乾燥後700〜800℃で予焼を行なつたのちボールミ
ル粉砕した粉末を有機バインダー、有機溶媒、可
塑剤と共に混合した泥漿水にして絶縁体生シート
の作成と同様にドクターブレード法等のスリツプ
キヤステイング製膜により10μｍ〜200μｍのシー
トを得た。ここで用いた誘電体材料はPb（Fe1/
２・Nb1/2）0.33（Fe2/3・Ｗ1/3）0.67O3の複合ペ
ロブスカイト化合物である。
の粉末を所定量秤量し、ボールミル混合してろ過
乾燥後700〜800℃で予焼を行なつたのちボールミ
ル粉砕した粉末を有機バインダー、有機溶媒、可
塑剤と共に混合した泥漿水にして絶縁体生シート
の作成と同様にドクターブレード法等のスリツプ
キヤステイング製膜により10μｍ〜200μｍのシー
トを得た。ここで用いた誘電体材料はPb（Fe1/
２・Nb1/2）0.33（Fe2/3・Ｗ1/3）0.67O3の複合ペ
ロブスカイト化合物である。
また、抵抗体としてはスクリーン印刷法によ
り、抵抗体ペーストを絶縁体生シート上又は誘電
体生スート上に形成する方法がある。ここで抵抗
体ペーストは抵抗材料粉末と有機ビヒクルを三本
ロール等により混練することにより得られる。一
方抵抗体グリーンシートは二酸化ルテニウム粉末
と絶縁体生シートに用いたアルミナ・結晶化ガラ
ス粉末とをそれぞれ重量比10：90〜50：50の範囲
で所望の抵抗値が得られるように混合し、エチル
セルソルブ、ブチルカルビトールの有機溶媒、ブ
チルフタリル酸ブチルの有機可塑剤および有機バ
インダーとしてポリビニルブチラール等を加えて
泥漿化し、上述同様に製膜し20μｍ〜200μｍのシ
ートを得た。
り、抵抗体ペーストを絶縁体生シート上又は誘電
体生スート上に形成する方法がある。ここで抵抗
体ペーストは抵抗材料粉末と有機ビヒクルを三本
ロール等により混練することにより得られる。一
方抵抗体グリーンシートは二酸化ルテニウム粉末
と絶縁体生シートに用いたアルミナ・結晶化ガラ
ス粉末とをそれぞれ重量比10：90〜50：50の範囲
で所望の抵抗値が得られるように混合し、エチル
セルソルブ、ブチルカルビトールの有機溶媒、ブ
チルフタリル酸ブチルの有機可塑剤および有機バ
インダーとしてポリビニルブチラール等を加えて
泥漿化し、上述同様に製膜し20μｍ〜200μｍのシ
ートを得た。
電極層および信号線に用いる導体はAu、Ag、
Pd、Pt等の金属の単体もしくは１以上含んだ合
金粉末を有機ビヒクルとともに混練しペースト状
にしたものを使用した。
Pd、Pt等の金属の単体もしくは１以上含んだ合
金粉末を有機ビヒクルとともに混練しペースト状
にしたものを使用した。
以上のように作製した各種シート及びペースト
を所定の配列で積層、切断し、900℃で焼成した。
を所定の配列で積層、切断し、900℃で焼成した。
以上のような本発明構成法による積層型位相同
期圧電発振器を実現した結果従来の形状の1/3〜
１／５に体積を縮小した位相同期圧電発振器で実現
でき、さらに小型形状にもかかわらず圧電発振子
の特性等に適合した回路形成機構を有しているた
め多機能でしかも高精度であり、かつ汎用性のあ
る構造であるため経済的である。この実施例で述
べた圧電発振子は水晶又は他の圧電性物質が使用
可能である。
期圧電発振器を実現した結果従来の形状の1/3〜
１／５に体積を縮小した位相同期圧電発振器で実現
でき、さらに小型形状にもかかわらず圧電発振子
の特性等に適合した回路形成機構を有しているた
め多機能でしかも高精度であり、かつ汎用性のあ
る構造であるため経済的である。この実施例で述
べた圧電発振子は水晶又は他の圧電性物質が使用
可能である。
第１図は従来用いられている位相同期水晶発振
器のブロツク図、第２図は従来の電圧保持回路
図、第３図は本発明の実施例を示す電圧保持回路
図、第４図は本発明の実施例を示す電圧保持回路
を含む積層構造体の構成断面図である。第５図〜
第１０図は本発明の製造方法を説明する図であ
る。 図において１はサンプリング回路、２は電圧保
持回路、３は電圧制御水晶発振部、４は分周器、
１１，１２はコンデンサ、２１は抵抗、５１は絶
縁体シート、５２は誘電体シート、５３はスルー
ホール部、５４は抵抗体層、５５は導体層、５６
はコンデンサ形成用内部電極層、６３は接続端子
部、９１はシヨートバーである。
器のブロツク図、第２図は従来の電圧保持回路
図、第３図は本発明の実施例を示す電圧保持回路
図、第４図は本発明の実施例を示す電圧保持回路
を含む積層構造体の構成断面図である。第５図〜
第１０図は本発明の製造方法を説明する図であ
る。 図において１はサンプリング回路、２は電圧保
持回路、３は電圧制御水晶発振部、４は分周器、
１１，１２はコンデンサ、２１は抵抗、５１は絶
縁体シート、５２は誘電体シート、５３はスルー
ホール部、５４は抵抗体層、５５は導体層、５６
はコンデンサ形成用内部電極層、６３は接続端子
部、９１はシヨートバーである。
Claims (1)
- １ 圧電発振子を含む電圧制御圧電発振部と該発
振部出力を分周する分周器と、該分周器出力と基
準入力信号とを位相比較するサンプリング回路
と、該サンプリング出力を波する電圧保持回路
とを具備し、該電圧保持回路の出力側が前記電圧
制御圧電発振器制御入力に接続されている位相同
期圧電発振器において、前記電圧保持回路を構成
する複数のコンデンサと複数の抵抗がセラミツク
積層構造体内部に形成されており、セラミツク積
層構造体はアルミナとホウケイ酸鉛系結晶化ガラ
スとからなる絶縁体セラミツクス、鉛系複合ペロ
ブスカイト化合物からなる誘電体セラミツクス、
二酸化ルテニウムを含む抵抗体、導体が一体に成
型され同時に焼成されてなるセラミツク積層焼結
体であつて、その内部に選択により最適回路を構
成することができる複数のコンデンサと複数の抵
抗素子および配線用導体とが含まれ、前記セラミ
ツク積層焼結体表面には前記複数のコンデンサお
よび抵抗素子に接続している複数の接続端子が形
成されており、これらの接続端子間を接続するこ
とにより前記コンデンサと抵抗素子との任意の組
合せからなる電圧保持回路が得られることを特徴
とする積層型位相同期圧電発振器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4744983A JPS59172807A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 積層型位相同期圧電発振器 |
| EP83112593A EP0111890B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-12-14 | Monolithic multicomponents ceramic substrate with at least one dielectric layer of a composition having a perovskite structure |
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| JP4744983A JPS59172807A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 積層型位相同期圧電発振器 |
Publications (2)
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| JPS59172807A JPS59172807A (ja) | 1984-09-29 |
| JPH0468803B2 true JPH0468803B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=12775457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP4744983A Granted JPS59172807A (ja) | 1982-12-15 | 1983-03-22 | 積層型位相同期圧電発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS59172807A (ja) |
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| JPS5521665A (en) * | 1978-08-04 | 1980-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | Constituent of multi-layer transmission line |
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-
1983
- 1983-03-22 JP JP4744983A patent/JPS59172807A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59172807A (ja) | 1984-09-29 |
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