JPH02308419A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH02308419A JPH02308419A JP12982289A JP12982289A JPH02308419A JP H02308419 A JPH02308419 A JP H02308419A JP 12982289 A JP12982289 A JP 12982289A JP 12982289 A JP12982289 A JP 12982289A JP H02308419 A JPH02308419 A JP H02308419A
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- Japan
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- thin film
- substrate
- alloy
- magnetic recording
- film
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は非磁性基材にCr、 Co合金薄膜を順次積
層して形成する磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。
層して形成する磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。
従来、磁気記録媒体としては、NiP等の下地硬化層を
設けたAl−4g基板あるいは直接Al−Mg基板上に
酸化鉄などの針状粒子あるいは強磁性合金の超微粉末を
樹脂バインダー中に分散させたものを磁気記録層として
形成せしめたものが主流であった。しかし、近年の情報
の高密度記録化の要求から、湿式メッキ、真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーテ゛イング等の薄膜形成法
により形成された強磁性薄膜層を磁気記録層とする磁気
記録媒体が精力的に研究開発されており、なかでも、ス
パッタリング法により作製される磁気記録媒体が高密度
記録特性ならびに量産性に優れるもので。
設けたAl−4g基板あるいは直接Al−Mg基板上に
酸化鉄などの針状粒子あるいは強磁性合金の超微粉末を
樹脂バインダー中に分散させたものを磁気記録層として
形成せしめたものが主流であった。しかし、近年の情報
の高密度記録化の要求から、湿式メッキ、真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーテ゛イング等の薄膜形成法
により形成された強磁性薄膜層を磁気記録層とする磁気
記録媒体が精力的に研究開発されており、なかでも、ス
パッタリング法により作製される磁気記録媒体が高密度
記録特性ならびに量産性に優れるもので。
今後の磁気記録媒体の主流になるものと考えられている
。
。
ところで、このスパッタリング法により作製される磁気
記録媒体(以下、メタルスパッタ媒体と称す。)は、一
般にN1−P下地硬化層を設けたAl−Mg基板上にC
r、 Co合金薄膜を順次形成することにより得られる
。ローディングチャンバー、基板加熱チャンバー、 C
rカソード、 Co合金カソード及び保護膜カソードを
備えたスパッタチャンバー並びにアンローディングチャ
ンバーから構成されるインライン型スパッタリング装置
により製造されるが。
記録媒体(以下、メタルスパッタ媒体と称す。)は、一
般にN1−P下地硬化層を設けたAl−Mg基板上にC
r、 Co合金薄膜を順次形成することにより得られる
。ローディングチャンバー、基板加熱チャンバー、 C
rカソード、 Co合金カソード及び保護膜カソードを
備えたスパッタチャンバー並びにアンローディングチャ
ンバーから構成されるインライン型スパッタリング装置
により製造されるが。
Cr薄膜層、 Co合金薄膜層及び保護膜層を形成する
方法としては、基板が各ターゲットの前を通過する通過
型タイプ、基板がターゲットの前に静止する静止対向型
タイプがあるが、いずれのタイプにおいても、メタルス
パッタ媒体を製造する際の手順は同じである。第2図は
従来の通過型タイプのスパッタリング装置の一例の概要
を示す構成図である。基板はローディングチャンバー(
1)で真空に排気された後、基板加熱チャンバー(2)
に搬送され所定の温度まで加熱される。次にスパッタチ
ャンバー(3)に搬送され、 Crf4膜1!、Co合
金薄膜層、保護膜層が順次形成され、最後にアンローデ
ィングチャンバー(41に搬送され、大気に戻される。
方法としては、基板が各ターゲットの前を通過する通過
型タイプ、基板がターゲットの前に静止する静止対向型
タイプがあるが、いずれのタイプにおいても、メタルス
パッタ媒体を製造する際の手順は同じである。第2図は
従来の通過型タイプのスパッタリング装置の一例の概要
を示す構成図である。基板はローディングチャンバー(
1)で真空に排気された後、基板加熱チャンバー(2)
に搬送され所定の温度まで加熱される。次にスパッタチ
ャンバー(3)に搬送され、 Crf4膜1!、Co合
金薄膜層、保護膜層が順次形成され、最後にアンローデ
ィングチャンバー(41に搬送され、大気に戻される。
なお。
図中、(5)はヒータ、(7)はC「ターゲット、(8
)は60合金ターゲツト、(9)は保護膜材ターゲット
、α0)は仕切バルブである。
)は60合金ターゲツト、(9)は保護膜材ターゲット
、α0)は仕切バルブである。
ところで、乙のメタルスパッタ媒体のi気持性及び電磁
変換特性は、 Cr薄膜層、 Co合金薄膜層形成時の
条件(基板温度、スパッタガス圧等)に強く依存してお
り、基板温度の影響を見ても2例えば。
変換特性は、 Cr薄膜層、 Co合金薄膜層形成時の
条件(基板温度、スパッタガス圧等)に強く依存してお
り、基板温度の影響を見ても2例えば。
昭和63年電子通信学会研究会資料MR88−2におい
て報告されているように、基板温度を高めることにより
磁気特性(特に保磁力)は向上し、高密度記録時の再生
信号は大きくなるものの、媒体ノイズも増加するため、
S/N比(信号強度と雑音との比)で見る限りにおいて
は、磁気特性の向上から期待されるほどの改善が見られ
ないという問題がある。この媒体ノイズは磁気記録層で
ある00合金薄膜の結晶粒径と密接な関係があり、また
Co合金薄膜の結晶粒径は下地CrrrIの結晶粒径と
密接な関係にあることが知られている。つまり、 Co
合金薄膜ばCrMの上にエピタキシャル成長をするため
、 C。
て報告されているように、基板温度を高めることにより
磁気特性(特に保磁力)は向上し、高密度記録時の再生
信号は大きくなるものの、媒体ノイズも増加するため、
S/N比(信号強度と雑音との比)で見る限りにおいて
は、磁気特性の向上から期待されるほどの改善が見られ
ないという問題がある。この媒体ノイズは磁気記録層で
ある00合金薄膜の結晶粒径と密接な関係があり、また
Co合金薄膜の結晶粒径は下地CrrrIの結晶粒径と
密接な関係にあることが知られている。つまり、 Co
合金薄膜ばCrMの上にエピタキシャル成長をするため
、 C。
合金薄膜の結晶粒径を制御するためには、 Cr層の結
晶粒径をIIJIIIしてやる必要がある。前述した基
板温度を上げると媒体ノイズが増加するのはCr層の結
晶粒径が増大するため、その結果、 Co合金薄膜層の
結晶粒径が増大するためによるものと考えられる。
晶粒径をIIJIIIしてやる必要がある。前述した基
板温度を上げると媒体ノイズが増加するのはCr層の結
晶粒径が増大するため、その結果、 Co合金薄膜層の
結晶粒径が増大するためによるものと考えられる。
以上のように、従来のスパッタリング法による磁気記録
媒体の製造方法においては、磁気特性を向上させるため
に磁気記RH形成の際に基材温度を高めてやる必要があ
った。ところが、同時に媒体ノイズをも増大させるとい
う課題があった。
媒体の製造方法においては、磁気特性を向上させるため
に磁気記RH形成の際に基材温度を高めてやる必要があ
った。ところが、同時に媒体ノイズをも増大させるとい
う課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、磁気特性を向上させ、高密度記録時の再生出力
を向上できるとともに、媒体ノイズを低減させ、S/N
比を向上できる磁気記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。
もので、磁気特性を向上させ、高密度記録時の再生出力
を向上できるとともに、媒体ノイズを低減させ、S/N
比を向上できる磁気記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。
この発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基材にC
「薄膜、 Co合金薄膜を順に積層して磁気記録媒体を
形成するもので、上記Cr薄膜を上記基材温度を室温以
上150℃以下にして成膜した後、上記Co合金薄膜を
上記基材温度を150℃以上300℃以下に加熱して成
膜するようにしたものである。
「薄膜、 Co合金薄膜を順に積層して磁気記録媒体を
形成するもので、上記Cr薄膜を上記基材温度を室温以
上150℃以下にして成膜した後、上記Co合金薄膜を
上記基材温度を150℃以上300℃以下に加熱して成
膜するようにしたものである。
この発明における磁気記録媒体の製造方法は。
C「薄膜を低温で成膜することによりCr薄膜の結晶粒
径を小さくし、その後00合金薄膜を基材温度を高くし
て成膜しているので、 Co合合金膜膜結晶粒径を小さ
くでき、かつ2気特性を向上できる。従って、磁気記録
媒体の高密度記録時の再生出力を向上でき、媒体ノイズ
を低くできる。
径を小さくし、その後00合金薄膜を基材温度を高くし
て成膜しているので、 Co合合金膜膜結晶粒径を小さ
くでき、かつ2気特性を向上できる。従って、磁気記録
媒体の高密度記録時の再生出力を向上でき、媒体ノイズ
を低くできる。
以下、この発明の一実施例の磁気記録媒体製造方法を図
について説明する。
について説明する。
第1図はこの発明の一実施例に係わるインライン型スパ
ッタ装置の概要を示す構成図で2図中。
ッタ装置の概要を示す構成図で2図中。
+11はローディングチャンバー、(2)は基板加熱チ
ャンバー、(31+、tスパッタチャンバー、 (41
はアンローディングチャンバー、(5)及び(6)は基
板加熱ヒーター、(71はC「ターゲット、(8)はC
o合金ターゲット。
ャンバー、(31+、tスパッタチャンバー、 (41
はアンローディングチャンバー、(5)及び(6)は基
板加熱ヒーター、(71はC「ターゲット、(8)はC
o合金ターゲット。
(9)は保護膜材ターゲット、aO)は仕切バルブであ
る。
る。
基材をローディングチャンバー(1)で真空に排気した
後、基板加熱チャンバー(2)に搬送し所定の温度(室
温〜150℃)まで加熱する。次にスパッタチャンバー
(3)に搬送しCr薄膜を成膜する。その後さらに基板
を加熱して所定の温度(150℃〜300℃)まで加熱
してCo合金薄膜を成膜し、続いて保護膜を成膜する。
後、基板加熱チャンバー(2)に搬送し所定の温度(室
温〜150℃)まで加熱する。次にスパッタチャンバー
(3)に搬送しCr薄膜を成膜する。その後さらに基板
を加熱して所定の温度(150℃〜300℃)まで加熱
してCo合金薄膜を成膜し、続いて保護膜を成膜する。
その後、アンローデイングチャンバー(4)に搬送し大
気に戻す。
気に戻す。
この発明に係わるC「薄膜の成膜温度は基材温度を高く
すると成膜されるCr薄膜の結晶粒径が大きくなり、後
で成膜する00合金薄膜の結晶粒径も大きくなり、媒体
ノイズが増大するので、150℃以下が適当である。
すると成膜されるCr薄膜の結晶粒径が大きくなり、後
で成膜する00合金薄膜の結晶粒径も大きくなり、媒体
ノイズが増大するので、150℃以下が適当である。
また、 Co合金薄膜の成膜温度は基材温度が低(なる
と磁気特性(特に保持力)の向上が顕著に現れず、高す
ぎると基材を損ねるので、150℃〜300℃の範囲が
適当であり、200℃〜250℃の範囲がより望ましい
。
と磁気特性(特に保持力)の向上が顕著に現れず、高す
ぎると基材を損ねるので、150℃〜300℃の範囲が
適当であり、200℃〜250℃の範囲がより望ましい
。
次に具体例を挙げて説明する。
実施例1
非磁性基材としてN1−P下地硬化層が設けられたAl
−Mg基板にテクスチャー加工を施したものを用い、
Go金合金してCo62.5Ni30Cr7.5alの
組成のCoNiCrを保護膜材としてはカーボンを用い
た。第1図に示すスパッタ装置を用い、まず、Cr薄膜
を基板温度を室温として2.000人成膜し2次いで基
板温度を200℃まで上げて 00合金薄膜としてCo
NiCr薄膜を500人成膜し、さらに保護膜としてカ
ーボン膜を400大成膜して、磁気記録媒体を形成した
。なお。
−Mg基板にテクスチャー加工を施したものを用い、
Go金合金してCo62.5Ni30Cr7.5alの
組成のCoNiCrを保護膜材としてはカーボンを用い
た。第1図に示すスパッタ装置を用い、まず、Cr薄膜
を基板温度を室温として2.000人成膜し2次いで基
板温度を200℃まで上げて 00合金薄膜としてCo
NiCr薄膜を500人成膜し、さらに保護膜としてカ
ーボン膜を400大成膜して、磁気記録媒体を形成した
。なお。
この時のスパッタガス圧は全て10m Torrとしな
。
。
実施例2
Cr薄膜形成時の基板温度を100℃とし、他は全て実
施例1と同一条件で成膜を行い磁気記録媒体を形成した
。
施例1と同一条件で成膜を行い磁気記録媒体を形成した
。
比較例
第2図に示す従来装置を用い、Cr薄膜、CoNiCr
薄膜とも基板温度200℃で成膜して磁気記録媒体を形
成した。他の条件は実施例1と同じに行った。
薄膜とも基板温度200℃で成膜して磁気記録媒体を形
成した。他の条件は実施例1と同じに行った。
実施例1,2及び比較例にて得られたメタルスパッタ媒
体の電磁変換特性及び磁気特性を測定した。
体の電磁変換特性及び磁気特性を測定した。
電磁変換特性測定には薄膜磁気ヘッドを用い相対速度1
2.1 m 1sec、記録周波数8μHz、)イズ帯
域20μHzにて行った。また、磁気特性測定には試料
振動型磁力計(VSM)を用いた。
2.1 m 1sec、記録周波数8μHz、)イズ帯
域20μHzにて行った。また、磁気特性測定には試料
振動型磁力計(VSM)を用いた。
電磁変換特性及び磁気特性測定結果を表1に示す。実施
例1及び2とも保磁力は比較例とほぼ同等の値を示して
おり、再生出力もほぼ同じ値を示している。一方、ノイ
ズに関しては実施例1及び2は比較例に比べ低い値を示
しており、S/Nにおいて約2dBの改善が見られた。
例1及び2とも保磁力は比較例とほぼ同等の値を示して
おり、再生出力もほぼ同じ値を示している。一方、ノイ
ズに関しては実施例1及び2は比較例に比べ低い値を示
しており、S/Nにおいて約2dBの改善が見られた。
この発明においては磁性層を構成するC「薄膜とCO合
金薄膜形成時の基板温度を変え、 Cr薄膜を低温で形
成することによす、Co合金薄膜の結晶粒径と密接な関
係にあるCr薄膜の結晶粒径を小さくでき、媒体ノイズ
増大の原因と考えられる磁性層の結晶粒径を小さくでき
る。また、 Co合金薄膜は高温で形成しているので、
Co合金薄膜の磁気特性は向上する。即ち、 Cr薄
膜そしてCo合金薄膜の結晶粒径を小さくしたまま、
Co合金薄膜の磁気特性を向上させることができるので
、高密度記録時の再生出力を高く維持するとともにノイ
ズを低減することができ、S/N比を向上できる優れた
磁気記録媒体が得られる。
金薄膜形成時の基板温度を変え、 Cr薄膜を低温で形
成することによす、Co合金薄膜の結晶粒径と密接な関
係にあるCr薄膜の結晶粒径を小さくでき、媒体ノイズ
増大の原因と考えられる磁性層の結晶粒径を小さくでき
る。また、 Co合金薄膜は高温で形成しているので、
Co合金薄膜の磁気特性は向上する。即ち、 Cr薄
膜そしてCo合金薄膜の結晶粒径を小さくしたまま、
Co合金薄膜の磁気特性を向上させることができるので
、高密度記録時の再生出力を高く維持するとともにノイ
ズを低減することができ、S/N比を向上できる優れた
磁気記録媒体が得られる。
なお、上記実施例においては非磁性基材としてNiP下
地硬化層を設はテクスチャー加工を施した人1−Mg基
板、Co合金薄膜としてCo62.5Ni30Cr7.
5alのCoNiCr薄膜を形成した場合について説明
したが。
地硬化層を設はテクスチャー加工を施した人1−Mg基
板、Co合金薄膜としてCo62.5Ni30Cr7.
5alのCoNiCr薄膜を形成した場合について説明
したが。
これに限らず他の基板また他の00合金薄膜に適用して
も同様の効果を奏する。また基材加熱温度。
も同様の効果を奏する。また基材加熱温度。
スパッタガス圧等スパッタ条件も上記実施例に限定され
るもの゛ではない。
るもの゛ではない。
以上のように、この発明によれば非磁性基材にCr4膜
、 Co合金薄膜を順に積層して磁気記録媒体を形成す
るものにおいて、上記Cr薄膜を上記基材温度を室温以
上150℃以下にして成膜した後、上記Co合金薄膜を
上記基材温度を150℃以上300℃以下に加熱して成
膜するようにしたので、磁気特性を向上でき高密度記録
時の再生出力が向上するとともに、媒体ノイズをも低減
できS/N比が向上した磁気記録媒体が得られる効果が
ある。
、 Co合金薄膜を順に積層して磁気記録媒体を形成す
るものにおいて、上記Cr薄膜を上記基材温度を室温以
上150℃以下にして成膜した後、上記Co合金薄膜を
上記基材温度を150℃以上300℃以下に加熱して成
膜するようにしたので、磁気特性を向上でき高密度記録
時の再生出力が向上するとともに、媒体ノイズをも低減
できS/N比が向上した磁気記録媒体が得られる効果が
ある。
第1図はこの発明の一実施例に係わるインライン型スパ
ッタ装置を示す構成図、第2図は従来例に係わるインラ
イン型スパッタ装置を示す構成図である。 図において、(3)はスパッタチャンバー、(6)ば基
板部熱ヒーター、(7)はC「ターゲット、(8)lよ
00合金ターゲツトである。 なお1図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
ッタ装置を示す構成図、第2図は従来例に係わるインラ
イン型スパッタ装置を示す構成図である。 図において、(3)はスパッタチャンバー、(6)ば基
板部熱ヒーター、(7)はC「ターゲット、(8)lよ
00合金ターゲツトである。 なお1図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 非磁性体基材にCr薄膜、Co合金薄膜を順に積層して
磁気記録媒体を形成するものにおいて、上記Cr薄膜を
上記基材温度を室温以上150℃以下にして成膜した後
、上記Co合金薄膜を上記基材温度を150℃以上30
0℃以下に加熱して成膜するようにしたことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12982289A JPH02308419A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12982289A JPH02308419A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308419A true JPH02308419A (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=15019079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12982289A Pending JPH02308419A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02308419A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160099020A1 (en) * | 2013-03-15 | 2016-04-07 | Seagate Technology Llc | Perpendicular Recording Media with Enhanced Anisotropy Through Energy Assisted Segregation |
-
1989
- 1989-05-23 JP JP12982289A patent/JPH02308419A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160099020A1 (en) * | 2013-03-15 | 2016-04-07 | Seagate Technology Llc | Perpendicular Recording Media with Enhanced Anisotropy Through Energy Assisted Segregation |
| US10793944B2 (en) * | 2013-03-15 | 2020-10-06 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording media with enhanced anisotropy through energy assisted segregation |
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