JPH05313346A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH05313346A JPH05313346A JP14626792A JP14626792A JPH05313346A JP H05313346 A JPH05313346 A JP H05313346A JP 14626792 A JP14626792 A JP 14626792A JP 14626792 A JP14626792 A JP 14626792A JP H05313346 A JPH05313346 A JP H05313346A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shifter
- film
- phase shift
- quartz substrate
- shift mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シフタエッヂ部での位相差ズレのない位相シ
フトマスクを安定に製造する。 【構成】 金属膜４からなるシフタ形成用窓４１を通し
て石英基板１裏面より紫外光を照射しながらＳｉＯ膜６
１を選択的に成長させることによりシフタを形成する。 【効果】 ＳｉＯ膜のエッチング工程がないため、石英
基板のエッチングが生ずることなく位相シフトマスクを
製造できるため、シフタエッヂ部での位相差ズレを抑制
できる。
フトマスクを安定に製造する。 【構成】 金属膜４からなるシフタ形成用窓４１を通し
て石英基板１裏面より紫外光を照射しながらＳｉＯ膜６
１を選択的に成長させることによりシフタを形成する。 【効果】 ＳｉＯ膜のエッチング工程がないため、石英
基板のエッチングが生ずることなく位相シフトマスクを
製造できるため、シフタエッヂ部での位相差ズレを抑制
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＳｉＯ膜をシフタとす
る位相シフトマスクの製造方法に関するものである。
る位相シフトマスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の位相シフトマスクの製造方
法について、それぞれ各主要工程における断面構造を示
している。図において、１は石英基板、２は該石英基板
１上に形成されたＭｏＳｉ膜、３は該ＭｏＳｉ膜２上に
形成された第１のフォトレジスト、２１は加工されたＭ
ｏＳｉであり、マスクの遮光パターンとなるものであ
る。６は該ＭｏＳｉを覆って形成されたＳｉＯ膜、５は
該ＳｉＯ膜６上のシフタ形成領域に形成された第２のフ
ォトレジスト、１１はＳｉＯ膜６をエッチングするとき
にエッチングされた石英基板部分、６１はＳｉＯ膜より
なるシフタである。
法について、それぞれ各主要工程における断面構造を示
している。図において、１は石英基板、２は該石英基板
１上に形成されたＭｏＳｉ膜、３は該ＭｏＳｉ膜２上に
形成された第１のフォトレジスト、２１は加工されたＭ
ｏＳｉであり、マスクの遮光パターンとなるものであ
る。６は該ＭｏＳｉを覆って形成されたＳｉＯ膜、５は
該ＳｉＯ膜６上のシフタ形成領域に形成された第２のフ
ォトレジスト、１１はＳｉＯ膜６をエッチングするとき
にエッチングされた石英基板部分、６１はＳｉＯ膜より
なるシフタである。
【０００３】次に、従来の位相シフトマスクの製法につ
いて説明する。まず、石英基板１上にＭｏＳｉ膜２を形
成し、さらに、第１のフォトレジストを塗布した後、パ
ターニングして第１のフォトレジスト３を得る（図３
(a))。次に、前記フォトレジスト３をマスクとして前記
ＭｏＳｉ膜２を、ＣＦ4 ，Ｏ2 系のガスでエッチング
し、前記第１のフォトレジスト３を除去した後、この上
にさらに気相成長法によりＳｉＯ膜６を形成する（図３
(b))。
いて説明する。まず、石英基板１上にＭｏＳｉ膜２を形
成し、さらに、第１のフォトレジストを塗布した後、パ
ターニングして第１のフォトレジスト３を得る（図３
(a))。次に、前記フォトレジスト３をマスクとして前記
ＭｏＳｉ膜２を、ＣＦ4 ，Ｏ2 系のガスでエッチング
し、前記第１のフォトレジスト３を除去した後、この上
にさらに気相成長法によりＳｉＯ膜６を形成する（図３
(b))。
【０００４】次に、第２のフォトレジストを全面に塗布
して第２のフォトレジスト５をシフタ形成領域にパター
ニングする（図３(c))。さらに、前記第２のフォトレジ
スト５をマスクとして前記ＳｉＯ膜６をエッチングして
シフタ６１を形成する（図３(d))。
して第２のフォトレジスト５をシフタ形成領域にパター
ニングする（図３(c))。さらに、前記第２のフォトレジ
スト５をマスクとして前記ＳｉＯ膜６をエッチングして
シフタ６１を形成する（図３(d))。
【０００５】この後、さらに前記第２のフォトレジスト
５を除去するとともに、前記加工されたＭｏＳｉ２１の
不要部をフォトリソグラフィーで除去することによっ
て、該ＭｏＳｉからなるゲートパッド部（図１の７に相
当する）を有するシフタ６１からなる位相シフトマスク
を製造する。
５を除去するとともに、前記加工されたＭｏＳｉ２１の
不要部をフォトリソグラフィーで除去することによっ
て、該ＭｏＳｉからなるゲートパッド部（図１の７に相
当する）を有するシフタ６１からなる位相シフトマスク
を製造する。
【０００６】このようなマスクを用いてウェハ上に形成
したフォトレジスト上に露光を行うと、ＳｉＯからなる
シフタ６１を通る光と石英基板１のみを通る光との間で
は光位相が１８０°反転するが、シフタの外周部では位
相が０になる部分が生じてフォトレジスト上に微細なゲ
ートパターン等のパターンが形成されることとなる。従
って、これにより、ウエハ上に、シフタ６１の端面形状
に沿った形状を転写することができ、シフタ端面による
微細なゲートフィンガーパターンを得ることができる。
上記ゲートパッド部７はＭｏＳｉ２１の不要部をフォト
リソグラフィーで除去することによって形成され、この
シフタ６１とパッド部７とを基板１上に有する位相シフ
トマスクを用いれば、ウェハ上に微細なゲートフィンガ
ーパターンとこれに接続されたゲートパッドとを形成す
ることができる。
したフォトレジスト上に露光を行うと、ＳｉＯからなる
シフタ６１を通る光と石英基板１のみを通る光との間で
は光位相が１８０°反転するが、シフタの外周部では位
相が０になる部分が生じてフォトレジスト上に微細なゲ
ートパターン等のパターンが形成されることとなる。従
って、これにより、ウエハ上に、シフタ６１の端面形状
に沿った形状を転写することができ、シフタ端面による
微細なゲートフィンガーパターンを得ることができる。
上記ゲートパッド部７はＭｏＳｉ２１の不要部をフォト
リソグラフィーで除去することによって形成され、この
シフタ６１とパッド部７とを基板１上に有する位相シフ
トマスクを用いれば、ウェハ上に微細なゲートフィンガ
ーパターンとこれに接続されたゲートパッドとを形成す
ることができる。
【０００７】しかしながら、この従来の位相シフトマス
クの製法においては、図３(d) において、前記ＳｉＯ膜
６を加工する際、このＳｉＯ膜６と石英基板１との間の
エッチングにおける選択比が低いため、石英基板１にエ
ッチングされた基板部分１１が発生する。
クの製法においては、図３(d) において、前記ＳｉＯ膜
６を加工する際、このＳｉＯ膜６と石英基板１との間の
エッチングにおける選択比が低いため、石英基板１にエ
ッチングされた基板部分１１が発生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトマス
クの製造方法は以上のように構成されており、シフタを
加工する際、石英基板のエッチングが発生し、石英基板
がエッチングで薄くなってしまいやすいため、露光光が
基板を通る距離が変わることによってシフタエッヂ部で
の位相差が１８０°からのズレが生じ、このためウェハ
上に形成されるパターン幅が広くなって微細パターンが
できなくなってしまうという問題があった。
クの製造方法は以上のように構成されており、シフタを
加工する際、石英基板のエッチングが発生し、石英基板
がエッチングで薄くなってしまいやすいため、露光光が
基板を通る距離が変わることによってシフタエッヂ部で
の位相差が１８０°からのズレが生じ、このためウェハ
上に形成されるパターン幅が広くなって微細パターンが
できなくなってしまうという問題があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、シフタ形成部にのみ選択的にＳ
ｉＯ膜を形成し、シフタエッヂ部での位相差のズレが発
生しないようにすることのできる位相シフトマスクの製
造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、シフタ形成部にのみ選択的にＳ
ｉＯ膜を形成し、シフタエッヂ部での位相差のズレが発
生しないようにすることのできる位相シフトマスクの製
造方法を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る位相シフ
トマスクの製造方法は、石英基板上に金属膜を形成し、
該金属膜をエッチングしてシフタ形成領域に窓を開け、
金属膜で形成した窓を通して石英基板の裏面から紫外光
を照射しながらＳｉＯ膜を成長させることにより、シフ
タ形成部のみに選択的にＳｉＯ膜を形成するものであ
る。
トマスクの製造方法は、石英基板上に金属膜を形成し、
該金属膜をエッチングしてシフタ形成領域に窓を開け、
金属膜で形成した窓を通して石英基板の裏面から紫外光
を照射しながらＳｉＯ膜を成長させることにより、シフ
タ形成部のみに選択的にＳｉＯ膜を形成するものであ
る。
【００１１】また、この発明に係る位相シフトマスクの
製造方法は、上記金属膜を、上記石英基板上の所定位置
に形成された遮光パターンからなるものとし、第２の金
属膜のうち不要部分を除去しパッド部を形成する工程を
さらに含むものとしたものである。
製造方法は、上記金属膜を、上記石英基板上の所定位置
に形成された遮光パターンからなるものとし、第２の金
属膜のうち不要部分を除去しパッド部を形成する工程を
さらに含むものとしたものである。
【００１２】
【作用】この発明における位相シフトマスクの製造方法
は、シフタ形成部のみに選択的にＳｉＯ膜を成長させる
ことにより、ＳｉＯ膜のエッチング工程を必要としない
ため、石英基板がエッチングされることによるシフタエ
ッヂ部での位相差ズレを抑制できる。
は、シフタ形成部のみに選択的にＳｉＯ膜を成長させる
ことにより、ＳｉＯ膜のエッチング工程を必要としない
ため、石英基板がエッチングされることによるシフタエ
ッヂ部での位相差ズレを抑制できる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例による位相シフト
マスクの製造方法を図について説明する。図１(a) 〜
(f) は本発明の一実施例による位相シフトマスクの製造
方法の、各主要工程における断面構造を示し、図２は本
発明の一実施例により製造した位相シフトマスクを上か
ら見た図であり、図中、Ａ−Ｂ線での断面矢視図が図１
(f)にあたる。
マスクの製造方法を図について説明する。図１(a) 〜
(f) は本発明の一実施例による位相シフトマスクの製造
方法の、各主要工程における断面構造を示し、図２は本
発明の一実施例により製造した位相シフトマスクを上か
ら見た図であり、図中、Ａ−Ｂ線での断面矢視図が図１
(f)にあたる。
【００１４】図において、１は石英基板、２は該石英基
板１上に形成されたＭｏＳｉ膜、３は該ＭｏＳｉ膜２を
エッチングするための第１のフォトレジスト、２１は加
工されたＭｏＳｉ膜、４は該ＭｏＳｉ膜２１を覆って全
面に形成されたＣｒ膜、５は該Ｃｒ膜４をエッチングす
るための第２のフォトレジスト、６１はＣｒ膜４がエッ
チングされて形成されるシフタ形成用窓４１に形成され
たＳｉＯ膜からなるシフタ、７は遮光パターンである上
記ＭｏＳｉ膜２１をリソグラフィー形成したゲートパッ
ド部であり、ここでＭｏＳｉ膜２１はリソグラフィー形
成される前は図２の上記ゲートパッド部７の長手方法の
長さよりも大きい長さを有するものである。
板１上に形成されたＭｏＳｉ膜、３は該ＭｏＳｉ膜２を
エッチングするための第１のフォトレジスト、２１は加
工されたＭｏＳｉ膜、４は該ＭｏＳｉ膜２１を覆って全
面に形成されたＣｒ膜、５は該Ｃｒ膜４をエッチングす
るための第２のフォトレジスト、６１はＣｒ膜４がエッ
チングされて形成されるシフタ形成用窓４１に形成され
たＳｉＯ膜からなるシフタ、７は遮光パターンである上
記ＭｏＳｉ膜２１をリソグラフィー形成したゲートパッ
ド部であり、ここでＭｏＳｉ膜２１はリソグラフィー形
成される前は図２の上記ゲートパッド部７の長手方法の
長さよりも大きい長さを有するものである。
【００１５】次に本実施例の位相シフトマスクの製造方
法について説明する。まず、石英基板１上にＭｏＳｉ膜
２を形成し、第１のフォトレジストを全面に塗布した
後、図１(a) のようにパターニングして第１のフォトレ
ジスト３を形成する。
法について説明する。まず、石英基板１上にＭｏＳｉ膜
２を形成し、第１のフォトレジストを全面に塗布した
後、図１(a) のようにパターニングして第１のフォトレ
ジスト３を形成する。
【００１６】次に、前記第１のフォトレジスト３をマス
クとして、例えばＣＦ4 ，Ｏ2 ，Ｎ2 の混合ガスで前記
ＭｏＳｉ膜２をエッチングし、さらに前記第１のフォト
レジスト３を除去した後、全面にＣｒ膜４を蒸着法によ
り形成する（図１(b))。
クとして、例えばＣＦ4 ，Ｏ2 ，Ｎ2 の混合ガスで前記
ＭｏＳｉ膜２をエッチングし、さらに前記第１のフォト
レジスト３を除去した後、全面にＣｒ膜４を蒸着法によ
り形成する（図１(b))。
【００１７】次に、第２のフォトレジスト５を塗布し、
図１(c) のようにパターニングする。さらに、前記第２
のフォトレジスト５をマスクとして、前記Ｃｒ膜４を、
例えばＣｌ2 ，Ｏ2 の混合ガスでエッチングし、前記第
２のフォトレジスト５を除去することにより、図１(d)
のようにシフタ形成用窓４１を形成する。
図１(c) のようにパターニングする。さらに、前記第２
のフォトレジスト５をマスクとして、前記Ｃｒ膜４を、
例えばＣｌ2 ，Ｏ2 の混合ガスでエッチングし、前記第
２のフォトレジスト５を除去することにより、図１(d)
のようにシフタ形成用窓４１を形成する。
【００１８】次に、前記石英基板１の裏面から、例えば
ＫｒＦエキシマレーザを照射しながら、紫外線の吸収に
より励起されるガス系、例えばＳｉ2 Ｈ6 とＮ2 Ｏの混
合ガスを用いて低温で気相成長させることにより、前記
シフタ形成用窓４１を通った紫外線によって反応ガスが
励起し、前記シフタ形成用窓４１上にだけ選択的にＳｉ
Ｏ膜が成長し、図１(e) に示すようにＳｉＯ膜からなる
シフタ６１が形成される。
ＫｒＦエキシマレーザを照射しながら、紫外線の吸収に
より励起されるガス系、例えばＳｉ2 Ｈ6 とＮ2 Ｏの混
合ガスを用いて低温で気相成長させることにより、前記
シフタ形成用窓４１を通った紫外線によって反応ガスが
励起し、前記シフタ形成用窓４１上にだけ選択的にＳｉ
Ｏ膜が成長し、図１(e) に示すようにＳｉＯ膜からなる
シフタ６１が形成される。
【００１９】さらに、前記Ｃｒ膜４及び前記加工された
ＭｏＳｉ膜２１のうち所要部分を除去することにより、
図１(f) 及び図２に示すように、ＭｏＳｉ膜からなる遮
光パターンからなるゲートパッド部７を備えたシフタ６
１を有する位相シフトマスクが得られる。
ＭｏＳｉ膜２１のうち所要部分を除去することにより、
図１(f) 及び図２に示すように、ＭｏＳｉ膜からなる遮
光パターンからなるゲートパッド部７を備えたシフタ６
１を有する位相シフトマスクが得られる。
【００２０】このような位相シフトマスクを用いてウエ
ハ上に形成されたフォトレジストに対して露光を行う
と、ウエハ上にはシフタ６１の外周端面による矩形状の
パターン，即ち微細ゲートフィンガーパターンが転写さ
れ、かつ、遮光パターンからなるゲートパッド部７の形
状が転写される。
ハ上に形成されたフォトレジストに対して露光を行う
と、ウエハ上にはシフタ６１の外周端面による矩形状の
パターン，即ち微細ゲートフィンガーパターンが転写さ
れ、かつ、遮光パターンからなるゲートパッド部７の形
状が転写される。
【００２１】このように本実施例においては、石英基板
１の裏面から、レーザを照射しながら、紫外線の吸収に
より励起されるガス系のガスを用いて低温で気相成長さ
せることにより、シフタ形成部にだけ選択的にＳｉＯ膜
６１が成長し、シフタ形成部にだけＳｉＯ膜６１を成長
させるようにしたので、ＳｉＯ膜をエッチングする際生
じる石英基板のエッチングが起こらず、従来のようにシ
フタエッヂ部での位相差ズレのない位相シフトマスクを
安定に作ることができる。
１の裏面から、レーザを照射しながら、紫外線の吸収に
より励起されるガス系のガスを用いて低温で気相成長さ
せることにより、シフタ形成部にだけ選択的にＳｉＯ膜
６１が成長し、シフタ形成部にだけＳｉＯ膜６１を成長
させるようにしたので、ＳｉＯ膜をエッチングする際生
じる石英基板のエッチングが起こらず、従来のようにシ
フタエッヂ部での位相差ズレのない位相シフトマスクを
安定に作ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、石英
基板上に金属膜を形成する工程と、フォトレジストをマ
スクとして金属膜をエッチングし、シフタ形成領域に窓
を開ける工程と、前記窓を通して石英基板裏側から紫外
線を照射しながらＳｉＯ膜をシフタ形成領域に選択的に
成長させる工程と、前記金属膜のうち不要部分を除去す
る工程とを含み、シフタ形成部にだけＳｉＯ膜が成長す
るようにしたので、ＳｉＯ膜をエッチングする際生じる
石英基板のエッチングが起こらず、シフタエッジ部での
位相差ズレのない位相シフトマスクを安定に作ることが
できるという効果がある。
基板上に金属膜を形成する工程と、フォトレジストをマ
スクとして金属膜をエッチングし、シフタ形成領域に窓
を開ける工程と、前記窓を通して石英基板裏側から紫外
線を照射しながらＳｉＯ膜をシフタ形成領域に選択的に
成長させる工程と、前記金属膜のうち不要部分を除去す
る工程とを含み、シフタ形成部にだけＳｉＯ膜が成長す
るようにしたので、ＳｉＯ膜をエッチングする際生じる
石英基板のエッチングが起こらず、シフタエッジ部での
位相差ズレのない位相シフトマスクを安定に作ることが
できるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による位相シフトマスクの
製造方法を示す断面図であり、図１(f) は図２のＡ−Ｂ
線での断面図である。
製造方法を示す断面図であり、図１(f) は図２のＡ−Ｂ
線での断面図である。
【図２】この発明の一実施例により製造された位相シフ
トマスクの上面図である。
トマスクの上面図である。
【図３】従来の位相シフトマスクの製造方法を示す断面
図である。
図である。
１ 石英基板 ２ ＭｏＳｉ膜（第１の金属膜） ３ 第１のフォトレジスト ４ Ｃｒ膜（第２の金属膜） ５ 第２のフォトレジスト ６ ＳｉＯ膜 ７ ＭｏＳｉからなるパッド部 １１ エッチングされた石英基板部分 ２１ 加工されたＭｏＳｉ ４１ シフタ形成用窓 ６１ ＳｉＯからなるシフタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】このようなマスクを用いてウェハ上に形成
したフォトレジスト上に露光する光の位相はＳｉＯから
なるシフタ６１を通る光と石英基板１のみを通る光との
間で１８０°反転している。シフタの外周部の位相が反
転するところでは光強度が０となる。パターン転写はこ
の強度が０となる部分を利用して、フォトレジスト上に
微細なゲートパターン等のパターンを形成する。従っ
て、これにより、ウエハ上に、シフタ６１の端面形状に
沿った形状を転写することができ、シフタ端面による微
細なゲートフィンガーパターンを得ることができる。上
記ゲートパッド部７はＭｏＳｉ２１の不要部をフォトリ
ソグラフィーで除去することによって形成され、このシ
フタ６１とパッド部７とを基板１上に有する位相シフト
マスクを用いれば、ウェハ上に微細なゲートフィンガー
パターンとこれに接続されたゲートパッドとを形成する
ことができる。
したフォトレジスト上に露光する光の位相はＳｉＯから
なるシフタ６１を通る光と石英基板１のみを通る光との
間で１８０°反転している。シフタの外周部の位相が反
転するところでは光強度が０となる。パターン転写はこ
の強度が０となる部分を利用して、フォトレジスト上に
微細なゲートパターン等のパターンを形成する。従っ
て、これにより、ウエハ上に、シフタ６１の端面形状に
沿った形状を転写することができ、シフタ端面による微
細なゲートフィンガーパターンを得ることができる。上
記ゲートパッド部７はＭｏＳｉ２１の不要部をフォトリ
ソグラフィーで除去することによって形成され、このシ
フタ６１とパッド部７とを基板１上に有する位相シフト
マスクを用いれば、ウェハ上に微細なゲートフィンガー
パターンとこれに接続されたゲートパッドとを形成する
ことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトマス
クの製造方法は以上のように構成されており、シフタを
加工する際、石英基板のエッチングが発生し、石英基板
がエッチングで薄くなってしまいやすいため、露光光が
基板を通る距離が変わることによってシフタエッヂ部で
の位相差が１８０°からズレ、このためウェハ上に形成
されるパターン幅が広くなって微細パターンができなく
なってしまうという問題があった。
クの製造方法は以上のように構成されており、シフタを
加工する際、石英基板のエッチングが発生し、石英基板
がエッチングで薄くなってしまいやすいため、露光光が
基板を通る距離が変わることによってシフタエッヂ部で
の位相差が１８０°からズレ、このためウェハ上に形成
されるパターン幅が広くなって微細パターンができなく
なってしまうという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】図において、１は石英基板、２は該石英基
板１上に形成されたＭｏＳｉ膜、３は該ＭｏＳｉ膜２を
エッチングするための第１のフォトレジスト、２１は加
工されたＭｏＳｉ膜、４は該ＭｏＳｉ膜２１を覆って全
面に形成されたＣｒ膜、５は該Ｃｒ膜４をエッチングす
るための第２のフォトレジスト、６１はＣｒ膜４がエッ
チングされて形成されるシフタ形成用窓４１に形成され
たＳｉＯ膜からなるシフタ、７は遮光パターンである上
記ＭｏＳｉ膜２１をリソグラフィー形成したゲートパッ
ド部である。
板１上に形成されたＭｏＳｉ膜、３は該ＭｏＳｉ膜２を
エッチングするための第１のフォトレジスト、２１は加
工されたＭｏＳｉ膜、４は該ＭｏＳｉ膜２１を覆って全
面に形成されたＣｒ膜、５は該Ｃｒ膜４をエッチングす
るための第２のフォトレジスト、６１はＣｒ膜４がエッ
チングされて形成されるシフタ形成用窓４１に形成され
たＳｉＯ膜からなるシフタ、７は遮光パターンである上
記ＭｏＳｉ膜２１をリソグラフィー形成したゲートパッ
ド部である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
Claims (2)
- 【請求項１】 位相シフト法を用いた位相シフトマスク
を製造する方法において、 石英基板上に金属膜を形成する工程と、 フォトレジストをマスクとして、前記金属膜をエッチン
グし、シフタ形成領域に窓を開ける工程と、 前記窓を通して石英基板裏側から紫外線を照射しながら
ＳｉＯ膜をシフタ形成領域に選択的に成長させる工程と
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 上記金属膜は、上記石英基板上の所定位
置に形成された遮光パターンからなる第１の金属膜と、
該第１の金属膜上をおおって上記石英基板の全面に形成
された第２の金属膜とからなり、 上記ＳｉＯ膜をシフタ形成領域に選択的に成長させる工
程の後に、第２の金属膜のうち不要部分を除去しパッド
部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項
１記載の位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14626792A JPH05313346A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14626792A JPH05313346A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05313346A true JPH05313346A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15403878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14626792A Pending JPH05313346A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05313346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048808A (ja) * | 1996-05-30 | 1998-02-20 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法 |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP14626792A patent/JPH05313346A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048808A (ja) * | 1996-05-30 | 1998-02-20 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法 |
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