JPH05310752A - ビス（１，２−ビスシリルエチレン）類、含ケイ素ステップラダーポリマー及びその製造方法とそれを用いた材料 - Google Patents

ビス（１，２−ビスシリルエチレン）類、含ケイ素ステップラダーポリマー及びその製造方法とそれを用いた材料

Info

Publication number
JPH05310752A
JPH05310752A JP4266627A JP26662792A JPH05310752A JP H05310752 A JPH05310752 A JP H05310752A JP 4266627 A JP4266627 A JP 4266627A JP 26662792 A JP26662792 A JP 26662792A JP H05310752 A JPH05310752 A JP H05310752A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bis
benzene
compound
dimethylsilyl
acetylene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4266627A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0753738B2 (ja
Inventor
Masato Tanaka
正人 田中
Yuko Uchimaru
祐子 内丸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Publication of JPH05310752A publication Critical patent/JPH05310752A/ja
Publication of JPH0753738B2 publication Critical patent/JPH0753738B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】新規なビス（１，２−ビスシリルエチレン）類
の製造方法、およびプレセラミックス、耐熱性材料など
として好適なステップラダー構造を有するポリカルボシ
ラン類を提供する。 【構成】（イ）１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼ
ン（Ｉ）と特定のビス（アセチレン）類（II）とを、
（ロ）１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシリル）
ベンゼン（III ）とアセチレン類（IV）とを、または
（ハ）前記化合物（III ）と一般式（II）で示されるビ
ス（アセチレン）類を、それぞれ白金化合物の存在下に
反応させる。（イ）、（ロ）の方法により新規ビス
（１，２−ビスシリルエチレン）類を、（ハ）の方法に
よりステップラダー構造を有するポリカルボシラン類を
効率的に製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１，２−ビス（ジメチ
ルシリル）ベンゼンとビス（アセチレン）類とを脱水素
的に反応させることによる、ビス（１，２−ビスシリル
エチレン）類の製造方法、およびそれにより得られる新
規なビス（１，２−ビスシリルエチレン）類に関するも
のである。また本発明は、１，２，４，５−テトラキス
（ジメチルシリル）ベンゼンとアセチレン類とを脱水素
的に反応させることによる、ビス（１，２−ビスシリル
エチレン）類の製造方法、およびそれにより得られる新
規なビス（１，２−ビスシリルエチレン）類に関するも
のである。さらに本発明は、１，２，４，５−テトラキ
ス（ジメチルシリル）ベンゼンとビス（アセチレン）類
とを脱水素的に反応させることによる、ステップラダー
構造を有するポリカルボシラン類の製造方法、それによ
り得られる新規なポリカルボシラン類、それを含有する
耐熱性材料、プレセラミックス（セラミックス前駆
体）、および導電性材料に関するものである。
【０００２】本発明の方法により製造されるビス（１，
２−ビスシリルエチレン）類はビニルシラン構造を有し
ており、医・農薬等ファインケミカルズの合成中間体と
して有用なものである。また本発明の方法により製造さ
れるポリカルボシラン類は、剛直な骨格を含むステップ
ラダー構造を有するため高い耐熱性を示し、エンジニア
リングプラスチックとしての用途が見込まれる。本発明
の方法により製造されるポリカルボシラン類のうち、高
温における熱分解時の残存率が高いものは、プレセラミ
ックスとしての用途が見込まれる。またこのポリカルボ
シラン類は、有機π電子系とケイ素との結合を有する、
一次元の導電性ポリカルボシラン類の類縁ポリマーであ
り、導電性材料としての用途が見込まれる。
【０００３】
【従来の技術】従来、ポリカルボシラン類をプレセラミ
ックスとして用いる多くの試みが行われている。また近
年、ポリカルボシラン類が耐熱性および導電性を有して
いることが見いだされ、このような化合物を耐熱性およ
び導電性材料として用いる試みが行われている（例え
ば、Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．，２，３５１（１９９
０）、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２３，４４８５
（１９９０））。しかし、このようなポリカルボシラン
類は、その主鎖が直鎖状の、一次元型構造のものに限ら
れており、このようなポリカルボシラン類を含有する導
電性および耐熱性材料においては、その特性および製造
方法に、改善すべき点が依然多く残されている。一方、
このようなポリカルボシラン類にラダー構造を導入する
ことにより、ポリマーの耐熱性などの安定性の向上が期
待され、また二次元構造によって共役鎖が広がることに
より、導電性の向上が期待される。しかし今までに、規
則的なステップラダー構造を有するポリカルボシラン
類、およびその製造方法は知られていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、容易に入手
可能な原料である１，２−ビス（ジメチルシリル）ベン
ゼンとビス（アセチレン）類とを、温和な条件で脱水素
的に反応させることによる、ビス（１，２−ビスシリル
エチレン）類の製造方法、およびそれにより得られる新
規なビス（１，２−ビスシリルエチレン）類を提供する
ことをその目的とする。また本発明は、容易に入手可能
な原料である１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンとアセチレン類とを、温和な条件で脱水
素的に反応させることによるビス（１，２−ビスシリル
エチレン）類の製造方法、およびそれにより得られる新
規なビス（１，２−ビスシリルエチレン）類を提供する
ことをその目的とする。さらに本発明は、容易に入手可
能な原料である１，２，４，５−テトラキス（ジメチル
シリル）ベンゼンとビス（アセチレン）類とを、温和な
条件で脱水素的に反応させることによる、ステップラダ
ー構造を有するポリカルボシラン類の製造方法、それに
より得られる新規なポリカルボシラン類、それを含有す
る耐熱性材料、それを含有するプレセラミックス、およ
びそれを含有する導電性材料を提供することをその目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、１，２−ビス（ジメ
チルシリル）ベンゼンと特定のビス（アセチレン）類と
が、白金化合物の存在下、温和な条件下に迅速に反応
し、ビス（１，２−ビスシリルエチレン）誘導体を与え
るという事実を見い出した。また１，２，４，５−テト
ラキス（ジメチルシリル）ベンゼンと特定のアセチレン
類とが白金化合物の存在下、温和な条件下に迅速に反応
し、ビス（１，２−ビスシリルエチレン）誘導体を与え
るという事実を見い出した。さらに、１，２，４，５−
テトラキス（ジメチルシリル）ベンゼンと特定のビス
（アセチレン）類とが、白金化合物の存在下、温和な条
件下に迅速に反応し、ポリカルボシラン類を与えるとい
う事実を見い出した。そしてこれらの事実に基づき本発
明を完成させるにいたった。
【０００６】すなわち本発明は （１） （ａ）１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンと （ｂ）一般式（Ｉ） R1-C≡C-A-C ≡C-R1 （Ｉ） （式中、R1およびＡはそれぞれ１価および２価の基であ
る。) で表わされるビス（アセチレン）類とを、 （ｃ）白金化合物の存在下に反応させることを特徴とす
る、一般式（II）
【化９】 （式中、R1およびＡはそれぞれ前記と同じ意味をも
つ。）で表わされるビス（１，２−ビスシリルエチレ
ン）類の製造方法（第１発明という）。 （２） （ａ）１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシリル）
ベンゼンと （ｂ）一般式（III ） R2-C≡C-R3 （III ） （式中、R2およびR3は１価の基である。）で表わされる
アセチレン類とを （ｃ）白金化合物の存在下に反応させることを特徴とす
る、一般式（IV）
【化１０】 （式中、R2およびR3はそれぞれ前記と同じ意味をも
つ。）、または一般式（Ｖ）
【化１１】 （式中、R2およびR3はそれぞれ前記と同じ意味をも
つ。）で表わされるビス（１，２−ビスシリルエチレ
ン）類の製造方法（第２発明という）。 （３） （ａ）１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシリル）
ベンゼンと （ｂ）一般式（Ｉ） R1-C≡C-A-C ≡C-R1 （Ｉ） （式中、R1およびＡはそれぞれ１価および２価の基であ
る。) で表わされるビス（アセチレン）類とを、 （ｃ）白金化合物の存在下に反応させることを特徴とす
る、一般式（VI）
【化１２】 （式中、R1およびＡはそれぞれ前記と同じ意味をもつ、
ｍおよびｎはそれぞれ０または正の整数であり、ｍ＋ｎ
≧１である。）で表わされるポリカルボシラン類の製造
方法（第３発明という）。に関するものである。また本
発明は前記一般式（II）、（IV）、（Ｖ）又は（VI）で
表わされる化合物に関する。さらに本発明は前記一般式
（VI）で表わされるポリカルボシラン類を含有してなる
耐熱性材料、プレセラミックス又は導電性材料に関す
る。上記の本発明（第１発明〜第３発明）の製造方法に
おいて、反応は次式に従って進むものと考えられる。
【化１３】 （式中、R1およびＡはそれぞれ前記と同じ意味をも
つ。) 、または
【０００７】
【化１４】 （式中、R2およびR3はそれぞれ前記と同じ意味をも
つ。）、または
【０００８】
【化１５】 （式中、R1,A,mおよびｎはそれぞれ前記と同じ意味をも
つ。）。
【０００９】本発明の第１発明及び第３発明で用いるビ
ス（アセチレン）類は一般式（Ｉ） R1-C≡C-A-C ≡C-R1 （Ｉ） で表わされる。式中R1およびＡはそれぞれ１価および２
価の基であり、R1としては例えば、アルキル基、アリー
ル基、アラルキル基、チエニル基、ピリジル基、または
フリル基等が挙げられ、Ａとしては例えば、アルキレン
基、アリーレン基、アラルキレン基、オリゴシラニレン
基、-R2Si-O-SiR2- 、-C6H4-O-C6H4- 、１，１’−フェ
ロセニレン基、２，５−フリレン基、３，４−チエニレ
ン基、２，５−チエニレン基、２，６−ピリジレン基等
が挙げられる。これらの置換基を有し一般式（Ｉ）で表
わされるビス（アセチレン）類を例示すると、１，４−
ビス（２−フェニルエチニル）ベンゼン、１，４−ビス
（１−オクチニル）ベンゼン、１，１’−ビス（２−フ
ェニルエチニル）フェロセン、ビス｛４−（２−フェニ
ルエチニル）フェニル｝エ−テル、２，２−ビス｛４−
（２−フェニルエチニル）フェニル｝プロパン、ビス
（２−フェニルエチニル）ジメチルシラン、１，３−ビ
ス（２−フェニルエチニル）−１，１，３，３−テトラ
メチルシロキサン、１，２−ビス｛４−（２−フェニル
エチニル）フェニル｝−１，２−ジメチルジシラン、
１，２−ビス（２−フェニルエチニル）−１，２−ジイ
ソプロピル−１，２−ジメチルジシラン、２，５−ビス
（２−フェニルエチニル）チオフェン、１，３−ビス
（２−フェニルエチニル）ベンゼン、２，５−ビス（２
−フェニルエチニル）フラン、２，６−ビス（２−フェ
ニルエチニル）ピリジン、４，４’−ビス（２−フェニ
ルエチニル）ベンゾフェノン、２，７−ビス（２−フェ
ニルエチニル）−９−フルオレノン、１，４−ビス｛２
−（２−チエニル）エチニル｝ベンゼン、１，４−ビス
（３−フェニル−１，１−ジメチル−２−プロピニル）
ベンゼン、１，６−ビス（２−ナフチルエチニル）−
１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ド
デカメチルヘキサシラン、１，４−ビス｛２−（４−ピ
リジル）エチニル｝ベンゼン、１，４−ビス｛２−（２
−フリル）エチニル｝ベンゼン等が挙げられる。
【００１０】本発明の第２発明で用いるアセチレン類は
一般式（III ） R2-C≡C-R3 （III ） で表わされる。式中R2およびR3は１価の基であり、これ
を例示するとアルキル基、アリール基、アラルキル基、
アルコキシ基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル
基、アルコキシカルボニル基、チエニル基、ピリジル
基、フリル基、フェロセニル基等が挙げられる。これら
の置換基を有し一般式（III ）で表わされるアセチレン
類を例示すると、３−ヘキシン、１−フェニル−１−プ
ロピン、ジフェニルアセチレン、ビス（２−チエニル）
アセチレン、ビス（４−ピリジル）アセチレン、ビス
（２−フリル）アセチレン、１−フェロセニル−２−フ
ェニルアセチレン、メチル（３−フェニル−２−プロピ
ル）エ−テル、１，４−ジアセトキシ−２−ブチン、フ
ェニル（シクロヘキシル）アセチレン、フェニルエチニ
ル（エチル）エ−テル、フェニルプロピオ−ル酸メチル
等が挙げられる。
【００１１】本発明の第１発明〜第３発明の製造方法に
おいて、反応原料の１，２−ビス（ジメチルシリル）ベ
ンゼンとビス（アセチレン）類の比、１，２，４，５−
テトラキス（ジメチルシリル）ベンゼンとアセチレン類
の比、および１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンとビス（アセチレン）類の比は、通常
１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンとビス（アセ
チレン）類、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンとアセチレン類、および１，２，４，５
−テトラキス（ジメチルシリル）ベンゼンとビス（アセ
チレン）類のモル比で、それぞれ１：５０〜１００：
１、１：１００〜２００：１、および１：１００〜１０
０：１の範囲で実施され、好ましくはそれぞれ２：５〜
５：１、１：５〜１０：１、および１：５〜５：１の範
囲である。
【００１２】本発明の製造方法において触媒として用い
られる白金化合物としては、従来公知の各種のものを使
用することができるが、反応系に少なくとも一部は可溶
の化合物を用いるのが反応速度的には好ましい。これら
の化合物としては有機配位子を含む錯体が特に好ましく
用いられる。本発明に用いられる配位子を例示すると、
ホスフィン、ホスホナイト、ホスフィナイト、ホスファ
イト、オレフィン、アセチレン、β- ジケトナト配位
子、共役ケトン、アミン、一酸化炭素等が挙げられる。
これらを具体的に例示すると、トリメチルホスフィン、
トリブチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリシ
クロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ト
リ（ｐ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−アニシル）ホ
スフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメ
チルホスフィン等の鎖状ホスフィン、ｐ−メチルホスホ
レン、ｐ−メチルホスホール、９−メチル−９−ホスフ
ァビシクロ［４．２．１］ノナン等の環状ホスフィン、
１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、１，３−
ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス
（ジメチルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジメチルホスフィノ）
フェロセン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）
フェロセン、α，α’−ビス（ジメチルホスフィノ）−
ｏ−キシレン、１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）ベ
ンゼン等のビスホスフィン、ジメチル メチルホスホナ
イト、ジメチル フェニルホスホナイト等のホスホナイ
ト、メチル ジメチルホスフィナイト、フェニル ジフ
ェニルホスフィナイト等のホスフィナイト、およびトリ
エチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、１−
ホスファ−２，６，７−トリオキサ−４−エチルビシク
ロ［２，２，２］オクタン等のホスファイト、エチレ
ン、プロぺン、シクロオクテン、無水マレイン酸、１，
５−ヘキサジエン、１，５−シクロオクタジエン、１，
３−シクロペンタジエン、２，５−ノルボルナジエン、
１，３，５，７−シクロオクタテトラエン等のオレフィ
ンやジエン、アセチルアセトナト等のβ−ジケトナト配
位子、ジベンジリデンアセトン等の共役ケトン、エチレ
ンジアミン、２，２’−ビピリジル等のアミン、および
一酸化炭素が挙げられる。従って本反応に用いられる白
金化合物を具体的に例示すると、（η- エチレン）ビス
（トリフェニルホスフィン）白金、テトラキス（ジフェ
ニルメチルホスフィン）白金、ジクロロビス（フェニル
ジメチルホスフィン）白金、クロロヒドリドビス（トリ
ブチルホスフィン）白金、ジクロロ（テトラメチルエチ
レンジアミン）白金、ジブロモビス（トリエチルホスフ
ァイト）白金、ビス（η−１，５−シクロオクタジエ
ン）白金、ジクロロ（η−１，５−シクロオクタジエ
ン）白金、ジカルボニルビス（トリブチルホスフィン）
白金、カルボナトビス（トリシクロヘキシルホスフィ
ン）白金、ビス（ジベンジリデンアセトン）ビス（トリ
フェニルホスフィン）白金、ビス（ジベンジリデンアセ
トン）白金等が挙げられるが、これに制限されるもので
はない。
【００１３】またこれらの白金化合物を単独でなく、２
種以上を共存させて実施してもよく、さらに白金化合物
と共に該白金化合物にふくまれるものと同一、もしくは
異なる有機配位子を添加して実施することも、本発明の
有利な態様に含まれる。
【００１４】これら白金化合物の使用量はいわゆる触媒
量でよく、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンま
たは、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシリル）
ベンゼン１モルに対し、０．００００１〜０．５モルの
範囲で使用される。また配位子は、白金原子１モルに対
し１〜２０モルの範囲で用いられ、好ましくは１〜４モ
ルの範囲である。
【００１５】本発明の反応は特に溶媒を使用することな
く、反応に供すべき１，２−ビス（ジメチルシリル）ベ
ンゼンとビス（アセチレン）類の混合物、または１，
２，４，５−テトラキス（ジメチルシリル）ベンゼンと
アセチレン類の混合物、または１，２，４，５−テトラ
キス（ジメチルシリル）ベンゼンとビス（アセチレン）
類の混合物を用いることにより容易に実施される。しか
し、溶媒を用いることは本反応の生起にとって障害とな
るものでなく、必要に応じ溶媒中で実施される。これら
の溶媒の選択は、反応させるべき１，２−ビス（ジメチ
ルシリル）ベンゼンまたは１，２，４，５−テトラキス
（ジメチルシリル）ベンゼンの反応性や沸点、およびビ
ス（アセチレン）類またはアセチレン類の沸点等を考慮
して、一般に用いられる溶媒、例えば炭化水素系、また
はエーテル系の溶媒の中から選ぶのが好ましい。
【００１６】本発明の各製造方法において反応は０℃以
下でも進行するが、好ましい速度を達するためには２５
０℃までの温度に加熱することもできる。原料物質の構
造にもよるが、一般的に好ましい温度領域は０〜１５０
℃である。
【００１７】反応後の生成物の分離は、通常の蒸留、再
結晶、クロマトグラフィー、溶媒による抽出、または再
沈等の有機化学的に通常用いられる手段により、容易に
実施される。
【００１８】本発明の前記一般式（VI）で表わされるポ
リカルボシラン類の分子量は、通常５００〜１０，００
０，０００、好ましくは１０００〜１，０００，０００
であるが、これに限定されるものではない。
【００１９】第３発明の製造方法により、ヘリウム雰囲
気下での熱重量分析で、重量減少が５％になる温度が３
００℃以上のポリカルボシラン類、または９００℃まで
の加熱時に、その残存率が２０％以上のポリカルボシラ
ン類をも製造することができる。このようなポリカルボ
シラン類それ自体を、耐熱性材料またはプレセラミック
スとして用いることができる。
【００２０】このポリカルボシラン類は通常、電導度が
１０-8Ｓ／ｃｍ以下である。しかしこのポリカルボシラ
ン類にド−ピングを行うことにより、電導度は１０-7〜
１０3 Ｓ／ｃｍの範囲になる。従ってこのポリカルボシ
ラン類は導電性材料として用いることができる。
【００２１】このド−ピングの際にド−パントとして
は、従来から知られているもの等、種々のものを用いる
ことができる。例えば、Ｉ2 、ＳｂＦ5 、ＡｓＦ5 、Ｓ
Ｏ3 、ＦｅＣｌ3 等が挙げられる。これらのド−パント
は単独で、または２種以上組み合わせて用いることがで
きる。
【００２２】ポリカルボシラン類にド−ピングを行う方
法は特に限定されるものではない。例えば、本発明によ
り得られるポリカルボシラン類からなる薄膜を形成した
後、これをド−パントの蒸気にさらす方法およびド−パ
ントの液体に浸す方法や、予めポリカルボシラン類とド
−パントを含む溶液を用いてド−ピングされた薄膜を形
成する方法、またはポリカルボシラン類とド−パントの
混合物を用いてド−ピングされたペレットを形成する方
法等、種々の方法を用いることができる。
【００２３】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、もとより本発明は、これら実施例に限定されるも
のではない。
【００２４】実施例１ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．００５ｍ
モルおよび、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン
を０．２５ｍモル及び、１，４−ビス（１−オクチニ
ル）ベンゼンを０．１２５ｍモル含むベンゼン溶液４ｍ
ｌを、３０℃にて１２時間反応させた。濃縮後、分取薄
層クロマトグラフィ−（シリカゲル、ヘキサン−ベンゼ
ン＝３：１）にて精製したところ、１，４−ビス｛２−
（５−ベンゾ−１，１，４，４−テトラメチル−３−ヘ
キシル−１，４−ジシラシクロヘキサ−２，５−ジエニ
ル）｝ベンゼンが収率７８％で得られた。本化合物は、
エタノ−ルから結晶化することができた。本化合物は文
献に未収載の新規化合物であり、その物性値、スペクト
ルデータは以下の通りであった。
【００２５】
【化１６】 融点：１３０−１３２℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．６５−７．５
５（ｍ，４Ｈ），７．４−７．３５（ｍ，４Ｈ），６．
９０（ｓ，４Ｈ），２．１８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，４
Ｈ），１．４−１．１（ｂｒ，１６Ｈ），０．８３
（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．４１（ｓ，１２Ｈ），
０．１８（ｓ，１２Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２５８，１２４１ｃｍ-1 元素分析 Ｃ42Ｈ62Ｓｉ4 （理論値）Ｃ ７４．２６％； Ｈ ９．２０％： （実測値）Ｃ ７３．９４％； Ｈ ９．５９％
【００２６】実施例２ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．００５ｍ
モルおよび、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを０．１２５ｍモル及び、ジフェニルア
セチレンを０．２５ｍモル含むベンゼン溶液４ｍｌを、
３０℃にて８時間反応をさせたところ、ガスクロマトグ
ラフィ−分析にて、原料化合物が完全に消失しているこ
とが確認され、収率９１％で白色難溶性の１，４，５，
８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラシラ−１，
１，４，４，５，５，８，８−オクタメチル−２，３，
６，７−テトラフェニルアントラセンが得られた。本化
合物は多量のベンゼンから結晶化することができた。本
化合物は文献に未収載の新規化合物であり、その物性
値、スペクトルデータは以下の通りであった。
【００２７】
【化１７】 融点：３１０℃（ＤＳＣ）1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6 Ｄ6 ）： δ ８．１（ｓ，２
Ｈ），７．１−６．８（ｍ，２０Ｈ），０．５（ｓ，１
２Ｈ），０．４（ｓ，１２Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２５９ｃｍ-1 元素分析 Ｃ42Ｈ46Ｓｉ4 （理論値）Ｃ ７６．０７％； Ｈ ６．９９％： （実測値）Ｃ ７６．２４％； Ｈ ７．０４％
【００２８】実施例３ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．００５ｍ
モルおよび、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン
を０．２５ｍモル及び、１，１’−ビス（２−フェニル
エチニル）フェロセンを０．１２５ｍモル含むベンゼン
溶液４ｍｌを、３０℃にて１８時間反応をさせた。濃縮
後、分取薄層クロマトグラフィ−（シリカゲル、ヘキサ
ン−ベンゼン＝３：１）にて精製したところ、１，１’
−ビス｛２−（５−ベンゾ−１，１，４，４−テトラメ
チル−３−フェニル−１，４−ジシラシクロヘキサ−
２，５−ジエニル）｝フェロセンが収率８３％で得られ
た。本化合物は、エタノ−ルから結晶化することができ
た。本化合物は文献に未収載の新規化合物であり、その
物性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
【００２９】
【化１８】 融点：２２９−２３０．５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．７−７．１５
（ｍ，１４Ｈ），７．０−６．８１（ｍ，４Ｈ），３．
８９（ｂｒ ｓ，４Ｈ），３．７０（ｂｒ ｓ，４
Ｈ），０．５（ｓ，１２Ｈ），０．１２（ｓ，１２Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２４５ｃｍ-1 元素分析 Ｃ46Ｈ50Ｓｉ4 Ｆｅ （理論値）Ｃ ７１．６５％； Ｈ ６．５４％ （実測値）Ｃ ７１．９９％； Ｈ ６．８９％
【００３０】実施例４ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．０１０ｍ
モルおよび、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを０．２５ｍモル及び、１，４−ビス
（２−フェニルエチニル）ベンゼンを０．２５ｍモル含
むベンゼン溶液６ｍｌを、３０℃にて１８時間反応をさ
せたところ、不溶性の白色ポリマ−、ポリ（１，４，
５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラシラ−
１，１，４，４，５，５，８，８−オクタメチル−３，
７−ジフェニルアントラセン−２，６−ジイル−１，４
−フェニレン）ポリ（１，４，５，８−テトラヒドロ−
１，４，５，８−テトラシラ−１，１，４，４，５，
５，８，８−オクタメチル−３，６−ジフェニルアント
ラセン−２，７−ジイル−１，４−フェニレン）が９１
％収率で得られた。本化合物は文献に未収載の新規化合
物であり、その物性値、スペクトルデータは以下の通り
であった。
【００３１】
【化１９】 融点：２８０℃以上 ＩＲ（ＫＢｒ）：１２４４ｃｍ-1 元素分析 （Ｃ36Ｈ40Ｓｉ4 ）n （理論値）Ｃ ７３．９１％； Ｈ ６．８９％ （実測値）Ｃ ７２．６８％； Ｈ ７．１１％ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４９６℃ 残存率９５％ ５２０℃ 残存率９０％ ９００℃ 残存率６２％
【００３２】実施例５ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．０１０ｍ
モルおよび、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを０．２５ｍモル及び、１，４−ビス
（１−オクチニル）ベンゼンを０．２５ｍモル含むベン
ゼン溶液６ｍｌを、６０℃にて２０時間反応させたとこ
ろ、難溶性の黄白色ポリマ−、ポリ（１，４，５，８−
テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラシラ−１，１，
４，４，５，５，８，８−オクタメチル−３，７−ジヘ
キシルアントラセン−２，６−ジイル−１，４−フェニ
レン）ポリ（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，
５，８−テトラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８
−オクタメチル−３，６−ジヘキシルアントラセン−
２，７−ジイル−１，４−フェニレン）が得られた。こ
れをベンゼン可溶部（収率２５％）と不溶部（収率５０
％）に分離した。本化合物は文献に未収載の新規化合物
であり、その物性値、スペクトルデータは以下の通りで
あった。
【００３３】
【化２０】 ベンゼン可溶部 融点：３００℃以上 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準、１３５℃）：
４５００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
１．５1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．８−７．７
（ｍ，２Ｈ），６．８（ｓ，４Ｈ），２．２−２．０
（ｂｒ ｓ，４Ｈ），１．３−１．１（ｂｒ ｓ，１６
Ｈ），０．７（ｂｒ ｓ，６Ｈ），０．３７（ｓ，６
Ｈ），０．３５（ｓ，６Ｈ），０．１５（ｓ，６Ｈ），
０．１２（ｓ，６Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２４１ｃｍ-1 ベンゼン不溶部 融点：３００℃以上 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準、１３５℃）：
１１１００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
１．９ ＩＲ（ＫＢｒ）：１２４１ｃｍ-1 元素分析 （Ｃ36Ｈ56Ｓｉ4 ）n （理論値）Ｃ ７１．９２％； Ｈ ９．３９％ （実測値）Ｃ ７１．６０％； Ｈ ９．６２％ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４２４℃ 残存率９５％ ４４０℃ 残存率９０％ ９００℃ 残存率２４％
【００３４】実施例６ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．０１０ｍ
モルおよび、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを０．２５ｍモル及び、１，１’−ビス
（２−フェニルエチニル）フェロセンを０．２５ｍモル
含むベンゼン溶液６ｍｌを、３０℃にて１８時間反応を
させたところ、可溶性の赤茶色ポリマ−、ポリ（１，
４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラシ
ラ−１，１，４，４，５，５，８，８−オクタメチル−
３，７−ジフェニルアントラセン−２，６−ジイル−
１，１’−フェロセニレン）ポリ（１，４，５，８−テ
トラヒドロ−１，４，５，８−テトラシラ−１，１，
４，４，５，５，８，８−オクタメチル−３，６−ジフ
ェニルアントラセン−２，７−ジイル−１，１’−フェ
ロセニレン）が９４％収率で得られた。本化合物は文献
に未収載の新規化合物であり、その物性値、スペクトル
データは以下の通りであった。
【００３５】
【化２１】 融点：３００℃以上 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準、１３５℃）：
２２６００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
２．９1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．８−７．７
（ｍ，２Ｈ），７．２５（ｂｒ ｓ，６Ｈ），６．９
（ｂｒ ｓ，４Ｈ），３．８（ｓ，４Ｈ），３．７
（ｓ，４Ｈ），０．５７（ｓ，６Ｈ），０．５２（ｓ，
６Ｈ），０．１２（ｓ，６Ｈ），０．０７（ｓ，６Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２４６ｃｍ-1 元素分析 （Ｃ40Ｈ44Ｓｉ4 Ｆｅ）n （理論値）Ｃ ６９．３３％； Ｈ ６．４０％ （実測値）Ｃ ６８．６２％； Ｈ ６．６６％ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱した）； ４５４℃ 残存率９５％ ４７２℃ 残存率９０％ ９００℃ 残存率４９％
【００３６】実施例７ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．００５ｍ
モルおよび、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン
を０．２５ｍモル及び、２，６−ビス（２−フェニルエ
チニル）ピリジンを０．１２５ｍモル含むベンゼン溶液
４ｍｌを、３０℃にて１８時間反応を行った。濃縮後、
分取薄層クロマトグラフィ−（シリカゲル、ヘキサン−
ベンゼン＝２：１）にて精製したところ、２，６−ビス
｛２−（５−ベンゾ−１，１，４，４−テトラメチル−
３−フェニル−１，４−ジシラシクロヘキサ−２，５−
ジエニル）｝ピリジンが収率７６％で得られた。本化合
物はエタノ−ルから結晶化することができた。本化合物
は文献に未収載の新規化合物であり、その物性値、スペ
クトルデータは以下の通りであった。
【００３７】
【化２２】 融点：２３０−２３２℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．６７−７．６
２（ｍ，４Ｈ），７．４７−７．３９（ｍ，５Ｈ），
７．１５−７．００（ｍ，６Ｈ），６．８７−６．７９
（ｍ，４Ｈ），６．２１（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２
Ｈ），０．３４（ｓ，１２Ｈ），０．３１（ｓ，１２
Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２５３，１２３５ｃｍ-1 元素分析 Ｃ41Ｈ45ＮＳｉ4 （理論値）Ｃ ７４．１４％； Ｈ ６．８３％； Ｎ
２．１１％： （実測値）Ｃ ７３．９１％； Ｈ ６．８２％； Ｎ
２．０８％
【００３８】実施例８ 反応条件を３０℃、１８時間で行う他は、実施例５と同
様に反応を行い、黄白色ポリマ−、ポリ｛２，７−
（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テ
トラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８−オクタメ
チル−３，７−ジヘキシル−２，６−アントラセニレ
ン）｝（１，４−フェニレン）｛２，７−（１，４，
５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラシラ−
１，１，４，４，５，５，８，８−オクタメチル−２，
６−ジヘキシル−３，７−アントラセニレン）｝（１，
４−フェニレン）が得られた。これをベンゼン可溶部
（収率７２％）と不溶部（収率２５％）に分離した。そ
の物性値は以下の通りであった。 ベンゼン可溶部 融点：３００℃以上 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準、１３５℃）：
１２０００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
２．１ ベンゼン不溶部 融点：３００℃以上 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準、１３５℃）：
２１０００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
２．８
【００３９】実施例９ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．００５ｍ
モルおよび、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン
を０．２５ｍモル及び、２，５−ビス（２−フェニルエ
チニル）チオフェンを０．１２５ｍモル含むベンゼン溶
液４ｍｌを、３０℃にて１８時間反応を行った。濃縮
後、分取薄層クロマトグラフィ−（シリカゲル、ヘキサ
ン−ベンゼン＝１０：１）にて精製したところ、２，５
−ビス｛２−（５−ベンゾ−１，１，４，４−テトラメ
チル−３−フェニル−１，４−ジシラシクロヘキサ−
２，５−ジエニル）｝チオフェンが収率７８％で得られ
た。本化合物はエタノ−ルから結晶化することができ
た。本化合物は文献に未収載の新規化合物であり、その
物性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
【００４０】
【化２３】 融点：１５８−１６０℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．６１−７．５
４（ｍ，４Ｈ），７．４２−７．３５（ｍ，４Ｈ），
７．２２−７．００（ｍ，６Ｈ），６．８６−６．８０
（ｍ，４Ｈ），６．１５（ｓ，２Ｈ），０．２４（ｓ，
１２Ｈ），０．１８（ｓ，１２Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２４７ｃｍ-1 元素分析 Ｃ40Ｈ44ＳＳｉ4 （理論値）Ｃ ７１．７９％； Ｈ ６．６２％； Ｓ
４．７９％： （実測値）Ｃ ７１．８１％； Ｈ ６．６１％； Ｓ
４．７６％
【００４１】実施例１０ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．００５ｍ
モルおよび、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン
を０．２５ｍモル及び、１，１，３，３−テトラメチル
−１，３−ビス（１−プロピニル）−ジシロキサンを
０．１２５ｍモル含むベンゼン溶液４ｍｌを、５０℃に
て１８時間反応を行った。濃縮後、分取薄層クロマトグ
ラフィ−（シリカゲル、ヘキサン−ベンゼン＝４：１）
にて精製したところ、１，１，３，３−テトラメチル−
１，３−ビス｛２−（５−ベンゾ−１，１，４，４−テ
トラメチル−３−メチル−１，４−ジシラシクロヘキサ
−２，５−ジエニル）｝ジシロキサンが収率７５％で得
られた。本化合物はエタノ−ルから結晶化することがで
きた。本化合物は文献に未収載の新規化合物であり、そ
の物性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
【００４２】
【化２４】 融点：７６℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．５５−７．４
５（ｍ，４Ｈ），７．４ ０−７．３０（ｍ，４Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），
０．３５（ｓ，２４Ｈ），０．２８（ｓ，１２Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２５４ｃｍ-1 元素分析 Ｃ30Ｈ50ＯＳｉ6 （理論値）Ｃ ６０．５３％； Ｈ ８．４６％： （実測値）Ｃ ６０．６６％； Ｈ ８．５０％
【００４３】実施例１１ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．０１０ｍ
モルおよび、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを０．２５ｍモル及び、２，５−ビス
（２−フェニルエチニル）チオフェンを０．２５ｍモル
含むベンゼン溶液６ｍｌを、３０℃にて１８時間反応を
行ったところ、不溶性の黄色ポリマ−、ポリ｛２，５−
チオフェンジイル−（１，４，５，８−テトラヒドロ−
１，４，５，８−テトラシラ−１，１，４，４，５，
５，８，８−オクタメチル−３，７−ジフェニルアント
ラセン−２，６−ジイル）｝ポリ｛２，５−チオフェン
ジイル−（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，
５，８−テトラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８
−オクタメチル−３，６−ジフェニルアントラセン−
２，７−ジイル）｝が８５％収率で得られた。本化合物
は文献に未収載の新規化合物であり、その物性値、スペ
クトルデータは以下の通りであった。
【００４４】
【化２５】 融点：３００℃以上 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準、１３５℃）：
６１００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
１．８1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．８５−７．７
５（ｍ，２Ｈ），７．３５−７．０５（ｍ，６Ｈ），
６．９５−６．８（ｂｒ ｓ，４Ｈ），６．２−６．１
（ｂｒ ｓ，２Ｈ），０．２７（ｓ，１２Ｈ），０．２
０（ｓ，１２Ｈ）ＩＲ（ＫＢｒ）：１２４６ｃｍ-1 元素分析 （Ｃ34Ｈ38ＳＳｉ4 ）n （理論値）Ｃ ６９．０８％； Ｈ ６．４８％； Ｓ
５．４２％： （実測値）Ｃ ６８．７１％； Ｈ ６．４８％； Ｓ
５．１３％ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４２６℃ 残存率９５％ ９００℃ 残存率４９％
【００４５】実施例１２ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．０１０ｍ
モルおよび、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを０．２５ｍモル及び、２，６−ビス
（２−フェニルエチニル）ピリジンを０．２５ｍモル含
むベンゼン溶液６ｍｌを、３０℃にて１８時間反応を行
ったところ、可溶性の淡黄色ポリマ−、ポリ｛２，６−
ピリジンジイル−（１，４，５，８−テトラヒドロ−
１，４，５，８−テトラシラ−１，１，４，４，５，
５，８，８−オクタメチル−３，７−ジフェニルアント
ラセン−２，６−ジイル）｝ポリ｛２，６−ピリジンジ
イル−（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，
８−テトラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８−オ
クタメチル−３，６−ジフェニルアントラセン−２，７
−ジイル）｝が７１％収率で得られた。本化合物は文献
に未収載の新規化合物であり、その物性値、スペクトル
データは以下の通りであった。
【００４６】
【化２６】 融点：２３０−２３５℃（軟化点） 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準、１３５℃）：
３５００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
１．４1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．８４−７．７
４（ｍ，２Ｈ），７．２−６．９（ｍ，７Ｈ），６．７
８−６．７４（ｍ，４Ｈ），６．１３（ｄ，Ｊ＝７．７
Ｈｚ，２Ｈ），０．３２（ｓ，６Ｈ），０．３０（ｓ，
６Ｈ），０．２８（ｓ，１２Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２３９ｃｍ-1 元素分析 （Ｃ35Ｈ39ＮＳｉ4 ）n （理論値）Ｃ ７１．７３％； Ｈ ６．７１％； Ｎ
２．３９％： （実測値）Ｃ ７０．８３％； Ｈ ６．７３％； Ｎ
２．３３％ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４７０℃ 残存率９５％ ９００℃ 残存率７０％
【００４７】実施例１３ Ｐｔ（ＣＨ2 ＝ＣＨ2 ）（ＰＰｈ3 ）2 を０．０１０ｍ
モルおよび、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを０．２５ｍモル及び、１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ビス（１−プロピニル）−ジ
シロキサンを０．２５ｍモル含むベンゼン溶液６ｍｌ
を、５０℃にて１８時間反応を行ったところ、可溶性の
淡黄色ポリマ−、ポリ｛（１，４，５，８−テトラヒド
ロ−１，４，５，８−テトラシラ−１，１，４，４，
５，５，８，８−オクタメチル−３，７−ジメチルアン
トラセン−２，６−ジイル）１，１，３，３−テトラメ
チル−１，３−ジシロキサンジイル｝ポリ｛（１，４，
５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラシラ−
１，１，４，４，５，５，８，８−オクタメチル−３，
６−ジメチルアントラセン−２，７−ジイル）１，１，
３，３−テトラメチル−１，３−ジシロキサンジイル｝
が７０％収率で得られた。本化合物は文献に未収載の新
規化合物であり、その物性値、スペクトルデータは以下
の通りであった。
【００４８】
【化２７】 融点：１２０−１２５℃（軟化点） 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準、１３５℃）：
５４１０ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
１．６1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）： δ ７．７１−７．６
２（ｍ，２Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），０．３８
（ｓ，１２Ｈ），０．３５（ｓ，１２Ｈ），０．３０
（ｓ，１２Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１２５２ｃｍ-1 元素分析 （Ｃ24Ｈ44ＯＳｉ6 ）n （理論値）Ｃ ５５．７４％； Ｈ ８．５８％： （実測値）Ｃ ５５．０２％； Ｈ ８．５６％ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４２５℃ 残存率９５％ ９００℃ 残存率２１％
【００４９】実施例１４ 実施例４で得られたポリ（１，４，５，８−テトラヒド
ロ−１，４，５，８−テトラシラ−１，１，４，４，
５，５，８，８−オクタメチル−３，７−ジフェニルア
ントラセン−２，６−ジイル−１，４−フェニレン）ポ
リ（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−
テトラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８−オクタ
メチル−３，６−ジフェニルアントラセン−２，７−ジ
イル−１，４−フェニレン）０．０１５ｍモル（モノマ
−単位）に、ニトロメタン１ｍｌを加え３０分間撹拌し
たが、ポリマ−は全く溶解しなかった。この混合物に無
水ＦｅＣｌ3 （０．０３ｍモル）を含むニトロメタン溶
液０．２ｍｌを室温にて加え、ポリマ−へのド−ピング
を行ったところ、直ちにポリマ−の色が白色から褐色に
変化し溶解した。さらに室温にて３０分間撹拌後、減圧
濃縮した。得られた褐色粉をペレットに成型し、二端子
法で電導度を測定したところ６ｘ１０-4Ｓ／ｃｍであっ
た。以上の操作は、ポリマ−および無水ＦｅＣｌ3 のニ
トロメタン溶液調製から電導度測定に到るまで、全て窒
素下で行った。 比較例 実施例４で得られたポリマ−のみをペレットに成型し、
二端子法で電導度を測定したところ１０-10 Ｓ／ｃｍ以
下であった。
【００５０】実施例１５ 実施例５で得られたポリ（１，４，５，８−テトラヒド
ロ−１，４，５，８−テトラシラ−１，１，４，４，
５，５，８，８−オクタメチル−３，７−ジヘキシルア
ントラセン−２，６−ジイル−１，４−フェニレン）ポ
リ（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−
テトラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８−オクタ
メチル−３，６−ジヘキシルアントラセン−２，７−ジ
イル−１，４−フェニレン）について、実施例１４と同
様に無水ＦｅＣｌ3 によるド−ピングを行い、電導度を
測定したところ１ｘ１０-4Ｓ／ｃｍであった。
【００５１】実施例１６ 実施例６で得られたポリ（１，４，５，８−テトラヒド
ロ−１，４，５，８−テトラシラ−１，１，４，４，
５，５，８，８−オクタメチル−３，７−ジフェニルア
ントラセン−２，６−ジイル−１，１’−フェロセンジ
イル）ポリ（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，
５，８−テトラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８
−オクタメチル−３，６−ジフェニルアントラセン−
２，７−ジイル−１，１’−フェロセンジイル）につい
て、実施例１４と同様に無水ＦｅＣｌ3 によるド−ピン
グを行い、電導度を測定したところ７ｘ１０-3Ｓ／ｃｍ
であった。
【００５２】実施例１７ 実施例１１で得られたポリ｛２，５−チオフェンジイル
−（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−
テトラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８−オクタ
メチル−３，７−ジフェニルアントラセン−２，６−ジ
イル）｝ポリ｛２，５−チオフェンジイル−（１，４，
５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラシラ−
１，１，４，４，５，５，８，８−オクタメチル−３，
６−ジフェニルアントラセン−２，７−ジイル）｝につ
いて、実施例１４と同様に無水ＦｅＣｌ3 によるド−ピ
ングを行い、電導度を測定したところ１ｘ１０-3Ｓ／ｃ
ｍであった。
【００５３】実施例１８ 実施例１２で得られたポリ｛２，６−ピリジンジイル−
（１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テ
トラシラ−１，１，４，４，５，５，８，８−オクタメ
チル−３，７−ジフェニルアントラセン−２，６−ジイ
ル）｝ポリ｛２，６−ピリジンジイル−（１，４，５，
８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラシラ−１，
１，４，４，５，５，８，８−オクタメチル−３，６−
ジフェニルアントラセン−２，７−ジイル）｝につい
て、実施例１４と同様に無水ＦｅＣｌ3 によるド−ピン
グを行い、電導度を測定したところ７ｘ１０-3Ｓ／ｃｍ
であった。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、入手容易な１，２−ビ
ス（ジメチルシリル）ベンゼンとビス（アセチレン）類
から、または入手容易な１，２，４，５−テトラキス
（ジメチルシリル）ベンゼンとアセチレン類からビス
（１，２−ビスシリルエチレン）類が一段の反応で得ら
れ、その分離精製も容易である。また、本発明によれ
ば、１，２，４，５−テトラキス（ジメチルシリル）ベ
ンゼンとビス（アセチレン）類からステップラダ−構造
を有するポリカルボシラン類が一段の反応で得られ、そ
の分離精製も容易である。更に、本発明により、上記の
ポリカルボシラン類から成る、プレセラミックス、耐熱
性材料および電導性材料が提供される。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）１，２−ビス（ジメチルシリル）ベ
    ンゼンと （ｂ）一般式 R1-C≡C-A-C ≡C-R1 （Ｉ） （式中、R1およびＡはそれぞれ１価および２価の基であ
    る。) で表わされるビス（アセチレン）類とを、 （ｃ）白金化合物の存在下に反応させることを特徴とす
    る、一般式 【化１】 （式中、R1およびＡはそれぞれ前記と同じ意味をも
    つ。）で表わされるビス（１，２−ビスシリルエチレ
    ン）類の製造方法。
  2. 【請求項２】（ａ）１，２，４，５−テトラキス（ジメ
    チルシリル）ベンゼンと （ｂ）一般式 R2-C≡C-R3 （III ） （式中、R2およびR3は１価の基である。）で表わされる
    アセチレン類とを （ｃ）白金化合物の存在下に反応させることを特徴とす
    る、一般式 【化２】 （式中、R2およびR3はそれぞれ前記と同じ意味をも
    つ。）、または一般式 【化３】 （式中、R2およびR3はそれぞれ前記と同じ意味をも
    つ。）で表わされるビス（１，２−ビスシリルエチレ
    ン）類の製造方法。
  3. 【請求項３】（ａ）１，２，４，５−テトラキス（ジメ
    チルシリル）ベンゼンと （ｂ）一般式 R1-C≡C-A-C ≡C-R1 （Ｉ） （式中、R1およびＡはそれぞれ１価および２価の基であ
    る。) で表わされるビス（アセチレン）類とを、 （ｃ）白金化合物の存在下に反応させることを特徴とす
    る、一般式 【化４】 （式中、R1およびＡはそれぞれ前記と同じ意味をもつ、
    ｍおよびｎはそれぞれ０または正の整数であり、ｍ＋ｎ
    ≧１である。）で表わされるポリカルボシラン類の製造
    方法。
  4. 【請求項４】一般式 【化５】 （式中、R1およびＡはそれぞれ１価および２価の基であ
    る。) で表わされることを特徴とするビス（１，２−ビ
    スシリルエチレン）類。
  5. 【請求項５】一般式 【化６】 （式中、R2およびR3は１価の基である。）、または一般
    式 【化７】 （式中、R2およびR3は１価の基である。）で表わされる
    ことを特徴とするビス（１，２−ビスシリルエチレン）
    類。
  6. 【請求項６】一般式 【化８】 （式中、R1およびＡはそれぞれ１価および２価の基であ
    り、ｍおよびｎはそれぞれ０または正の整数であり、ｍ
    ＋ｎ≧１である。）で表わされることを特徴とするポリ
    カルボシラン類。
  7. 【請求項７】請求項６記載のポリカルボシラン類を含有
    することを特徴とする耐熱性材料。
  8. 【請求項８】請求項６記載のポリカルボシラン類を含有
    することを特徴とするプレセラミックス。
  9. 【請求項９】請求項６記載のポリカルボシラン類を含有
    することを特徴とする導電性材料。
JP4266627A 1992-02-07 1992-09-09 ビス（１，２‐ビスシリルエチレン）誘導体及びその製造方法 Expired - Lifetime JPH0753738B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-56709 1992-02-07
JP5670992 1992-02-07

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6245026A Division JP2500383B2 (ja) 1994-10-11 1994-10-11 ポリカルボシラン類、その製造方法及びそれを用いた材料
JP6245022A Division JP2500382B2 (ja) 1994-10-11 1994-10-11 ビス（１，２―ビスシリルエチレン）類及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05310752A true JPH05310752A (ja) 1993-11-22
JPH0753738B2 JPH0753738B2 (ja) 1995-06-07

Family

ID=13035010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4266627A Expired - Lifetime JPH0753738B2 (ja) 1992-02-07 1992-09-09 ビス（１，２‐ビスシリルエチレン）誘導体及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0753738B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011184410A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Okayama Univ シラフルオレン誘導体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011184410A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Okayama Univ シラフルオレン誘導体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0753738B2 (ja) 1995-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mituła et al. Tetra-functional double-decker silsesquioxanes as anchors for reactive functional groups and potential synthons for hybrid materials
JP2600112B2 (ja) 含ケイ素高分子重合体の製造方法
JPH05310752A (ja) ビス（１，２−ビスシリルエチレン）類、含ケイ素ステップラダーポリマー及びその製造方法とそれを用いた材料
JP2500383B2 (ja) ポリカルボシラン類、その製造方法及びそれを用いた材料
US5449800A (en) Silicon-containing pentacyclic compound, a silicon-containing ladder polymer, and methods for producing the same
JP2000256466A (ja) カルボシランボラジン系ポリマーおよびその製造方法
JP3713537B2 (ja) カルボシラン系共重合ポリマー
JP3564536B2 (ja) シリレン基を有するポリカルボシランの製造方法
JP2644683B2 (ja) 含ケイ素化合物、その製造方法、およびその用途
JP3567250B2 (ja) 芳香族ポリカルボシラン類
JP3101706B2 (ja) 含ケイ素ラダーポリマー及びその製造方法
JP2535794B2 (ja) 含ケイ素５環性化合物及びその製造方法
JP3062737B2 (ja) 含ケイ素ラダーポリマー及びその製造方法
JP3673855B2 (ja) 官能基を持つポリカルボシラン類及びその製造方法
JPH0753739B2 (ja) 含ケイ素化合物、その製造方法、およびその用途
JP3627010B2 (ja) ポリカルボゲルマン類及びその製造方法
Naka et al. Preparation of branched molecules by regioselective hydrosilation of tetrakis (ethynyldimethylsilyl) silanes and some of their properties
JP3673856B2 (ja) ビナフチルシロキサン系ポリマーおよびその製造方法
JP3089416B1 (ja) ポリカルボシランおよびその製造方法
CN101693766A (zh) 一种超支化含硅芳炔聚合物及其制备方法
JP2005023168A (ja) フェニレンチオフェンポリマー及びその製造方法
JPH07252268A (ja) １，４−ジシラシクロヘキサ−２，５−ジエン環を有するケイ素化合物およびその製造方法
JP2600111B2 (ja) 含ケイ素高分子化合物の製造方法
JP3636904B2 (ja) カルボラン含有ケイ素系重合体及びその製造方法
JP2721860B2 (ja) ポリシラン化合物の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term