JPH05303251A - 静電潜像形成装置 - Google Patents

静電潜像形成装置

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JPH05303251A
JPH05303251A JP10668492A JP10668492A JPH05303251A JP H05303251 A JPH05303251 A JP H05303251A JP 10668492 A JP10668492 A JP 10668492A JP 10668492 A JP10668492 A JP 10668492A JP H05303251 A JPH05303251 A JP H05303251A
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JP
Japan
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latent image
electrostatic latent
conductive
insulating film
needle
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Pending
Application number
JP10668492A
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English (en)
Inventor
Junichi Takahashi
淳一 高橋
Hiroyuki Horiguchi
浩幸 堀口
Motomi Ozaki
元美 尾崎
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 静電潜像の解像度を向上させると共に、その
駆動回路系の単純化を図ることが可能な静電潜像形成装
置を提供する。 【構成】 導電性基板2上に絶縁膜3の形成された静電
潜像書込媒体1を設け、この静電潜像書込媒体1に対向
してその媒体表面方向へ変位するバネ5を設け、このバ
ネ5の先端に媒体表面方向に変位する導電性針4を設
け、導電性針4と導電性基板2とに所定電圧を発生する
電圧印加静電潜像形成手段を接続した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真の静電潜像形
成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子写真技術の基本的な考え方を
述べたものとしては、例えば、「電子写真」なるタイト
ルで、R.M.SCHAFFERT著、井上英一監訳、
共立出版があり、そのp.96〜p.97に「放電によ
る静電記録」が紹介されている。これは、導電性基板上
に絶縁膜が形成された記憶媒体に対向して、その媒体表
面に「固定した状態」の針を設けた状態で、前記媒体表
面と針先端との間の距離を100〜150μmに保ち、
かつ、それら両者間に静電電荷を充電することにより、
情報或いは静電潜像を記録させるというものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、針は
「固定」されており、動くようなことができない。その
一方で、静電潜像を記録するドラムは100μm程度の
偏芯があるため、その表面部分では100μm程度上下
する。また、前述したように、記憶媒体表面と針先端と
の間の距離を100μm以下にできないので、両者間を
最も近づけた時に100μm、最も離れた時に200μ
m程度それぞれ離しておく必要がある。
【0004】従って、これら両者間の距離をこれ以上近
づけられないことから、静電潜像の解像度を上げること
ができないという不具合がある。また、針先端部とドラ
ム表面間の距離が200μm程度まで離れることによ
り、放電開始電圧がその分高くなり、環境衛生面に問題
のあるオゾンが発生する。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明で
は、導電性基板上に絶縁膜を有する静電潜像書込媒体を
形成し、この静電潜像書込媒体に対向してその媒体表面
方向へ変位するバネを設け、このバネの先端に前記媒体
表面方向に変位する導電性針を取付け、前記導電性針と
前記導電性基板とに所定電圧を発生する電圧印加静電潜
像形成手段を接続した。
【0006】請求項2記載の発明では、導電性基板上に
絶縁膜を有する静電潜像書込媒体を形成し、この静電潜
像書込媒体に対向してその媒体表面方向へ変位するバネ
を設け、このバネの先端に前記媒体表面方向に変位する
導電性針を取付け、前記静電潜像書込媒体を帯電させる
帯電手段を設け、前記導電性針と前記導電性基板とを接
続する同電位静電潜像形成手段を設けた。
【0007】請求項3記載の発明では、請求項1,2記
載の発明において、導電性基板上の絶縁膜と導電性針と
の間に働く静電力を検出する静電力検出手段を設け、こ
の静電力検出手段の出力により前記導電性針と前記絶縁
膜表面との間の距離を制御する距離制御手段を設けた。
【0008】請求項4記載の発明では、請求項1,2又
は3記載の発明において、バネを導電性材料により形成
した。
【0009】
【作用】請求項1記載の発明においては、静電潜像書込
媒体に電荷を帯電して情報を書込む場合には、電圧印加
静電潜像形成手段を用いて、導電性針と導電性基板との
間に電圧を印加して両者間に静電引力を働かせることに
よって、その両者間が近づき電界が強くなり、放電を発
生させて絶縁膜表面に電荷を帯電させることにより、静
電潜像を形成することが可能となる。
【0010】請求項2記載の発明においては、絶縁膜表
面に予め帯電させておいた電荷を消去して情報を書込む
場合には、同電位静電潜像形成手段を用いて、導電性針
と導電性基板とを同電位にし、両者間に静電引力を働か
せることによって、バネの先端が媒体表面方向に伸びて
導電性針がその媒体表面に近づき、その導電性針と媒体
表面との間に放電を発生させることによりその媒体表面
に静電潜像を書込むことが可能となる。
【0011】請求項3記載の発明においては、導電性針
と静電書込媒体の絶縁膜との間に働く力を検出し、この
検出出力により導電性針と絶縁膜との間の距離を制御す
ることによって、待機中の場合、導電性針と絶縁膜表面
との間の距離が離れているため、両者の衝突等により導
電性針の破損の確率を小さくすることが可能となり、ま
た、偏芯の大きいドラムの場合でも回路への負担を小さ
くさせることが可能となる。
【0012】請求項4記載の発明においては、バネを導
電性材料とすることにより、静電引力の応答性を高め的
確に動作させることが可能となる。
【0013】
【実施例】請求項1記載の発明の一実施例を図1及び図
2に基づいて説明する。図1において、静電潜像書込媒
体としてのドラム1は、導電性基板2と、この導電性基
板2上に積層された絶縁膜3とからなっている。このよ
うなドラム1の上部に対向した位置には、一定の間隔を
おいて導電性針4が配置されている。この導電性針4
は、バネとしての導電性片持梁5の先端部に固定されて
いる。導電性片持梁5は、固定台6に固定されている。
導電性片持梁5は、スイッチ(SW1)に電気的に接続
されている。従って、導電性針4は、電気的にSW1に
接続されていて、これのコモン端子dと同電位になる。
このSW1の端子a,b間には電圧源V2 が接続され、
端子bとGNDとの間には電圧源V1 が接続されてい
る。この場合、SW1と、電圧源V1 と、電圧源V2 と
は、電圧印加静電潜像形成手段7を構成している。この
電圧印加静電潜像形成手段7とは、ドラム1に電荷を帯
電して情報を書込む場合において、導電性針4と導電性
基板2との間に電圧を印加し、これら両者間に静電引力
を発生させる働きがある。
【0014】このような構成において、以下、電圧印加
静電潜像形成手段7の働きを中心にして説明する。今、
図1に示すように、導電性針4にドラム1側に引かれる
静電引力が全くない状態での導電性針4の先端部と絶縁
膜3との距離をx0 とする。また、図2に示すように、
静電引力の影響を受けて導電性片持梁5が曲がり、導電
性針4が絶縁膜3の表面に近づいた時の導電性針4の先
端部と絶縁膜3との距離をxとする。絶縁膜3の表面と
導電性針との電位差をVとする。
【0015】そして、単純化のため、導電性針4の先端
部が絶縁膜3の表面と平行な平面とし、導電性針4の受
ける静電引力F2 、及び、導電性片持梁5のバネによる
戻り力F1 を、それぞれ、
【0016】
【数1】
【0017】ただし、aは定数 F1 =K(x0−x) …(2) Kは片持梁のバネ定数 ここで、Vを
【0018】
【数2】
【0019】とすると、0≦x≦x0 において、F2>
F1となる。これにより、導電性針4は絶縁膜3の表面
に近づいていき、表面の電位がVのままであればその導
電性針4は膜表面にくっつくことになる。
【0020】さて、ドラム1の偏芯により、x0 が最大
となる時の距離をx0max、最小となる時の距離をx0min
とする。
【0021】この時、電圧源V1 の値を
【0022】
【数3】
【0023】と設定し、電圧源V2 の値を
【0024】
【数4】
【0025】を満足する値に設定する。
【0026】このようにすると、絶縁膜3に電荷が帯電
していない時、SW1が端子b側に接続された場合は、
ドラム1の表面のどこの部分が導電性針4の直下に来て
も、針先端部は、x0≧x≧(2/3)x0の範囲内にと
どまり、それ以上表面には近づかない。
【0027】一方、電荷を導電性針4を通して絶縁膜3
の表面に帯電させたい時には、SW1を端子a側に接続
する。これにより、ドラム1の表面のどの部分が導電性
針4の下に来ても、針先端部は表面の近傍まで吸い寄せ
られていき、距離xはしだいに小さくなっていく。導電
性針4の電位はV1+V2であり、絶縁膜3の表面はGN
Dと同電位であるためxが小さくなっていくことによ
り、針先端部と絶縁膜3の表面との間の電界は大きくな
っていき、ついに両者間で放電が始まる。このような放
電が始まると、放電電流が絶縁膜3の表面に帯電してい
き、表面電位が上昇していく。これに伴い、針先端部と
絶縁膜3の表面との間の電位差が小さくなり、これと同
時に静電引力も小さくなっていく。そして、導電性片持
梁5のバネ性による戻り力の方が静電引力よりも強くな
り、x0≧x≧(2/3)x0の範囲内に戻っていく。こ
のような一連の動作により、絶縁膜3上に静電潜像を記
録していくことが可能となる。
【0028】上述したように、ドラム1に電荷を帯電し
て情報を書込む場合には、電圧印加静電潜像形成手段7
を用いて、導電性針4と導電性基板2との間に電圧を印
加して両者間に静電引力を働かせることによって、その
両者間が近づき電界が強くなり、放電を発生させて絶縁
膜3表面に電荷を帯電させることにより、静電潜像を形
成することが可能となる。従って、このようなことか
ら、偏芯のあるドラム状媒体においても、針先端部とド
ラム表面間の距離を特別な装置により制御する必要がな
く、静電潜像の解像度を向上させることができる。しか
も、放電が針先端部と絶縁膜3とが非常に接近した時に
生じるため、オゾンの発生が少なく、装置周囲の衛生環
境を悪化させるようなこともなくすことができるし、ま
た、静電潜像の解像度も向上させることができる。
【0029】次に、請求項2記載の発明の一実施例を図
3に基づいて説明する。なお、請求項1記載の発明の実
施例と同一部分についての説明は省略し、その同一部分
については同一符号を用いる。
【0030】ドラム1の周辺部には、帯電手段としての
スコロトロン8や、現像転写ユニット9が配設されてい
る。導電性片持梁5はSW2のe点に電気的に接続され
ている。このSW2の端子cから引き出された電線10
は、導電性基板2と同電位に接続されている。この場
合、SW2と、導電性基板2に接続された電線10と
は、同電位静電潜像形成手段11を構成している。この
同電位静電潜像形成手段11とは、絶縁膜3表面に予め
帯電させておいた電荷を消去して情報を書込む場合にお
いて、導電性針4と導電性基板2とを接続して同電位に
し、これら両者間に静電引力を発生させる働きがある。
【0031】このような構成において、以下、同電位静
電潜像形成手段11の働きを中心にして説明する。今、
絶縁膜3の表面には、導電性針4の直下に位置する前
に、スコロトロン8により電荷が帯電されており、その
表面電位はVになっているものとする。ここで、
【0032】
【数5】
【0033】の関係を満たすように、各部分が設定され
ている。絶縁膜3上の電荷を除去したい時は、その除去
したい部分が導電性針4の直下に来た時にSW2をON
状態にする。これにより、導電性針4はGND電位とな
るため、針先端部と絶縁膜3の表面との間の電位差はV
となり、導電性針4と絶縁膜3の表面との間に静電引力
が働き、(6)式の条件から導電性針4は絶縁膜3の表
面のごく近傍に近づく。すると、針先端部と絶縁膜3の
表面との間の電界は大きくなり、放電限界を超えて放電
を開始し、これにより絶縁膜3の表面の電荷が放電し、
表面電位が低下していく。これに伴い、針先端部と絶縁
膜3の表面との間の電位差が小さくなり、これと共に静
電引力も小さくなっていく。そして、導電性片持梁5の
バネ性による戻り力の方が静電引力よりも強くなり、x
0≧x≧(2/3)x0の範囲内に戻っていく。一方、S
W2がOFFの場合は、針先端部に微小な誘導電荷が生
じるだけなので、導電性針4は絶縁膜3の表面に近づい
ていかない。
【0034】上述したように、絶縁膜3表面に予め帯電
させておいた電荷を消去して情報を書込む場合には、同
電位静電潜像形成手段11を用いて、導電性針4と導電
性基板2とを同電位にし、両者間に静電引力を働かせる
ことによって、導電性片持梁5の先端がドラム1の表面
方向に伸びて導電性針4がそのドラム1表面に近づき、
その導電性針4とドラム1表面との間に放電を発生させ
ることによりそのドラム1の表面に静電潜像を書込むこ
とが可能となる。従って、このようなことから、偏芯の
あるドラム状の媒体においても、従来のように針先端部
とドラム表面との間の距離を特別な装置を用いて制御す
る必要がなく、各導電性針4に対して導電性針4の電位
を制御するスイッチを1つずつ設ければよいため、導電
性針4をアレイ化した場合の駆動回路をより単純化させ
ることができる。
【0035】次に、請求項3記載の発明の一実施例を図
4〜図7に基づいて説明する。なお、請求項1,2記載
の発明と同一部分についての説明は省略し、その同一部
分については同一符号を用いる。
【0036】図4において、導電性片持梁5の根元に
は、その導電性片持梁5の曲がりにより生じる歪を検出
する静電力検出手段としての歪検出素子16が設けられ
ている。この歪検出の出力は、歪検出及び後述するアク
チュエータ14を制御する機能を有する距離制御手段と
しての距離制御回路13に入力される。導電性片持梁5
は、その電位を制御する片持梁電位制御回路12に接続
されている。
【0037】また、導電性片持梁5は、絶縁フィルム1
5を介して導電性針4の先端と、絶縁膜3の表面間の距
離を変化させるアクチュエータ14に取付けられてい
る。アクチュエータ14は、固定台6に取付けられてい
る。
【0038】このような構成において、以下、動作説明
を行う。運搬中、或いは、使用開始前、或いは、待機状
態等においては、距離制御回路13によりアクチュエー
タ14が縮んだ状態にあり、導電性針4と絶縁膜3表面
との間の距離は離れている。装置の使用開始に伴い、請
求項1記載の発明に適用した場合、片持梁電位制御回路
12により導電性針4の電位は適当な電圧に設定され、
さらに、距離制御回路13によりアクチュエータ14を
変位させ、導電性針4と絶縁膜3の表面との距離が徐々
に小さくなっていく。そして、絶縁膜3と導電性針4と
の間に働く力により導電性片持梁5が曲がると、歪検出
素子16が生じた歪を検出する。距離制御回路13がこ
れを検知し、歪良がある一定値になると、アクチュエー
タ14の変位を止める。その後は、請求項1記載の発明
の実施例中に示した動作により、静電潜像を書き込んで
いく。
【0039】また、本実施例を請求項2記載の発明に適
用する場合は、装置の使用開始に伴い、絶縁膜3上に電
荷を帯電させた後、片持梁電位制御回路12により導電
性針4の電位をGNDにする。さらに、距離制御回路1
3により導電性針4と絶縁膜3の表面との距離を徐々に
小さくしていく。そして、絶縁膜3と導電性針4との間
に働く力により導電性片持梁5が曲がると、歪検出素子
16が生じた歪を検出する。その歪は距離制御回路13
に検出され、歪量がある一定値になると、アクチュエー
タ14の変位を止める。その後、請求項2記載の発明の
実施例に示した動作により静電潜像を書き込んでいく。
【0040】ドラムの偏芯が100μm以上の大きなも
のの場合、x0maxとx0minとの差が大きくなり、これに
より(4)式(5)式の条件を満たすため、V2 の値が
大きくなる。書込む静電潜像パターンに対応して、導電
性針4の電位をV1 又はV1+V2 にする。すなわち、
V2 の電圧をスイッチングする。これにより、V2 が大
きくなると、これをスイチングする電気回路の負担が大
きくなっていく。このような現象を避けるために、静電
潜像書込み時に、ドラムが回転する際、ドラム表面の偏
芯による絶縁膜3の上下動に同期してアクチュエータ1
4を動作させ、実質的に導電性針4と絶縁膜3の表面と
の間の距離変動(x0max−x0min)を小さくし、電気回
路への負担を軽減することができる。
【0041】片持梁の曲がりを検出できる片持梁として
は、図5〜図7に示すような構成の片持梁を用いればよ
い。まず、その第一の具体例として、図5に示すよう
に、単結晶シリコンによる片持梁17に対して絶縁膜1
8、金属膜19を介して導電性針4を取り付け、片持梁
17の表面側にはピエゾ抵抗素子20を設けて拡散リー
ド21を介して抵抗計22に接続し、片持梁17が振動
することによって、梁表面に生じる歪をピエゾ抵抗素子
20の抵抗変化として捉えるようにしたものである。な
お、ピエゾ抵抗素子20の上層には、Si3N4による絶
縁膜23、ガラス膜24が順次積層され、さらに、その
上部にはC−Si台座25が設けられている。ここに、
ピエゾ抵抗素子20は多結晶シリコンを用いるようにし
てもよい。
【0042】また、その第二の具体例として、図6に示
すように、抵抗計22に代えて、電圧計26をピエゾ圧
電素子27に接続し、片持梁17が振動することにより
梁表面に生じる歪をピエゾ圧電素子27に生じる電圧変
化として捉えるようにしてもよい。これら図5、図6の
場合、片持梁17の材料としては単結晶シリコンに限ら
ず、SiO2 、Si3N4、多結晶シリコン等であっても
よい。
【0043】さらに、その第三の具体例として、図7に
示すように、C−Si台座27の両面に金属膜28と電
極29とを形成し、金属膜28と電極29とが接触する
状態で延設させ、その部分に導電性針4を取付ける一
方、アクチュエータ14側についてもC−Si台座27
上に保持されるガラス30の両面に電極31を形成し
て、導電性針4の対応部分で電極29,31が対向する
ように配設し、電極29と電極31との間に容量計32
を接続し、この電極29と電極31との間の容量変化に
より導電性針4の変位を測定するようにしてもよい。
【0044】
【発明の効果】請求項1記載の発明は、導電性基板上に
絶縁膜を有する静電潜像書込媒体を形成し、この静電潜
像書込媒体に対向してその媒体表面方向へ変位するバネ
を設け、このバネの先端に前記媒体表面方向に変位する
導電性針を取付け、前記導電性針と前記導電性基板とに
電圧を発生する電圧印加静電潜像形成手段を接続したの
で、偏芯のあるドラム状媒体においても針先端部とドラ
ム表面との間の距離を各針毎に制御することなく両者間
の距離を接近させることを可能とし、これにより、静電
潜像の解像度を一段と向上させることができ、しかも、
オゾンの発生割合を低下させることができるものであ
る。
【0045】請求項2記載の発明は、導電性基板上に絶
縁膜を有する静電潜像書込媒体を形成し、この静電潜像
書込媒体に対向してその媒体表面方向へ変位するバネを
設け、このバネの先端に前記媒体表面方向に変位する導
電性針を取付け、前記静電潜像書込媒体を帯電させる帯
電手段を設け、前記導電性針と前記導電性基板とを接続
する同電位静電潜像形成手段を設けたので、偏芯のある
ドラム状媒体においても針先端部とドラム表面との間の
距離を各針毎に制御することなく両者間の距離を接近さ
せることを可能とし、これにより、静電潜像の解像度を
一段と向上させ、しかも、駆動回路を単純化させること
ができるものである。
【0046】請求項3記載の発明は、請求項1,2記載
の発明において、導電性基板上の絶縁膜と導電性針との
間に働く静電力を検出する静電力検出手段を設け、この
静電力検出手段の出力により前記導電性針と前記絶縁膜
表面との間の距離を制御する距離制御手段を設けたの
で、待機中の場合、導電性針と絶縁膜表面との間の距離
が離れているため、両者の衝突等により導電性針の破損
の確率を小さくすることができ、また、偏芯の大きいド
ラムの場合でも回路への負担を小さくさせることができ
るものである。
【0047】請求項4記載の発明は、請求項1,2又は
3記載の発明において、バネを導電性材料により形成し
たので、静電引力の応答性を高め、的確に動作させるこ
とができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項1記載の発明である静電潜像形成装置の
構成を示す回路図である。
【図2】SW1を端子a側に接続した場合の針の変位状
態を示す回路図である。
【図3】請求項2記載の発明である静電潜像形成装置の
構成を示す回路図である。
【図4】請求項3記載の発明の一実施例を示す回路図で
ある。
【図5】第一の具体例を示す回路図である。
【図6】第二の具体例を示す回路図である。
【図7】第三の具体例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 静電潜像書込媒体 2 導電性基板 3 絶縁膜 4 導電性針 5 バネ 7 電圧印加静電潜像形成手段 11 同電位静電潜像形成手段 13 距離制御手段 16 静電力検出手段

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性基板上に絶縁膜を有する静電潜像
    書込媒体を形成し、この静電潜像書込媒体に対向してそ
    の媒体表面方向へ変位するバネを設け、このバネの先端
    に前記媒体表面方向に変位する導電性針を取付け、前記
    導電性針と前記導電性基板とに所定電圧を発生する電圧
    印加静電潜像形成手段を接続したことを特徴とする静電
    潜像形成装置。
  2. 【請求項2】 導電性基板上に絶縁膜を有する静電潜像
    書込媒体を形成し、この静電潜像書込媒体に対向してそ
    の媒体表面方向へ変位するバネを設け、このバネの先端
    に前記媒体表面方向に変位する導電性針を取付け、前記
    静電潜像書込媒体を帯電させる帯電手段を設け、前記導
    電性針と前記導電性基板とを接続する同電位静電潜像形
    成手段を設けたことを特徴とする静電潜像形成装置。
  3. 【請求項3】 導電性基板上の絶縁膜と導電性針との間
    に働く静電力を検出する静電力検出手段を設け、この静
    電力検出手段の出力により前記導電性針と前記絶縁膜表
    面との間の距離を制御する距離制御手段を設けたことを
    特徴とする請求項1又は2記載の静電潜像形成装置。
  4. 【請求項4】 バネを導電性材料により形成したことを
    特徴とする請求項1,2又は3記載の静電潜像形成装
    置。
JP10668492A 1992-04-24 1992-04-24 静電潜像形成装置 Pending JPH05303251A (ja)

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JP10668492A JPH05303251A (ja) 1992-04-24 1992-04-24 静電潜像形成装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1672435A2 (en) * 2004-12-14 2006-06-21 Palo Alto Research Center Incorporated Direct xerography

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EP1672435A2 (en) * 2004-12-14 2006-06-21 Palo Alto Research Center Incorporated Direct xerography
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