JPH05315710A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05315710A JPH05315710A JP4146596A JP14659692A JPH05315710A JP H05315710 A JPH05315710 A JP H05315710A JP 4146596 A JP4146596 A JP 4146596A JP 14659692 A JP14659692 A JP 14659692A JP H05315710 A JPH05315710 A JP H05315710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- semiconductor laser
- quantum well
- lower clad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程が容易な、同一基板上に異なる波長
で発振する半導体レーザが集積化された半導体レーザ装
置を得る。 【構成】 同一基板１上に相互に平行に配置された複数
のストライプ形状の下クラッド層２ａ，２ｂと、該複数
の下クラッド層のうちの一の下クラッド層２ａ上に配置
された量子井戸構造の活性層３ａと、該複数の下クラッ
ド層のうちの他の下クラッド層２ｂ上に配置された上記
活性層２ａとは異なる厚みの量子井戸層を含む量子井戸
構造の活性層２ｂとを備えた構成とした。 【効果】 特殊な露光装置等を必要とせず、少ない結晶
成長工程数で製造可能な集積型多重波長半導体レーザ装
置を実現できる。
で発振する半導体レーザが集積化された半導体レーザ装
置を得る。 【構成】 同一基板１上に相互に平行に配置された複数
のストライプ形状の下クラッド層２ａ，２ｂと、該複数
の下クラッド層のうちの一の下クラッド層２ａ上に配置
された量子井戸構造の活性層３ａと、該複数の下クラッ
ド層のうちの他の下クラッド層２ｂ上に配置された上記
活性層２ａとは異なる厚みの量子井戸層を含む量子井戸
構造の活性層２ｂとを備えた構成とした。 【効果】 特殊な露光装置等を必要とせず、少ない結晶
成長工程数で製造可能な集積型多重波長半導体レーザ装
置を実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体材料を用いた集
積型多重波長半導体レーザ装置及びその製造方法に関
し、特に〜に関するものである。
積型多重波長半導体レーザ装置及びその製造方法に関
し、特に〜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、例えばＭ．ナカオらがインテグ
レーテッドオプティクスアンドオプティカルファイバコ
ミュニケーション（Integrated Optics and Optical Fi
ber Communication 1989，21D3-1）に示した、従来の集
積型多重波長半導体レーザの構造を示す一部切り欠き斜
視図である。図において、３１は例えばｐ型ＩｎＰから
なる基板である。ｐ型ＩｎＰバッファ層１３は基板３１
上に配置され、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３はバッファ層１
３上に配置され、ｎ型ＩｎＰバリア層１６は活性層３上
に配置される。ＩｎＧａＡｓＰ回折格子形成層１７，２
７はそれぞれ第１の周期，第２の周期でバリア層１６上
に配置され、第１のｎ型ＩｎＰクラッド層１８はバリア
層１６上に回折格子形成層１７，２７を埋め込むように
配置される。これらクラッド層１８，回折格子層形成１
７及び２７，バリア層１６，活性層３，バッファ層１
３，及び基板３１の一部はそれぞれ回折格子層形成１７
及び２７を含むメサストライプ形状に成形されており、
基板３１上にこの２本のメサストライプが相互に平行に
配置された構造となっている。また、メサストライプが
配置された領域以外の基板３１上にはｐ型ＩｎＰ埋め込
み層１４ａ，ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１５，及びｐ型
ＩｎＰ電流ブロック層１４ｂが順次積層配置されてお
り、これらの層によりメサストライプが埋め込まれてい
る。第２のｎ型ＩｎＰクラッド層１９は第１のｎ型クラ
ッド層１８上及びｐ型ＩｎＰ電流ブロック層１４ｂ上に
配置され、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ電極形成層２０は第２の
ｎ型ＩｎＰクラッド層１９上に配置される。素子の中央
部分には電極形成層２０，第２クラッド層１９，ｐ型電
流ブロック層１４ｂ，ｎ型電流ブロック層１５，及びｎ
型埋め込み層１４ａを貫通して基板３１に達するストラ
イプ状溝６が設けられており、この溝６により第１の周
期で配置された回折格子形成層１７を含むレーザ領域と
第２の周期で配置された回折格子形成層２７を含むレー
ザ領域とが分離されている。ｎ側電極８は分離されたそ
れぞれのレーザ領域の電極形成層２０上に設けられ、ｐ
側電極７は基板３１裏面に設けられる。
レーテッドオプティクスアンドオプティカルファイバコ
ミュニケーション（Integrated Optics and Optical Fi
ber Communication 1989，21D3-1）に示した、従来の集
積型多重波長半導体レーザの構造を示す一部切り欠き斜
視図である。図において、３１は例えばｐ型ＩｎＰから
なる基板である。ｐ型ＩｎＰバッファ層１３は基板３１
上に配置され、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３はバッファ層１
３上に配置され、ｎ型ＩｎＰバリア層１６は活性層３上
に配置される。ＩｎＧａＡｓＰ回折格子形成層１７，２
７はそれぞれ第１の周期，第２の周期でバリア層１６上
に配置され、第１のｎ型ＩｎＰクラッド層１８はバリア
層１６上に回折格子形成層１７，２７を埋め込むように
配置される。これらクラッド層１８，回折格子層形成１
７及び２７，バリア層１６，活性層３，バッファ層１
３，及び基板３１の一部はそれぞれ回折格子層形成１７
及び２７を含むメサストライプ形状に成形されており、
基板３１上にこの２本のメサストライプが相互に平行に
配置された構造となっている。また、メサストライプが
配置された領域以外の基板３１上にはｐ型ＩｎＰ埋め込
み層１４ａ，ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１５，及びｐ型
ＩｎＰ電流ブロック層１４ｂが順次積層配置されてお
り、これらの層によりメサストライプが埋め込まれてい
る。第２のｎ型ＩｎＰクラッド層１９は第１のｎ型クラ
ッド層１８上及びｐ型ＩｎＰ電流ブロック層１４ｂ上に
配置され、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ電極形成層２０は第２の
ｎ型ＩｎＰクラッド層１９上に配置される。素子の中央
部分には電極形成層２０，第２クラッド層１９，ｐ型電
流ブロック層１４ｂ，ｎ型電流ブロック層１５，及びｎ
型埋め込み層１４ａを貫通して基板３１に達するストラ
イプ状溝６が設けられており、この溝６により第１の周
期で配置された回折格子形成層１７を含むレーザ領域と
第２の周期で配置された回折格子形成層２７を含むレー
ザ領域とが分離されている。ｎ側電極８は分離されたそ
れぞれのレーザ領域の電極形成層２０上に設けられ、ｐ
側電極７は基板３１裏面に設けられる。
【０００３】図１０は図９の半導体レーザ装置の製造方
法を説明するための図であり、図において、図９と同一
符号は同一又は相当部分である。
法を説明するための図であり、図において、図９と同一
符号は同一又は相当部分である。
【０００４】次に、この従来例の製造工程を図１０に沿
って説明する。まず、ｐ型ＩｎＰ基板３１上に図１０
(a) に示すように、ｐ型ＩｎＰバッファ層１３，ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３，ｎ型ＩｎＰバリア層１６，及びＩｎ
ＧａＡｓＰ回折格子形成層１７，２７を順次、例えば有
機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によりエピタキシャル
成長する。この後、回折格子層形成１７，２７上にフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジストを例えば異な
るピッチの回折格子パターンを含む露光マスクを用いた
一括露光，もしくは複数回の二光束干渉露光により露光
し、現像してレジストパターンを形成する。インテグレ
ーテッドオプティクスアンドオプティカルファイバコミ
ュニケーションの文献では上述の露光をシンクロトロン
オービタルラジエイション（ＳＯＲ）を用いたＸ線リソ
グラフィを用いて行なっている。
って説明する。まず、ｐ型ＩｎＰ基板３１上に図１０
(a) に示すように、ｐ型ＩｎＰバッファ層１３，ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３，ｎ型ＩｎＰバリア層１６，及びＩｎ
ＧａＡｓＰ回折格子形成層１７，２７を順次、例えば有
機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によりエピタキシャル
成長する。この後、回折格子層形成１７，２７上にフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジストを例えば異な
るピッチの回折格子パターンを含む露光マスクを用いた
一括露光，もしくは複数回の二光束干渉露光により露光
し、現像してレジストパターンを形成する。インテグレ
ーテッドオプティクスアンドオプティカルファイバコミ
ュニケーションの文献では上述の露光をシンクロトロン
オービタルラジエイション（ＳＯＲ）を用いたＸ線リソ
グラフィを用いて行なっている。
【０００５】次に、このレジストパターンをマスクとし
て回折格子形成層１７，２７をエッチングし、図１０
(b) に示すように、基板上に並列に配置された異なる周
期の回折格子パターンを形成する。この後、図１０(c)
に示すように、ウエハ全面に、回折格子パターンが形成
された回折格子形成層１７，２７を埋め込むようにｎ型
ＩｎＰクラッド層１８を例えばＭＯＶＰＥによりエピタ
キシャル成長する。
て回折格子形成層１７，２７をエッチングし、図１０
(b) に示すように、基板上に並列に配置された異なる周
期の回折格子パターンを形成する。この後、図１０(c)
に示すように、ウエハ全面に、回折格子パターンが形成
された回折格子形成層１７，２７を埋め込むようにｎ型
ＩｎＰクラッド層１８を例えばＭＯＶＰＥによりエピタ
キシャル成長する。
【０００６】次に、図１０(d) に示すように、クラッド
層１８，回折格子層形成１７及び２７，バリア層１６，
活性層３，バッファ層１３の一部をストライプ状に基板
３１に達するまでエッチング除去し、それぞれ回折格子
層形成１７及び２７を含む相互に平行に基板上に配置さ
れたメサストライプを形成する。
層１８，回折格子層形成１７及び２７，バリア層１６，
活性層３，バッファ層１３の一部をストライプ状に基板
３１に達するまでエッチング除去し、それぞれ回折格子
層形成１７及び２７を含む相互に平行に基板上に配置さ
れたメサストライプを形成する。
【０００７】この後、液相エピタキシャル成長（ＬＰ
Ｅ）法により、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層１４ａ，ｎ型Ｉｎ
Ｐ電流ブロック層１５，及びｐ型ＩｎＰ電流ブロック層
１４ｂを順次エピタキシャル成長し、これらの層により
メサストライプを埋め込み、さらに、ウエハ全面に、第
２のｎ型ＩｎＰクラッド層１９，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ電
極形成層２０をＬＰＥ法等により順次積層形成する。最
後に適当なエッチング工程により素子分離溝６を形成
し、素子分離し、電極７，８形成をして集積型の波長多
重レーザが得られる。
Ｅ）法により、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層１４ａ，ｎ型Ｉｎ
Ｐ電流ブロック層１５，及びｐ型ＩｎＰ電流ブロック層
１４ｂを順次エピタキシャル成長し、これらの層により
メサストライプを埋め込み、さらに、ウエハ全面に、第
２のｎ型ＩｎＰクラッド層１９，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ電
極形成層２０をＬＰＥ法等により順次積層形成する。最
後に適当なエッチング工程により素子分離溝６を形成
し、素子分離し、電極７，８形成をして集積型の波長多
重レーザが得られる。
【０００８】次に動作について説明する。この従来の集
積型波長多重半導体レーザ装置は、動的単一モード半導
体レーザ素子、特に活性層近傍に回折格子を備えた分布
帰還型（ＤＦＢ）レーザ素子を複数個同一基板上に集積
したものである。ＤＦＢレーザは、その回折格子の周期
により一義的に決定される発振波長で発振する。従っ
て、同一基板上に周期の異なる回折格子を含む複数のＤ
ＦＢレーザ素子を作り込んだ本従来例装置は、複数の波
長のレーザ光を出射する多重波長レーザ装置として機能
する。なお、個々のレーザ素子は素子分離溝６により素
子分離されており、これにより独立に駆動することが可
能である。
積型波長多重半導体レーザ装置は、動的単一モード半導
体レーザ素子、特に活性層近傍に回折格子を備えた分布
帰還型（ＤＦＢ）レーザ素子を複数個同一基板上に集積
したものである。ＤＦＢレーザは、その回折格子の周期
により一義的に決定される発振波長で発振する。従っ
て、同一基板上に周期の異なる回折格子を含む複数のＤ
ＦＢレーザ素子を作り込んだ本従来例装置は、複数の波
長のレーザ光を出射する多重波長レーザ装置として機能
する。なお、個々のレーザ素子は素子分離溝６により素
子分離されており、これにより独立に駆動することが可
能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の集積型多重波長
半導体レーザ装置は以上のように構成されているので、
回折格子の製造に、干渉露光装置やＳＯＲ露光装置のよ
うな特殊な設備，施設を必要とし、また、３回のエピタ
キシャル成長工程を必要とするなど製造工程も複雑なた
め、歩留りが極めて低いという問題点があった。
半導体レーザ装置は以上のように構成されているので、
回折格子の製造に、干渉露光装置やＳＯＲ露光装置のよ
うな特殊な設備，施設を必要とし、また、３回のエピタ
キシャル成長工程を必要とするなど製造工程も複雑なた
め、歩留りが極めて低いという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、簡便な従来技術を用いて生産性
を向上させつつ、同一基板に多数の素子を同時に形成で
きる半導体レーザ装置を得ることを目的としている。
ためになされたもので、簡便な従来技術を用いて生産性
を向上させつつ、同一基板に多数の素子を同時に形成で
きる半導体レーザ装置を得ることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、同一基板上に相互に平行に配置された複数
のストライプ形状の下クラッド層と、該複数の下クラッ
ド層のうちの一の下クラッド層上に配置された量子井戸
構造の第１の活性層と、該複数の下クラッド層のうちの
他の下クラッド層上に配置された上記活性層とは異なる
厚みの量子井戸層を含む量子井戸構造の第２の活性層と
を備えたものである。
ーザ装置は、同一基板上に相互に平行に配置された複数
のストライプ形状の下クラッド層と、該複数の下クラッ
ド層のうちの一の下クラッド層上に配置された量子井戸
構造の第１の活性層と、該複数の下クラッド層のうちの
他の下クラッド層上に配置された上記活性層とは異なる
厚みの量子井戸層を含む量子井戸構造の第２の活性層と
を備えたものである。
【００１２】また、この発明に係る半導体レーザ装置の
製造方法は、結晶成長の下地となる基板結晶の開口幅を
変えることによる、基板上の結晶成長速度の変化を利用
して、異なる層厚の量子井戸層を含む複数のレーザ能動
部を同時に成長形成するようにしたものである。
製造方法は、結晶成長の下地となる基板結晶の開口幅を
変えることによる、基板上の結晶成長速度の変化を利用
して、異なる層厚の量子井戸層を含む複数のレーザ能動
部を同時に成長形成するようにしたものである。
【００１３】
【作用】この発明においては、同一基板上に相互に平行
に配置された複数のストライプ形状の下クラッド層と、
該複数の下クラッド層のうちの一の下クラッド層上に配
置された量子井戸構造の第１の活性層と、該複数の下ク
ラッド層のうちの他の下クラッド層上に配置された上記
活性層とは異なる厚みの量子井戸層を含む量子井戸構造
の第２の活性層とを備えた構成としたから、上記第１，
第２の活性層が出射するレーザ光の波長を異なるものと
でき、集積型の多重波長半導体レーザ装置を実現でき
る。
に配置された複数のストライプ形状の下クラッド層と、
該複数の下クラッド層のうちの一の下クラッド層上に配
置された量子井戸構造の第１の活性層と、該複数の下ク
ラッド層のうちの他の下クラッド層上に配置された上記
活性層とは異なる厚みの量子井戸層を含む量子井戸構造
の第２の活性層とを備えた構成としたから、上記第１，
第２の活性層が出射するレーザ光の波長を異なるものと
でき、集積型の多重波長半導体レーザ装置を実現でき
る。
【００１４】また、この発明においては、結晶成長の下
地となる基板結晶の開口幅を変えることによる、基板上
の結晶成長速度の変化を利用して、異なる層厚の量子井
戸層を含む複数のレーザ能動部を同時に成長形成するよ
うにしたから、集積型の多重波長半導体レーザ装置をき
わめて容易な工程で製造できる。
地となる基板結晶の開口幅を変えることによる、基板上
の結晶成長速度の変化を利用して、異なる層厚の量子井
戸層を含む複数のレーザ能動部を同時に成長形成するよ
うにしたから、集積型の多重波長半導体レーザ装置をき
わめて容易な工程で製造できる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例による半導体レーザ装置
を示す斜視図であり、図において、１は例えばｐ型Ｉｎ
Ｐからなる基板である。ｐ型ＩｎＰ下クラッド層２ａ，
及び２ｂは基板１上に所定間隔をおいて相互に平行に配
置され、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層を含む活性層３ａ，
及び３ｂはそれぞれ下クラッド層２ａ，及び２ｂ上に配
置され、ｎ型ＩｎＰ上クラッド層４ａ，及び４ｂはそれ
ぞれ活性層３ａ，及び３ｂ上に配置される。ここで、活
性層３ａに含まれる量子井戸層の層厚は活性層３ｂに含
まれる量子井戸層の層厚よりも厚く形成されている。ま
たｎ型ＩｎＰ埋め込み層５は、下クラッド層２ａ，活性
層３ａ，及び上クラッド層４ａからなる第１のレーザ能
動部及び下クラッド層２ｂ，活性層３ｂ，及び上クラッ
ド層４ｂからなる第２のレーザ能動部を埋め込むように
基板１上に配置される。ストライプ状の素子分離用溝６
は埋め込み層５の表面から基板１に達するように設けら
れ、この溝６により第１のレーザ能動部を含むレーザ領
域と第２のレーザ能動部を含むレーザ領域とが分離され
ている。ｎ側電極８は例えばＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ等の合金
からなり、分離されたそれぞれのレーザ領域の埋め込み
層５上に設けられる。ｐ側電極７は例えばＡｕ／Ｚｎ等
からなり、基板１裏面に設けられる。
する。図１は本発明の一実施例による半導体レーザ装置
を示す斜視図であり、図において、１は例えばｐ型Ｉｎ
Ｐからなる基板である。ｐ型ＩｎＰ下クラッド層２ａ，
及び２ｂは基板１上に所定間隔をおいて相互に平行に配
置され、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層を含む活性層３ａ，
及び３ｂはそれぞれ下クラッド層２ａ，及び２ｂ上に配
置され、ｎ型ＩｎＰ上クラッド層４ａ，及び４ｂはそれ
ぞれ活性層３ａ，及び３ｂ上に配置される。ここで、活
性層３ａに含まれる量子井戸層の層厚は活性層３ｂに含
まれる量子井戸層の層厚よりも厚く形成されている。ま
たｎ型ＩｎＰ埋め込み層５は、下クラッド層２ａ，活性
層３ａ，及び上クラッド層４ａからなる第１のレーザ能
動部及び下クラッド層２ｂ，活性層３ｂ，及び上クラッ
ド層４ｂからなる第２のレーザ能動部を埋め込むように
基板１上に配置される。ストライプ状の素子分離用溝６
は埋め込み層５の表面から基板１に達するように設けら
れ、この溝６により第１のレーザ能動部を含むレーザ領
域と第２のレーザ能動部を含むレーザ領域とが分離され
ている。ｎ側電極８は例えばＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ等の合金
からなり、分離されたそれぞれのレーザ領域の埋め込み
層５上に設けられる。ｐ側電極７は例えばＡｕ／Ｚｎ等
からなり、基板１裏面に設けられる。
【００１６】次に動作について説明する。図８はガリウ
ムアーセナイドアンドリレイテッドコンパウンズ １９
９０（Gallium Arsenide and Related Compounds 1990
）の５３４頁に掲載されたＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ量子
井戸層とＩｎＰ障壁層との積層構造からなる量子井戸活
性層の量子井戸幅（各井戸層の層厚）と出射光波長との
関係を示す図である。この図からわかるように量子井戸
活性層の出射光波長は量子井戸層厚に依存性を持つ。こ
れは、井戸層の厚みを変化させると、井戸層内に形成さ
れる量子準位のエネルギレベルが変化し、これにより井
戸層のバンドギャップエネルギＥｇが変化するためであ
る。ここで、井戸層厚が薄くなると出射波長は短波長側
にシフトする。
ムアーセナイドアンドリレイテッドコンパウンズ １９
９０（Gallium Arsenide and Related Compounds 1990
）の５３４頁に掲載されたＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ量子
井戸層とＩｎＰ障壁層との積層構造からなる量子井戸活
性層の量子井戸幅（各井戸層の層厚）と出射光波長との
関係を示す図である。この図からわかるように量子井戸
活性層の出射光波長は量子井戸層厚に依存性を持つ。こ
れは、井戸層の厚みを変化させると、井戸層内に形成さ
れる量子準位のエネルギレベルが変化し、これにより井
戸層のバンドギャップエネルギＥｇが変化するためであ
る。ここで、井戸層厚が薄くなると出射波長は短波長側
にシフトする。
【００１７】本実施例の半導体レーザ装置は上述のよう
に同一基板上に相互に異なる層厚の井戸層を含む活性層
をそれぞれ有する複数のレーザ能動部を備えた構造とな
っており、上述の井戸層厚と出射光波長との関係から明
らかなように、各レーザ能動部は相互に異なる波長のレ
ーザ光を出射する。また、各レーザ能動部が分離溝６に
より相互に分離されているので、各レーザ能動部はそれ
ぞれ独立に駆動が可能である。
に同一基板上に相互に異なる層厚の井戸層を含む活性層
をそれぞれ有する複数のレーザ能動部を備えた構造とな
っており、上述の井戸層厚と出射光波長との関係から明
らかなように、各レーザ能動部は相互に異なる波長のレ
ーザ光を出射する。また、各レーザ能動部が分離溝６に
より相互に分離されているので、各レーザ能動部はそれ
ぞれ独立に駆動が可能である。
【００１８】次に本実施例の製造工程を図２〜図６に沿
って説明する。まず、図２に示すようにｐ型ＩｎＰ基板
１の（１００）表面上全面に例えばプラズマＣＶＤ法に
より絶縁膜として例えば窒化シリコン膜９を形成する。
そしてこの窒化シリコン膜９上に写真製版技術により、
図３に示すように相互に開口幅の異なる、基板の＜１１
０＞方向に伸びるストライプ状溝をを有するマスクパタ
ーン１１を形成し、このマスクパターン１１をマスクと
して例えばバッファフッ酸等のエッチング液により、パ
ターン開口部の窒化シリコン絶縁膜９を除去した後、マ
スクパターン１１を除去する。上述の工程により図４に
示すように絶縁膜９に異なる開口幅ｗ1 ，ｗ2 を有する
開口部１０ａ，１０ｂを形成し、該開口部に基板１表面
を露呈させる。
って説明する。まず、図２に示すようにｐ型ＩｎＰ基板
１の（１００）表面上全面に例えばプラズマＣＶＤ法に
より絶縁膜として例えば窒化シリコン膜９を形成する。
そしてこの窒化シリコン膜９上に写真製版技術により、
図３に示すように相互に開口幅の異なる、基板の＜１１
０＞方向に伸びるストライプ状溝をを有するマスクパタ
ーン１１を形成し、このマスクパターン１１をマスクと
して例えばバッファフッ酸等のエッチング液により、パ
ターン開口部の窒化シリコン絶縁膜９を除去した後、マ
スクパターン１１を除去する。上述の工程により図４に
示すように絶縁膜９に異なる開口幅ｗ1 ，ｗ2 を有する
開口部１０ａ，１０ｂを形成し、該開口部に基板１表面
を露呈させる。
【００１９】この窒化シリコン絶縁膜９の付いた半導体
基板１を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置内に導入
し、開口部１０にのみ選択的に結晶成長を行う。ここで
は、図５のようにｐ型ＩｎＰ下クラッド層２ａ，２ｂ、
アンドープＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓの多層構造からなる量
子活性層３ａ，３ｂ、及びｎ型ＩｎＰ上クラッド層４
ａ，４ｂを順次成長する。
基板１を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置内に導入
し、開口部１０にのみ選択的に結晶成長を行う。ここで
は、図５のようにｐ型ＩｎＰ下クラッド層２ａ，２ｂ、
アンドープＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓの多層構造からなる量
子活性層３ａ，３ｂ、及びｎ型ＩｎＰ上クラッド層４
ａ，４ｂを順次成長する。
【００２０】図７はエレクトロニクスレターズ，２７
巻，２３号（Electronics Letters, 7th November 199
1, Vol.27, No.23 ）の２１３８頁に掲載された、Ｉｎ
Ｐ基板上にＩｎＧａＡｓを結晶成長させる際の下地基板
の露出領域の幅と該基板上への結晶成長速度との関係を
示すグラフ図である。
巻，２３号（Electronics Letters, 7th November 199
1, Vol.27, No.23 ）の２１３８頁に掲載された、Ｉｎ
Ｐ基板上にＩｎＧａＡｓを結晶成長させる際の下地基板
の露出領域の幅と該基板上への結晶成長速度との関係を
示すグラフ図である。
【００２１】ＭＯＣＶＤ成長では、 III族の有機金属化
合物が半導体表面で熱分解し、過剰に供給されているＶ
族原子と結合して基板上にエピタキシャル結晶が成長す
る。ここでこの成長速度は III族原子の供給量に律速さ
れる。基板表面上に絶縁マスクが存在すると III族有機
金属化合物はその上では熱分解せずマイグレーション
し、基板表面が露出した部分で半導体表面上に捉えられ
ここで熱分解する。この際、開口部の幅が狭いほど周囲
の絶縁マスクの相対面積が増加するため、相対的に III
族原子の供給量が増加する。このため、開口面積が狭い
ほど成長速度が速くなる。
合物が半導体表面で熱分解し、過剰に供給されているＶ
族原子と結合して基板上にエピタキシャル結晶が成長す
る。ここでこの成長速度は III族原子の供給量に律速さ
れる。基板表面上に絶縁マスクが存在すると III族有機
金属化合物はその上では熱分解せずマイグレーション
し、基板表面が露出した部分で半導体表面上に捉えられ
ここで熱分解する。この際、開口部の幅が狭いほど周囲
の絶縁マスクの相対面積が増加するため、相対的に III
族原子の供給量が増加する。このため、開口面積が狭い
ほど成長速度が速くなる。
【００２２】本実施例では、図４に示すように、開口部
の幅ｗ1 ，ｗ2 が相互に異なり、ｗ1 ＜ｗ2 の関係とな
っている。このため、それぞれの開口部１０ａ，１０ｂ
における基板上への下クラッド層，活性層，上クラッド
層の成長速度が上述の開口幅と成長速度の関係に従って
異なるものとなり、その結果、活性層中の量子井戸層の
厚みが相互に異なるものとなる。即ち、開口部１０ａ上
に形成される活性層中の量子井戸層の厚みが開口部１０
ｂ上に形成される活性層中の量子井戸層の厚みよりも厚
くなる。
の幅ｗ1 ，ｗ2 が相互に異なり、ｗ1 ＜ｗ2 の関係とな
っている。このため、それぞれの開口部１０ａ，１０ｂ
における基板上への下クラッド層，活性層，上クラッド
層の成長速度が上述の開口幅と成長速度の関係に従って
異なるものとなり、その結果、活性層中の量子井戸層の
厚みが相互に異なるものとなる。即ち、開口部１０ａ上
に形成される活性層中の量子井戸層の厚みが開口部１０
ｂ上に形成される活性層中の量子井戸層の厚みよりも厚
くなる。
【００２３】また、本実施例のように、＜１１０＞方向
に開口したパターンに覆われた基板上に結晶成長を行う
場合、成長の進行に伴って、｛１１１｝Ｂ面が出現す
る。この｛１１１｝Ｂ面は非成長面（ＮＧＰ）と呼ば
れ、その表面には成長が起こらないことが知られてい
る。従って、成長が進むにつれ、結晶成長層は図５に示
すような三角形状となり、三角形の頂点まで結晶成長し
たところで成長が自己完結する。即ち、上クラッド層４
ａ，４ｂを結晶成長する際には、開口部１０ａ上の結晶
成長が先に自己完結し、開口部１０ｂ上の結晶成長が完
結するまでは開口部１０ａ上には更なる結晶成長は生じ
ない。
に開口したパターンに覆われた基板上に結晶成長を行う
場合、成長の進行に伴って、｛１１１｝Ｂ面が出現す
る。この｛１１１｝Ｂ面は非成長面（ＮＧＰ）と呼ば
れ、その表面には成長が起こらないことが知られてい
る。従って、成長が進むにつれ、結晶成長層は図５に示
すような三角形状となり、三角形の頂点まで結晶成長し
たところで成長が自己完結する。即ち、上クラッド層４
ａ，４ｂを結晶成長する際には、開口部１０ａ上の結晶
成長が先に自己完結し、開口部１０ｂ上の結晶成長が完
結するまでは開口部１０ａ上には更なる結晶成長は生じ
ない。
【００２４】このように本実施例の成長方法によれば、
基板上に該基板の＜１１０＞方向に開口したパターンを
形成し、各開口部に露出した基板上に結晶成長を行なう
ようにしたので、従来例のように結晶成長層のメサエッ
チング等を行なうことなく、一回のエピタキシャル成長
工程でそれぞれの開口部に開口部の幅に応じたストライ
プ状のレーザ能動部を独立に形成することができる。
基板上に該基板の＜１１０＞方向に開口したパターンを
形成し、各開口部に露出した基板上に結晶成長を行なう
ようにしたので、従来例のように結晶成長層のメサエッ
チング等を行なうことなく、一回のエピタキシャル成長
工程でそれぞれの開口部に開口部の幅に応じたストライ
プ状のレーザ能動部を独立に形成することができる。
【００２５】レーザ能動部の結晶成長工程の後、絶縁膜
９をバッファフッ酸等で除去し、再びウエハをＭＯＣＶ
Ｄ結晶成長装置内に導入し、図６に示すように、ウエハ
全面にｎ型ＩｎＰをエピタキシャル成長し、このｎ型Ｉ
ｎＰ層５により三角形状のレーザ能動部を埋め込む。
９をバッファフッ酸等で除去し、再びウエハをＭＯＣＶ
Ｄ結晶成長装置内に導入し、図６に示すように、ウエハ
全面にｎ型ＩｎＰをエピタキシャル成長し、このｎ型Ｉ
ｎＰ層５により三角形状のレーザ能動部を埋め込む。
【００２６】この後、埋込層５表面から基板１に達する
素子分離溝６を、例えばＨＣｌ系エッチング液を用いた
ウエットエッチング、もしくはＣＨＦ3 ／ＳＦ6 系プラ
ズマエッチングにより形成し隣り合うレーザ素子を互い
に分離する。そして、埋込層５上に例えばＡｕ／Ｇｅ／
Ｎｉからなるｎ側電極８を、基板１の裏面に例えばＡｕ
／Ｚｎからなるｐ側電極を蒸着等により形成して、図１
に示す集積型多重波長半導体レーザ装置が完成する。
素子分離溝６を、例えばＨＣｌ系エッチング液を用いた
ウエットエッチング、もしくはＣＨＦ3 ／ＳＦ6 系プラ
ズマエッチングにより形成し隣り合うレーザ素子を互い
に分離する。そして、埋込層５上に例えばＡｕ／Ｇｅ／
Ｎｉからなるｎ側電極８を、基板１の裏面に例えばＡｕ
／Ｚｎからなるｐ側電極を蒸着等により形成して、図１
に示す集積型多重波長半導体レーザ装置が完成する。
【００２７】このように、本実施例の製造方法によれ
ば、特殊な露光装置等を必要とせず、２回のＭＯＣＶＤ
工程により半導体レーザ装置を構成することができ、集
積型多重波長半導体レーザ装置の製造工程を極めて容易
とできる。
ば、特殊な露光装置等を必要とせず、２回のＭＯＣＶＤ
工程により半導体レーザ装置を構成することができ、集
積型多重波長半導体レーザ装置の製造工程を極めて容易
とできる。
【００２８】なお、上記実施例では、ｐ型基板上にｐ型
下クラッド層，活性層，ｎ型上クラッド層からなるレー
ザ能動部を形成し、ｎ型層でレーザ能動部を埋め込むも
のについて説明したが、ｎ型基板上にｎ型下クラッド
層，活性層，ｐ型上クラッド層からなるレーザ能動部を
形成し、ｐ型層でレーザ能動部を埋め込むようにしても
よい。
下クラッド層，活性層，ｎ型上クラッド層からなるレー
ザ能動部を形成し、ｎ型層でレーザ能動部を埋め込むも
のについて説明したが、ｎ型基板上にｎ型下クラッド
層，活性層，ｐ型上クラッド層からなるレーザ能動部を
形成し、ｐ型層でレーザ能動部を埋め込むようにしても
よい。
【００２９】また、上記実施例では、半導体材料として
ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓを用いたものについて説明した
が、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ等他の III−Ｖ族化合物半
導体を用いてもよく、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓを用いたものについて説明した
が、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ等他の III−Ｖ族化合物半
導体を用いてもよく、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、同一
基板上に相互に平行に配置された複数のストライプ形状
の下クラッド層と、該複数の下クラッド層のうちの一の
下クラッド層上に配置された量子井戸構造の第１の活性
層と、該複数の下クラッド層のうちの他の下クラッド層
上に配置された上記活性層とは異なる厚みの量子井戸層
を含む量子井戸構造の第２の活性層とを備えた構成とし
たから、上記第１，第２の活性層が出射するレーザ光の
波長を異なるものとでき、集積型の多重波長半導体レー
ザ装置を実現できる効果がある。
基板上に相互に平行に配置された複数のストライプ形状
の下クラッド層と、該複数の下クラッド層のうちの一の
下クラッド層上に配置された量子井戸構造の第１の活性
層と、該複数の下クラッド層のうちの他の下クラッド層
上に配置された上記活性層とは異なる厚みの量子井戸層
を含む量子井戸構造の第２の活性層とを備えた構成とし
たから、上記第１，第２の活性層が出射するレーザ光の
波長を異なるものとでき、集積型の多重波長半導体レー
ザ装置を実現できる効果がある。
【００３１】また、この発明によれば、結晶成長の下地
となる基板結晶の開口幅を変えることによる、基板上の
結晶成長速度の変化を利用して、異なる層厚の量子井戸
層を含む複数のレーザ能動部を同時に成長形成するよう
にしたから、集積型の多重波長半導体レーザ装置をきわ
めて容易な工程で製造できる効果がある。
となる基板結晶の開口幅を変えることによる、基板上の
結晶成長速度の変化を利用して、異なる層厚の量子井戸
層を含む複数のレーザ能動部を同時に成長形成するよう
にしたから、集積型の多重波長半導体レーザ装置をきわ
めて容易な工程で製造できる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザの製造工程の一部を示す断
面図である。
面図である。
【図３】図１の半導体レーザの製造工程の一部を示す断
面図である。
面図である。
【図４】図１の半導体レーザの製造工程の一部を示す断
面図及び斜視図である。
面図及び斜視図である。
【図５】図１の半導体レーザの製造工程の一部を示す断
面図である。
面図である。
【図６】図１の半導体レーザの製造工程の一部を示す断
面図である。
面図である。
【図７】下地基板の露出領域の幅と該基板上への結晶成
長速度との関係を示すグラフ図である。
長速度との関係を示すグラフ図である。
【図８】量子井戸活性層の量子井戸幅と出射光波長との
関係を示すグラフ図である。
関係を示すグラフ図である。
【図９】従来の集積型波長多重半導体レーザ装置を示す
一部切り欠き斜視図である。
一部切り欠き斜視図である。
【図１０】図９の半導体レーザ装置の製造工程を示す斜
視図である。
視図である。
１ ｐ型ＩｎＰ基板 ２ａ，２ｂ ｐ型ＩｎＰ下クラッド層 ３ａ，３ｂ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子井戸活性層 ４ａ，４ｂ ｎ型ＩｎＰ上クラッド層 ５ ｎ型ＩｎＰ埋め込み層 ６ 素子分離用溝 ７ ｐ側電極 ８ ｎ側電極 ９ 絶縁膜 １０ 開口部 １１ ストライプ状パターンマスク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年８月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体材料を用いた集
積型多重波長半導体レーザ装置及びその製造方法に関す
るものである。
積型多重波長半導体レーザ装置及びその製造方法に関す
るものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の集積型多重波長半導体レ
ーザの構造を示す一部切り欠き斜視図である。図におい
て、３１は例えばｐ型ＩｎＰからなる基板である。ｐ型
ＩｎＰバッファ層１３は基板３１上に配置され、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３はバッファ層１３上に配置され、ｎ型
ＩｎＰバリア層１６は活性層３上に配置される。ＩｎＧ
ａＡｓＰ回折格子形成層１７，２７はそれぞれ第１の周
期，第２の周期でバリア層１６上に配置され、第１のｎ
型ＩｎＰクラッド層１８はバリア層１６上に回折格子形
成層１７，２７を埋め込むように配置される。これらク
ラッド層１８，回折格子層形成１７及び２７，バリア層
１６，活性層３，バッファ層１３，及び基板３１の一部
はそれぞれ回折格子層形成１７及び２７を含むメサスト
ライプ形状に成形されており、基板３１上にこの２本の
メサストライプが相互に平行に配置された構造となって
いる。また、メサストライプが配置された領域以外の基
板３１上にはｐ型ＩｎＰ埋め込み層１４ａ，ｎ型ＩｎＰ
電流ブロック層１５，及びｐ型ＩｎＰ電流ブロック層１
４ｂが順次積層配置されており、これらの層によりメサ
ストライプが埋め込まれている。第２のｎ型ＩｎＰクラ
ッド層１９は第１のｎ型クラッド層１８上及びｐ型Ｉｎ
Ｐ電流ブロック層１４ｂ上に配置され、ｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ電極形成層２０は第２のｎ型ＩｎＰクラッド層１９
上に配置される。素子の中央部分には電極形成層２０，
第２クラッド層１９，ｐ型電流ブロック層１４ｂ，ｎ型
電流ブロック層１５，及びｎ型埋め込み層１４ａを貫通
して基板３１に達するストライプ状溝６が設けられてお
り、この溝６により第１の周期で配置された回折格子形
成層１７を含むレーザ領域と第２の周期で配置された回
折格子形成層２７を含むレーザ領域とが分離されてい
る。ｎ側電極８は分離されたそれぞれのレーザ領域の電
極形成層２０上に設けられ、ｐ側電極７は基板３１裏面
に設けられる。
ーザの構造を示す一部切り欠き斜視図である。図におい
て、３１は例えばｐ型ＩｎＰからなる基板である。ｐ型
ＩｎＰバッファ層１３は基板３１上に配置され、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３はバッファ層１３上に配置され、ｎ型
ＩｎＰバリア層１６は活性層３上に配置される。ＩｎＧ
ａＡｓＰ回折格子形成層１７，２７はそれぞれ第１の周
期，第２の周期でバリア層１６上に配置され、第１のｎ
型ＩｎＰクラッド層１８はバリア層１６上に回折格子形
成層１７，２７を埋め込むように配置される。これらク
ラッド層１８，回折格子層形成１７及び２７，バリア層
１６，活性層３，バッファ層１３，及び基板３１の一部
はそれぞれ回折格子層形成１７及び２７を含むメサスト
ライプ形状に成形されており、基板３１上にこの２本の
メサストライプが相互に平行に配置された構造となって
いる。また、メサストライプが配置された領域以外の基
板３１上にはｐ型ＩｎＰ埋め込み層１４ａ，ｎ型ＩｎＰ
電流ブロック層１５，及びｐ型ＩｎＰ電流ブロック層１
４ｂが順次積層配置されており、これらの層によりメサ
ストライプが埋め込まれている。第２のｎ型ＩｎＰクラ
ッド層１９は第１のｎ型クラッド層１８上及びｐ型Ｉｎ
Ｐ電流ブロック層１４ｂ上に配置され、ｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ電極形成層２０は第２のｎ型ＩｎＰクラッド層１９
上に配置される。素子の中央部分には電極形成層２０，
第２クラッド層１９，ｐ型電流ブロック層１４ｂ，ｎ型
電流ブロック層１５，及びｎ型埋め込み層１４ａを貫通
して基板３１に達するストライプ状溝６が設けられてお
り、この溝６により第１の周期で配置された回折格子形
成層１７を含むレーザ領域と第２の周期で配置された回
折格子形成層２７を含むレーザ領域とが分離されてい
る。ｎ側電極８は分離されたそれぞれのレーザ領域の電
極形成層２０上に設けられ、ｐ側電極７は基板３１裏面
に設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】次に、この従来例の製造工程を図１０に沿
って説明する。まず、ｐ型ＩｎＰ基板３１上に図１０
(a) に示すように、ｐ型ＩｎＰバッファ層１３，ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３，ｎ型ＩｎＰバリア層１６，及びＩｎ
ＧａＡｓＰ回折格子形成層１７，２７を順次、例えば有
機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によりエピタキシャル
成長する。この後、回折格子層形成１７，２７上にフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジストを例えば異な
るピッチの回折格子パターンを含む露光マスクを用いた
一括露光，もしくは複数回の二光束干渉露光により露光
し、現像してレジストパターンを形成する。Ｍ．ナカオ
らはインテグレーテッドオプティクスアンドオプティカ
ルファイバコミュニケーション（Integrated Optics an
d OpticalFiber Communication 1989．21D3-1）で上述
の露光をシンクロトロンオービタルラジエイション（Ｓ
ＯＲ）を用いたＸ線リソグラフィを用いて行なってい
る。
って説明する。まず、ｐ型ＩｎＰ基板３１上に図１０
(a) に示すように、ｐ型ＩｎＰバッファ層１３，ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３，ｎ型ＩｎＰバリア層１６，及びＩｎ
ＧａＡｓＰ回折格子形成層１７，２７を順次、例えば有
機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によりエピタキシャル
成長する。この後、回折格子層形成１７，２７上にフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジストを例えば異な
るピッチの回折格子パターンを含む露光マスクを用いた
一括露光，もしくは複数回の二光束干渉露光により露光
し、現像してレジストパターンを形成する。Ｍ．ナカオ
らはインテグレーテッドオプティクスアンドオプティカ
ルファイバコミュニケーション（Integrated Optics an
d OpticalFiber Communication 1989．21D3-1）で上述
の露光をシンクロトロンオービタルラジエイション（Ｓ
ＯＲ）を用いたＸ線リソグラフィを用いて行なってい
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 同一基板上に相互に平行に配置された複
数のストライプ形状の下クラッド層と、 該複数の下クラッド層のうちの一の下クラッド層上に配
置された量子井戸構造の活性層と、 該複数の下クラッド層のうちの他の下クラッド層上に配
置された上記活性層とは異なる厚みの量子井戸層を含む
量子井戸構造の活性層とを備えたことを特徴とする半導
体レーザ装置。 - 【請求項２】 上記複数のクラッド層上の活性層は同時
に成長形成されたものであることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 第１導電型の基板上に絶縁膜を堆積させ
る工程と、 該絶縁膜に相互に開口幅の異なる相互に平行な複数のス
トライプ状開口を形成する工程と、 上記開口部に露出した上記基板上に第１導電型の下クラ
ッド層，量子井戸活性層，及び第２導電型上クラッド層
を順次結晶成長して複数のレーザ能動部を形成する工程
とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
法。 - 【請求項４】 上記ストライプ状開口を基板の〈１１
０〉方向に形成することを特徴とする請求項３記載の半
導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4146596A JPH05315710A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4146596A JPH05315710A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315710A true JPH05315710A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15411301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4146596A Pending JPH05315710A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010067639A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP4146596A patent/JPH05315710A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010067639A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8605769B2 (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
| US5045499A (en) | Method of manufacturing a distributed brass reflector type semiconductor laser | |
| US5518955A (en) | Method of fabricating quantum wire | |
| JPH0878386A (ja) | 半導体エッチング方法，半導体装置の製造方法，半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ | |
| EP0390995B1 (en) | Semiconductor laser device and method of making same | |
| JP2003069145A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子群の作製方法 | |
| JPH04216693A (ja) | 自己安定化半導体回折格子の製作方法 | |
| JPH06132610A (ja) | 半導体レーザアレイ素子及びその製造方法 | |
| JP2007035784A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP3982940B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPH05315710A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH0231488A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH04364084A (ja) | 波長多重レーザ | |
| US5360763A (en) | Method for fabricating an optical semiconductor device | |
| JPH06103775B2 (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JP2004063633A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH05327119A (ja) | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 | |
| US20010053166A1 (en) | Semiconductor laser and fabricating method of the same | |
| JP2810518B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH09186391A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2940106B2 (ja) | 半導体レーザの製法 | |
| JP2630273B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP3274710B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子および分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS60126880A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04309280A (ja) | 分布帰還型半導体レーザの製法 |