JPH0532184B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は静電チヤツクに係り、特にエツチング
による誘電体膜の消耗を防ぐようにした静電チヤ
ツクに関する。

（従来の技術） 第４図は、ドライエツチング装置における従来
の一般的な静電チヤツクを示したもので、平板状
のステージ１の上面側には、内部に銅等からなる
フイルム状の電極２を挟み込んだポリイミド製の
誘電体膜３が貼着されており、上記ステージ１の
内部には、被処理物Ａを冷却する冷却水管４が導
通されている。

上記静電チヤツクの場合、被処理物Ａを誘電体
膜３上に載置し、電極２に直流電圧を印加するこ
とにより、被処理物Ａを静電的に保持するもので
ある。そして、通常は、このような構成の静電チ
ヤツクを真空処理容器内に設けて、被処理物Ａの
エツチング等の真空処理を行うようなされてい
た。

（発明が解決しようとする課題） しかし、上記静電チヤツクを用いてエツチング
を行なうと、被処理物Ａと同時に誘電体膜３もエ
ツチングされてしまい、誘電体膜３が著しく消耗
してしまうという欠点を有している。そのため、
特に被処理物Ａの周辺部において電極２が露出し
て誘電体膜３が早急に使用不能となり、頻繁に貼
り代えを行う必要があるため、非常に不経済であ
るという欠点もあつた。

なお、誘電体膜３を耐エツチング性の強い材料
で構成することも考えられるが、このような材料
で構成した場合、ポリイミド樹脂と異なり、純度
を高くして高吸着力を得るようにすることが一般
にかなり困難となつてしまう。

本発明は上記に鑑みてなされたもので、誘電体
膜として純度が高く吸着力が良いポリイミド樹脂
等を使用することができ、しかも誘電体膜の消耗
を極力防ぐことができるようにした静電チヤツク
を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明の静電チヤツ
クは、ドライエツチング装置やスパツタ装置等に
おけるステージの被処理物固定部側に、内部に電
極を埋設した誘電体膜を取付け、上記電極に直流
電圧を印加することにより被処理物を静電的に固
定する静電チヤツクにおいて、上記ステージの上
面に上記誘電体膜とセラミツク系の被覆部材とを
順次積層するとともに、上記被覆部材に被処理物
の外径よりやや大きな内径で該被処理物の周囲を
囲繞し、かつこの被処理物の周縁部下面まで延び
る凹陥部を設け、上記誘電体膜を該凹陥部の内部
に収納される被処理物の外径より小さい範囲で、
かつ上面を上記凹陥部表面より僅かに高く位置さ
せて外部に露出させたものである。

（作用） 上記のように構成した本発明によれば、被処理
物を保持してこれにエツチング処理等を施す際、
被処理物は被覆部材の凹陥部内に位置決めして配
置され、この時誘電体膜の露出部は、ここに配置
された被処理物と該被処理物の周辺から周縁部下
面まで延出している被覆部材でほぼ完全に包囲さ
れるため、被処理物のエツチングと同時に誘電体
膜がエツチングされてしまうことを極力防止する
ことができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を第１図乃至第３図を参
照し、第４図と同一部分には同一符号に付して説
明する。

第１図は、本発明の一実施例を示したもので、
ステージ１の被処理物Ａの外周縁部該当位置に
は、環状の溝５が形成され、誘電体膜３は、上記
溝５の内側に貼着されるとともに、一部が上記溝
５と直交するようにステージ１の外周部まで延び
電極２を図示しない電源供給装置に接続するよう
になされている。

そして、上記溝５内に位置して環状の被覆部材
６ａが、ステージ１の上面側であつて被処理物Ａ
の固定位置以外の部分に位置して中央に円形孔を
有する板状の被覆部材６ｂが夫々取付けられてい
る。この被覆部材６ａ，６ｂは、カーボン、石英
その他セラミツク等の材料からなるものであり、
板状の被覆部材６ｂの円形孔内周面と環状の被覆
部６ａの表面によつて凹陥部７が形成されてい
る。

ここに、上記凹陥部７の内径Ф₃は、被処理物
Ａの外径Ф₂よりやや大きく（Ф₃＞Ф₂）、かつ被
覆部材６ａの内径Ф₁は、被処理物Ａの外径Ф₂よ
り小さく（Ф₁＜Ф₂）設定され、これによつて被
処理物Ａの周囲をこの凹陥部７で囲繞するととも
に、被覆部材６ａが被処理物Ａの周縁部下面に延
びるようになされている。また、被覆部材６ａの
外径Ф₄は、凹陥部７の内径Ф₃より大きく（Ф₄
＞Ф₃）設定されている。

更に、上記被覆部材６ａの厚さは、溝５の深さ
よりも僅かに小さく設定され、これによつて、上
記導電体膜３は、溝５の内側でのみ外部に露出
し、しかもこの露出部の上面３ａが、凹陥部７の
表面７ａより僅かに高くなるようになされてい
る。

これにより、被処理物Ａを保持してエツチング
を行なう場合、被処理物Ａは被覆部材６ａ，６ｂ
で構成された凹陥部７内に位置決めして配置さ
れ、この時誘電体膜３の露出部の上面３ａは、こ
こに配置された被処理部Ａと該被処理物Ａの周囲
から周縁部下面まで延出している被覆部材６ａ，
６ｂでほぼ完全に包囲されるため、被処理物Ａの
エツチングと同時に誘電体膜３の露出部の表面３
ａがエツチングされてしまうことを極力防止する
ことができる。

この結果、被覆部材６ａ，６ｂにより、被処理
物Ａの固定位置以外での誘電体膜３の消耗を防止
して電極２の露出を防止することができ、これに
より、誘電体膜３の耐使用期間を大幅に延長する
ことが可能となる。

第２図に、電極２を挟み込んだ誘電体膜３の斜
視図を示す。

また、第３図に示すように、被覆部材６を一体
に形成するとともに、所定の深さの溝により凹陥
部７を形成し、この凹陥部７内に露出部の上面３
ａをこの表面７ａより僅かに突出させて誘電体膜
３を配置するようにしてもよい。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、被処理物を
保持してこれにエツチング処理を施す際、凹陥部
によつて位置決めしつつ配置する被処理物と該被
処理物の周囲から周縁部下面まで延出している被
覆部材で誘電体膜の露出部をほぼ完全に包囲し
て、被処理物のエツチングと同時に誘電体膜がエ
ツチングされてしまうことを極力防止することが
できる。

従つて、誘電体膜としてポリイミド樹脂等の純
度が高く吸着力が高いものを使用し、しかも耐使
用期間を大幅に延長できるといつた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明一実施例を示す縦断面図、第２
図は静電チヤツクの電極と導電体膜を示す斜視
図、第３図は他の実施例を示す縦断面図、第４図
は従来の静電チヤツクを示す縦断面図である。 １……ステージ、２……電極、３……誘電体
膜、３ａ……同露出部の上面、６，６ａ，６ｂ…
…被覆部材、７……凹陥部、７ａ……同表面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ ドライエツチング装置やスパツタ装置等にお
   けるステージの被処理物固定部側に、内部に電極
   を埋設した誘電体膜を取付け、上記電極に直流電
   圧を印加することにより被処理物を静電的に固定
   する静電チヤツクにおいて、上記ステージの上面
   に上記誘電体膜とセラミツク系の被覆部材とを順
   次積層するとともに、上記被覆部材に被処理物の
   外径よりやや大きな内径で該被処理物の周囲を囲
   繞し、かつこの被処理物の周縁部下面まで延びる
   凹陥部を設け、上記誘電体膜を該凹陥部の内部に
   収納される被処理物の外径より小さい範囲で、か
   つ上面を上記凹陥部表面より僅かに高く位置させ
   て外部に露出させたことを特徴とする静電チヤツ
   ク。