JPH053162B2 - - Google Patents
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- JPH053162B2 JPH053162B2 JP58030309A JP3030983A JPH053162B2 JP H053162 B2 JPH053162 B2 JP H053162B2 JP 58030309 A JP58030309 A JP 58030309A JP 3030983 A JP3030983 A JP 3030983A JP H053162 B2 JPH053162 B2 JP H053162B2
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- oscillator
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- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
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- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
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- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コンデンサ、抵抗及び導体配線を含
む複合積層セラミツク基板を有する温度補償圧電
発振器に関する。
む複合積層セラミツク基板を有する温度補償圧電
発振器に関する。
従来圧電発振期における圧電発振子、抵抗、コ
ンデンサ、インダクター等の受動部品およびトラ
ンジスタ、ダイオード等の能動部品は、セラミツ
ク等の基板にプリント配線層を設けて半田付けし
て回路を作り、それをユニツトとして用いること
が行なわれていた。
ンデンサ、インダクター等の受動部品およびトラ
ンジスタ、ダイオード等の能動部品は、セラミツ
ク等の基板にプリント配線層を設けて半田付けし
て回路を作り、それをユニツトとして用いること
が行なわれていた。
この場合円板形またはチツプ型のコンデンサや
チツプ抵抗等を１個づつ取付けねばらなかつた。
チツプ抵抗等を１個づつ取付けねばらなかつた。
また本発明の分野における温度補償圧電発振器
においては、たとえば水晶発振器に用いられる水
晶振動子は温度の変動とともに発振周波数も変動
する。従つて、水晶振動子の温度を一定温度に保
ち、発振周波数を安定化させるために、恒温槽が
用いられるのが普通である。
においては、たとえば水晶発振器に用いられる水
晶振動子は温度の変動とともに発振周波数も変動
する。従つて、水晶振動子の温度を一定温度に保
ち、発振周波数を安定化させるために、恒温槽が
用いられるのが普通である。
他方、温度補償を行なう方法として、水晶発振
子の温度特性に合わせて温度補償回路のコンデン
サ素子の容量値を選び、回路に組み入れることも
行なわれていた。一例として第１図に示す発振回
路を例にとつて説明する。
子の温度特性に合わせて温度補償回路のコンデン
サ素子の容量値を選び、回路に組み入れることも
行なわれていた。一例として第１図に示す発振回
路を例にとつて説明する。
第１図において１〜８は抵抗器、２１〜２９は
蓄電器、３１はサーミスタ等の感温素子、３２〜
３４はダイオード、３５は水晶発振子、３６はト
ランジスターである。この回路において水晶発振
子３５の周波数温度特性に合わせて温度補償をす
るためにとして蓄電器２１〜２５を決定する必要
があり、従つて蓄電器２１〜２５の部品を変更し
ていた。これらの部品の変更は、従来発振回路実
装時に各々のデイスクリート部分を発振器動作条
件にあわせて実装するか、あるいはプリント板上
に複数個の同一用途部品を実装しておき、条件に
合わせてストラツプ配線する方法がとられてい
た。例えば水晶発振子の初期周波数を調整する場
合には第１図に示す蓄電器２１〜２５を第２図に
示す様な蓄電器４１，４２，４３で構成し、発振
周波数に合わせて切り替え配線する様なことは一
般的である。
蓄電器、３１はサーミスタ等の感温素子、３２〜
３４はダイオード、３５は水晶発振子、３６はト
ランジスターである。この回路において水晶発振
子３５の周波数温度特性に合わせて温度補償をす
るためにとして蓄電器２１〜２５を決定する必要
があり、従つて蓄電器２１〜２５の部品を変更し
ていた。これらの部品の変更は、従来発振回路実
装時に各々のデイスクリート部分を発振器動作条
件にあわせて実装するか、あるいはプリント板上
に複数個の同一用途部品を実装しておき、条件に
合わせてストラツプ配線する方法がとられてい
た。例えば水晶発振子の初期周波数を調整する場
合には第１図に示す蓄電器２１〜２５を第２図に
示す様な蓄電器４１，４２，４３で構成し、発振
周波数に合わせて切り替え配線する様なことは一
般的である。
しかしこれらの部品定数を変更するために、第
２図に示すようにストラツプ等で変更することは
実装面積、価格等の面で損失が大きい。又同一発
振器ユニツトを広い条件下で共用的に使用するた
めには、これらの調整部品が数多く必要であり、
望ましい状況ではない。
２図に示すようにストラツプ等で変更することは
実装面積、価格等の面で損失が大きい。又同一発
振器ユニツトを広い条件下で共用的に使用するた
めには、これらの調整部品が数多く必要であり、
望ましい状況ではない。
本発明はこれらの欠点を除去し小型、高精度で
かつ経済的な圧電発振器を実現するものである。
すなわち本発明は絶縁体、誘電体、抵抗体、及
び、導体が一体に積層され、焼成されてなる積層
焼結体とその表面に設置された圧電振動子と半導
体素子と感温素子とからなる温度補償圧電発振器
であつて、前記積層焼結体の内部には蓄電器と抵
抗素子と配線用導体とが形成されており、前記積
層焼結体の内部の前記蓄電器と前記抵抗素子と前
記配線用導体と前記感温素子とで温度補償回路を
構成しており、前記温度補償回路を構成する前記
蓄電器には、選択して切り換え可能な蓄電器が配
置されていることを特徴とする温度補償圧電発振
器である。
かつ経済的な圧電発振器を実現するものである。
すなわち本発明は絶縁体、誘電体、抵抗体、及
び、導体が一体に積層され、焼成されてなる積層
焼結体とその表面に設置された圧電振動子と半導
体素子と感温素子とからなる温度補償圧電発振器
であつて、前記積層焼結体の内部には蓄電器と抵
抗素子と配線用導体とが形成されており、前記積
層焼結体の内部の前記蓄電器と前記抵抗素子と前
記配線用導体と前記感温素子とで温度補償回路を
構成しており、前記温度補償回路を構成する前記
蓄電器には、選択して切り換え可能な蓄電器が配
置されていることを特徴とする温度補償圧電発振
器である。
本発明による実施回路例を第３図に示す。ここ
で２１−１，２１−２，２１−３および２２−
１，２２−２，２２−３および２３−１，２３−
２，２３−３および２４−１，２４−２，２４−
３および２５−１，２５−２，２５−３は発振器
条件により接続を変える調整蓄電器である。次に
本発明の発振器の構造断面図を第４図に示す。こ
こで第３図に示す感温素子３１およびダイオード
３２〜３４および水晶発振子３５およびトランジ
スター３６以外はすべて積層焼結体内部に含まれ
ている。ここで５１は絶縁体シート、５２は誘電
体シート、５３はスルーホール部、５４は印刷法
又はグリーンシート法により形成された抵抗体
層、５５導体層、５６は蓄電器形成用内部電極
層、６１は抵抗形成部分、６２は蓄電器形成部
分、６３は外部端子用導体層、７１は水素発振
子、７２はトランジスタ、７３はダイオード７４
は積層焼結体表面に配置されたサーミスタ等の感
温素子である。
で２１−１，２１−２，２１−３および２２−
１，２２−２，２２−３および２３−１，２３−
２，２３−３および２４−１，２４−２，２４−
３および２５−１，２５−２，２５−３は発振器
条件により接続を変える調整蓄電器である。次に
本発明の発振器の構造断面図を第４図に示す。こ
こで第３図に示す感温素子３１およびダイオード
３２〜３４および水晶発振子３５およびトランジ
スター３６以外はすべて積層焼結体内部に含まれ
ている。ここで５１は絶縁体シート、５２は誘電
体シート、５３はスルーホール部、５４は印刷法
又はグリーンシート法により形成された抵抗体
層、５５導体層、５６は蓄電器形成用内部電極
層、６１は抵抗形成部分、６２は蓄電器形成部
分、６３は外部端子用導体層、７１は水素発振
子、７２はトランジスタ、７３はダイオード７４
は積層焼結体表面に配置されたサーミスタ等の感
温素子である。
前記調整蓄電器２１−１〜２１−３，２２−１
〜２２−３，２３−１〜２３−３，２４−１〜２
４−３，２５−１〜２５−３は外部端子用導体層
をシヨートバーにより接続すれば選定できる。
〜２２−３，２３−１〜２３−３，２４−１〜２
４−３，２５−１〜２５−３は外部端子用導体層
をシヨートバーにより接続すれば選定できる。
すなわち、第５図〜第８図に前記調整蓄電器を
作製する実施例を示す。第５図ａ，ｂは絶縁体シ
ート５１上外部端子用導体層６３が形成されたも
の、第６図ａ，ｂは抵抗体層５４が形成され、ス
ルーホール中には導体が形成された絶縁体シー
ト、第７図ａ，ｂは３種類の形状の蓄電器形成用
内部電極層が形成された誘電体シート５２、第８
図ａ，ｂは同じく蓄電器形成用内部電極層５６が
形成された絶縁体シートである。ここで各図のａ
はシートの平面図、ｂは断面図である。これらの
シートを最外層として第５図のシートを配置し、
これに第６〜８図のシートの順で積層し、焼成す
る。
作製する実施例を示す。第５図ａ，ｂは絶縁体シ
ート５１上外部端子用導体層６３が形成されたも
の、第６図ａ，ｂは抵抗体層５４が形成され、ス
ルーホール中には導体が形成された絶縁体シー
ト、第７図ａ，ｂは３種類の形状の蓄電器形成用
内部電極層が形成された誘電体シート５２、第８
図ａ，ｂは同じく蓄電器形成用内部電極層５６が
形成された絶縁体シートである。ここで各図のａ
はシートの平面図、ｂは断面図である。これらの
シートを最外層として第５図のシートを配置し、
これに第６〜８図のシートの順で積層し、焼成す
る。
またここで用いる絶縁体生シートは酸化アルミ
ニウム40〜60重量％、ホウケイ酸鉛系結晶化ガラ
ス40〜60重量％の組成範囲で総量100％となるよ
うに選んだ混合粉末を有機バインダー、有機溶
媒、可塑剤と共に泥漿状にしドクターブレード法
等のスリツプキヤステイング製膜により20μm〜
300μmの生シートをポリエステルフイルム上に成
形し剥離したのち所望の寸法にパンチングしてシ
ートを得る。ここで用いた結晶化ガラス粉末の組
成は酸化物換算表記に従つたとき、酸化鉛、酸化
ホウ素、二酸化ケイ素、族元素酸化物、族元
素（但し炭素、ケイ素、鉛は除く）酸化物をそれ
ぞれ重量比３〜65％、２〜50％、４〜65％、0.1
〜50％、0.02〜20％の組成範囲で総量100％とな
るように選んだ組成物で構成されている。
ニウム40〜60重量％、ホウケイ酸鉛系結晶化ガラ
ス40〜60重量％の組成範囲で総量100％となるよ
うに選んだ混合粉末を有機バインダー、有機溶
媒、可塑剤と共に泥漿状にしドクターブレード法
等のスリツプキヤステイング製膜により20μm〜
300μmの生シートをポリエステルフイルム上に成
形し剥離したのち所望の寸法にパンチングしてシ
ートを得る。ここで用いた結晶化ガラス粉末の組
成は酸化物換算表記に従つたとき、酸化鉛、酸化
ホウ素、二酸化ケイ素、族元素酸化物、族元
素（但し炭素、ケイ素、鉛は除く）酸化物をそれ
ぞれ重量比３〜65％、２〜50％、４〜65％、0.1
〜50％、0.02〜20％の組成範囲で総量100％とな
るように選んだ組成物で構成されている。
誘電体生シートはFe2O3、PbO、Nb2O5、WO3
の粉末を所定量坪量し、ボールミル混合してろ過
乾燥後700〜800℃で予焼を行なつたのちボールミ
ル粉砕した粉末を有機バインダー、有機溶媒、可
塑剤と共に混合し、泥漿状にして絶縁体生シート
の作成と同様にドクターブレード法等のスリプキ
ヤステイング製膜により10μm〜200μmのシート
を得た。ここで用いた誘電体材料はPb（Fe1／
2Nb1／２）O3−Pb（Fe2／３・W1／３）O3二元
系複合ペロブスカイト化合物である。
の粉末を所定量坪量し、ボールミル混合してろ過
乾燥後700〜800℃で予焼を行なつたのちボールミ
ル粉砕した粉末を有機バインダー、有機溶媒、可
塑剤と共に混合し、泥漿状にして絶縁体生シート
の作成と同様にドクターブレード法等のスリプキ
ヤステイング製膜により10μm〜200μmのシート
を得た。ここで用いた誘電体材料はPb（Fe1／
2Nb1／２）O3−Pb（Fe2／３・W1／３）O3二元
系複合ペロブスカイト化合物である。
また抵抗体としてはスクリーン印刷法により抵
抗体ペーストを絶縁体生シート又は誘電体生シー
ト上に形成する方法および抵抗体グリーンシート
片を用いて形成する方法がある。ここで抵抗体ペ
ーストは抵抗材料粉末と有機ビヒクルを三本ロー
ル等により混練することにより得られる。一方抵
抗体グリーンシートは、二酸化ルテニウム粉末と
絶縁体生シートを用いた結晶化ガラス粉末とをそ
れぞれ重量比10：90〜50：50の範囲で所望の抵抗
値が得られるように混合し、エチルセルソルブ、
ブチルカルビトール、ブチルフタリル酸ブチルお
よびポリビニルブチラール等を加えて泥漿化し、
上述同様に製膜し20μm〜200μmのシートを得た。
抗体ペーストを絶縁体生シート又は誘電体生シー
ト上に形成する方法および抵抗体グリーンシート
片を用いて形成する方法がある。ここで抵抗体ペ
ーストは抵抗材料粉末と有機ビヒクルを三本ロー
ル等により混練することにより得られる。一方抵
抗体グリーンシートは、二酸化ルテニウム粉末と
絶縁体生シートを用いた結晶化ガラス粉末とをそ
れぞれ重量比10：90〜50：50の範囲で所望の抵抗
値が得られるように混合し、エチルセルソルブ、
ブチルカルビトール、ブチルフタリル酸ブチルお
よびポリビニルブチラール等を加えて泥漿化し、
上述同様に製膜し20μm〜200μmのシートを得た。
電極層および信号線に用いる導体はAu、Ag、
Pb、Pt等の金属の単体もしくは１以上含んだ合
金粉末を有機ビヒクルとともに混練しペースト状
にしたものを使用した。
Pb、Pt等の金属の単体もしくは１以上含んだ合
金粉末を有機ビヒクルとともに混練しペースト状
にしたものを使用した。
これらのシートを所定の配列に積層し、適時所
定の形状に切断し、900℃で焼成して内部に抵抗
素子と蓄電器を含む積層体を作製した。これに水
晶発振子、トランジスタ、ダイオード、感温素子
をその片面又は両面に取付けた。
定の形状に切断し、900℃で焼成して内部に抵抗
素子と蓄電器を含む積層体を作製した。これに水
晶発振子、トランジスタ、ダイオード、感温素子
をその片面又は両面に取付けた。
以上のような構成法にて温度補償水晶発振器を
実現した結果、従来の形状の1/5〜1/10に体積を
圧縮した温度補償水晶発振器を実現できた。又小
型形状にもかかわらず周波数微調整機能を有して
いるため高精度であり、かつ汎用性のある構成で
あるため経済的である。
実現した結果、従来の形状の1/5〜1/10に体積を
圧縮した温度補償水晶発振器を実現できた。又小
型形状にもかかわらず周波数微調整機能を有して
いるため高精度であり、かつ汎用性のある構成で
あるため経済的である。
第１図は従来の水晶発振器回路の一例を示す
図、第２図は温度補償水晶発振器を説明するため
の図、第３図は、本発明の温度補償発振器の実施
例を示す回路図、第４図は本発明の実施例を示す
温度補償水晶発振器の構成断面図、第５図〜第８
図は本発明の発振器の製造方法を示す図である。 図において１〜８は抵抗器、２１〜２９は蓄電
器、３１は感温素子、３２〜３４はダイオード、
３５は水晶発振子、３６はトランジスター、４１
〜４３は蓄電器、５１は絶縁体シート、５２は誘
電体シート、５３はスルーホール部、５４は抵抗
体層、５５は導体層、５６は蓄電器形成用内部電
極層、６１は抵抗形成部分、６２は蓄電器形成部
分、６３は外部端子用導体層、７１は水晶発振
子、７２はトランジスタ、７３はダイオード、７
４は感温素子である。
図、第２図は温度補償水晶発振器を説明するため
の図、第３図は、本発明の温度補償発振器の実施
例を示す回路図、第４図は本発明の実施例を示す
温度補償水晶発振器の構成断面図、第５図〜第８
図は本発明の発振器の製造方法を示す図である。 図において１〜８は抵抗器、２１〜２９は蓄電
器、３１は感温素子、３２〜３４はダイオード、
３５は水晶発振子、３６はトランジスター、４１
〜４３は蓄電器、５１は絶縁体シート、５２は誘
電体シート、５３はスルーホール部、５４は抵抗
体層、５５は導体層、５６は蓄電器形成用内部電
極層、６１は抵抗形成部分、６２は蓄電器形成部
分、６３は外部端子用導体層、７１は水晶発振
子、７２はトランジスタ、７３はダイオード、７
４は感温素子である。
Claims (1)
- １ 絶縁体、誘電体、抵抗体、及び、導体が一体
に積層され、焼成されてなる積層焼結体とその表
面に設置された圧電振動子と半導体素子と感温素
子とからなる温度補償圧電発振器であつて、前記
積層焼結体の内部には蓄電器と抵抗素子と配線用
導体とが形成されており、前記積層焼結体の内部
の前記蓄電器と前記抵抗素子と前記配線用導体と
前記感温素子とで温度補償回路を構成しており、
前記温度補償回路を構成する前記蓄電器には、選
択して切り換え可能な蓄電器が配置されているこ
とを特徴とする温度補償圧電発振器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030983A JPS59156003A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 温度補償圧電発振器 |
| EP83112593A EP0111890B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-12-14 | Monolithic multicomponents ceramic substrate with at least one dielectric layer of a composition having a perovskite structure |
| DE8383112593T DE3382208D1 (de) | 1982-12-15 | 1983-12-14 | Monolithisches vielschichtkeramiksubstrat mit mindestens einer dielektrischen schicht aus einem material mit perovskit-struktur. |
| AU22427/83A AU563467B2 (en) | 1982-12-15 | 1983-12-15 | Ceramic substrate for piezoelectric element |
| US06/561,506 US4574255A (en) | 1982-12-15 | 1983-12-15 | MMC Substrate including capacitors having perovskite structure dielectric and electrical devices including MMC substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030983A JPS59156003A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 温度補償圧電発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59156003A JPS59156003A (ja) | 1984-09-05 |
| JPH053162B2 true JPH053162B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=12300170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3030983A Granted JPS59156003A (ja) | 1982-12-15 | 1983-02-25 | 温度補償圧電発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59156003A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5793702A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | Quartz oscillating circuit |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP3030983A patent/JPS59156003A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59156003A (ja) | 1984-09-05 |
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