JPH05320890A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH05320890A JPH05320890A JP13090192A JP13090192A JPH05320890A JP H05320890 A JPH05320890 A JP H05320890A JP 13090192 A JP13090192 A JP 13090192A JP 13090192 A JP13090192 A JP 13090192A JP H05320890 A JPH05320890 A JP H05320890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- holder
- heater
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スパッタリング装置に関し、ホルダーに複数枚
搭載した非磁性基板への、スパッタリング技術による磁
性被膜の被膜形成時における温度条件が、ホルダーに複
数枚搭載された各非磁性基板の全てでほぼ同じになるよ
うに加熱されるヒーターを、インライン通過型のスパッ
タリング装置に備えることによって、保磁力がほぼ一定
となった磁気記録媒体を製造することである。 【構成】非磁性基板上にスパッタリング技術を用いて、
下地膜、磁性膜、保護膜の全部または一部を被膜形成し
て磁気記録媒体を製作するインライン通過型のスパッタ
リング装置において、インライン通過路に沿って配設し
た前記非磁性基板を加熱するためのヒーターを複数に分
割するとともに、この複数に分割した各ヒーターの温度
を個々に設定可能にしたスパッタリング装置。
搭載した非磁性基板への、スパッタリング技術による磁
性被膜の被膜形成時における温度条件が、ホルダーに複
数枚搭載された各非磁性基板の全てでほぼ同じになるよ
うに加熱されるヒーターを、インライン通過型のスパッ
タリング装置に備えることによって、保磁力がほぼ一定
となった磁気記録媒体を製造することである。 【構成】非磁性基板上にスパッタリング技術を用いて、
下地膜、磁性膜、保護膜の全部または一部を被膜形成し
て磁気記録媒体を製作するインライン通過型のスパッタ
リング装置において、インライン通過路に沿って配設し
た前記非磁性基板を加熱するためのヒーターを複数に分
割するとともに、この複数に分割した各ヒーターの温度
を個々に設定可能にしたスパッタリング装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばコンピュータ
システムの外部記憶装置を構成する磁気記録媒体（磁気
ディスク）を製造するため、非磁性基板上（ディスク基
板上）にスパッタリング技術を用いて、磁性被膜などを
被膜形成するインライン通過型のスパッタリング装置に
関するものであり、特にその磁性被膜の被膜形成工程中
に非磁性基板（ディスク基板）を加熱するヒーターを改
良したものである。
システムの外部記憶装置を構成する磁気記録媒体（磁気
ディスク）を製造するため、非磁性基板上（ディスク基
板上）にスパッタリング技術を用いて、磁性被膜などを
被膜形成するインライン通過型のスパッタリング装置に
関するものであり、特にその磁性被膜の被膜形成工程中
に非磁性基板（ディスク基板）を加熱するヒーターを改
良したものである。
【０００２】複数枚の磁気ディスクを有する磁気ディス
ク装置への情報記録の高密度化傾向に対応するには、各
磁気ディスクの保磁力Ｈｃが大きく、かつ、品質が均一
なものを作る必要がある。そのためには、インライン通
過型のスパッタリング装置の中を走行させるホルダーに
搭載させた、磁性膜を被膜形成させる複数枚のディスク
基板の温度を適性に管理してスパッタリングを行う必要
がある。
ク装置への情報記録の高密度化傾向に対応するには、各
磁気ディスクの保磁力Ｈｃが大きく、かつ、品質が均一
なものを作る必要がある。そのためには、インライン通
過型のスパッタリング装置の中を走行させるホルダーに
搭載させた、磁性膜を被膜形成させる複数枚のディスク
基板の温度を適性に管理してスパッタリングを行う必要
がある。
【０００３】
【従来の技術】図５は従来一般の磁気ディスクを製造す
る、インライン通過型のスパッタリング装置の概略図で
あり、７はステーションで、このステーションでスパッ
タリング装置のインラインの流れから一時外されたホル
ダー２に、複数枚（図においては６枚）搭載されて製造
された磁気ディスクＤを、図示しないロボットによって
取外し、空になったホルダー２に磁性膜を被膜形成する
ディスク基板Ｄ′を複数枚搭載させる。
る、インライン通過型のスパッタリング装置の概略図で
あり、７はステーションで、このステーションでスパッ
タリング装置のインラインの流れから一時外されたホル
ダー２に、複数枚（図においては６枚）搭載されて製造
された磁気ディスクＤを、図示しないロボットによって
取外し、空になったホルダー２に磁性膜を被膜形成する
ディスク基板Ｄ′を複数枚搭載させる。
【０００４】８はロードチャンバーで、複数枚のディス
ク基板Ｄ′が搭載されたホルダー２が、このロードチャ
ンバー８の入口に設けた図示しないドアーが開いたとき
に、このロードチャンバー８の中に入り、このドアーを
閉めてロードチャンバー８を真空状態にする。なお、こ
のドアーを開けるときには、このロードチャンバー８に
例えば窒素ガスを入れて大気圧にする。また、ホルダー
２は例えば２〜３分毎にこのロードチャンバー８に入っ
て来る。
ク基板Ｄ′が搭載されたホルダー２が、このロードチャ
ンバー８の入口に設けた図示しないドアーが開いたとき
に、このロードチャンバー８の中に入り、このドアーを
閉めてロードチャンバー８を真空状態にする。なお、こ
のドアーを開けるときには、このロードチャンバー８に
例えば窒素ガスを入れて大気圧にする。また、ホルダー
２は例えば２〜３分毎にこのロードチャンバー８に入っ
て来る。
【０００５】９1 は前記ロードチャンバー８に設けたヒ
ーターで、前記ホルダー２に搭載されて移動して来たデ
ィスク基板Ｄ′の両面を加熱する。このロードチャンバ
ー８で加熱された複数枚のディスク基板Ｄ′を搭載した
ホルダー２は、図示しないドアーが開いたときに、高真
空状態のヒートチャンバー１０の中に入り、そのドアー
は閉まる。
ーターで、前記ホルダー２に搭載されて移動して来たデ
ィスク基板Ｄ′の両面を加熱する。このロードチャンバ
ー８で加熱された複数枚のディスク基板Ｄ′を搭載した
ホルダー２は、図示しないドアーが開いたときに、高真
空状態のヒートチャンバー１０の中に入り、そのドアー
は閉まる。
【０００６】このヒートチャンバー１０の中にも、前記
同様のヒーター９2 が設けられている。１１はスパッタ
チャンバーで、このスパッタチャンバーには、複数枚の
ディスク基板Ｄ′を搭載したホルダー２の移動方向に従
って順次、ヒーター９3 と、ディスク基板Ｄ′の両面に
Ｃｒ膜を被膜形成するＣｒターゲット１２と、このＣｒ
膜の上にＣｏＣｒＴａ合金膜を被膜形成するＣｏＣｒＴ
ａターゲット１３と、このＣｏＣｒＴａ膜を加熱するヒ
ーター９4 と、ＣｏＣｒＴａ膜の上にＣ膜を被膜形成す
るＣターゲット１４がそれぞれ設けられている。
同様のヒーター９2 が設けられている。１１はスパッタ
チャンバーで、このスパッタチャンバーには、複数枚の
ディスク基板Ｄ′を搭載したホルダー２の移動方向に従
って順次、ヒーター９3 と、ディスク基板Ｄ′の両面に
Ｃｒ膜を被膜形成するＣｒターゲット１２と、このＣｒ
膜の上にＣｏＣｒＴａ合金膜を被膜形成するＣｏＣｒＴ
ａターゲット１３と、このＣｏＣｒＴａ膜を加熱するヒ
ーター９4 と、ＣｏＣｒＴａ膜の上にＣ膜を被膜形成す
るＣターゲット１４がそれぞれ設けられている。
【０００７】１５はアンロードチャンバーで、ディスク
基板の上に前記のような各膜が形成されて製造された複
数枚の磁気ディスクが搭載されたホルダー２が、前記ス
パッタチャンバー１１との間に設けたドアー（図示しな
い）が開いて、このアンロードチャンバー１５に入った
後にそのドアーは閉まり、次に、このアンロードチャン
バー１５に窒素ガスを入れて大気圧にした後に、アンロ
ードチャンバー１５の出口に設けたドアー（図示しな
い）を開いて、複数枚の磁気ディスクＤが搭載されたホ
ルダー２をスパッタリング装置の外に出し、次いで矢印
で示すように左方に移動させてステーション７に戻し、
ここで製造された磁気ディスクＤを図示しないロボット
によって取外す。なお、スパッタリング技術の原理は周
知のことであるので、その説明は省略する。
基板の上に前記のような各膜が形成されて製造された複
数枚の磁気ディスクが搭載されたホルダー２が、前記ス
パッタチャンバー１１との間に設けたドアー（図示しな
い）が開いて、このアンロードチャンバー１５に入った
後にそのドアーは閉まり、次に、このアンロードチャン
バー１５に窒素ガスを入れて大気圧にした後に、アンロ
ードチャンバー１５の出口に設けたドアー（図示しな
い）を開いて、複数枚の磁気ディスクＤが搭載されたホ
ルダー２をスパッタリング装置の外に出し、次いで矢印
で示すように左方に移動させてステーション７に戻し、
ここで製造された磁気ディスクＤを図示しないロボット
によって取外す。なお、スパッタリング技術の原理は周
知のことであるので、その説明は省略する。
【０００８】図６は前記インライン通過型のスパッタリ
ング装置を構成するヒーター９1 ，９2 により、ホルダ
ー２に搭載されたディスク基板を加熱した状態で、この
ディスク基板に磁性被膜を被膜形成したときの、ディス
ク基板の温度に対する保磁力の関係を示したものであ
り、ディスク基板の温度が高くなるに従って保磁力が高
くなることを示している。
ング装置を構成するヒーター９1 ，９2 により、ホルダ
ー２に搭載されたディスク基板を加熱した状態で、この
ディスク基板に磁性被膜を被膜形成したときの、ディス
ク基板の温度に対する保磁力の関係を示したものであ
り、ディスク基板の温度が高くなるに従って保磁力が高
くなることを示している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタリング
装置を構成するヒーター９1 ，９2 は、図７に示すよう
に、電熱部材９ａ，９ｂ，９ｃが上，中，下の三段に分
割されてはいたが、その各段の電熱部材９ａ，９ｂ，９
ｃの温度は一定（例えば３２０度）に設定されていた。
そしてこのようなヒーター９1 ，９2 の前に、６枚のデ
ィスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′が搭載されたホルダー２を２
〜３分間停止させて加熱した後に、このホルダー２は前
記スパッタチャンバー１１の中に急速に入り、ここで、
このホルダー２は例えば２２ｃｍ／分程度の速度でスパ
ッタチャンバー１１の中を通過し、このホルダー２に搭
載された６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′に、前記の
ようなＣｒ膜、ＣｏＣｒＴａ合金膜、Ｃ膜を順次被膜形
成させるが、このホルダー２の進行方向の前方側に搭載
されたディスク基板Ｄ1 ′，Ｄ4 ′にＣｒ膜が被膜形成
されているときは、このホルダー２の進行方向の後方側
に搭載されたディスク基板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′には、まだＣ
ｒ膜が被膜形成されていないので、このホルダー２の進
行方向の後方側に搭載されたディスク基板Ｄ3 ′，
Ｄ6 ′にＣｒ膜が被膜形成されるまでに時間が経過す
る。
装置を構成するヒーター９1 ，９2 は、図７に示すよう
に、電熱部材９ａ，９ｂ，９ｃが上，中，下の三段に分
割されてはいたが、その各段の電熱部材９ａ，９ｂ，９
ｃの温度は一定（例えば３２０度）に設定されていた。
そしてこのようなヒーター９1 ，９2 の前に、６枚のデ
ィスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′が搭載されたホルダー２を２
〜３分間停止させて加熱した後に、このホルダー２は前
記スパッタチャンバー１１の中に急速に入り、ここで、
このホルダー２は例えば２２ｃｍ／分程度の速度でスパ
ッタチャンバー１１の中を通過し、このホルダー２に搭
載された６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′に、前記の
ようなＣｒ膜、ＣｏＣｒＴａ合金膜、Ｃ膜を順次被膜形
成させるが、このホルダー２の進行方向の前方側に搭載
されたディスク基板Ｄ1 ′，Ｄ4 ′にＣｒ膜が被膜形成
されているときは、このホルダー２の進行方向の後方側
に搭載されたディスク基板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′には、まだＣ
ｒ膜が被膜形成されていないので、このホルダー２の進
行方向の後方側に搭載されたディスク基板Ｄ3 ′，
Ｄ6 ′にＣｒ膜が被膜形成されるまでに時間が経過す
る。
【００１０】従って、このホルダー２の進行方向の後方
側に搭載されたディスク基板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′にＣｒ膜が
被膜形成されるときには、前記時間が経過した分このデ
ィスク基板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′の温度が下がる。図８はその
状態を示したものであり、従来のようなヒーター９1 ，
９2 によってホルダー２に搭載された６枚のディスク基
板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′を加熱した場合、前記スパッタチャン
バー１１において全被膜の被膜形成終了時における、各
ディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の温度は、図８に示すよう
に、下段のディスク基板Ｄ4 ′，Ｄ5 ′，Ｄ6 ′の温度
が上段のディスク基板Ｄ1 ′，Ｄ2 ′，Ｄ3 ′の温度に
比べて低くなり、また、進行方向の後方側のディスク基
板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′の温度が前方側のディスク基板
Ｄ1 ′，Ｄ4 ′の温度に比べて低くなることが、赤外線
温度測定器による測定結果によって確認された。
側に搭載されたディスク基板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′にＣｒ膜が
被膜形成されるときには、前記時間が経過した分このデ
ィスク基板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′の温度が下がる。図８はその
状態を示したものであり、従来のようなヒーター９1 ，
９2 によってホルダー２に搭載された６枚のディスク基
板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′を加熱した場合、前記スパッタチャン
バー１１において全被膜の被膜形成終了時における、各
ディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の温度は、図８に示すよう
に、下段のディスク基板Ｄ4 ′，Ｄ5 ′，Ｄ6 ′の温度
が上段のディスク基板Ｄ1 ′，Ｄ2 ′，Ｄ3 ′の温度に
比べて低くなり、また、進行方向の後方側のディスク基
板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′の温度が前方側のディスク基板
Ｄ1 ′，Ｄ4 ′の温度に比べて低くなることが、赤外線
温度測定器による測定結果によって確認された。
【００１１】このように、ホルダー２に搭載された６枚
のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の温度が前記のように相
違した状態で、スパッタリング技術で磁性被膜を被膜形
成して製作した磁気ディスクの保磁力を測定した結果を
図９に示す。この測定結果を見ても、ディスク基板の温
度が高い状態で、スパッタリング技術で磁性被膜を被膜
形成して製造された磁気ディスクの方が、保磁力が高い
ことが確認された。このように、スパッタリング技術に
よる各被膜の被膜形成時の、ディスク基板の温度のばら
つきにより、製造された磁気ディスクの保磁力にばらつ
きが生じ、すなわち、磁気ディスクの品質にばらつきが
生じる、という問題があった。
のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の温度が前記のように相
違した状態で、スパッタリング技術で磁性被膜を被膜形
成して製作した磁気ディスクの保磁力を測定した結果を
図９に示す。この測定結果を見ても、ディスク基板の温
度が高い状態で、スパッタリング技術で磁性被膜を被膜
形成して製造された磁気ディスクの方が、保磁力が高い
ことが確認された。このように、スパッタリング技術に
よる各被膜の被膜形成時の、ディスク基板の温度のばら
つきにより、製造された磁気ディスクの保磁力にばらつ
きが生じ、すなわち、磁気ディスクの品質にばらつきが
生じる、という問題があった。
【００１２】この発明の目的は、ホルダーに複数枚搭載
した非磁性基板への、スパッタリング技術による磁性被
膜の被膜形成時における温度条件が、ホルダーに複数枚
搭載された各非磁性基板の全てでほぼ同じになるように
加熱されるヒーターを、インライン通過型のスパッタリ
ング装置に備えることによって、高保磁力で品質がほぼ
一定となった磁気記録媒体を製造することである。
した非磁性基板への、スパッタリング技術による磁性被
膜の被膜形成時における温度条件が、ホルダーに複数枚
搭載された各非磁性基板の全てでほぼ同じになるように
加熱されるヒーターを、インライン通過型のスパッタリ
ング装置に備えることによって、高保磁力で品質がほぼ
一定となった磁気記録媒体を製造することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記目的を
達成するために、非磁性基板上にスパッタリング技術を
用いて、下地膜、磁性膜、保護膜の全部または一部を被
膜形成して磁気記録媒体を製作するインライン通過型の
スパッタリング装置において、インライン通過路に沿っ
て配設した非磁性基板を加熱するためのヒーターを複数
に分割するとともに、この複数に分割した各ヒーターの
温度を個々に設定可能にしたスパッタリング装置とした
ものである。
達成するために、非磁性基板上にスパッタリング技術を
用いて、下地膜、磁性膜、保護膜の全部または一部を被
膜形成して磁気記録媒体を製作するインライン通過型の
スパッタリング装置において、インライン通過路に沿っ
て配設した非磁性基板を加熱するためのヒーターを複数
に分割するとともに、この複数に分割した各ヒーターの
温度を個々に設定可能にしたスパッタリング装置とした
ものである。
【００１４】
【作用】この発明は、前記のように構成されているた
め、複数に分割した各ヒーターの温度を個々に設定し
て、ホルダーに複数枚搭載した非磁性基板への、スパッ
タリング技術による磁性被膜の被膜形成時における温度
条件を、ホルダーに複数枚搭載された各非磁性基板の全
てでほぼ同じになるように加熱することができ、これに
よって製造された磁気記録媒体の保磁力が全てほぼ一定
となった均一な優れた品質の磁気記録媒体を製作するこ
とができる。
め、複数に分割した各ヒーターの温度を個々に設定し
て、ホルダーに複数枚搭載した非磁性基板への、スパッ
タリング技術による磁性被膜の被膜形成時における温度
条件を、ホルダーに複数枚搭載された各非磁性基板の全
てでほぼ同じになるように加熱することができ、これに
よって製造された磁気記録媒体の保磁力が全てほぼ一定
となった均一な優れた品質の磁気記録媒体を製作するこ
とができる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明のスパッタリング装置の実施
例を図１〜図３に従って詳細に説明する。インライン通
過型のスパッタリング装置の実施例の概略は、図５に示
す構成と同じであるのでその説明は省略する。この発明
のスパッタリング装置は、ホルダーに複数枚搭載した非
磁性基板（実施例の説明においてはディスク基板）を加
熱するための、インライン通過型のスパッタリング装置
のインライン通過路に沿って配設したヒーターを改良す
ることにより、高保磁力で品質の均一な優れた磁気記録
媒体が製造されるようにしたものである。
例を図１〜図３に従って詳細に説明する。インライン通
過型のスパッタリング装置の実施例の概略は、図５に示
す構成と同じであるのでその説明は省略する。この発明
のスパッタリング装置は、ホルダーに複数枚搭載した非
磁性基板（実施例の説明においてはディスク基板）を加
熱するための、インライン通過型のスパッタリング装置
のインライン通過路に沿って配設したヒーターを改良す
ることにより、高保磁力で品質の均一な優れた磁気記録
媒体が製造されるようにしたものである。
【００１６】すなわち、このヒーターは複数に分割され
た各ヒーター（実施例においては電熱部材）で構成され
るとともに、各ヒーターの温度を個々に設定可能にした
ものである。図１はこのヒーター１の概略を示したもの
であり、このヒーター１は上，中，下段で、かつ、前，
中，後列の９個に分割されたヒーターを構成する電熱部
材１1 〜１9 によって構成され、その各電熱部材１1 〜
１9 の温度を後述するような手段によって調整し、表示
したように、前列の電熱部材１1 ，１4 ，１7の温度を
後列の電熱部材１3 ，１6 ，１9 の温度より低く設定
し、また、上段の電熱部材１1 ，１2 ，１3 の温度を下
段の電熱部材１7 ，１8 ，１9 の温度より低く設定した
場合を示している。
た各ヒーター（実施例においては電熱部材）で構成され
るとともに、各ヒーターの温度を個々に設定可能にした
ものである。図１はこのヒーター１の概略を示したもの
であり、このヒーター１は上，中，下段で、かつ、前，
中，後列の９個に分割されたヒーターを構成する電熱部
材１1 〜１9 によって構成され、その各電熱部材１1 〜
１9 の温度を後述するような手段によって調整し、表示
したように、前列の電熱部材１1 ，１4 ，１7の温度を
後列の電熱部材１3 ，１6 ，１9 の温度より低く設定
し、また、上段の電熱部材１1 ，１2 ，１3 の温度を下
段の電熱部材１7 ，１8 ，１9 の温度より低く設定した
場合を示している。
【００１７】前記のようなヒーター１をインライン通過
型のスパッタリング装置のインライン通過路に沿って配
設し、そのヒーター１の前に、６枚のディスク基板
Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′が搭載されたホルダー２を２〜３分間停
止させてディスク基板を加熱すると、前記のような各電
熱部材の温度の設定に応じて、ホルダー２の進行方向の
前方側に搭載されたディスク基板Ｄ1 ′，Ｄ4 ′の温度
が、後方側に搭載されたディスク基板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′の
温度より低く加熱される。この加熱後に、このホルダー
２は前記同様のスパッタチャンバーの中に急速に入り、
ここで、このホルダー２を例えば２２ｃｍ／分程度の速
度でスパッタチャンバーの中を通過させて、このホルダ
ー２に搭載された６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′に
前記のようなＣｒ膜、ＣｏＣｒＴａ合金膜、Ｃ膜を順次
被膜形成させ、全被膜の被膜形成終了時における、各デ
ィスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の温度が、図２に示すよう
に、全てほぼ一定になるように、前記ヒーター１を構成
する各電熱部材１1 〜１9 の温度を管理しておく。
型のスパッタリング装置のインライン通過路に沿って配
設し、そのヒーター１の前に、６枚のディスク基板
Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′が搭載されたホルダー２を２〜３分間停
止させてディスク基板を加熱すると、前記のような各電
熱部材の温度の設定に応じて、ホルダー２の進行方向の
前方側に搭載されたディスク基板Ｄ1 ′，Ｄ4 ′の温度
が、後方側に搭載されたディスク基板Ｄ3 ′，Ｄ6 ′の
温度より低く加熱される。この加熱後に、このホルダー
２は前記同様のスパッタチャンバーの中に急速に入り、
ここで、このホルダー２を例えば２２ｃｍ／分程度の速
度でスパッタチャンバーの中を通過させて、このホルダ
ー２に搭載された６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′に
前記のようなＣｒ膜、ＣｏＣｒＴａ合金膜、Ｃ膜を順次
被膜形成させ、全被膜の被膜形成終了時における、各デ
ィスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の温度が、図２に示すよう
に、全てほぼ一定になるように、前記ヒーター１を構成
する各電熱部材１1 〜１9 の温度を管理しておく。
【００１８】このようなヒーター１によってホルダー２
に６枚搭載したディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′への、スパ
ッタリング技術による磁性被膜の被膜形成時における温
度条件を、６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の全てで
ほぼ同じになるようにディスク基板を加熱することがで
き、これによって、製造された全ての磁気ディスクが高
保磁力で品質の均一な優れた磁気ディスクを製作するこ
とができる。
に６枚搭載したディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′への、スパ
ッタリング技術による磁性被膜の被膜形成時における温
度条件を、６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の全てで
ほぼ同じになるようにディスク基板を加熱することがで
き、これによって、製造された全ての磁気ディスクが高
保磁力で品質の均一な優れた磁気ディスクを製作するこ
とができる。
【００１９】図３は前記のような機能を有するヒーター
１の具体的な実施例を示すものであり、上，中，下段
で、かつ、前，中，後列の９個に分割された各電熱部材
１1 〜１9 は、それぞれ後述するような温度調整手段を
備えているが、そのうちの電熱部材１1 ，１2 ，１3 に
ついてのみその温度調整手段を詳細に説明する。
１の具体的な実施例を示すものであり、上，中，下段
で、かつ、前，中，後列の９個に分割された各電熱部材
１1 〜１9 は、それぞれ後述するような温度調整手段を
備えているが、そのうちの電熱部材１1 ，１2 ，１3 に
ついてのみその温度調整手段を詳細に説明する。
【００２０】すなわち、電熱部材１1 ，１2 ，１3 はそ
れぞれ可変抵抗器３1 ，３2 ，３3を介して電源４1 ，
４2 ，４3 に接続されている。５1 ，５2 ，５3 は各電
熱部材１1 ，１2 ，１3 の近傍に設けてその温度を測定
するための熱電対で、これらの熱電対で得られた温度情
報が温度モニター６1 ，６2 ，６3 で表示されるように
なっている。
れぞれ可変抵抗器３1 ，３2 ，３3を介して電源４1 ，
４2 ，４3 に接続されている。５1 ，５2 ，５3 は各電
熱部材１1 ，１2 ，１3 の近傍に設けてその温度を測定
するための熱電対で、これらの熱電対で得られた温度情
報が温度モニター６1 ，６2 ，６3 で表示されるように
なっている。
【００２１】この発明のスパッタリング装置を構成する
ヒーター１は、前記のように構成されているので、可変
抵抗器３1 ，３2 ，３3 を調整して各電熱部材１1 ，１
2 ，１3 に流れる電流を加減して、各電熱部材１1 ，１
2 ，１3 の温度を所望の値に設定することができ、この
ヒーター１によってホルダー２に搭載された６枚のディ
スク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′を加熱した後に、スパッタチャ
ンバーの中でホルダー２に搭載された６枚のディスク基
板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′への全被膜の被膜形成終了時におけ
る、各ディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の温度が、図２に示
すように、全てほぼ一定になるようになった。
ヒーター１は、前記のように構成されているので、可変
抵抗器３1 ，３2 ，３3 を調整して各電熱部材１1 ，１
2 ，１3 に流れる電流を加減して、各電熱部材１1 ，１
2 ，１3 の温度を所望の値に設定することができ、この
ヒーター１によってホルダー２に搭載された６枚のディ
スク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′を加熱した後に、スパッタチャ
ンバーの中でホルダー２に搭載された６枚のディスク基
板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′への全被膜の被膜形成終了時におけ
る、各ディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の温度が、図２に示
すように、全てほぼ一定になるようになった。
【００２２】図４はこの発明のスパッタリング装置によ
って製造された磁気記憶媒体の特性を示したもので、す
なわち、インライン通過型のスパッタリング装置のイン
ライン通過路に沿って前記ヒーター１を配設し、このヒ
ーター１の前に、６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′が
搭載されたホルダー２を２〜３分間停止させて加熱した
後に、このホルダー２を前記同様のスパッタチャンバー
の中に入れて、このホルダー２を例えば２２ｃｍ／分程
度の速度でスパッタチャンバーの中を通過させて、その
６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の表面に磁性被膜を
被膜形成して製造された磁気ディスクＤ1 〜Ｄ6 の保磁
力を測定した結果を示したものであり、ホルダーの上下
および前後に搭載された各磁気ディスクＤ1 〜Ｄ6 の保
磁力のばらつきが、従来のものに比べて極めて少なくな
っていることが確認された。
って製造された磁気記憶媒体の特性を示したもので、す
なわち、インライン通過型のスパッタリング装置のイン
ライン通過路に沿って前記ヒーター１を配設し、このヒ
ーター１の前に、６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′が
搭載されたホルダー２を２〜３分間停止させて加熱した
後に、このホルダー２を前記同様のスパッタチャンバー
の中に入れて、このホルダー２を例えば２２ｃｍ／分程
度の速度でスパッタチャンバーの中を通過させて、その
６枚のディスク基板Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′の表面に磁性被膜を
被膜形成して製造された磁気ディスクＤ1 〜Ｄ6 の保磁
力を測定した結果を示したものであり、ホルダーの上下
および前後に搭載された各磁気ディスクＤ1 〜Ｄ6 の保
磁力のばらつきが、従来のものに比べて極めて少なくな
っていることが確認された。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のスパッ
タリング装置は、非磁性基板上にスパッタリング技術を
用いて、下地膜、磁性膜、保護膜の全部または一部を被
膜形成して磁気記録媒体を製作するインライン通過型の
スパッタリング装置において、インライン通過路に沿っ
て配設した前記非磁性基板を加熱するためのヒーターを
複数に分割するとともに、この複数に分割した各ヒータ
ーの温度を個々に設定可能にしたので、複数に分割した
各ヒーターの温度を個々に設定して、ホルダーに複数枚
搭載した非磁性基板への、スパッタリング技術による磁
性被膜の被膜形成時における温度条件を、ホルダーに複
数枚搭載された各非磁性基板の全てでほぼ同じになるよ
うに加熱することができ、これによって製造された全て
の磁気記録媒体が高保磁力で品質の均一な優れた磁気記
録媒体を製作することができるようになった。
タリング装置は、非磁性基板上にスパッタリング技術を
用いて、下地膜、磁性膜、保護膜の全部または一部を被
膜形成して磁気記録媒体を製作するインライン通過型の
スパッタリング装置において、インライン通過路に沿っ
て配設した前記非磁性基板を加熱するためのヒーターを
複数に分割するとともに、この複数に分割した各ヒータ
ーの温度を個々に設定可能にしたので、複数に分割した
各ヒーターの温度を個々に設定して、ホルダーに複数枚
搭載した非磁性基板への、スパッタリング技術による磁
性被膜の被膜形成時における温度条件を、ホルダーに複
数枚搭載された各非磁性基板の全てでほぼ同じになるよ
うに加熱することができ、これによって製造された全て
の磁気記録媒体が高保磁力で品質の均一な優れた磁気記
録媒体を製作することができるようになった。
【図１】この発明のスパッタリング装置を構成するヒー
ターを示す図である。
ターを示す図である。
【図２】この発明のスパッタリング装置を構成するヒー
ターによって加熱された非磁性基板を示す図である。
ターによって加熱された非磁性基板を示す図である。
【図３】この発明のスパッタリング装置を構成するヒー
ターの実施例を示す図である。
ターの実施例を示す図である。
【図４】この発明のスパッタリング装置によって製造さ
れた磁気記憶媒体の特性を示す図である。
れた磁気記憶媒体の特性を示す図である。
【図５】従来一般のインライン通過型のスパッタリング
装置の概略を示す図である。
装置の概略を示す図である。
【図６】ディスク基板の温度とその温度によって被膜形
成された磁気ディスクの保磁力との関係を示す図であ
る。
成された磁気ディスクの保磁力との関係を示す図であ
る。
【図７】従来のスパッタリング装置を構成するヒーター
を示す図である。
を示す図である。
【図８】従来のスパッタリング装置を構成するヒーター
によって加熱されたディスク基板を示す図である。
によって加熱されたディスク基板を示す図である。
【図９】従来のスパッタリング装置によって製造された
磁気ディスクの特性を示す図である。
磁気ディスクの特性を示す図である。
１ ヒーター １1 〜１9 電熱部材 ２ ホルダー ３1 〜３3 可変抵抗器 ４1 〜４3 電源 ５1 〜５3 熱電対 ６1 〜６3 温度モニター ７ ステーション ８ ロードチャンバー ９1 〜９4 ヒーター １０ ヒートチャンバー １１ スパッタチャンバー １２ Ｃｒターゲット １３ ＣｏＣｒＴａターゲット １４ Ｃターゲット １５ アンロードチャンバー Ｄ 磁気ディスク Ｄ′ ディスク基板 Ｄ1 〜Ｄ6 磁気ディスク Ｄ1 ′〜Ｄ6 ′ディスク基板
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性基板上にスパッタリング技術を用い
て、下地膜、磁性膜、保護膜の全部または一部を被膜形
成して磁気記録媒体を製作するインライン通過型のスパ
ッタリング装置において、 インライン通過路に沿って配設した前記非磁性基板を加
熱するためのヒーターを複数に分割するとともに、この
複数に分割した各ヒーターの温度を個々に設定可能にし
たことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13090192A JPH05320890A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13090192A JPH05320890A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05320890A true JPH05320890A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=15045374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13090192A Withdrawn JPH05320890A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05320890A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007257758A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hoya Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP13090192A patent/JPH05320890A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007257758A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hoya Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4767516A (en) | Method for making magnetic recording media | |
| US4450186A (en) | Method and device for manufacturing magnetic recording medium | |
| JPH03104017A (ja) | 平滑な表面を有する磁気記録媒体 | |
| JPH05320890A (ja) | スパッタリング装置 | |
| US6156405A (en) | Magnetic recording medium and method of fabricating the same | |
| US20100108496A1 (en) | Sputtering apparatus, thin film formation apparatus, and magnetic recording medium manufacturing method | |
| JP2519982B2 (ja) | 面内磁気記録媒体の製造方法 | |
| CN101724816B (zh) | 薄膜形成装置和磁记录介质制造方法 | |
| JP5681879B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JPS6076027A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04247323A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5924449A (ja) | 磁気記録フイルムの製造方法 | |
| JPH0520683A (ja) | 磁性膜フレークの除去方法 | |
| JPS60150237A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2004047924A (ja) | 磁性薄膜の形成方法、磁気記録媒体およびその製造方法、ならびに熱処理装置 | |
| JP2003045022A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61242332A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造装置 | |
| JP2720363B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0740362B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0390569A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0325718A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH02308419A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6267729A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH03194727A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05250663A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |