JPH05315531A - Lead frame and manufacture thereof - Google Patents

Lead frame and manufacture thereof

Info

Publication number
JPH05315531A
JPH05315531A JP2414255A JP41425590A JPH05315531A JP H05315531 A JPH05315531 A JP H05315531A JP 2414255 A JP2414255 A JP 2414255A JP 41425590 A JP41425590 A JP 41425590A JP H05315531 A JPH05315531 A JP H05315531A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
lead frame
thin film
connection
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2414255A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2918342B2 (en
Inventor
Mitsuharu Shimizu
満晴 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2414255A priority Critical patent/JP2918342B2/en
Publication of JPH05315531A publication Critical patent/JPH05315531A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2918342B2 publication Critical patent/JP2918342B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 リードフレームの高密度化に好適に対応で
き、かつ、製造コストを下げることができるリードフレ
ーム及びその製造方法を提供する。 【構成】 ステージを配置するスペースをあけて所定の
インナーリード52を有する支持リードフレーム50を
形成し、一方、導体薄膜をエッチング加工あるいはプレ
ス加工して、前記インナーリードの先端部とステージの
周縁部との間を接続するための接続リード32を有する
薄膜リードフレームを形成し、該薄膜リードフレームの
接続リードに電気的に絶縁してステージ兼用の放熱板4
0を接着して支持し、該接続リードが接合された放熱板
を前記支持リードフレーム50のインナーリードと位置
合わせして各接続リード32とインナーリード52とを
それぞれ接合することを特徴とする。
(57) [Abstract] [PROBLEMS] To provide a lead frame and a manufacturing method thereof, which can suitably cope with high density of the lead frame and can reduce the manufacturing cost. A supporting lead frame 50 having a predetermined inner lead 52 is formed with a space for arranging a stage, and a conductor thin film is etched or pressed to form a tip portion of the inner lead and a peripheral portion of the stage. A thin film lead frame having a connection lead 32 for connection between the thin film lead frame and the connection lead of the thin film lead frame is formed so as to be electrically insulated from the thin film lead frame.
0 is adhered and supported, and the heat dissipation plate to which the connection lead is joined is aligned with the inner lead of the support lead frame 50 to join the respective connection lead 32 and the inner lead 52.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びその
製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame and its manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体チップの多ピン化とともにリード
フレームは一層高密度化しており、微小領域にきわめて
多数本のリードを形成したリードフレームが要求されて
いる。リードフレームはエッチング加工あるいはプレス
加工によって所定のパターンを形成するが、製造可能な
最小リードピッチは使用するリードフレーム材の材厚の
およそ60% 程度であり、したがって最小リードピッチは
使用するリードフレーム材の材厚によって制約される。
リードフレームは一定の強度を有する必要があるから一
定程度以上の材厚のものが用いられる。最近用いられて
いるもので材厚が薄いものでは0.127mm 程度のものがあ
る。
2. Description of the Related Art With the increase in the number of pins of semiconductor chips, the density of lead frames is further increasing, and there is a demand for a lead frame in which a very large number of leads are formed in a minute area. The lead frame forms a predetermined pattern by etching or pressing, but the minimum lead pitch that can be manufactured is about 60% of the thickness of the lead frame material used, so the minimum lead pitch is the lead frame material used. Limited by the material thickness of.
Since the lead frame needs to have a certain strength, a material having a certain thickness or more is used. The thinnest material used recently is about 0.127 mm.

【0003】上記のようにリードフレーム材として用い
られる材厚は一定以上のものに限定されるから、従来の
製造方法の場合は形成可能な最小リードピッチが必然的
にきまってくる。そこで、さらに微細化を可能にするた
めTAB用テープを用いた方法が行われている。図15
はTAB用テープを用いたリードフレームの従来例であ
る。この例ではリードフレーム10のステージ12上に
矩形の枠状に形成したTAB用テープ14を接着し、T
AB用テープ14のベースフィルムから外方に延出した
導体パターン16をリードフレーム10のリード18に
接合している。半導体チップ20はステージ12に接合
され、半導体チップ20と導体パターン16とがワイヤ
ボンディングによって接続される。このリードフレーム
はTAB用テープを用いることによって導体パターンと
してきわめて薄厚の導体薄膜を使用することができ、こ
れによって微細な導体パターンが形成できて高密度化を
図ることがでるという利点がある。TAB用テープを用
いる場合は、スペース的に余裕のある領域でリードフレ
ームのリード18を形成し、ステージ12とリード18
の中間の微小領域ではTAB用テープを用いて高密度に
配線パターンを形成する。
As described above, since the material thickness used as the lead frame material is limited to a certain thickness or more, the minimum lead pitch that can be formed is inevitably determined in the case of the conventional manufacturing method. Therefore, in order to enable further miniaturization, a method using a TAB tape is performed. Figure 15
Is a conventional example of a lead frame using a TAB tape. In this example, a TAB tape 14 formed in a rectangular frame shape is adhered onto the stage 12 of the lead frame 10 to
The conductor pattern 16 extending outward from the base film of the AB tape 14 is joined to the lead 18 of the lead frame 10. The semiconductor chip 20 is bonded to the stage 12, and the semiconductor chip 20 and the conductor pattern 16 are connected by wire bonding. This lead frame has an advantage that a very thin conductor thin film can be used as a conductor pattern by using a TAB tape, and thereby a fine conductor pattern can be formed to achieve high density. When using the TAB tape, the leads 18 of the lead frame are formed in an area with a sufficient space, and the stage 12 and the leads 18 are formed.
In the micro area in the middle of, the wiring pattern is formed with high density using the TAB tape.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のようにリードフ
レームのインナーリード部分のようにきわめて高密度な
パターンが要求される部分に中間接続体としてTAB用
テープを使用する方法はリードフレームの高密度化に有
効な方法であるが、TAB用テープはポリイミド等のベ
ースフィルム上に導体パターンを形成するため、製造工
数が多く、製造コストがかかるという問題点がある。こ
のため、リードフレームを量産する製造面からみた場
合、より低コストで微細化が可能なリードフレームの製
造方法が求められる。本発明は上記問題点を解消すべく
なされたものてあり、その目的とするところは、リード
フレームの高密度化に好適に対応でき、かつ、製造コス
トを下げることができるリードフレーム及びその製造方
法を提供するにある。
As described above, the method of using the TAB tape as an intermediate connector in a portion where an extremely high density pattern is required, such as the inner lead portion of the lead frame, is a high density lead frame. However, since the TAB tape has a conductive pattern formed on a base film such as a polyimide film, it has a large number of manufacturing steps and a high manufacturing cost. Therefore, from the viewpoint of manufacturing a lead frame in mass production, there is a demand for a lead frame manufacturing method that can be miniaturized at a lower cost. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a lead frame that can be suitably adapted to high density of the lead frame and can reduce the manufacturing cost, and a manufacturing method thereof. To provide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、 ステージを配
置するスペースをあけてインナーリードを形成した支持
リードフレームに、別体で形成したステージ兼用の放熱
板を、前記インナーリードの先端側と前記放熱板の周縁
上との間に導体薄膜から形成した接続リードを、インナ
ーリードとの間は電気的に導通させ、放熱板との間は電
気的に絶縁して接合したことを特徴とする。また、リー
ドフレームの製造方法においては、ステージを配置する
スペースをあけて所定のインナーリードを有する支持リ
ードフレームを形成し、一方、導体薄膜をエッチング加
工あるいはプレス加工して、前記インナーリードの先端
部とステージの周縁部との間を接続するための接続リー
ドを有する薄膜リードフレームを形成し、該薄膜リード
フレームの接続リードに電気的に絶縁してステージ兼用
の放熱板を接着して支持し、該接続リードが接合された
放熱板を前記支持リードフレームのインナーリードと位
置合わせして各接続リードとインナーリードとをそれぞ
れ接合することを特徴とする。また、ステージを配置す
るスペースをあけて所定のインナーリードを有する支持
リードフレームを形成し、一方、導体薄膜をエッチング
加工あるいはプレス加工して、前記インナーリードの先
端部とステージの周縁部との間を接続するための接続リ
ード、および隣接する接続リードの先端側を連結する連
結部を有する薄膜リードフレームを形成し、該薄膜リー
ドフレームを前記支持リードフレームに重ね合わせ、前
記インナーリードの先端に接続リードを接合し、薄膜リ
ードフレームから接続リードを切り離してインナーリー
ドに接続リードを支持し、該インナーリードに支持され
た接続リードの先端側の前記連結部を削除し、該接続リ
ードを電気的に絶縁してステージ兼用の放熱板に接着支
持して、支持リードフレームに放熱板を取り付けること
を特徴とする。また、ステージを配置するスペースをあ
けて所定のインナーリードを有する支持リードフレーム
を形成し、一方、導体薄膜をエッチング加工あるいはプ
レス加工して、前記インナーリードの先端部とステージ
の周縁部との間を接続するための接続リード、および隣
接する接続リードの先端側を連結する連結部を有する薄
膜リードフレームを形成し、該薄膜リードフレームを前
記支持リードフレームに重ね合わせ、前記インナーリー
ドの先端に接続リードを接合し、薄膜リードフレームか
ら接続リードを切り離してインナーリードに接続リード
を支持し、該接続リードを電気的に絶縁してステージ兼
用の放熱板に接着支持して、支持リードフレームに放熱
板を取り付け、前記連結部を除去して各リードを独立さ
せることを特徴とする。なお、接続リードと連結部との
境界部にあらかじめノッチを設け、ノッチ部分で連結部
を削除することが効果的であり、ステージ兼用の放熱板
を接続リードに接合した後、プレス抜きにより連結部を
放熱板とともに削除することが効果的である。また、ス
テージ兼用の放熱板が枠体状であることを特徴とする。
The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. That is, a heat dissipation plate that also serves as a stage is separately formed on a support lead frame in which an inner lead is formed with a space for arranging a stage, and a conductor is provided between the tip side of the inner lead and the peripheral edge of the heat dissipation plate. The connecting lead formed of a thin film is electrically connected to the inner lead and is electrically insulated and joined to the heat sink. Further, in the method of manufacturing a lead frame, a support lead frame having a predetermined inner lead is formed with a space for arranging a stage, while a conductor thin film is etched or pressed to form a tip portion of the inner lead. And forming a thin film lead frame having a connection lead for connecting between the peripheral part of the stage, electrically insulating the connection lead of the thin film lead frame and adhering and supporting a heat sink also serving as a stage, The heat dissipation plate to which the connection leads are joined is aligned with the inner leads of the support lead frame to join the respective connection leads to the inner leads. In addition, a support lead frame having a predetermined inner lead is formed with a space for arranging the stage, while a conductor thin film is subjected to etching processing or press processing so that the space between the tip of the inner lead and the peripheral edge of the stage is formed. Forming a thin film lead frame having a connecting lead for connecting the connecting lead and a connecting portion for connecting the leading end sides of the adjacent connecting leads, superposing the thin film lead frame on the supporting lead frame, and connecting to the leading end of the inner lead. The leads are joined, the connection leads are separated from the thin film lead frame, the connection leads are supported by the inner leads, the connecting portion on the tip side of the connection leads supported by the inner leads is removed, and the connection leads are electrically connected. Insulate and adhere to a heat sink that also serves as a stage, and attach the heat sink to the supporting lead frame It is characterized in. In addition, a support lead frame having a predetermined inner lead is formed with a space for arranging the stage, while a conductor thin film is subjected to etching processing or press processing so that the space between the tip of the inner lead and the peripheral edge of the stage is formed. Forming a thin film lead frame having a connecting lead for connecting the connecting lead and a connecting portion for connecting the leading end sides of the adjacent connecting leads, superposing the thin film lead frame on the supporting lead frame, and connecting to the leading end of the inner lead. The leads are joined, the connecting leads are separated from the thin film lead frame, the connecting leads are supported on the inner leads, the connecting leads are electrically insulated, and the supporting lead frame is adhesively supported, and the supporting lead frame has a radiator plate. Is attached and the connecting portion is removed to make each lead independent. It is effective to provide a notch in advance at the boundary between the connecting lead and the connecting part and remove the connecting part at the notch part.After joining the heat sink that also serves as a stage to the connecting lead, press the connecting part to remove the connecting part. Is effective to remove with the heat sink. Further, it is characterized in that the heat radiating plate which also serves as a stage is shaped like a frame.

【0006】[0006]

【作用】薄膜リードフレームは薄膜導体をエッチング加
工あるいはプレス加工して形成するから、接続リードを
微細パターンで容易に形成することができる。ステージ
兼用の放熱板とインナーリードとの間を前記接続リード
で接続することによって、高密度でリードが形成される
ステージに近接した部位に容易にリードを形成すること
ができる。また、隣接する接続リード間を連結部で連結
した薄膜リードフレームを用いることによって、薄膜リ
ードフレームを支持リードフレームに重ね合わせて接続
リードを接合する際等の取り扱い時に接続リードが変形
したりすることが防止でき、インナーリードに正確に接
続リードを接合することが可能となる。
Since the thin film lead frame is formed by etching or pressing a thin film conductor, the connecting leads can be easily formed in a fine pattern. By connecting the heat dissipation plate also serving as the stage and the inner lead with the connecting lead, the lead can be easily formed at a portion close to the stage where the lead is formed with high density. Further, by using a thin film lead frame in which adjacent connecting leads are connected by a connecting portion, the connecting leads may be deformed during handling such as when the thin film lead frame is superposed on the supporting lead frame to join the connecting leads. Can be prevented, and the connection lead can be accurately joined to the inner lead.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明に係るリードフレーム及びその
製造方法の実施例について添付図面に基づき詳細に説明
する。図1は本発明に係るリードフレームの製造に用い
る薄膜リードフレーム30の一実施例の平面図を示す。
この薄膜リードフレーム30は銅等の金属薄膜を加工材
料として用いたもので、この金属薄膜をエッチング加工
あるいはプレス加工して所定の接続リード32を有する
リードパターンを形成したものである。薄膜リードフレ
ーム30は従来のリードフレーム材を用いたリードフレ
ームの製造と同様に繰り返しパターンで接続リード32
にリードパターンを形成する。実施例の薄膜リードフレ
ームはクワドタイプのリードフレームに使用するもので
あるためステージ配置位置の周囲の四方に接続リード3
2を配置している。薄膜リードフレームは製造するリー
ドフレームのタイプに合わせて形成するものでもちろん
クワドタイプに限定されるものではない。なお、この薄
膜リードフレーム30の製造にあたっては従来のリード
フレームの製造方法がそのまま利用でき、めっき等の所
要の表面処理等をあらかじめ施しておくものとする。
Embodiments of a lead frame and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a thin film lead frame 30 used for manufacturing a lead frame according to the present invention.
The thin film lead frame 30 uses a metal thin film such as copper as a processing material, and is formed by etching or pressing the metal thin film to form a lead pattern having predetermined connection leads 32. The thin film lead frame 30 has connection leads 32 in a repeating pattern similar to the manufacture of a lead frame using a conventional lead frame material.
A lead pattern is formed on. Since the thin film lead frame of the embodiment is used for a quad type lead frame, the connection leads 3 are provided in four directions around the stage arrangement position.
2 are arranged. The thin film lead frame is formed according to the type of lead frame to be manufactured, and is not limited to the quad type. In manufacturing the thin film lead frame 30, the conventional method for manufacturing a lead frame can be used as it is, and necessary surface treatment such as plating is performed in advance.

【0008】次に、上記薄膜リードフレーム30に図2
に示す放熱板40を接合する。放熱板40は半導体チッ
プを搭載するステージを兼用するもので、一方の面上の
周縁部に前記接続リード32を接合して支持するための
絶縁体42を設ける。絶縁体42は電気的絶縁性を有す
る接着剤を塗布したもの、あるいは電気的絶縁性を有す
るテープの両面に接着剤を塗布したものなどが使用でき
る。図3は薄膜リードフレーム30に上記の放熱板40
を決めして接合した状態を示す。接続リード32の先端
部が放熱板40の絶縁体42に接着されて支持されてい
る。薄膜リードフレーム30にこうして放熱板40を接
合するとともに、放熱板40の外周縁から所定距離離間
した位置で接続リード32を切断して図4に示す接続リ
ード32を接合した放熱板40を得る。接続リード32
は放熱板40の絶縁体42に接着することで図のように
放熱板40の周縁部から外方に放射状に延出する。な
お、上記の図3および図4に示す放熱板40の接着と接
続リード32の切り離しは実際の工程では一連の工程と
して行うもので、放熱板40を接続リード32に接着す
ると共に接続リード32の切り離しを行う。
Next, the thin film lead frame 30 shown in FIG.
The heat sink 40 shown in FIG. The heat dissipation plate 40 also serves as a stage on which a semiconductor chip is mounted, and an insulator 42 for joining and supporting the connection lead 32 is provided on the peripheral edge portion on one surface. As the insulator 42, one having an electrically insulating adhesive applied, or one having an electrically insulative tape applied with adhesive on both sides can be used. FIG. 3 shows the thin film lead frame 30 and the heat dissipation plate 40 described above.
Shows the state of joining after being determined. The tip of the connection lead 32 is adhered to and supported by the insulator 42 of the heat dissipation plate 40. The heat dissipation plate 40 is bonded to the thin film lead frame 30 in this way, and the connection lead 32 is cut at a position separated from the outer peripheral edge of the heat dissipation plate 40 by a predetermined distance to obtain the heat dissipation plate 40 to which the connection lead 32 shown in FIG. 4 is bonded. Connection lead 32
Is adhered to the insulator 42 of the heat dissipation plate 40 so as to extend radially outward from the peripheral portion of the heat dissipation plate 40 as shown in the figure. The bonding of the heat sink 40 and the disconnection of the connection leads 32 shown in FIGS. 3 and 4 are performed as a series of steps in the actual process. The heat sink 40 is bonded to the connection leads 32 and the connection leads 32 are bonded together. Detach.

【0009】次に、接続リード32を接着した放熱板4
0を支持リードフレーム50に接合する。図5は支持リ
ードフレーム50に接続リード32を接着した放熱板4
0を接合した状態である。支持リードフレーム50は通
常のリードフレーム材をエッチング加工あるいはプレス
加工して所定のインナーリード52、アウターリード5
4、ステージサポートバー56等のパターンを形成した
ものである。上記の放熱板40はこの支持リードフレー
ム50に対して、それぞれの接続リード32とインナー
リード52とを位置合わせして接続リード32をインナ
ーリード52に接合する。このとき、ステージサポート
バー56にも放熱板40のコーナー部を接合して放熱板
40を支持リードフレーム50に支持する。接続リード
32は支持リードフレーム50に形成するインナーリー
ド52とその本数およびリードピッチを一致させて形成
しておくもので、上記のように接続リード32とインナ
ーリード52とを位置合わせして接続することによっ
て、放熱板40の周縁部とインナーリード52の間を接
続リード32で接続したリードフレームを得ることがで
きる。
Next, the heat dissipation plate 4 to which the connection leads 32 are adhered
0 is bonded to the supporting lead frame 50. FIG. 5 shows the heat dissipation plate 4 in which the connection leads 32 are bonded to the support lead frame 50.
It is a state where 0 is joined. The supporting lead frame 50 has a predetermined inner lead 52 and outer lead 5 formed by etching or pressing a normal lead frame material.
4, the pattern of the stage support bar 56 and the like is formed. The heat dissipation plate 40 aligns the connection leads 32 and the inner leads 52 with respect to the support lead frame 50, and joins the connection leads 32 to the inner leads 52. At this time, the corner portions of the heat sink 40 are also joined to the stage support bar 56 to support the heat sink 40 on the support lead frame 50. The connection leads 32 are formed in the same number and lead pitch as the inner leads 52 formed on the support lead frame 50, and the connection leads 32 and the inner leads 52 are aligned and connected as described above. As a result, it is possible to obtain a lead frame in which the peripheral edge of the heat sink 40 and the inner lead 52 are connected by the connecting lead 32.

【0010】得られたリードフレームはステージ兼用の
放熱板40の外周とインナーリード52との間に接続リ
ード32が接続され、放熱板40から離間した位置にイ
ンナーリード52が配置された形状となる。接続リード
32は薄膜導体から形成するから容易に高密度に形成で
き、インナーリード52は放熱板40の外周から離間さ
せて形成することによってスペース的に余裕ができ従来
のリードフレーム材を用いて容易に形成することができ
る。図6は、上記リードフレームに半導体チップ60を
搭載して樹脂封止した状態の断面図である。半導体チッ
プ60は放熱板40上に接合され、接続リード32との
間でワイヤボンディングによって接続される。接続リー
ド32は絶縁体42を介して放熱板40に支持されてい
るから好適にワイヤボンディングすることができる。
The lead frame thus obtained has a shape in which the connecting lead 32 is connected between the outer circumference of the heat sink 40 also serving as a stage and the inner lead 52, and the inner lead 52 is arranged at a position separated from the heat sink 40. .. Since the connection leads 32 are formed of a thin film conductor, they can be easily formed in high density, and the inner leads 52 are formed apart from the outer periphery of the heat dissipation plate 40 to allow a space to be provided, which is easy by using a conventional lead frame material. Can be formed. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the semiconductor chip 60 is mounted on the lead frame and is resin-sealed. The semiconductor chip 60 is bonded onto the heat dissipation plate 40 and is connected to the connection lead 32 by wire bonding. Since the connection lead 32 is supported by the heat dissipation plate 40 via the insulator 42, wire bonding can be suitably performed.

【0011】図7〜図10はリードフレームの製造方法
の他の実施例を示す説明図である。本実施例では図7に
示すように、薄膜リードフレーム30に接続リード32
を形成する際に、隣接する接続リード32の先端部を相
互に連結する連結部34を形成することを特徴とする。
薄膜リードフレーム30は薄膜導体から形成するのでリ
ードの強度が低くなる。連結部34は接続リード32間
を連結することで接続リード32の先端側を保持して先
端部がばらけたり変形したりしないように保持すること
を目的とする。こうして形成した薄膜リードフレーム3
0を支持リードフレーム50に重ね合わせ、支持リード
フレーム50のインナーリード52に接続リード32を
接合して、接続リード32の先端側を薄膜リードフレー
ム30から切り離して支持する。図8はインナーリード
52に接続リード32を接合した状態である。接続リー
ド32の先端部は連結部34によって連結されている。
なお、支持リードフレーム50は前述したように通常の
リードフレーム材を用いてインナーリード52、アウタ
ーリード54、ステージサポートバー56等の所定のパ
ターンを形成したものである。なお、ステージは支持リ
ードフレーム50には形成しない。
7 to 10 are explanatory views showing another embodiment of the lead frame manufacturing method. In this embodiment, as shown in FIG. 7, the thin film lead frame 30 is connected to the connecting leads 32.
When forming, the connecting portion 34 for connecting the tip portions of the adjacent connection leads 32 to each other is formed.
Since the thin film lead frame 30 is formed of a thin film conductor, the strength of the leads is low. The connecting portion 34 is for connecting the connecting leads 32 to hold the front end side of the connecting lead 32 and hold the front end portion so as not to be dislocated or deformed. Thin film lead frame 3 thus formed
0 is superposed on the supporting lead frame 50, the connecting lead 32 is joined to the inner lead 52 of the supporting lead frame 50, and the tip end side of the connecting lead 32 is separated from the thin film lead frame 30 to be supported. FIG. 8 shows a state in which the connection lead 32 is joined to the inner lead 52. The tip ends of the connection leads 32 are connected by a connecting portion 34.
The support lead frame 50 is formed by forming a predetermined pattern of the inner lead 52, the outer lead 54, the stage support bar 56, etc. using a normal lead frame material as described above. The stage is not formed on the supporting lead frame 50.

【0012】上記のようにインナーリード52に接続リ
ード32を接合した後、前記連結部34をプレス抜きに
よって除去する。図9は連結部34を除去した後の状態
を示す。連結部34を除去することによって各リードが
独立する。連結部34は接続リード32をインナーリー
ド52に接続する際に接続リード32を正確にインナー
リード52に接合するうえで有効である。次に、接続リ
ード32を接続した支持リードフレーム50にステージ
を兼用する放熱板40を接合する。図10はこの放熱板
40を接合した状態のインナーリード52の先端近傍を
示すものである。放熱板40の周縁部には接続リード3
2を接着して支持する絶縁体42を設けておく。絶縁体
42は接続リード32の先端部を放熱板40に対して電
気的に絶縁して接着支持するものである。こうして、前
述した実施例のリードフレームと同様に支持リードフレ
ーム50とは別体に形成したステージ兼用の放熱板40
を有するとともに放熱板40とインナーリード52との
間を接続リード32で接続したリードフレームを得るこ
とができる。
After the connecting lead 32 is joined to the inner lead 52 as described above, the connecting portion 34 is removed by pressing. FIG. 9 shows the state after removing the connecting portion 34. By removing the connecting portion 34, each lead becomes independent. The connecting portion 34 is effective in accurately joining the connecting lead 32 to the inner lead 52 when connecting the connecting lead 32 to the inner lead 52. Next, the heat dissipation plate 40 that also serves as a stage is joined to the support lead frame 50 to which the connection leads 32 are connected. FIG. 10 shows the vicinity of the tips of the inner leads 52 with the heat sink 40 joined. The connection lead 3 is provided on the periphery of the heat sink 40.
An insulator 42 for adhering and supporting 2 is provided. The insulator 42 electrically insulates the tip of the connection lead 32 from the heat dissipation plate 40 and adheres and supports it. Thus, like the lead frame of the above-described embodiment, the heat dissipation plate 40 also as a stage formed separately from the support lead frame 50.
It is possible to obtain a lead frame which has the heat dissipation plate 40 and the inner lead 52 and which is connected by the connection lead 32.

【0013】なお、接続リード32を連結部34で連結
した場合は、リードを独立させるため、後工程で連結部
34を除去する必要がある。上記の実施例ではインナー
リード52に接続リード32を接合した後、連結部34
をプレス抜きで削除したが、図11に示すように薄膜リ
ードフレーム30を形成する際に連結部34と接続リー
ド32との境界部にノッチ36を形成しておき、インナ
ーリード52に接続リード32を接合した後、ノッチ3
6部分で折り曲げて連結部34を削除するようにしても
よい。また、図12に示すように、接続リード32をイ
ンナーリード52に接合し、さらに接続リード32に放
熱板40を接合した後、ノッチ36部分から連結部34
を除去するようにしてもよい。さらに他の方法として
は、図13に示すように接続リード32に放熱板40を
接合した後、連結部34部分を放熱板40とともにプレ
ス加工によって打ち抜いて各リードを独立させてもよ
い。図13でA部分が打ち抜き範囲である。放熱板40
は接続リード32およびステージサポートバー56で支
持されることにより連結部34部分の打ち抜き後も支持
リードフレーム50に支持される。
When the connecting lead 32 is connected by the connecting portion 34, the connecting portion 34 needs to be removed in a later step in order to separate the leads. In the above embodiment, after connecting the connection lead 32 to the inner lead 52, the connecting portion 34
11, the notch 36 is formed at the boundary between the connecting portion 34 and the connecting lead 32 when the thin film lead frame 30 is formed, and the inner lead 52 is connected to the connecting lead 32 as shown in FIG. Notch 3 after joining
The connecting portion 34 may be deleted by bending the six portions. Further, as shown in FIG. 12, after connecting the connection lead 32 to the inner lead 52 and further connecting the heat dissipation plate 40 to the connection lead 32, the notch 36 and the connecting portion 34 are formed.
May be removed. As yet another method, as shown in FIG. 13, after the heat dissipation plate 40 is joined to the connection lead 32, the connecting portion 34 may be punched together with the heat dissipation plate 40 by press working to make each lead independent. In FIG. 13, the portion A is the punching range. Heat sink 40
Is supported by the connection lead 32 and the stage support bar 56, and thus is supported by the support lead frame 50 even after the connecting portion 34 is punched out.

【0014】上記各実施例では支持リードフレーム50
に金属板体状の放熱板40を設けて半導体チップを搭載
可能にするとともに接続リード32を支持したが、図1
4に示すように枠体状の支持体70を用いて接続リード
32を支持することもできる。この場合も枠体状の支持
体70の外周縁に接続リード32を接着支持するための
絶縁体42を設ける。枠体状の支持体70を用いた場合
の半導体チップの搭載方法としては、支持体70の内縁
の矩形サイズよりも大きな半導体チップを搭載して接続
リード32との間をワイヤボンディングによって接続す
る方法、支持体70の開口部に絶縁シートを張設し絶縁
シート上に半導体チップを搭載しワイヤボンディングに
より接続する方法、支持体70とほぼ同じサイズの半導
体チップを用い接続リード32にバンプで直接接続する
方法等が可能である。
In each of the above embodiments, the supporting lead frame 50 is used.
The heat dissipation plate 40 in the form of a metal plate is provided on the above to enable mounting of the semiconductor chip and support the connection lead 32.
As shown in FIG. 4, the frame-like support 70 may be used to support the connection leads 32. Also in this case, an insulator 42 for adhesively supporting the connection lead 32 is provided on the outer peripheral edge of the frame-shaped support body 70. As a method of mounting a semiconductor chip when the frame-shaped support body 70 is used, a semiconductor chip larger than the rectangular size of the inner edge of the support body 70 is mounted and connected to the connection lead 32 by wire bonding. , A method in which an insulating sheet is stretched over the opening of the supporting body 70, a semiconductor chip is mounted on the insulating sheet and is connected by wire bonding, and a semiconductor chip having substantially the same size as the supporting body 70 is used to directly connect the connecting leads 32 with bumps. It is possible to do so.

【0015】上記各実施例において示したように、本発
明に係るリードフレームはステージ近傍の高密度にリー
ドが配置される範囲に薄膜導体から形成する接続リード
32を配置することによって好適に高密度化に対応する
ことができる。また、薄膜リードフレーム30の製造に
は、金属の板体をエッチング加工あるいはプレス加工し
て形成する従来のリードフレームの製造方法がそのまま
適用でき、容易に製造できて生産コストを下げることが
できるという利点がある。また、放熱板40によって接
続リードを保持することあるいは連結部34によって接
続リード32同士を連結することによって微細パターン
で形成される接続リードの変形を防止して製造すること
ができより微小なリードピッチを有するリードフレーム
を好適に製造することができる。以上、本発明について
好適な実施例を挙げて種々説明したが、本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しな
い範囲内で多くの改変を施し得るのはもちろんのことで
ある。
As shown in each of the above embodiments, the lead frame according to the present invention is suitable for high density by arranging the connecting leads 32 formed of a thin film conductor in the vicinity of the stage where the leads are arranged in high density. It is possible to deal with Further, the conventional method for manufacturing a lead frame, which is formed by etching or pressing a metal plate body, can be directly applied to the manufacture of the thin film lead frame 30, and it can be easily manufactured and the production cost can be reduced. There are advantages. Further, by holding the connection leads by the heat sink 40 or connecting the connection leads 32 with each other by the connecting portion 34, it is possible to prevent deformation of the connection leads formed in a fine pattern, and thus it is possible to manufacture a finer lead pitch. It is possible to preferably manufacture a lead frame having Although the present invention has been variously described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. That is.

【0016】[0016]

【発明の効果】本発明に係るリードフレーム及びその製
造方法によれば、上述したように、従来のリードフレー
ムの製造方法を利用してより高密度のリードパターンを
有するリードフレームを得ることができ、TAB用テー
プを用いて製造する場合等にくらべて低コストで製造す
ることができる等の著効を奏する。
As described above, according to the lead frame and the manufacturing method thereof according to the present invention, a lead frame having a higher density lead pattern can be obtained by utilizing the conventional manufacturing method of the lead frame. In comparison with the case where the TAB tape is used, it can be manufactured at a lower cost, and so on.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】リードフレームの製造で用いる薄膜リードフレ
ームの平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a thin film lead frame used in manufacturing a lead frame.

【図2】放熱板の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a heat dissipation plate.

【図3】薄膜リードフレームに放熱板を接合した状態の
説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state in which a heat dissipation plate is joined to a thin film lead frame.

【図4】接続リードを薄膜リードフレームから切り離し
た状態の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which the connection lead is separated from the thin film lead frame.

【図5】支持リードフレームに放熱板を接続した状態の
説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a state in which a heat dissipation plate is connected to the support lead frame.

【図6】リードフレームに半導体チップを搭載した状態
の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a state in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame.

【図7】薄膜リードフレームの他の実施例の平面図であ
る。
FIG. 7 is a plan view of another embodiment of the thin film lead frame.

【図8】接続リードを支持リードフレームに接合した状
態の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a state in which the connection lead is joined to the support lead frame.

【図9】連結部を除去した状態の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a state in which a connecting portion is removed.

【図10】放熱板を接合した状態の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a state in which heat dissipation plates are joined.

【図11】接続リードにノッチを設けた説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram in which a notch is provided in a connection lead.

【図12】支持リードフレームに放熱板を接合した状態
の説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a state in which a heat dissipation plate is joined to a supporting lead frame.

【図13】連結部のプレス抜き位置を示す説明図であ
る。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing a press removal position of a connecting portion.

【図14】支持体を接合した状態の説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram showing a state where the supports are joined.

【図15】リードフレームの従来例を示す説明図であ
る。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a conventional example of a lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 薄膜リードフレーム 32 接続リード 34 連結部 36 ノッチ 40 放熱板 42 絶縁体 50 支持リードフレーム 52 インナーリード 54 アウターリード 56 ステージサポートバー 60 半導体チップ 70 支持体 30 thin film lead frame 32 connection lead 34 connecting part 36 notch 40 heat sink 42 insulator 50 support lead frame 52 inner lead 54 outer lead 56 stage support bar 60 semiconductor chip 70 support

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ステージを配置するスペースをあけてイ
ンナーリードを形成した支持リードフレームに、別体で
形成したステージ兼用の放熱板を、前記インナーリード
の先端側と前記放熱板の周縁上との間に導体薄膜から形
成した接続リードを、インナーリードとの間は電気的に
導通させ、放熱板との間は電気的に絶縁して接合したこ
とを特徴とするリードフレーム。
1. A support lead frame in which an inner lead is formed with a space for arranging a stage, and a heat radiating plate that is also formed as a separate member is provided on the tip side of the inner lead and on the peripheral edge of the heat radiating plate. A lead frame, characterized in that a connection lead formed from a conductive thin film is electrically connected to an inner lead and electrically insulated and joined to a heat dissipation plate.
【請求項2】 ステージを配置するスペースをあけて所
定のインナーリードを有する支持リードフレームを形成
し、 一方、導体薄膜をエッチング加工あるいはプレス加工し
て、前記インナーリードの先端部とステージの周縁部と
の間を接続するための接続リードを有する薄膜リードフ
レームを形成し、 該薄膜リードフレームの接続リードに電気的に絶縁して
ステージ兼用の放熱板を接着して支持し、 該接続リードが接合された放熱板を前記支持リードフレ
ームのインナーリードと位置合わせして各接続リードと
インナーリードとをそれぞれ接合することを特徴とする
リードフレームの製造方法。
2. A support lead frame having a predetermined inner lead is formed with a space for arranging the stage being formed. On the other hand, a conductor thin film is etched or pressed to form a tip portion of the inner lead and a peripheral portion of the stage. Forming a thin film lead frame having a connecting lead for connection between the thin film lead frame and the connecting lead of the thin film lead frame and adhering and supporting a heat radiating plate that also serves as a stage, and the connecting lead is joined. A method of manufacturing a lead frame, wherein the heat dissipation plate is aligned with the inner leads of the supporting lead frame, and the connection leads and the inner leads are respectively joined.
【請求項3】 ステージを配置するスペースをあけて所
定のインナーリードを有する支持リードフレームを形成
し、 一方、導体薄膜をエッチング加工あるいはプレス加工し
て、前記インナーリードの先端部とステージの周縁部と
の間を接続するための接続リード、および隣接する接続
リードの先端側を連結する連結部を有する薄膜リードフ
レームを形成し、 該薄膜リードフレームを前記支持リードフレームに重ね
合わせ、前記インナーリードの先端に接続リードを接合
し、薄膜リードフレームから接続リードを切り離してイ
ンナーリードに接続リードを支持し、 該インナーリードに支持された接続リードの先端側の前
記連結部を削除し、 該接続リードを電気的に絶縁してステージ兼用の放熱板
に接着支持して、支持リードフレームに放熱板を取り付
けることを特徴とするリードフレームの製造方法。
3. A support lead frame having a predetermined inner lead is formed by leaving a space for arranging the stage, and a conductor thin film is etched or pressed to form a tip portion of the inner lead and a peripheral portion of the stage. Forming a thin film lead frame having a connecting lead for connecting between the connecting lead and the connecting lead, and a connecting portion for connecting the leading end side of the adjacent connecting lead, and stacking the thin film lead frame on the supporting lead frame, The connection lead is joined to the tip, the connection lead is separated from the thin film lead frame, the connection lead is supported by the inner lead, the connecting portion on the tip side of the connection lead supported by the inner lead is removed, and the connection lead is removed. It is electrically insulated and adhesively supported on a heatsink that also serves as a stage, and a heatsink on the support lead frame Method for fabricating a lead frame, characterized in that mounting.
【請求項4】 ステージを配置するスペースをあけて所
定のインナーリードを有する支持リードフレームを形成
し、 一方、導体薄膜をエッチング加工あるいはプレス加工し
て、前記インナーリードの先端部とステージの周縁部と
の間を接続するための接続リード、および隣接する接続
リードの先端側を連結する連結部を有する薄膜リードフ
レームを形成し、 該薄膜リードフレームを前記支持リードフレームに重ね
合わせ、前記インナーリードの先端に接続リードを接合
し、薄膜リードフレームから接続リードを切り離してイ
ンナーリードに接続リードを支持し、 該接続リードを電気的に絶縁してステージ兼用の放熱板
に接着支持して、支持リードフレームに放熱板を取り付
け、 前記連結部を除去して各リードを独立させることを特徴
とするリードフレームの製造方法。
4. A support lead frame having a predetermined inner lead is formed with a space for arranging a stage being formed. On the other hand, a conductor thin film is etched or pressed to form a tip portion of the inner lead and a peripheral portion of the stage. Forming a thin film lead frame having a connecting lead for connecting between the connecting lead and the connecting lead, and a connecting portion for connecting the leading end side of the adjacent connecting lead, and stacking the thin film lead frame on the supporting lead frame, The connection lead is joined to the tip, the connection lead is separated from the thin film lead frame, the connection lead is supported by the inner lead, the connection lead is electrically insulated, and the connection lead is adhesively supported on the heat dissipation plate that also serves as the stage, and the support lead frame A heat dissipation plate is attached to each of the leads, and the connecting portion is removed to make each lead independent. Method of manufacturing over de frame.
【請求項5】 接続リードと連結部との境界部にあらか
じめノッチを設け、ノッチ部分で連結部を削除すること
を特徴とする請求項3または4記載のリードフレームの
製造方法。
5. The method for manufacturing a lead frame according to claim 3, wherein a notch is provided in advance at the boundary between the connection lead and the connecting portion, and the connecting portion is deleted at the notch portion.
【請求項6】 ステージ兼用の放熱板を接続リードに接
合した後、プレス抜きにより連結部を放熱板とともに削
除することを特徴とする請求項4記載のリードフレーム
の製造方法。
6. The method of manufacturing a lead frame according to claim 4, wherein after the heat dissipation plate which also serves as the stage is joined to the connection lead, the connecting portion is removed together with the heat dissipation plate by pressing.
【請求項7】 ステージ兼用の放熱板が枠体状であるこ
とを特徴とする請求項1、2、3、4、5または6記載
のリードフレームの製造方法。
7. The method of manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein the heat radiating plate which also serves as a stage has a frame shape.
JP2414255A 1990-12-25 1990-12-25 Lead frame and manufacturing method thereof Expired - Lifetime JP2918342B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2414255A JP2918342B2 (en) 1990-12-25 1990-12-25 Lead frame and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2414255A JP2918342B2 (en) 1990-12-25 1990-12-25 Lead frame and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05315531A true JPH05315531A (en) 1993-11-26
JP2918342B2 JP2918342B2 (en) 1999-07-12

Family

ID=18522754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2414255A Expired - Lifetime JP2918342B2 (en) 1990-12-25 1990-12-25 Lead frame and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2918342B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252397A (en) * 1999-03-03 2000-09-14 Kitani Denki Kk Stamping parts for electrical equipment
WO2005024944A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-17 Renesas Technology Corp. Lead frame and method of manufacturing the lead frame

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252397A (en) * 1999-03-03 2000-09-14 Kitani Denki Kk Stamping parts for electrical equipment
WO2005024944A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-17 Renesas Technology Corp. Lead frame and method of manufacturing the lead frame
US7413930B2 (en) 2003-08-29 2008-08-19 Renesas Technology Corp. Lead frame and method of manufacturing the lead frame

Also Published As

Publication number Publication date
JP2918342B2 (en) 1999-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6358778B1 (en) Semiconductor package comprising lead frame with punched parts for terminals
JPH11195733A (en) Method of manufacturing semiconductor device, conductive plate for semiconductor device, and semiconductor device
US7534661B2 (en) Method of forming molded resin semiconductor device
JPH04233244A (en) Integrated-circuit assembly
JPH05315531A (en) Lead frame and manufacture thereof
JP2000124383A (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
EP0204102A2 (en) Direct connection of lead frame having flexible, tapered leads and mechanical die support
JP3777131B2 (en) Electronic component mounting method
JPH05326648A (en) Film carrier and manufacture of semiconductor device employing film carrier
JP2950623B2 (en) Lead frame manufacturing method
JP2002246531A (en) Lead frame and method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same
JP3398556B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH0793402B2 (en) Semiconductor device
JP2596399B2 (en) Semiconductor device
JP2557732B2 (en) Lead frame and manufacturing method thereof
KR930005495B1 (en) Lead frame and manufacturing thereof
JP2600898B2 (en) Thin package device
JPH07249708A (en) Semiconductor device and its mounting structure
JPH09252063A (en) Lead frame, semiconductor integrated circuit device using the same, and method of manufacturing the same
JP3923651B2 (en) Tape carrier package manufacturing method
JP2959144B2 (en) Lead frame manufacturing method
JP2002190552A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH0878571A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH11145321A (en) Semiconductor device
JPH09289226A (en) Semiconductor device