JPH04247323A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04247323A JPH04247323A JP3351991A JP3351991A JPH04247323A JP H04247323 A JPH04247323 A JP H04247323A JP 3351991 A JP3351991 A JP 3351991A JP 3351991 A JP3351991 A JP 3351991A JP H04247323 A JPH04247323 A JP H04247323A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置など
の磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体を製造する方
法に関し、さらに詳述すれば非磁性支持体の上にチタニ
ウムとシリコンとからなる非晶質合金層と磁性層と保護
層とがこの順序で形成された磁気記録媒体の製造方法に
関する。
の磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体を製造する方
法に関し、さらに詳述すれば非磁性支持体の上にチタニ
ウムとシリコンとからなる非晶質合金層と磁性層と保護
層とがこの順序で形成された磁気記録媒体の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体は、ガラス基板の如き表面
が平坦な非磁性支持体の上に磁性層が被覆され、さらに
その上にたとえばカーボン膜の保護層が被覆され、さら
に有機潤滑層が塗布されたものが知られている。そして
、磁性層の結晶粒径を制御するために、結晶性の金属層
たとえばクロム膜が磁性層の下地層として被覆され、そ
れにより磁性層の磁気特性を改善したものが特開昭６３
−２７３２０８号公報に開示されている。
が平坦な非磁性支持体の上に磁性層が被覆され、さらに
その上にたとえばカーボン膜の保護層が被覆され、さら
に有機潤滑層が塗布されたものが知られている。そして
、磁性層の結晶粒径を制御するために、結晶性の金属層
たとえばクロム膜が磁性層の下地層として被覆され、そ
れにより磁性層の磁気特性を改善したものが特開昭６３
−２７３２０８号公報に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、チタニウム
とシリコンの非晶質合金層の上に良好な磁性膜を形成す
るためには、チタニウムとシリコンの非晶質合金層をど
のような方法で形成するのがよいかを検討した過程で得
られたものであり、前記チタニウムとシリコンの非晶質
合金層の下地膜を有する良好な磁気特性、とりわけ大き
い保持力角型比を有する磁気記録媒体の製造方法を提供
するものである。
とシリコンの非晶質合金層の上に良好な磁性膜を形成す
るためには、チタニウムとシリコンの非晶質合金層をど
のような方法で形成するのがよいかを検討した過程で得
られたものであり、前記チタニウムとシリコンの非晶質
合金層の下地膜を有する良好な磁気特性、とりわけ大き
い保持力角型比を有する磁気記録媒体の製造方法を提供
するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】非磁性支持体の上にチタ
ニウムとシリコンの非晶質合金層と磁性層と保護層とが
順次形成された磁気記録媒体の磁気特性、とりわけ保持
力角型比は、チタニウムとシリコンの非晶質合金層の形
成方法により依存する。
ニウムとシリコンの非晶質合金層と磁性層と保護層とが
順次形成された磁気記録媒体の磁気特性、とりわけ保持
力角型比は、チタニウムとシリコンの非晶質合金層の形
成方法により依存する。
【０００５】本発明は、非磁性支持体の上に少なくとも
、チタニウムとシリコンとからなる非晶質合金層と、磁
性層と、保護層とが順次形成された磁気記録媒体の製造
方法であって、前記非晶質合金層を、チタニウム膜およ
びシリコン膜を減圧された不活性ガス中でのスパッタリ
ング法により順次積層し、しかるのち前記積層した膜を
減圧された不活性ガス中で加熱して、前記チタニウム中
に前記シリコンを熱拡散させて形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。
、チタニウムとシリコンとからなる非晶質合金層と、磁
性層と、保護層とが順次形成された磁気記録媒体の製造
方法であって、前記非晶質合金層を、チタニウム膜およ
びシリコン膜を減圧された不活性ガス中でのスパッタリ
ング法により順次積層し、しかるのち前記積層した膜を
減圧された不活性ガス中で加熱して、前記チタニウム中
に前記シリコンを熱拡散させて形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。
【０００６】スパッタリング法によりチタニウム膜を被
覆するに際しては、金属のチタニウムのターゲットが用
いられ、不活性ガス中での直流あるいは高周波のグロー
放電が用いられる。また、スパッタリング法によりシリ
コン膜をチタニウム膜表面に被覆するに際しては、シリ
コンターゲットが用いられ不活性ガス中での直流あるい
は高周波のグロー放電が用いられる。前記膜の被覆を行
うときの基板の温度は、室温から５５０℃にすることが
できる。そしてこれらの被膜を被覆した後の熱拡散の温
度は、３００〜５５０℃が好ましい。３００℃より低い
温度ではチタニウムがシリコンの中に拡散する速度がき
わめて遅くなるので好ましくなく、５５０℃より高い温
度では前記合金膜が非晶質でなくなるので好ましくない
。
覆するに際しては、金属のチタニウムのターゲットが用
いられ、不活性ガス中での直流あるいは高周波のグロー
放電が用いられる。また、スパッタリング法によりシリ
コン膜をチタニウム膜表面に被覆するに際しては、シリ
コンターゲットが用いられ不活性ガス中での直流あるい
は高周波のグロー放電が用いられる。前記膜の被覆を行
うときの基板の温度は、室温から５５０℃にすることが
できる。そしてこれらの被膜を被覆した後の熱拡散の温
度は、３００〜５５０℃が好ましい。３００℃より低い
温度ではチタニウムがシリコンの中に拡散する速度がき
わめて遅くなるので好ましくなく、５５０℃より高い温
度では前記合金膜が非晶質でなくなるので好ましくない
。
【０００７】チタニウム膜とシリコン膜の積層体は、シ
リコン膜を被覆後スパッタリング装置の中で引続き不活
性ガス雰囲気または低圧力中で加熱することが好ましい
。加熱によりチタニウムがシリコン中に熱拡散し、前記
積層体の全部または一部がチタニウムとシリコンとから
なる非晶質合金層になる。加熱温度および加熱時間を選
ぶことにより、チタニウムとシリコンの積層体の全体が
非晶質合金となるようにしてもよく、非磁性支持体の反
対側の表面近傍のみに非晶質合金を層形成してもよい。
リコン膜を被覆後スパッタリング装置の中で引続き不活
性ガス雰囲気または低圧力中で加熱することが好ましい
。加熱によりチタニウムがシリコン中に熱拡散し、前記
積層体の全部または一部がチタニウムとシリコンとから
なる非晶質合金層になる。加熱温度および加熱時間を選
ぶことにより、チタニウムとシリコンの積層体の全体が
非晶質合金となるようにしてもよく、非磁性支持体の反
対側の表面近傍のみに非晶質合金を層形成してもよい。
【０００８】非晶質合金層の厚みは、２ｎｍ以上あるこ
とが好ましい。厚みが２ｎｍより薄いと連続な膜として
被覆することが困難になる。さらに連続膜とするために
は、３ｎｍ以上が好ましく、磁気記録媒体の生産性の低
下を小さくする上から５０ｎｍ以下にするのが好ましい
。
とが好ましい。厚みが２ｎｍより薄いと連続な膜として
被覆することが困難になる。さらに連続膜とするために
は、３ｎｍ以上が好ましく、磁気記録媒体の生産性の低
下を小さくする上から５０ｎｍ以下にするのが好ましい
。
【０００９】磁性層および保護層の形成方法は、公知の
スパッタリング法を用いることができ非晶質合金層と磁
性層と保護層を引き続いて、すなわち途中で非晶質合金
層、磁性層を大気中に暴露させることなく形成すること
が好ましい。かかる連続して前記各層を形成する装置と
しては、ターゲット表面に対向して非磁性支持体を移動
させながら被覆する、複数のカソードを有するインライ
ン式スパッタリング装置が好ましく用いられる。そして
この場合、チタニウム膜を被覆し、さらにシリコン膜を
被覆後、インラインスパッタリング装置の中の不活性ガ
ス雰囲気中、またはガス導入を行わない高真空中で積層
体を加熱することができる。チタニウムとシリコンとか
らなる非晶質合金層を形成した後、すぐに磁性層を引続
き被覆するためには、前記熱拡散を行うための温度は４
００〜５５０℃とするのがさらに好ましい。
スパッタリング法を用いることができ非晶質合金層と磁
性層と保護層を引き続いて、すなわち途中で非晶質合金
層、磁性層を大気中に暴露させることなく形成すること
が好ましい。かかる連続して前記各層を形成する装置と
しては、ターゲット表面に対向して非磁性支持体を移動
させながら被覆する、複数のカソードを有するインライ
ン式スパッタリング装置が好ましく用いられる。そして
この場合、チタニウム膜を被覆し、さらにシリコン膜を
被覆後、インラインスパッタリング装置の中の不活性ガ
ス雰囲気中、またはガス導入を行わない高真空中で積層
体を加熱することができる。チタニウムとシリコンとか
らなる非晶質合金層を形成した後、すぐに磁性層を引続
き被覆するためには、前記熱拡散を行うための温度は４
００〜５５０℃とするのがさらに好ましい。
【００１０】また、本発明の方法は、非磁性支持体の上
に直接非晶質合金層を設けた磁気記録媒体を製造する場
合のほかに、非晶質合金層を形成するに先立ち磁気記録
媒体の保護層の表面に凹凸を形成するための凹凸形成物
を設けた磁気記録媒体や、非晶質合金層を形成するに先
立ち非磁性支持体から放出されるガスを吸蔵するいわゆ
るゲッタリング作用をもつ金属膜を設けた磁気記録媒体
を製造するのに用いることができる。
に直接非晶質合金層を設けた磁気記録媒体を製造する場
合のほかに、非晶質合金層を形成するに先立ち磁気記録
媒体の保護層の表面に凹凸を形成するための凹凸形成物
を設けた磁気記録媒体や、非晶質合金層を形成するに先
立ち非磁性支持体から放出されるガスを吸蔵するいわゆ
るゲッタリング作用をもつ金属膜を設けた磁気記録媒体
を製造するのに用いることができる。
【００１１】本発明に用いられる非磁性支持体としては
、ガラス板、アルミニウム板、セラミックス板などがあ
げられる。
、ガラス板、アルミニウム板、セラミックス板などがあ
げられる。
【００１２】
【作用】チタニウム膜とシリコン膜が順次形成された積
層体は、不活性ガス雰囲気中で加熱されることにより、
シリコンがチタニウム中に熱拡散し少なくとも積層体の
非磁性支持体とは反対側の界面近傍に非晶質の合金層が
形成される。この非晶質合金層は、前記非晶質合金層の
上に被覆される磁性層の結晶粒径を揃えたり、磁性層の
被覆に先立ち被覆される結晶性の金属下地層の結晶配向
に影響を及ぼし、磁性層の磁気特性を向上させる。
層体は、不活性ガス雰囲気中で加熱されることにより、
シリコンがチタニウム中に熱拡散し少なくとも積層体の
非磁性支持体とは反対側の界面近傍に非晶質の合金層が
形成される。この非晶質合金層は、前記非晶質合金層の
上に被覆される磁性層の結晶粒径を揃えたり、磁性層の
被覆に先立ち被覆される結晶性の金属下地層の結晶配向
に影響を及ぼし、磁性層の磁気特性を向上させる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。図１
は、本発明を実施するのに用いたインライン式スパッタ
リング装置の概略断面図で、真空槽１は、ロード室２、
成膜室３，４，５，６、アンロード室７からなり、これ
らの室は開閉可能なゲートバルブ８により接続されてい
る（各室に接続されている真空排気ポンプは図示しない
）。非磁性支持体２１はロード室２のコンベア１６にセ
ットされ、アンロード室７に搬送されるときに所定の層
が被覆される。各成膜室にはガス供給管９が外部のガス
ボンベ１４より成膜室内にガス導入が出来るように設け
られ、ガス流量コントロールバルブ１０により導入量が
制御される。また、各室には非磁性支持体を加熱するヒ
ーター１５、外部の直流電源１３より電力が供給される
カソード１１が設けられ、そのカソード表面に被覆すべ
き層のターゲット１２が設けられている。各成膜室内に
ガスを導入し所定の減圧した雰囲気中でターゲットへの
電圧印加をおこないグロー放電によりターゲットをスパ
ッタリングして、非磁性支持体の表面に被膜を被覆した
。
は、本発明を実施するのに用いたインライン式スパッタ
リング装置の概略断面図で、真空槽１は、ロード室２、
成膜室３，４，５，６、アンロード室７からなり、これ
らの室は開閉可能なゲートバルブ８により接続されてい
る（各室に接続されている真空排気ポンプは図示しない
）。非磁性支持体２１はロード室２のコンベア１６にセ
ットされ、アンロード室７に搬送されるときに所定の層
が被覆される。各成膜室にはガス供給管９が外部のガス
ボンベ１４より成膜室内にガス導入が出来るように設け
られ、ガス流量コントロールバルブ１０により導入量が
制御される。また、各室には非磁性支持体を加熱するヒ
ーター１５、外部の直流電源１３より電力が供給される
カソード１１が設けられ、そのカソード表面に被覆すべ
き層のターゲット１２が設けられている。各成膜室内に
ガスを導入し所定の減圧した雰囲気中でターゲットへの
電圧印加をおこないグロー放電によりターゲットをスパ
ッタリングして、非磁性支持体の表面に被膜を被覆した
。
【００１４】図２は、本発明の実施により得られた磁気
記録媒体の実施例の一部断面図である。図２（ａ）で示
される実施例１の磁気記録媒体２０は、非磁性支持体２
１の上に水分や酸素などのガスにたいしてゲッタリング
作用を有する金属膜２３が被覆され、その上に磁気記録
媒体の表面に凹凸を形成するための凹凸形成物２４が不
連続な島状構造になるように被覆され、その上にチタニ
ウムとシリコンからなる非晶質合金層２２が被覆され、
その上にクロム下地層２５が被覆され、その上にコバル
ト−ニッケル−クロム合金の磁性層２６が被覆され、そ
の上にカーボンの保護層２７が被覆され、さらにその上
にパーフロロアルキルの潤滑層２８が塗布されている。
記録媒体の実施例の一部断面図である。図２（ａ）で示
される実施例１の磁気記録媒体２０は、非磁性支持体２
１の上に水分や酸素などのガスにたいしてゲッタリング
作用を有する金属膜２３が被覆され、その上に磁気記録
媒体の表面に凹凸を形成するための凹凸形成物２４が不
連続な島状構造になるように被覆され、その上にチタニ
ウムとシリコンからなる非晶質合金層２２が被覆され、
その上にクロム下地層２５が被覆され、その上にコバル
ト−ニッケル−クロム合金の磁性層２６が被覆され、そ
の上にカーボンの保護層２７が被覆され、さらにその上
にパーフロロアルキルの潤滑層２８が塗布されている。
【００１５】図２（ｂ）で示され実施例２の磁気記録媒
体２０は、非磁性支持体２１の上に、チタニウムとシリ
コンからなる非晶質合金層２２、クロム下地層２５、コ
バルト−ニッケル−クロム合金の磁性層２６、カーボン
保護層２７が順次被覆され、さらにカーボン保護層２７
の上にパーフロロアルキルの潤滑層２８が塗布されてい
る。
体２０は、非磁性支持体２１の上に、チタニウムとシリ
コンからなる非晶質合金層２２、クロム下地層２５、コ
バルト−ニッケル−クロム合金の磁性層２６、カーボン
保護層２７が順次被覆され、さらにカーボン保護層２７
の上にパーフロロアルキルの潤滑層２８が塗布されてい
る。
【００１６】図２（ｃ）で示される実施例３の磁気記録
媒体２０は非磁性支持体２１の上に、チタニウムとシリ
コンからなる非晶質合金層２２、コバルト−ニッケル−
白金の合金磁性層２６、カーボン保護層２７が順次被覆
され、さらにカーボン保護層２７の上にパーフロロアル
キルの潤滑層２８が塗布されている。
媒体２０は非磁性支持体２１の上に、チタニウムとシリ
コンからなる非晶質合金層２２、コバルト−ニッケル−
白金の合金磁性層２６、カーボン保護層２７が順次被覆
され、さらにカーボン保護層２７の上にパーフロロアル
キルの潤滑層２８が塗布されている。
【００１７】実施例１
円盤状に加工され化学強化されたソーダライム組成のガ
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
のロード室にセットし、連続してガラス板上に以下のよ
うにして、チタニウムとシリコンからなる非晶質合金層
、磁性層、保護層を含む積層膜を被覆した。まずガラス
板を０．０００１３パスカルの圧力下のロード室で２０
０℃に加熱した。その後０．１３パスカルのアルゴン雰
囲気でチタニウムターゲットをスパッタし、３０ｎｍの
厚みのチタニウムのガスゲッタリング層を２００℃に加
熱したガラス板上に被覆した。次に２００℃に加熱した
状態で、アルミニウムの凹凸形成物を形成した。凹凸形
成物の形成条件は、アルミニウムのターゲットを０．１
３パスカルのアルゴン雰囲気でスパッタすることにより
行い、スパッタするアルミニウムの量は、ガラス板を常
温の状態にして１０〜２０ｎｍの厚みの平滑な連続膜を
被覆する量とした。次に０．１３パルカルのアルゴン雰
囲気によりチタニウムターゲットの上を移動させながら
１０ｎｍの厚みのチタニウム膜を被覆し、引続きシリコ
ンターゲットの上を移動させながら１０ｎｍの厚みのシ
リコン膜を被覆した。その後このガラス板を３００℃に
成膜室内で加熱した。次に０．１３パスカルのアルゴン
雰囲気中でクロムターゲットをスパッタして１５０ｎｍ
の厚みのクロム下地層膜を被覆した。次に、コバルトニ
ッケルクロム合金ターゲットを０．１３パスカルのアル
ゴン雰囲気中でスパッタし、６０ｎｍの厚みの磁性膜を
被覆した。 次に０．１３パスカルのアルゴン雰囲気でカーボンター
ゲットをスパッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護層
を被覆した。次にガラス板をアンロード室に移しスパッ
タリング装置から取り出し、パーフロロアルキル系の潤
滑油をカーボン保護層上に塗布して、図２（ａ）に示す
膜構成の磁気記録媒体を得た。
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
のロード室にセットし、連続してガラス板上に以下のよ
うにして、チタニウムとシリコンからなる非晶質合金層
、磁性層、保護層を含む積層膜を被覆した。まずガラス
板を０．０００１３パスカルの圧力下のロード室で２０
０℃に加熱した。その後０．１３パスカルのアルゴン雰
囲気でチタニウムターゲットをスパッタし、３０ｎｍの
厚みのチタニウムのガスゲッタリング層を２００℃に加
熱したガラス板上に被覆した。次に２００℃に加熱した
状態で、アルミニウムの凹凸形成物を形成した。凹凸形
成物の形成条件は、アルミニウムのターゲットを０．１
３パスカルのアルゴン雰囲気でスパッタすることにより
行い、スパッタするアルミニウムの量は、ガラス板を常
温の状態にして１０〜２０ｎｍの厚みの平滑な連続膜を
被覆する量とした。次に０．１３パルカルのアルゴン雰
囲気によりチタニウムターゲットの上を移動させながら
１０ｎｍの厚みのチタニウム膜を被覆し、引続きシリコ
ンターゲットの上を移動させながら１０ｎｍの厚みのシ
リコン膜を被覆した。その後このガラス板を３００℃に
成膜室内で加熱した。次に０．１３パスカルのアルゴン
雰囲気中でクロムターゲットをスパッタして１５０ｎｍ
の厚みのクロム下地層膜を被覆した。次に、コバルトニ
ッケルクロム合金ターゲットを０．１３パスカルのアル
ゴン雰囲気中でスパッタし、６０ｎｍの厚みの磁性膜を
被覆した。 次に０．１３パスカルのアルゴン雰囲気でカーボンター
ゲットをスパッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護層
を被覆した。次にガラス板をアンロード室に移しスパッ
タリング装置から取り出し、パーフロロアルキル系の潤
滑油をカーボン保護層上に塗布して、図２（ａ）に示す
膜構成の磁気記録媒体を得た。
【００１８】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．９１で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３０ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６０ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．９１で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３０ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６０ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
【００１９】実施例２
円盤状に加工され化学強化されたソーダライム組成のガ
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
のロード室内にセットした。まず０．０００１３パスカ
ルの圧力下で２００℃に加熱した。
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
のロード室内にセットした。まず０．０００１３パスカ
ルの圧力下で２００℃に加熱した。
【００２０】次にガラス板を成膜室に移し移動させなが
ら、実施例１と同じようにして０．１３パスカルのアル
ゴン雰囲気でチタニウム膜とシリコン膜の積層膜を被覆
し、その後加熱してチタニウムとシリコンとからなる非
晶質の合金層を形成した。次に０．１３パスカルのアル
ゴン雰囲気中でクロムターゲットをスパッタして１５０
ｎｍの厚みのクロム下地層を被覆した。次に、コバルト
ニッケルクロム合金ターゲットを０．１３パスカルのア
ルゴン雰囲気でスパッタし、６０ｎｍの磁性層を被覆し
た。 次に０．１３パスカルのアルゴン雰囲気でカーボンター
ゲットをスパッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護層
を被覆した。次にガラス板をアンロード室に移しスパッ
タリング装置から取り出し、パーフロロアルキル系の潤
滑油をカーボン保護層上に塗布して、図２（ｂ）に示す
膜構成の磁気記録媒体を得た。
ら、実施例１と同じようにして０．１３パスカルのアル
ゴン雰囲気でチタニウム膜とシリコン膜の積層膜を被覆
し、その後加熱してチタニウムとシリコンとからなる非
晶質の合金層を形成した。次に０．１３パスカルのアル
ゴン雰囲気中でクロムターゲットをスパッタして１５０
ｎｍの厚みのクロム下地層を被覆した。次に、コバルト
ニッケルクロム合金ターゲットを０．１３パスカルのア
ルゴン雰囲気でスパッタし、６０ｎｍの磁性層を被覆し
た。 次に０．１３パスカルのアルゴン雰囲気でカーボンター
ゲットをスパッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護層
を被覆した。次にガラス板をアンロード室に移しスパッ
タリング装置から取り出し、パーフロロアルキル系の潤
滑油をカーボン保護層上に塗布して、図２（ｂ）に示す
膜構成の磁気記録媒体を得た。
【００２１】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．９３で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３２ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．９３で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３２ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
【００２２】実施例３
円盤状に加工され化学強化されたソーダライム組成のガ
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
のロード室にセットした。まず０．０００１３パスカル
の圧力下で２００℃に加熱した。次にガラス板を成膜室
に移し実施例１と同じようにして、チタニウムとシリコ
ンとからなる３０ｎｍの厚みの非晶質層を形成した。次
に、コバルトとニッケルと白金からなる合金ターゲット
を０．１３パスカルのアルゴン雰囲気でスパッタし、６
０ｎｍの厚みの合金磁性層（白金１５原子％ニッケル７
原子％コバルト７８原子％）を被覆した。次に０．１３
パスカルのアルゴン雰囲気中でカーボンターゲットをス
パッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護層を被覆した
。次にガラス板をアンロード室に移しスパッタリング装
置から取り出し、パーフロロアルキル系の潤滑油をカー
ボン保護層の上に塗布して、図２（ｃ）に示す膜構成の
磁気記録媒体を得た。
ラス板を良く洗浄し、インラインスパッタリング装置内
のロード室にセットした。まず０．０００１３パスカル
の圧力下で２００℃に加熱した。次にガラス板を成膜室
に移し実施例１と同じようにして、チタニウムとシリコ
ンとからなる３０ｎｍの厚みの非晶質層を形成した。次
に、コバルトとニッケルと白金からなる合金ターゲット
を０．１３パスカルのアルゴン雰囲気でスパッタし、６
０ｎｍの厚みの合金磁性層（白金１５原子％ニッケル７
原子％コバルト７８原子％）を被覆した。次に０．１３
パスカルのアルゴン雰囲気中でカーボンターゲットをス
パッタして３０ｎｍの厚みのカーボン保護層を被覆した
。次にガラス板をアンロード室に移しスパッタリング装
置から取り出し、パーフロロアルキル系の潤滑油をカー
ボン保護層の上に塗布して、図２（ｃ）に示す膜構成の
磁気記録媒体を得た。
【００２３】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．７５で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３３ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ＊ は
０．７５で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気ディスク表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３３ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当りの磁化反転回数）で
あった。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、磁気特性とりわけ保持
力角型比が大きい磁気記録媒体を得るのに必要なチタニ
ウムとシリコンとからなる非晶質合金層を製造すること
が出来る。また、本発明の方法により得られる磁気記録
媒体は、大きい保磁力と大きい保持力角型比を有し、さ
らに記録再生時のＳ／Ｎが大きい。
力角型比が大きい磁気記録媒体を得るのに必要なチタニ
ウムとシリコンとからなる非晶質合金層を製造すること
が出来る。また、本発明の方法により得られる磁気記録
媒体は、大きい保磁力と大きい保持力角型比を有し、さ
らに記録再生時のＳ／Ｎが大きい。
【図１】本発明を実施するのに用いたスパッタリング装
置の概略断面図
置の概略断面図
【図２】本発明により得られた磁気記録媒体の一部断面
図
図
１ 真空槽
２ ロード室
３，４，５，６ 成膜室
７ アンロード室
８ ゲートバルブ
９ ガス供給管
１０ ガス流量コントロールバルブ１１
カソード １２ ターゲット １３ 直流電源 １４ ガスボンベ １５ 加熱ヒーター ２０ 磁気記録媒体 ２１ 非磁性支持体 ２２ チタニウムとシリコンの非晶質合金層２３
ガスゲッタリング層 ２４ 凹凸形成物 ２５ 下地層 ２６ 磁性層 ２７ 保護層 ２８ 潤滑層
カソード １２ ターゲット １３ 直流電源 １４ ガスボンベ １５ 加熱ヒーター ２０ 磁気記録媒体 ２１ 非磁性支持体 ２２ チタニウムとシリコンの非晶質合金層２３
ガスゲッタリング層 ２４ 凹凸形成物 ２５ 下地層 ２６ 磁性層 ２７ 保護層 ２８ 潤滑層
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性支持体の上に少なくとも、チタ
ニウムとシリコンとからなる非晶質合金層と、磁性層と
、保護層とが順次形成された磁気記録媒体の製造方法に
おいて、前記非晶質合金層を、チタニウム膜およびシリ
コン膜を減圧された不活性ガス中でのスパッタリング法
により順次積層し、しかるのち前記積層した膜を減圧さ
れた不活性ガス中で加熱して、前記シリコンを前記チタ
ニウム中に熱拡散させて形成したことを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記熱拡散を、３００〜５５０℃の温
度でおこなう請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記非晶質合金層と磁性層と保護層を
順次形成することを、減圧した雰囲気ガス中でのスパッ
タリング法で引き続いて行うことを特徴とする請求項１
，２，３のいずれかの項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351991A JP2949875B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351991A JP2949875B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247323A true JPH04247323A (ja) | 1992-09-03 |
| JP2949875B2 JP2949875B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=12388794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3351991A Expired - Lifetime JP2949875B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949875B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773435A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH0773434A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5731070A (en) * | 1995-12-20 | 1998-03-24 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium comprising a substrate, magnetic layer, and under layers including a silicon layer and a layer diffused with silicon |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3351991A patent/JP2949875B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773435A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH0773434A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5731070A (en) * | 1995-12-20 | 1998-03-24 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium comprising a substrate, magnetic layer, and under layers including a silicon layer and a layer diffused with silicon |
| US5914152A (en) * | 1995-12-20 | 1999-06-22 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and process for making same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2949875B2 (ja) | 1999-09-20 |
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